JPH02116727A - 光フアイバ温度センサ - Google Patents
光フアイバ温度センサInfo
- Publication number
- JPH02116727A JPH02116727A JP27138688A JP27138688A JPH02116727A JP H02116727 A JPH02116727 A JP H02116727A JP 27138688 A JP27138688 A JP 27138688A JP 27138688 A JP27138688 A JP 27138688A JP H02116727 A JPH02116727 A JP H02116727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- temperature sensor
- temperature
- thin film
- based material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光ファイバを利用して温度を測定する光フ
ァイバ温度センサに関するものである。
ァイバ温度センサに関するものである。
［従来の技術］
従来、光ファイバを利用した温度センサとして、光ファ
イバの端面に、Ｇａ Ａｓ 、Ｃｄ Ｔｅ Ｗの半導体
結晶板を接着し、この半導体結晶板を＠潟物質とし、光
を投受光してその反射率または透過率の変化から温度を
測定するものがある。
イバの端面に、Ｇａ Ａｓ 、Ｃｄ Ｔｅ Ｗの半導体
結晶板を接着し、この半導体結晶板を＠潟物質とし、光
を投受光してその反射率または透過率の変化から温度を
測定するものがある。
Ｃ発明が解決しようとする課題］
しかしながら、半導体結晶板を用いると光ファイバ端面
との接着が難しく、製作技術を要し、耐熱性にも問題が
あった。また、Ｑａ ＡＳ等の半導体結晶の、１脇では
、反射率、透過率の変化が生じる吸収端の立上りを鋭く
し、薄膜による干渉の影響を除くため、厚さが数十μｍ
以上の結晶性の良好な膜が必要であり、製作が困難であ
る問題点があった。
との接着が難しく、製作技術を要し、耐熱性にも問題が
あった。また、Ｑａ ＡＳ等の半導体結晶の、１脇では
、反射率、透過率の変化が生じる吸収端の立上りを鋭く
し、薄膜による干渉の影響を除くため、厚さが数十μｍ
以上の結晶性の良好な膜が必要であり、製作が困難であ
る問題点があった。
この発明の目的は、以上の点に檻み、製作が容易で、小
型、耐熱性のある光ファイバ渇度センサを提供すること
である。
型、耐熱性のある光ファイバ渇度センサを提供すること
である。
［課題を解決するための手段１
この発明は、光ファイバを利用して感温物質に投受光し
その反射率または透過率の変化から温度を測定する光フ
ァイバ温度センサにおいて、感温物質として水素化また
はフッソ化したアモルファスＳｉ系材料の薄膜を用いる
ようにしたものである。
その反射率または透過率の変化から温度を測定する光フ
ァイバ温度センサにおいて、感温物質として水素化また
はフッソ化したアモルファスＳｉ系材料の薄膜を用いる
ようにしたものである。
［作用］
製作が容易で、製作条件により各種特性の薄膜が得られ
、濃度測定が可能となる。
、濃度測定が可能となる。
［実施例１
第１図は、この発明の一実施例を示す構成説明図である
。
。
図において、光ファイバ１の端部に、＠潟物質２として
の水素化またはフッソ化したアモルファスシリコン系の
材料（ａ −８ｉ ：Ｈ，ａ −８ｉ Ｎ：Ｈ，ａ
−８ｉ Ｃ：Ｈ，ａ −８ｉ Ｇｅ ：Ｈ等）の簿模を
０．０５〜０．３ａｍ ８１１１．、ＣＶＤ、スパッタ
、イオンブレーティング、蒸着等で形成し、さらにこの
感温物質２の上にＡ Ｉ 、Ｃｕ 、Ａｕ等の反（Ｍ
ｌ！Ｉ３を形成する。なお、この光ファイバ１の端部の
薄膜の感温物質２、反ｆＪ４膜３の全体に、適当な保ｔ
！１１１４を形成するとよい。
の水素化またはフッソ化したアモルファスシリコン系の
材料（ａ −８ｉ ：Ｈ，ａ −８ｉ Ｎ：Ｈ，ａ
−８ｉ Ｃ：Ｈ，ａ −８ｉ Ｇｅ ：Ｈ等）の簿模を
０．０５〜０．３ａｍ ８１１１．、ＣＶＤ、スパッタ
、イオンブレーティング、蒸着等で形成し、さらにこの
感温物質２の上にＡ Ｉ 、Ｃｕ 、Ａｕ等の反（Ｍ
ｌ！Ｉ３を形成する。なお、この光ファイバ１の端部の
薄膜の感温物質２、反ｆＪ４膜３の全体に、適当な保ｔ
！１１１４を形成するとよい。
このような薄膜の感温物質２、光）１イバ１を介して図
示しない光源から光を投光し、その反射光または透過光
を図示しない検出器で測定する。
示しない光源から光を投光し、その反射光または透過光
を図示しない検出器で測定する。
この感温物！２の温度Ｔによる光学特性は、第３図で示
すように、温度Ｔにより吸収端での傾き部分が移動して
変化し、この傾き部分の適当な波長を測定波長として測
定することにより、温度に対する反射率変化が求まり、
これより温度を測定することができる。なお、温度依存
性の少い、波長を参照波長として測定波長との比較から
測温してもよい。
すように、温度Ｔにより吸収端での傾き部分が移動して
変化し、この傾き部分の適当な波長を測定波長として測
定することにより、温度に対する反射率変化が求まり、
これより温度を測定することができる。なお、温度依存
性の少い、波長を参照波長として測定波長との比較から
測温してもよい。
このアモルファスＳｉ系の材料の感温物ｔ２２は、短波
長側での吸収が大であるので、０．１μｍ程度のｎｌＩ
ｇでも吸収端の傾きを大きくとれ、干渉の影響が少く、
感度か大きくとれる。また、水素化度、薄膜の制御等に
より、反射率の変化領域を光源、素子に合わせることが
でき、測定系の設計、構築が容易となる。
長側での吸収が大であるので、０．１μｍ程度のｎｌＩ
ｇでも吸収端の傾きを大きくとれ、干渉の影響が少く、
感度か大きくとれる。また、水素化度、薄膜の制御等に
より、反射率の変化領域を光源、素子に合わせることが
でき、測定系の設計、構築が容易となる。
第２図は、他の一実施例を示し、第１図の実施例におい
て、感温物質２と反射膜３との間にＳｉ０２ ｍ ５を
バッファ層として形成した。このようにすることにより
、高湿使用時において、感温物質２と反射膜３との相互
拡散による特性変化を防止でき、温度センサの耐熱特性
を向上させることができる。
て、感温物質２と反射膜３との間にＳｉ０２ ｍ ５を
バッファ層として形成した。このようにすることにより
、高湿使用時において、感温物質２と反射膜３との相互
拡散による特性変化を防止でき、温度センサの耐熱特性
を向上させることができる。
［発明の効果］
以上述べたように、この発明は、光ファイバ温度センサ
の感温物質として、アモルファスＳｉ系の材料を用いた
もので、７ｓ膜でも吸収端の立ち上り特性がよく高感度
のものとなり、また、材料、水素化度、膜厚の制御等に
より反射、吸収特性のコントロールができ、光源等に合
わせ任意の測定波艮鞘囲とでき、各種用途に応じたもの
が実現できる。また、薄膜技術により製造が容易で、出
産に向ぎ、小型、安価なものとなる。
の感温物質として、アモルファスＳｉ系の材料を用いた
もので、７ｓ膜でも吸収端の立ち上り特性がよく高感度
のものとなり、また、材料、水素化度、膜厚の制御等に
より反射、吸収特性のコントロールができ、光源等に合
わせ任意の測定波艮鞘囲とでき、各種用途に応じたもの
が実現できる。また、薄膜技術により製造が容易で、出
産に向ぎ、小型、安価なものとなる。
第１図、第２図は、各々この発明の一実施例を示す構成
説明図、第３図は、特性説明図である。 １・・・光ファイバ、２・・・＠瀉物質、３・・・反射
膜、４・・・保護層、５・・・Ｓｉ ０２１！第３１図 ノ シ斥で４＜へン
説明図、第３図は、特性説明図である。 １・・・光ファイバ、２・・・＠瀉物質、３・・・反射
膜、４・・・保護層、５・・・Ｓｉ ０２１！第３１図 ノ シ斥で４＜へン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光ファイバを利用して感温物質に光を投受光しその
反射率または透過率の変化から温度を測定する光ファイ
バ温度センサにおいて、感温物質として水素化またはフ
ッソ化したアモルファスＳｉ系材料で膜厚が０．０５〜
０．３μｍの薄膜を用いた光ファイバ温度センサ。 ２、光ファイバの端面に感温物質を形成し、その上に反
射膜を形成した請求項１記載の光ファイバ温度センサ。 ３、感温物質と反射膜との間にＳｉＯ＿２膜を設けた請
求項２記載の光ファイバ温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27138688A JPH02116727A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 光フアイバ温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27138688A JPH02116727A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 光フアイバ温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116727A true JPH02116727A (ja) | 1990-05-01 |
| JPH0577973B2 JPH0577973B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=17499350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27138688A Granted JPH02116727A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 光フアイバ温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19534440A1 (de) * | 1995-09-16 | 1997-03-20 | Bergmann Hans Wilhelm | Verfahren und Vorrichtung zur schnellen und berührungslosen Temperaturmessung an farbigen Metallen und anderen anorganischen Stoffen |
| CN101803910A (zh) * | 2010-04-08 | 2010-08-18 | 南昌航空大学 | 一种医用内窥镜用温度探头 |
| CN117490770A (zh) * | 2023-11-13 | 2024-02-02 | 江西师范大学 | 一种基于pva光纤的温湿度传感器系统 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27138688A patent/JPH02116727A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19534440A1 (de) * | 1995-09-16 | 1997-03-20 | Bergmann Hans Wilhelm | Verfahren und Vorrichtung zur schnellen und berührungslosen Temperaturmessung an farbigen Metallen und anderen anorganischen Stoffen |
| CN101803910A (zh) * | 2010-04-08 | 2010-08-18 | 南昌航空大学 | 一种医用内窥镜用温度探头 |
| CN117490770A (zh) * | 2023-11-13 | 2024-02-02 | 江西师范大学 | 一种基于pva光纤的温湿度传感器系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577973B2 (ja) | 1993-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7908096B2 (en) | Integrated micromachined thermal mass flow sensor and methods of making the same | |
| JP2001516017A (ja) | 波長及び角感度を有する略垂直入射式光学的検定方法及びシステム | |
| US2536111A (en) | Dew point hygrometer | |
| JP5590460B2 (ja) | 露点計測装置および気体特性測定装置 | |
| JPWO1992010742A1 (ja) | 熱抵抗の変化を利用して被測定体の固有値を測定するセンシングシステム | |
| JP2011013145A5 (ja) | ||
| JPH09329499A (ja) | 赤外線センサ及び赤外線検出器 | |
| JPH02116727A (ja) | 光フアイバ温度センサ | |
| US5245410A (en) | Optical fiber sensor based on the excitation of surface plasmon | |
| US5624190A (en) | Method and apparatus for measuring the temperature of an object, in particular a semiconductor, by ellipsometry | |
| US5796098A (en) | Sensor for rotational velocity and rotational acceleration | |
| JPH0918070A (ja) | 力学量センサーおよび歪抵抗素子及びそれらの製造方法並びに角速度センサー | |
| US4730109A (en) | Apparatus and method for measuring electric field by electroreflectance | |
| JP2016197016A (ja) | 表面プラズモン検出装置 | |
| JPS62170840A (ja) | 水素検知光センサ | |
| JP2674014B2 (ja) | 受光素子，光強度モニタ用受光素子及び光強度モニタ | |
| JPH0231811B2 (ja) | ||
| JP3071645B2 (ja) | 屈折率センサ | |
| JPH04295768A (ja) | 流体検出装置 | |
| JPH01221628A (ja) | 温度センサ | |
| KR100339395B1 (ko) | 적층형 볼로메터 센서 및 제조 방법 | |
| JPH0618330A (ja) | 光吸収係数測定方法及び光吸収係数測定装置 | |
| JPH11160146A (ja) | 赤外線検出素子及びその製造方法 | |
| JPS61159123A (ja) | 温度センサ | |
| JPS58135928A (ja) | 光学式温度測定器 |