JPH02118065A - 光磁気記録用合金ターゲット - Google Patents
光磁気記録用合金ターゲットInfo
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- JPH02118065A JPH02118065A JP26821688A JP26821688A JPH02118065A JP H02118065 A JPH02118065 A JP H02118065A JP 26821688 A JP26821688 A JP 26821688A JP 26821688 A JP26821688 A JP 26821688A JP H02118065 A JPH02118065 A JP H02118065A
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- Japan
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- earth element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気記録媒体をスパッタリング法を用いて
製造するのに好適な合金ターゲットに関する。
製造するのに好適な合金ターゲットに関する。
近年、情報の消去、再記録が容易にできる光磁気メモリ
ーが注目されているが、この光磁気メモリーの材料とし
て、ガーネットなどの単結晶材料、ＭｎＢ１ 、 Ｐｔ
Ｃｏなどの多結晶材料および希土類元素と遷移金属との
合金などの非晶質材料が知られている。
ーが注目されているが、この光磁気メモリーの材料とし
て、ガーネットなどの単結晶材料、ＭｎＢ１ 、 Ｐｔ
Ｃｏなどの多結晶材料および希土類元素と遷移金属との
合金などの非晶質材料が知られている。
これらの中でも希土類元素と遷移金属からなる非晶質合
金（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ −Ｔｂ−Ｆｅなど）
は、記録に必要なエネルギーが少なくてすむこと、粒界
ノイズが現われないこと、さらに比較的容易に大型のも
のが作成できること等の多くの利点を持つ。この非晶質
合金の薄膜を作成する方法として、イオンをターゲット
に衝突させてターゲント近くにおかれたＭｔｆｆｌの上
に薄膜を作成するスパッタリング法がよく用いられる。
金（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ 、 Ｇｄ −Ｔｂ−Ｆｅなど）
は、記録に必要なエネルギーが少なくてすむこと、粒界
ノイズが現われないこと、さらに比較的容易に大型のも
のが作成できること等の多くの利点を持つ。この非晶質
合金の薄膜を作成する方法として、イオンをターゲット
に衝突させてターゲント近くにおかれたＭｔｆｆｌの上
に薄膜を作成するスパッタリング法がよく用いられる。
このスパッタリング法に使用されるターゲット材料のう
ち、（１１割れ難いこと、（２１Ｍｌ成の均一性が良好
であることなどを具備するものとして、例えば、希土類
元素と遷移金属との金属間化合物相および遷移金属単体
相からなる混合組織であるもの（特開昭６２−７０５５
０号）が提冨されている。
ち、（１１割れ難いこと、（２１Ｍｌ成の均一性が良好
であることなどを具備するものとして、例えば、希土類
元素と遷移金属との金属間化合物相および遷移金属単体
相からなる混合組織であるもの（特開昭６２−７０５５
０号）が提冨されている。
しかしながら、このターゲット材料は、＜１１得られる
膜組成がターゲット組成から大幅にずれる、（２）透磁
率が高く、特にマグネトロンスパッタ装置に用いるとタ
ーゲット表面もれ磁束が小さく、スパッタ効率ひいては
ターゲット利用効率が悪くなる、（３） １２１に関連
してターゲット表面の形状変化が激しく、膜の組成に経
時変化を生じるなどの問題点を抱えている。
膜組成がターゲット組成から大幅にずれる、（２）透磁
率が高く、特にマグネトロンスパッタ装置に用いるとタ
ーゲット表面もれ磁束が小さく、スパッタ効率ひいては
ターゲット利用効率が悪くなる、（３） １２１に関連
してターゲット表面の形状変化が激しく、膜の組成に経
時変化を生じるなどの問題点を抱えている。
本発明者等は、これらの問題点を解消し、（１）割れ難
い、（２）膜組成の均一性を良好にする、（３）ターゲ
ット−膜の組成ずれの少ない、（４）ターゲット利用効
率の大きい、（５）得られる膜組成に経時変化を生じさ
せないターゲットを提供すべく鋭意研究した結果、ター
ゲットの組織中に遷移金属単体相を実質的に存在させる
ことなく、特定の添加元素を偏在させることによって、
前記目的が達成され得ることを見出し、本発明に到達し
た。
い、（２）膜組成の均一性を良好にする、（３）ターゲ
ット−膜の組成ずれの少ない、（４）ターゲット利用効
率の大きい、（５）得られる膜組成に経時変化を生じさ
せないターゲットを提供すべく鋭意研究した結果、ター
ゲットの組織中に遷移金属単体相を実質的に存在させる
ことなく、特定の添加元素を偏在させることによって、
前記目的が達成され得ることを見出し、本発明に到達し
た。
〔課題を解決するための手段および作用〕即ち、本発明
の光磁気記録用合金クーデ７）は、成分、組成が、Ｓｒ
ｓ 、 Ｎｄ 、 Ｇｄ 、 Ｔｂ ＋ Ｄｙ、 Ｈｏ
、 ＴｍＥｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ、 Ａ７！、 Ｓｉ 、 Ｐ、 Ｔｉ
、 Ｖ、 Ｃｒ、 ＭｎＺｒ 、 Ｎｂ 、 Ｍｏ
、 Ｉｆｆ Ｔａ 、 Ｗ 、 Ｐｔ 、 Ｐｂ
、 Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１０
原子％、残部実質的にＣｏ 、 Ｆｅ 、 Ｎｉの中の
少なくとも１種の遷移金属であり、８Ｊ１織が該希土類
元素、該添加元素および該遷移金属の金属間化合物相、
並びに該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の
金属間化合物との微細混合相からなる）昆合組織である
ことを特徴とするものである。
の光磁気記録用合金クーデ７）は、成分、組成が、Ｓｒ
ｓ 、 Ｎｄ 、 Ｇｄ 、 Ｔｂ ＋ Ｄｙ、 Ｈｏ
、 ＴｍＥｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ、 Ａ７！、 Ｓｉ 、 Ｐ、 Ｔｉ
、 Ｖ、 Ｃｒ、 ＭｎＺｒ 、 Ｎｂ 、 Ｍｏ
、 Ｉｆｆ Ｔａ 、 Ｗ 、 Ｐｔ 、 Ｐｂ
、 Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１０
原子％、残部実質的にＣｏ 、 Ｆｅ 、 Ｎｉの中の
少なくとも１種の遷移金属であり、８Ｊ１織が該希土類
元素、該添加元素および該遷移金属の金属間化合物相、
並びに該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の
金属間化合物との微細混合相からなる）昆合組織である
ことを特徴とするものである。
また、他の本発明の光磁気記録用合金クーデ・７トは、
成分、組成が、Ｓｍ 、 Ｎｄ 、 Ｇｄ 、 Ｔｂ
、 ＤｙＨｏ 、 Ｔｍ 、 Ｅｒの中の少なくとも１
種の希土類元素１０〜５０原子％、Ｂ 、 Ｉ／！、
Ｓｉ 、 Ｐ 、 Ｔｉ ＋ ＶＣｒ 、 Ｍｎ 、
Ｚｒ 、 Ｎｂ 、 Ｍｏ 、 Ｈｆ 、 Ｔａ 、
Ｗ 、 ＰＬ 。
成分、組成が、Ｓｍ 、 Ｎｄ 、 Ｇｄ 、 Ｔｂ
、 ＤｙＨｏ 、 Ｔｍ 、 Ｅｒの中の少なくとも１
種の希土類元素１０〜５０原子％、Ｂ 、 Ｉ／！、
Ｓｉ 、 Ｐ 、 Ｔｉ ＋ ＶＣｒ 、 Ｍｎ 、
Ｚｒ 、 Ｎｂ 、 Ｍｏ 、 Ｈｆ 、 Ｔａ 、
Ｗ 、 ＰＬ 。
ｐｂ ，Ｂｉの中の中の少なくとも１種の添加元素０．
１〜】Ｏ原子％、残部実質的にＣｏ 、 Ｆｅ 、 Ｎ
ｉの中の少なくとも１種の遷移金属であり、組織が該希
土類元素、該添加元素および該遷移金属の金属間化合物
相、該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金
属間化合物との微細混合相、並びに該希土類元素単体相
からなる混合Ｎｉ織であることを特徴とするものである
。
１〜】Ｏ原子％、残部実質的にＣｏ 、 Ｆｅ 、 Ｎ
ｉの中の少なくとも１種の遷移金属であり、組織が該希
土類元素、該添加元素および該遷移金属の金属間化合物
相、該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金
属間化合物との微細混合相、並びに該希土類元素単体相
からなる混合Ｎｉ織であることを特徴とするものである
。
更に、第３の本発明の光磁気記録用合金ターゲットは、
成分、組成が、Ｓｍ 、 Ｎｄ ＋ Ｇｄ 、 Ｔｂ
＋ Ｄｙ＋ｔｌｏ 、 Ｔｍ 、 Ｅｒの中の少なくと
も１種の希土類元素１０〜５０原子％、Ｂ、Ａ７！、Ｓ
ｉ、Ｐ＋Ｔｉ、ＶＣｒ 、 Ｍｎ 、 Ｚｒ 、 Ｎｂ
、 Ｍｏ 、 ｔｌｆ 、 Ｔａ 、 Ｗ 、 Ｐｔ
。
成分、組成が、Ｓｍ 、 Ｎｄ ＋ Ｇｄ 、 Ｔｂ
＋ Ｄｙ＋ｔｌｏ 、 Ｔｍ 、 Ｅｒの中の少なくと
も１種の希土類元素１０〜５０原子％、Ｂ、Ａ７！、Ｓ
ｉ、Ｐ＋Ｔｉ、ＶＣｒ 、 Ｍｎ 、 Ｚｒ 、 Ｎｂ
、 Ｍｏ 、 ｔｌｆ 、 Ｔａ 、 Ｗ 、 Ｐｔ
。
Ｐｂ 、 Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１
〜１０原子％、残部実質的にＣｏ 、 Ｆｅ 、 Ｎｉ
Ｏ中の少なくとも１種の遷移金属であり、組織が該希土
類元素および該遷移金属の金属間化合物相、並びに該希
土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合
物との微細混合相（該希土類元素と該希土類元素および
該遷移金属の金属間化合物とのうちの少なくとも１つは
該添加元素を含む）からなるン昆合組織であることを特
徴とするものであり、−第４の本発明の光磁気記録用合
金クーゲ７）は、成分、組成が、Ｓｍ 、 Ｎｄ 、
Ｇｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ、 Ｈ−ｏ 。
〜１０原子％、残部実質的にＣｏ 、 Ｆｅ 、 Ｎｉ
Ｏ中の少なくとも１種の遷移金属であり、組織が該希土
類元素および該遷移金属の金属間化合物相、並びに該希
土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合
物との微細混合相（該希土類元素と該希土類元素および
該遷移金属の金属間化合物とのうちの少なくとも１つは
該添加元素を含む）からなるン昆合組織であることを特
徴とするものであり、−第４の本発明の光磁気記録用合
金クーゲ７）は、成分、組成が、Ｓｍ 、 Ｎｄ 、
Ｇｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ、 Ｈ−ｏ 。
Ｔｉｎ、 Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ、 Ａｌ、 Ｓｉ ＋ Ｐ、 Ｔｉ
、 Ｖ、 ＣｒＭｎ、 Ｚｒ 、 Ｎｂ ｔ Ｍｏ 、
Ｉｆｆ 、 Ｔａ 、 Ｗ ｔ Ｐｔ ＋ Ｐｂ ＋
Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１００原
子％、残部実質的にＧｏ 、 Ｆｅ 、 ＮｉＯ中の少
なくとも１種の遷移金属であり、Ｎｉ織が該希土類元素
および該遷移金属の金属間化合物相、該希土類元素と該
希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細混
合相（該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の
金属間化合物とのうちの少なくとも１つは該添加元素を
含む）、並びに該希土類元素単体相からなる混合組織で
あることを特徴とするものである。
〜５０原子％、Ｂ、 Ａｌ、 Ｓｉ ＋ Ｐ、 Ｔｉ
、 Ｖ、 ＣｒＭｎ、 Ｚｒ 、 Ｎｂ ｔ Ｍｏ 、
Ｉｆｆ 、 Ｔａ 、 Ｗ ｔ Ｐｔ ＋ Ｐｂ ＋
Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１００原
子％、残部実質的にＧｏ 、 Ｆｅ 、 ＮｉＯ中の少
なくとも１種の遷移金属であり、Ｎｉ織が該希土類元素
および該遷移金属の金属間化合物相、該希土類元素と該
希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細混
合相（該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の
金属間化合物とのうちの少なくとも１つは該添加元素を
含む）、並びに該希土類元素単体相からなる混合組織で
あることを特徴とするものである。
本発明の合金ターゲットの成分組成は、Ｓｍ 。
Ｎｄ 、 Ｇｄ 、 Ｔｂ 、 Ｄｙ、 Ｉｌｏ 、
Ｔｍ 、 Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ、Ａｆｆｉ。
Ｔｍ 、 Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ、Ａｆｆｉ。
Ｓｉ 、 Ｐ ＋ Ｔｉ ＋ Ｖ 、 Ｃｒ 、 Ｍｎ
＋ Ｚｒ 、 Ｎｂ 、 Ｍｏ ｌＨｆ 、Ｔａ 、
Ｗ ＋ Ｐｔ ＋ Ｐｂ ＋ Ｂ＋の中の少なくとも１
種の添加元素０．１〜１０原子％、残部実質的にＣｏ。
＋ Ｚｒ 、 Ｎｂ 、 Ｍｏ ｌＨｆ 、Ｔａ 、
Ｗ ＋ Ｐｔ ＋ Ｐｂ ＋ Ｂ＋の中の少なくとも１
種の添加元素０．１〜１０原子％、残部実質的にＣｏ。
Ｆｅ 、 Ｎｉの中の少なくとも１種の遷移金属である
必要がある。希土類元素の量が１０原子％未溝になった
り、５０原子％を超えると、スパッタリング法により得
られる薄膜の光磁気特性が充分なものとならない。また
、添加元素の量がＯ１ｌ原子％未満では、得られる薄膜
の耐食性が充分でなく、一方、１０原子％を超えると、
薄膜の光磁気特性が充分なものとならない。
必要がある。希土類元素の量が１０原子％未溝になった
り、５０原子％を超えると、スパッタリング法により得
られる薄膜の光磁気特性が充分なものとならない。また
、添加元素の量がＯ１ｌ原子％未満では、得られる薄膜
の耐食性が充分でなく、一方、１０原子％を超えると、
薄膜の光磁気特性が充分なものとならない。
本発明の合金ターゲットは、製造上不可避的に混入する
不純物、例えばＣａ 、 Ｃ、Ｓなどを含んでいてもよ
い。
不純物、例えばＣａ 、 Ｃ、Ｓなどを含んでいてもよ
い。
更に、本発明の合金ターゲットのｍ織は、該希土類元素
、該添加元素および該遷移金属の金属間化合物相、並び
に該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金属
間化合物との微細混合相からなる混合組織、または上記
諸相と該希土類元素単体相とからなる混合組織を呈する
。
、該添加元素および該遷移金属の金属間化合物相、並び
に該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金属
間化合物との微細混合相からなる混合組織、または上記
諸相と該希土類元素単体相とからなる混合組織を呈する
。
上記微細混合相は、希土類元素と希土類元素および遷移
金属の金属間化合物とが微細に混合したもので、上体が
常温に冷却される際におこる共晶、包晶、包共晶などの
反応により生成されるものである。また、急速に冷却さ
れて非晶質Ｎｉ織を呈していたものが、加熱により結晶
質Ｎｉ織となったものでもよい。本発明の組織において
は、前記金属間化合物相に前記添加元素が含有され、前
記微細混合相に前記添加元素が実質的に含有されない。
金属の金属間化合物とが微細に混合したもので、上体が
常温に冷却される際におこる共晶、包晶、包共晶などの
反応により生成されるものである。また、急速に冷却さ
れて非晶質Ｎｉ織を呈していたものが、加熱により結晶
質Ｎｉ織となったものでもよい。本発明の組織において
は、前記金属間化合物相に前記添加元素が含有され、前
記微細混合相に前記添加元素が実質的に含有されない。
また、前記金属間化合物相に前記添加元素が実質的に含
有されず、前記微細混合相に前記添加元素が含有されて
もよい。このように、Ｎｉ織に、前記混合相を存在させ
、前記金属間化合物相と前記微細混合相のいずれか一方
に前記添加元素を含有させる、即ち前記添加元素を偏在
させることは、（１）脆い前記金属間化合物相の結合相
となる、（２）膜組成を均一にする、そして（３）ター
ゲットと膜との組成差を少なくするように作用する。こ
の混合相は、５００μｍ以下の大きさで、３容量％以上
存在することが、前記作用を有効に発渾させる上で好ま
しく、形状は粒状、角状、柱状などでよく、特に制限は
ない。遷移金属単体相は実質的に存在しないことが必要
であり、存在すると、ターゲット利用効率や膜の経時変
化に悪い影響を及ぼす。他の相である金属間化合物相は
、■相でも２相以上でもよく、それらの形状、大きさも
特に制限はない。
有されず、前記微細混合相に前記添加元素が含有されて
もよい。このように、Ｎｉ織に、前記混合相を存在させ
、前記金属間化合物相と前記微細混合相のいずれか一方
に前記添加元素を含有させる、即ち前記添加元素を偏在
させることは、（１）脆い前記金属間化合物相の結合相
となる、（２）膜組成を均一にする、そして（３）ター
ゲットと膜との組成差を少なくするように作用する。こ
の混合相は、５００μｍ以下の大きさで、３容量％以上
存在することが、前記作用を有効に発渾させる上で好ま
しく、形状は粒状、角状、柱状などでよく、特に制限は
ない。遷移金属単体相は実質的に存在しないことが必要
であり、存在すると、ターゲット利用効率や膜の経時変
化に悪い影響を及ぼす。他の相である金属間化合物相は
、■相でも２相以上でもよく、それらの形状、大きさも
特に制限はない。
希土類元素単体相は、別の他の相として存在しても、存
在しないものと作用に特に著しい相違はない。
在しないものと作用に特に著しい相違はない。
次に本発明の合金ターゲットの製造方法例を説明する。
本発明の合金ターゲットを製造するには、前記添加元素
を含有する粉末と前記添加元素を実質的に含有しない粉
末とを混合し、次に、粉末冶金法により、焼結体である
合金ターゲットとする。また、前記添加元素を含有する
粉末と前記添加元素を実質的に含有しない粉末のどちら
か一方は、溶解法により製造された合金粉末、換言すれ
ば、−旦、溶湯となった履歴を有する合金粉末を使用す
るか、または、粉末冶金法による焼結の際、液相を生せ
しめることが必要である。このような合金粉末としては
、（１１溶解して得られた合金鋳塊を機械粉砕して製造
したもの、（２）合金を電極としてプラズマＲＥＰ（Ｒ
ｏｔａｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ
）法により製造したもの、（３）合金溶湯をロールな
どの常温の冷却装置により急速に冷却凝固させて得られ
た薄帯を粉砕して製造したものなどが挙げられる。
を含有する粉末と前記添加元素を実質的に含有しない粉
末とを混合し、次に、粉末冶金法により、焼結体である
合金ターゲットとする。また、前記添加元素を含有する
粉末と前記添加元素を実質的に含有しない粉末のどちら
か一方は、溶解法により製造された合金粉末、換言すれ
ば、−旦、溶湯となった履歴を有する合金粉末を使用す
るか、または、粉末冶金法による焼結の際、液相を生せ
しめることが必要である。このような合金粉末としては
、（１１溶解して得られた合金鋳塊を機械粉砕して製造
したもの、（２）合金を電極としてプラズマＲＥＰ（Ｒ
ｏｔａｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ
）法により製造したもの、（３）合金溶湯をロールな
どの常温の冷却装置により急速に冷却凝固させて得られ
た薄帯を粉砕して製造したものなどが挙げられる。
もう一方の粉末は、例えば、希土類酸化物粉、遷移金属
粉あるいは遷移金属粉および添加光素粉、並びに金属カ
ルシウムのような還元剤を混合し、加熱して、希土類酸
化物の還元、遷移金属あるいは遷移金属および添加元素
への拡散の反応を行わせる還元拡散法により製造したも
のなどが挙げられる。
粉あるいは遷移金属粉および添加光素粉、並びに金属カ
ルシウムのような還元剤を混合し、加熱して、希土類酸
化物の還元、遷移金属あるいは遷移金属および添加元素
への拡散の反応を行わせる還元拡散法により製造したも
のなどが挙げられる。
なお、遷移金属の単体または合金粉末の使用は、合金タ
ーゲットのＭｉ織に遷移金属単体相を存在させないとい
う観点から留意すべきであり、使用するとしてもできる
だけ細粒のものを使用するのが好ましい。
ーゲットのＭｉ織に遷移金属単体相を存在させないとい
う観点から留意すべきであり、使用するとしてもできる
だけ細粒のものを使用するのが好ましい。
こうして得られた合金粉末は、次に、粉末冶金法により
、焼結体である合金ターゲットが製造される。即ち、例
えば、混合粉末を、常温で０．５〜５ｔ／ｃＪの圧力で
単純圧縮するか、０．５〜２ｔ／ｃｒａの圧力で静水圧
プレスにて成形した後、真空あるいはＡｒ雰囲気中、７
００〜１３００℃の温度で０．５〜５時間焼結する常圧
焼結法、真空中、Ｏ，１〜０．５ｔ／ｃａｌの圧力で６
００〜１２００℃の温度で１〜５時間焼結する熱間加圧
法、更には弾性体中に封入後、６００−１２００℃の温
度、０．１〜２ｔ／ａｎｔの圧力で０．５〜５時間焼結
する熱間静水圧加圧法等により焼結を行なう。
、焼結体である合金ターゲットが製造される。即ち、例
えば、混合粉末を、常温で０．５〜５ｔ／ｃＪの圧力で
単純圧縮するか、０．５〜２ｔ／ｃｒａの圧力で静水圧
プレスにて成形した後、真空あるいはＡｒ雰囲気中、７
００〜１３００℃の温度で０．５〜５時間焼結する常圧
焼結法、真空中、Ｏ，１〜０．５ｔ／ｃａｌの圧力で６
００〜１２００℃の温度で１〜５時間焼結する熱間加圧
法、更には弾性体中に封入後、６００−１２００℃の温
度、０．１〜２ｔ／ａｎｔの圧力で０．５〜５時間焼結
する熱間静水圧加圧法等により焼結を行なう。
以上のような方法で製造された合金ターゲットは、本発
明の組織を呈する。この組織の中で前記微細混合相は、
前記溶解法により製造された合金粉末中に存在していた
か、あるいは、前記粉末冶金法による焼結の際に液相が
生成したことにより新たに存在したものである。
明の組織を呈する。この組織の中で前記微細混合相は、
前記溶解法により製造された合金粉末中に存在していた
か、あるいは、前記粉末冶金法による焼結の際に液相が
生成したことにより新たに存在したものである。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例１
組成Ｔｂ２． Ｆｅ＆。Ｃｏｃｏ Ｃｒｓの合金ターゲ
ットの製造を目的として、還元拡散法により製造した組
成Ｔｂ＋ｉ、 ｚＦｅ、ａｃＯ＋ｚ、 ５ｃｒｈ、 ：
ｌの合金粉末（平均粒径５０μｍ）とプラズマＲＥＰ法
により製造した組成ＴｂｔｚＦｅｚ＠の合金粉末（平均
粒径１００μｍ）（以上、いずれも純度９９．９重量％
以上、以下の例における原料粉末も同様）とを配合し、
アルゴンガス雰囲気中ボールミルで１時間混合した。
ットの製造を目的として、還元拡散法により製造した組
成Ｔｂ＋ｉ、 ｚＦｅ、ａｃＯ＋ｚ、 ５ｃｒｈ、 ：
ｌの合金粉末（平均粒径５０μｍ）とプラズマＲＥＰ法
により製造した組成ＴｂｔｚＦｅｚ＠の合金粉末（平均
粒径１００μｍ）（以上、いずれも純度９９．９重量％
以上、以下の例における原料粉末も同様）とを配合し、
アルゴンガス雰囲気中ボールミルで１時間混合した。
この混合粉末を内径１５２龍の黒鉛製の成形器に装入し
熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度をｌ Ｘ
Ｉ Ｏ−’ Ｔｏｒｒとし、粉末を加圧するために、
１００ｋｇ／ｃＩ１１の圧力を８６０℃に昇温するまで
加え、昇温後は圧力を２５０ ｋｇ／ｃｎｌとしその温
度を３０分保持した後、室温まで冷却した。
熱間加圧した。熱間加圧の条件として、真空度をｌ Ｘ
Ｉ Ｏ−’ Ｔｏｒｒとし、粉末を加圧するために、
１００ｋｇ／ｃＩ１１の圧力を８６０℃に昇温するまで
加え、昇温後は圧力を２５０ ｋｇ／ｃｎｌとしその温
度を３０分保持した後、室温まで冷却した。
成形器から取り出した合金ターゲットである焼結体のヒ
ビ、Ｓすれを検査した。これらは目視にて全く見あたら
ず、透過Ｘ線の照射による内部検査でも観測されなかっ
た。また、この焼結体の組成、組織の検鏡結果を第１表
に示す。このうち、存在する相の大きさおよび容量％は
切断法によった。
ビ、Ｓすれを検査した。これらは目視にて全く見あたら
ず、透過Ｘ線の照射による内部検査でも観測されなかっ
た。また、この焼結体の組成、組織の検鏡結果を第１表
に示す。このうち、存在する相の大きさおよび容量％は
切断法によった。
なお、希土類元素単体相および遷移金属単体相は認めら
れなかった。
れなかった。
このような合金ターゲット （直径１５１１ｍ、厚さ３
ＴＡ■）を使用し、スパッタリング法（Ａｒガス圧：６
Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ、スパッタリング電カニ４Ｗ／ｃＩ
１１．基板：ソーダガラス）により薄膜（膜厚３００Ｏ
Ａ ）を作成した。作成中スパッタリングはいずれの試
験も充分安定していた。また、作成後の合金ターゲット
のヒビ、割れを前記と同様に観察、検査したが、観測さ
れなかった。薄膜作成後、（１１膜組成のバラツキ、（
２）ターゲット−膜の組成ずれ、（３）ターゲット利用
効率、（４）膜組成の経時変化を測定した。なお、上記
（１）〜（４）の測定方法は、次の通りである。
ＴＡ■）を使用し、スパッタリング法（Ａｒガス圧：６
Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ、スパッタリング電カニ４Ｗ／ｃＩ
１１．基板：ソーダガラス）により薄膜（膜厚３００Ｏ
Ａ ）を作成した。作成中スパッタリングはいずれの試
験も充分安定していた。また、作成後の合金ターゲット
のヒビ、割れを前記と同様に観察、検査したが、観測さ
れなかった。薄膜作成後、（１１膜組成のバラツキ、（
２）ターゲット−膜の組成ずれ、（３）ターゲット利用
効率、（４）膜組成の経時変化を測定した。なお、上記
（１）〜（４）の測定方法は、次の通りである。
（１）膜組成のバラツキ：基板のターゲット中心直上位
置を原点とし、半径方向に３０龍間隔の６点を取り、そ
れらの点における希土類元素量および添加元素量をＥＰ
ＭＡにより定量分析し、そのバラツキ（範囲）を求める
。
置を原点とし、半径方向に３０龍間隔の６点を取り、そ
れらの点における希土類元素量および添加元素量をＥＰ
ＭＡにより定量分析し、そのバラツキ（範囲）を求める
。
（２）ターゲット−膜の組成ずれ：ターゲットおよび膜
中の希土類元素量および添加元素量をＥＰＭＡにより定
量分析し、その組成差を求める。
中の希土類元素量および添加元素量をＥＰＭＡにより定
量分析し、その組成差を求める。
（３） クーゲット利用効率：長時間使用し、ターゲ
ット厚さが最も薄いところで０．５ ＋ｎとなつたター
ゲットの＞１ｍを測定する。
ット厚さが最も薄いところで０．５ ＋ｎとなつたター
ゲットの＞１ｍを測定する。
（４）膜組成の経時変化ニスバッタ時間が１．５゜１０
および３０時間経過した時点で得られた薄膜中の希土類
元素量のバラツキ（範囲）を求める。
および３０時間経過した時点で得られた薄膜中の希土類
元素量のバラツキ（範囲）を求める。
上記測定により得られた結果を第２表に示す。
実施例２．３、比較例１〜３
第１表に示す原料粉末を使用した以外は、実施例１と同
様に試験した。これらの焼結体の組成、組織の検鏡結果
を第１表に示す。なお、実施例２．３において、薄膜作
成前後で合金ターゲットのヒビ、割れを観察、検査した
結果、それらは何ら観ｆｆ１１１されなかった。また、
測定により得られた結果を第２表に示す。
様に試験した。これらの焼結体の組成、組織の検鏡結果
を第１表に示す。なお、実施例２．３において、薄膜作
成前後で合金ターゲットのヒビ、割れを観察、検査した
結果、それらは何ら観ｆｆ１１１されなかった。また、
測定により得られた結果を第２表に示す。
［発明の効果］
以上から明らかなように、本発明により、組成が均一で
、ヒビ、割れがなく高強度をもち、がっ、ターゲット−
膜の組成ずれや膜組成の経時変化が少なく、利用効率が
よい、優れたターゲットを提供することができる。
、ヒビ、割れがなく高強度をもち、がっ、ターゲット−
膜の組成ずれや膜組成の経時変化が少なく、利用効率が
よい、優れたターゲットを提供することができる。
Claims (4)
- １．成分、組成が、Ｓｍ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｔｍ，Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｂ
，Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１０原
子％、残部実質的にＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉの中の少なくとも
１種の遷移金属であり、組織が該希土類元素、該添加元
素および該遷移金属の金属間化合物相、並びに該希土類
元素と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物と
の微細混合相からなる混合組織であることを特徴とする
光磁気記録用合金ターゲット。 - ２．成分、組成が、Ｓｍ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｔｍ，Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｂ
，Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１０原
子％、残部実質的にＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉの中の少なくとも
１種の遷移金属であり、組織が該希土類元素、該添加元
素および該遷移金属の金属間化合物相、該希土類元素と
該希土類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細
混合相、並びに該希土類元素単体相からなる混合組織で
あることを特徴とする光磁気記録用合金ターゲット。 - ３．成分、組成が、Ｓｍ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｔｍ，Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｂ
，Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１０原
子％、残部実質的にＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉの中の少なくとも
１種の遷移金属であり、組織が該希土類元素および該遷
移金属の金属間化合物相、並びに該希土類元素と該希土
類元素および該遷移金属の金属間化合物との微細混合相
（該希土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金属
間化合物とのうちの少なくとも１つは該添加元素を含む
）からなる混合組織であることを特徴とする光磁気記録
用合金ターゲット。 - ４．成分、組成が、Ｓｍ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｔｍ，Ｅｒの中の少なくとも１種の希土類元素１０
〜５０原子％、Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｐｂ
，Ｂｉの中の少なくとも１種の添加元素０．１〜１０原
子％、残部実質的にＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉの中の少なくとも
１種の遷移金属であり、組織が該希土類元素および該遷
移金属の金属間化合物相、該希土類元素と該希土類元素
および該遷移金属の金属間化合物との微細混合相（該希
土類元素と該希土類元素および該遷移金属の金属間化合
物とのうち少なくとも１つは該添加元素を含む）、並び
に該希土類元素単体相からなる混合組織であることを特
徴とする光磁気記録用合金ターゲット。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268216A JPH0784657B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 光磁気記録用合金ターゲット |
| US07/426,710 US4992095A (en) | 1988-10-26 | 1989-10-26 | Alloy target used for manufacturing magneto-optical recording medium |
| DE3935698A DE3935698C2 (de) | 1988-10-26 | 1989-10-26 | Legierungstarget für die Herstellung eines magneto-optischen Aufzeichnungsmediums |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268216A JPH0784657B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 光磁気記録用合金ターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02118065A true JPH02118065A (ja) | 1990-05-02 |
| JPH0784657B2 JPH0784657B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=17455528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268216A Expired - Fee Related JPH0784657B2 (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | 光磁気記録用合金ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784657B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0640964A1 (en) * | 1993-07-30 | 1995-03-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production therefof |
| US5576100A (en) * | 1993-07-01 | 1996-11-19 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205556A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録媒体形成用Ｔｂ―Ｆｅ系焼結スパッタリングターゲット材 |
| JPS63171877A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 複合タ−ゲツト材 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63268216A patent/JPH0784657B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62205556A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | Mitsubishi Metal Corp | 光磁気記録媒体形成用Ｔｂ―Ｆｅ系焼結スパッタリングターゲット材 |
| JPS63171877A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 複合タ−ゲツト材 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576100A (en) * | 1993-07-01 | 1996-11-19 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording medium |
| EP0640964A1 (en) * | 1993-07-30 | 1995-03-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Target for magneto-optical recording medium and process for production therefof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0784657B2 (ja) | 1995-09-13 |
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