JPH0768612B2 - 希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法 - Google Patents

希土類金属―鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属―鉄族金属ターゲット、およびそれらの製造方法

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JPH0768612B2 JP63053127A JP5312788A JPH0768612B2 JP H0768612 B2 JPH0768612 B2 JP H0768612B2 JP 63053127 A JP63053127 A JP 63053127A JP 5312788 A JP5312788 A JP 5312788A JP H0768612 B2 JPH0768612 B2 JP H0768612B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体として用いられる希土類金属
−鉄族金属ターゲット用合金粉末、希土類金属−鉄族金
属ターゲット、およびそれらの製造方法に関する。
〔従来の技術〕
最近、ガラスあるいは樹脂基板上にスパッタリング法を
用いて所望組成の希土類金属−鉄族金属系の薄膜を形成
し、これを記録媒体として用いた置き換え可能で高密度
記録が可能な光磁気ディスクの開発が行なわれている。
このスパッタリングに用いられるターゲットの製造方法
としては、従来以下のようなものが提案されていた。
(1) 所望組成の希土類金属−鉄族金属合金を真空中
または不活性ガス雰囲気中で溶解した後、同じく真空中
あるいは不活性ガス中で所定の形状に鋳造してターゲッ
トを製造する方法(日経ニューマテリアル1986年11月24
日号P61)。
(2) 所望組成の合金を真空中または、不活性ガス雰
囲気中で、溶解、鋳造してインゴットを作成し、このイ
ンゴットを粉砕して得られた粉末を加圧焼結する方法
(特開昭61−91336号)。
(3) 希土類金属粉末と鉄族金属粉末を所望組成に混
合し、この混合粉末を液相発現温度未満の温度範囲で加
圧焼結する方法(特開昭61−99640号)。
(4) 目標成分よりも鉄族金属量が少ない鉄族金属−
希土類金属粉末を溶解・粉砕法により製造し、前記合金
粉末と鉄族金属粉末とを所望組成に混合した後、成形
し、焼結する方法(特開昭60−230903号)。
しかしながら、前記(1)の製造方法でターゲットを作
成した場合、 (a) 鋳造時に添加元素の偏析が生じやすく均質なタ
ーゲットを得にくい。
(b) 希土類金属−鉄族金属系合金は非常に脆性な金
属間化合物を形成するため、鍛造などの組織均均質化プ
ロセスがとりにくい。このため、鋳造時に生じた巣など
の欠陥を除去することが不可能である。
(c) 材質的に脆いため、ターゲット形状に加工する
際、チッピングや割れを生じやすく機械加工が非常に困
難である。またボンディング時およびスパッタ時の熱応
力でターゲットが割れてしまう。
(d) 本製造方法によるターゲットをスパッタして作
成した薄膜の組成は、ターゲット組成から7〜10at%近
く鉄族金属富側にずれを生じ、薄膜組成の制御が難し
い。
などの問題点がある。
前記(2)の製造方法でターゲットを作成した場合、均
質なターゲットは製造可能であるが粉末の構成粒子自体
が脆い金属間化合物より成るため前記(1)のプロセス
で製造したターゲットと同様の問題点がある。
前記(3)の製造方法で作成した場合、 (a) 希土類金属は酸素との親和力が強いため、粉末
作成時、粉体の取扱い時および加圧焼結時に希土類金属
が酸化し、低酸素の成形体を得られない場合がある。こ
のような成形体をスパッタリング用ターゲットとして使
用した場合、ターゲット中の含有酸素が薄膜の内部にと
り込まれて、希土類金属を選択的に酸化するため薄膜の
磁気特性、特に保磁力Hcが大きく変動する。
(b) スパッタリングの初期において、鉄族金属相よ
り希土類金属相の部分が優先的にスパッタされ、その後
に鉄族金属相および希土類金属相のスパッタリング速度
が平衡に達するという挙動を示す。このため薄膜の組成
が安定するまでに長時間のプリスパッタを行なう必要が
あり、ターゲットの使用効率が悪い。
という問題点がある。
前記(4)の製造方法は、具体的には(4)の公開特許
公報で実施例として開示されている、鉄族金属−希土類
金属系の合金粉末に1〜10重量%程度の鉄族金属を所望
組成になるよう混合し、前記混合粉末と圧粉成形し、次
いで焼結を行なった場合、 (a) 薄膜組成が安定するまでのプリスパッタに要す
る時間は前記(3)の製造方法によるターゲットと比較
して短時間となるが、ターゲット組成と薄膜組成間のず
れが大きく、また薄膜面内で組成変化量も大きい。
(b) 混合粉を圧粉成形後、不活性ガス中または、真
空中で、焼結するだけでは、成形体の密度があがらず、
ターゲット中に空孔が残存した状態となり、これがスパ
ッタリング時の異常放電の原因となること。
(c) 機械加工の点から見ると、前記(1)、(2)
の製造方法によるターゲットと比較して改善されてはい
るが、材料中に含有している希土類金属は全て鉄族金属
との金属間化合物として存在するため、旋盤などで機械
加工する際、割れやチッピングを生じやすい。
などの問題点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上説明した従来技術の問題点のほとんどを解決したタ
ーゲットとして特開昭62−70550号に、希土類金属と鉄
族金属との金属間化合物と、鉄族金属単体とが焼結によ
って結合した微細な混合組織を有するターゲットが開示
されている。
すなわち、希土類金属粉末と鉄族金属粉末とを所望組成
に混合し、次いで液相発現温度未満の温度で加圧焼結し
希土類金属と鉄族金属からなる成形体を形成し、その後
液相発現温度以上の温度で成形体を短時間加熱すること
により成形体中の希土類金属を金属間化合物に変換し、
上記組織のターゲットを得るものである。
このターゲットによると、金属間化合物に変換された希
土類金属は、単体の場合よりもスパッタリング速度が低
下して鉄族金属単体のスパッタリング速度に近づき、こ
の結果従来から提起されていた薄膜組成の不安定という
問題が解決され、かつターゲット中に存在している鉄族
金属によって、加工性が十分に保証される強度をも具備
することが可能である。
しかるに本発明者の検討によると、特開昭62−70550号
に開示された技術においても以下の問題点を有し、より
一層の改善が望まれるところである。
すなわち、 (a) 第10回日本応用磁気学会誌学術講演概要集(19
86,P128〜P129)によれば、ターゲットと薄膜間の組成
ずれは、希土類金属、鉄族金属、希土類金属−鉄族金属
金属間化合物の量比を適正に制御することで改善可能な
ことが報告されている。
しかるに特開昭62−70550号のように熱処理によって組
織制御する方法では、 i)鉄族金属単体周辺の金属間化合物層が異常成長す
る、 ii)特開昭62−70550号公報の第6図のCによると鉄族
金属単体相、金属間化合物相の他に、希土類金属のα相
と希土類金属−鉄族金属金属間化合物相とからなる共晶
合金相が存在しているが、この共晶合金相内の希土類金
属のα相と希土類金属−鉄族金属金属間化合物の晶出量
および形状を制御することが非常に困難である、 iii)組織にムラを生じやすい、 などの欠点がある。したがって、上記のターゲットを用
いてスパッタリングを行なった場合、 i)スパッタ時間が長時間になると膜組成や特性が変動
する、 ii)ターゲット組成が全く同じものでも、熱処理のロッ
トが異なれば膜組成、特性が異なる。いわゆるロット間
のばらつきが大きいという問題点がある。
(b) 機械的強度の面からすると、鉄族金属周辺に存
在する脆弱な希土類金属−鉄族金属金属間化合物を薄く
する必要があるが、前述のように異常成長により層厚が
厚くなり好ましくない。
(c) 希土類金属粉末と鉄族金属粉末の混合物を焼結
したターゲットは、酸素含有量がもともと高くなりやす
い上、熱処理を行なうので最終製品は高酸素になり易
く、薄膜特性に悪影響を及ぼす。
(d) 熱処理温度から室温まで冷却する際、成形体に
そりや曲がりが発生し易い。
本発明は、以上説明した問題点を解決し、良好なスパッ
タリング特性を安定して得られ、かつ十分な機械的強度
を有するターゲットおよびその製造方法等の提供を目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者等は、種々検討した結果、ガスアトマイズ法等
の急冷凝固処理によって得られた希土類金属のα相と金
属間化合物相とが均一かつ微細に晶出した希土類金属−
鉄族金属合金粉末と鉄族金属粉末との混合物を液相発現
温度未満で加圧焼結してターゲット組織を得たことによ
り前記課題を解決するに至った。
以下、本発明を詳説する。
第1図(a)、(b)および(c)に本発明ターゲット
のミクロ金属組織写真を示す。第1図(a)は×100、
第1図(b)は×200、および第1図(c)は×1000の
倍率であり、EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)
分析によると、鉄族金属単体相(Fe)と希土類金属−鉄
族金属共晶合金相(Fe2Tb晶出相およびα−Tb晶出相か
らなる)とが、希土類金属と鉄族金属との金属間化合物
を主体とする固相拡散接合層により接合された組織とな
っていることが確認された。
ここで本発明ターゲットにおける組織の特徴を第1図に
基づいて説明する。
第1にTb−Fe共晶合金相が、極めて均一かつ微細に分散
したFe2Tb晶出相とα−Tb晶出相とから構成されている
ことである。これは、アトマイズ法等の急冷凝固処理に
よって得られたα−Tb晶出相とFe2Tb晶出相とが均一微
細に晶出した組織の粉末を原料として用い、この組織を
保持すべく液相発現温度未満で加圧焼結していることに
よる。
本発明によれば、隣合う同晶出相間(α−Tb同志、また
はFe2Tb同志)の距離が平均5μm以下という均一分散
状態を得ることができる。
本発明ターゲットは、以上のような均一微細な組織を有
しているため、ターゲットとそれをスパッタリングした
薄膜間の組成ずれを極めて小さくし、さらにスパッタリ
ングに先立って行なわれるプリスパッタリングの時間を
短縮することができる。
第10回日本応用磁気学会誌学術講演概要集(1986,P12
8)によれば、複合ターゲット、すなわち希土類金属単
体と鉄族金属単体より構成されるターゲットをスパッタ
した場合、希土類金属より鉄族金属が側方にスパッタさ
れ易く、その結果、薄膜組成は鉄族金属貧になる。反対
に金属間化合物より構成されるターゲットの場合は、鉄
族金属より希土類金属が側方にスパッタされ易いため、
薄膜組成が鉄族金属富になると報告されている。これに
対し本発明によれば、前述のように希土類金属のα相と
希土類金属−鉄族金属金属間化合物からなる共晶合金
相、さらに固相接合相および鉄族金属単体相が均一、か
つ微細に分散するため、希土類金属スパッタ粒子と鉄族
金属スパッタ粒子の放出方向の異方性が緩和され、この
結果組成ずれが小さくなるものと思われる。
プリスパッタ時間が短縮される理由としては、 (1) 特開昭62−70550号に述べられているような鉄
族金属と希土類金属の間のスパッタリング速度の差と比
較して、鉄族金属と希土類金属−鉄族金属金属間化合物
の間のスパッタリング速度の差の方が小さい、 (2) 急冷処理により希土類金属−鉄族金属合金粉末
を作成するため、希土類金属のα相と金属間化合物相が
均一かつ微細に分散している、つまり希土類金属相は細
かく分断された形で晶出しているため、微視的に見ると
希土類金属のスパッタ速度は変わらないにもかかわら
ず、希土類金属のα相のスパッタリング速度が金属間化
合物相のスパッタリング速度と等しくなるような効果が
得られる、 ことにあるものと考えられる。
本発明ターゲットの組織の第2の特徴は、希土類金属と
鉄族金属との金属間化合物を主体とする拡散接合層が極
めて薄いことである。
これは、接合層が液相発現温度未満の加圧焼結による固
相拡散接合層によるものだからである。
このように拡散接合層が薄く、組織にむらを生ずること
がないために、スパッタ時間が長時間となっても安定し
た薄膜特性を得ることができ、かつ機械的強度を劣化さ
せることがないのである。
本発明によれば、この接合層を10μm以下と非常に薄く
制御することが可能である。機械的強度の面から言え
ば、30μm以下に制御することが望まれる。
本発明ターゲットにおいて、希土類金属には従来から公
知のTb、Gd、Dy、Nd、Sm、Ho、Tm等の1種または2種以
上を用いることができる。その含有量は15at%未満およ
び45at%を越えると光磁気記録媒体としての機能を有す
る薄膜を得ることが困難になるので、15〜45at%とする
必要がある。
一方、鉄族金属とは従来から用いられているFe、Coおよ
びNiの1種または2種以上のことを意味する。
以上より本発明における金属間化合物とは、たとえばFe
2Tbのみならず、FeCoTb等のように異種の鉄族金属と希
土類金属との化合物を含む概念であることは言うまでも
ない。
なお、第2図にFe−Tb以外の他の本発明にかかるターゲ
ットの例としてFe−Co−Dyターゲットのミクロ金属組織
写真を示す。Fe、Coからなる鉄族金属単体相と、Fe−Dy
金属間化合物とα−Dyとからなる共晶合金相が、Fe−D
y、あるいはFe−Co−Dy金属間化合物を主体とする接合
層により結合した組織であることが確認された。
次に製造方法について説明する。
本発明においては、まず予め希土類金属−鉄族金属で共
晶化された共晶合金粉末および鉄族金属粉末が用意され
る。本発明の特徴は希土類金属−鉄族金属合金粉末を急
冷凝固処理により得る点であり、この急冷凝固処理によ
り粉末レベルで希土類金属のα相と金属間化合物との均
一、微細化を達成する。したがって、組成面からみれ
ば、希土類金属と鉄族金属との組成が共晶組織を発現す
る組成範囲内にある必要がある。
急冷凝固処理の手法としては、合金溶湯から製造する不
活性ガスアトマイズ法、真空アトマイズ法、回転ロール
法等、および前記組成範囲内にある電極を用いる回転電
極法等が適用できる。水冷ロール法、回転電極法等にお
いても合金の酸化防止のために雰囲気は真空、あるいは
不活性ガス雰囲気とする必要がある。
なお、第3図にガスアトマイズ後のFe−Tb合金粉末のミ
クロ金属組織写真を示すが、α−TbとFe2Tbが均一微細
に晶出した組織である。
また希土類金属−鉄族金属合金粉末は、純希土類金属粉
と比較して格段に耐酸化性に優れているため、ターゲッ
ト材中の含有酸素量を希土類金属粉末と鉄族金属粉末の
混合物を焼結したものと比較して500〜1000ppm以上も減
らすことが可能である。
原料粉末の平均粒径は1mm以下であることが望ましい。
これは、平均粒径が1mmを越えると成形体中に不均一を
生じ、これをターゲットして用いた場合、得られる薄膜
の組成が部分的に不均一となるからである。
以上の原料粉末を混合した後、液相発現温度未満の温度
で加圧焼結を行なう。
加圧焼結の温度を液相発現温度未満とするのは、液相発
現温度以上の温度にすると、鉄族金属相と希土類金属−
鉄族金属共晶合金相との間の接合層が異常に成長し、成
形体の機械的強度が低下すること、および希土類金属−
鉄族金属からなる共晶合金相に晶出している希土類金属
のα相が鉄族金属と反応し消滅してしまうことによる。
望ましくは液相発現温度未満の温度から(液相発現温度
未満−100℃)の範囲内、更に望ましくは液相発現温度
未満の温度から(液相発現温度未満−30℃)の範囲内で
ある。なお液相発現温度の一例を上げると、Tb−Feの場
合840℃、Tb−Fe−Coの場合、695℃、Tb−Gd−Feの場合
630℃である。
以上の液相発現温度未満の加圧焼結により接合層の極薄
化を達成できるのは前述の通りであるが、さらに、 i)原料粉末レベルで得られている希土類金属のα相と
金属間化合物の量および良好な分散状態の維持、制御が
容易になされる、 ii)組織中にむらを生じさせることがない、 iii)酸素含有量を低レベルに抑制できる、 といった効果が得られ、長時間スパッタ時の薄膜特性の
安定化に寄与するものである。
加圧焼結の手法としては、熱間静水圧プレス(HIP)、
ホットプレス、熱間パック圧延、熱間パック鍛造等を適
用できる。具体的な条件としては熱間静水圧プレスの場
合、液相発現温度未満から(液相発現温度未満−30℃)
の範囲内かつ不活性ガス圧1000〜1500気圧で、2〜3時
間保持すると、鉄族金属単体相と希土類金属−鉄族金属
共晶合金相との間の拡散接合層の厚さを、10〜30μm以
内に抑えることが可能で、成形体の密度も97%以上に達
する。
ホットプレスの場合、密度95%以上の成形体を得ようと
する場合、加熱温度を液相発現温度未満から(液相発現
温度未満−30℃)以内、成形圧力150kg/cm2以上で2時
間程度保持することが望ましい。
熱間パック圧延、熱間パック鍛造の場合は、加熱温度は
HIPと同様で良いが、1パスごとの圧下率を10%以内に
して加工する必要がある。
〔実施例〕
実施例1 第1表に実施例に用いた試料の組成と焼結条件を示す。
全試料とも平均粒径0.3mm以下の粉末を使用した。粉末
の作成方法について述べると本発明では、Tb−Fe粉末に
ついては、溶融塩電解法で製造した70.2at%Tb−Fe組成
の低酸素合金(酸素130ppm)へ目標組成になるようにFe
またはTbを加えて、底部に溶湯噴射用ノズルの付いたル
ツボに装入した。前記ルツボをガスアトマイズ装置内に
設置した後、装置内を10-3〜104torr台まで真空に引
き、高周波誘導で加熱を行なってルツボ内の溶解原料を
溶解した。溶湯温度が約1200℃に達した段階で原料は完
全に溶解するため、溶湯にArガス圧力を印加すると同時
に噴射用ノズルの弁を開いてガスアトマイズを行なっ
た。上記の方法で作成したTb−Fe粉の酸素量は、平均で
1200ppm程度であった。溶解原料としては前記のようなT
b−Fe共晶合金の他、純Tb、純Feを所定量秤量して用い
ることも可能であるが、市販の高純度Tbの含有酸素量が
900〜1200ppmであること、原料が完全に溶解するまでの
温度が高く、また溶解時間も長時間となることから、作
成したTb−Fe粉の平均酸素含有量は2200ppmにも達す
る。このため、Tb−Fe共晶点組成合金などの希土類金属
−鉄族金属系共晶合金を溶解原料の主体とすることが望
ましい。実施例で用いたNd−Dy−Fe、Fe、Co、Fe−Co粉
末についてもTb−Fe粉と同様にアルゴンガスアトマイズ
を用いて製造した。その際の粉末の平均酸素量は、Nd−
Dy−Fe1500ppm、Fe250ppm、Co80ppm、Fe−Co70ppm、で
あった。
上記の希土類金属−鉄族金属、および鉄族金属それぞれ
のガスアトマイズ粉を用いて、第1表混合物組成の欄に
示すそれぞれの組成になるよう秤量、添加した後、V型
混合器内に装入し、混合中に粉末が酸化しないように、
混合器内を一度真空に引いた後で、Arガスで置換した。
粉末混合に関しては、可能な限り均一な混合粉末を作る
ため、積算回転数で6000回以上回転を加えた。
次に混合粉末を3mmの板厚を有する軟鋼製カプセルに充
填し、カプセル内部を10-4torr以上に真空排気をした後
で、400℃に加熱し、カプセル全体が400℃に達した後で
5時間保持した状態のまま封入を行なった。
前記カプセルを熱間静水圧プレス装置(HIP)を用い
て、第1表に示す条件で加圧焼結した。
焼結を完了した成形体より旋盤と平面研削盤を用いて外
側の鉄皮を除去した後で、直径101mm×厚さ3mmの薄膜評
価用ターゲット、抗折力測定用試験片、および酸素量分
析用試料を加工した。
比較例について述べると、試料8は、カルシア製ルツボ
を用いて、真空溶解、真空鋳造法により製造したターゲ
ット(日経ニューマテリアル(1986)11月24日号P6
1)、試料9〜12は各々の備考欄に示した公知例に開示
されている条件に従って、ホットプレス装置で焼結を行
なったものである。このうち試料12については、加圧焼
結後、成形体を高周波加熱で800℃×10分間加熱し、そ
の後、成形体へArガスを吹き付けて冷却を行なった。
薄膜評価には、高周波電源を有するマグネトロンタイプ
のスパッタ装置を用いて、0.15mmの板厚を有するコーニ
ング社製の7059ガラス上に成膜を行なった。成膜条件は
高周波出力400W、Arガス圧5×10-3torr、ターゲットと
ガラス基板間の距離は70mmで、成膜時にはガラス基板を
回転せず、ターゲットとガラス基板を対向させている。
第2表に本発明および比較例のターゲットの含有酸素
量、抗折力および前記ターゲットを用いて成膜した薄膜
の組成を示す。本発明によるターゲットの含有酸素量
は、いずれも1100ppm以下で10kg/cm2以上の良好な抗折
力を有している。
このように良好な抗折力を有している理由は、ターゲッ
ト中に存在する鉄族金属単体層の効果によるものと考え
られる。
また、薄膜組成の点でも、ターゲット組成に比して鉄族
金属富側に2at%以内しかずれを生じないのに対し、比
較例のターゲットは含有酸素量、抗折力あるいは薄膜組
成のいずれかに問題を有することがわかる。
第4図に本発明および比較例のターゲットを用いて成膜
を行なった場合の、膜組成とスパッタリング時間の関係
を示す。本発明によるターゲット(試料2)は、スパッ
タ初期から膜組成が安定するまでに1at%Tbしか変動し
ておらず、また安定するまでに要する時間も4Hr以内の
比較的短いことがわかる。それに対し、純Tb粉、Fe粉、
Co粉の混合物を焼結したターゲット(比較例10)は安定
するまでにTbが3at%近くも減少し、また組成が安定す
るまでに10時間以上も要することがわかる。比較例8、
9、11のターゲットは、薄膜組成はスパッタリングの当
初から安定しているが、ターゲット組成を比して9at%
もTbが貧側になることがわかる。比較例12は膜組成の安
定性に欠けることおよびターゲット組成より2〜3at%
近くTbが貧となる。
第5図は薄膜面内におけるTbの分布を示す。本発明によ
るターゲットを用いた薄膜は、ターゲット組成に対し中
心部で−0.8at%Tb、外周部で0〜−0.2at%Tbであるの
に対し比較例では、いずれのターゲットのずれ量も大き
いことがわかる。
実施例2 第3表に実施例2に用いた試料の組成と焼結条件を示
す。全試料とも平均粒径0.3mm以下の粉末を用い、所望
の組成になるよう秤量した後、V型混合器で均一な混合
粉末とした。次に混合粉末を125mmφの金型内に充填
し、室温にて圧粉成形した後、カーボン製のモールド内
に移し換えホットプレスで焼結を行なった(原材料の製
造法等は実施例1に準拠する)。
第4表に得られたターゲットの酸素量、抗折力および本
ターゲットを用いて成膜した薄膜の組成を示す。
本発明ターゲットは、いずれも酸素量1500ppm以下で良
好な抗折力を有し、また薄膜組成の点でも鉄族金属富側
に2〜3%程度しかずれを生じないのに対し、比較例の
ターゲットは、酸素量、抗折力あるいは薄膜組成の何ら
かに問題を有することがわかる。
〔発明の効果〕 以上述べてきたように、粉末原料として希土類金属のα
相と金属間化合物相が微細に晶出した希土類金属−鉄族
金属合金粉末と、鉄族金属合金粉末との混合物を用い、
これを混合物の液相発現温度未満で加圧焼結すること
で、酸素量を1500ppm以下に抑えられると同時に、ター
ゲットと薄膜ずれが小さく、スパッタ時間の長期にわた
って組成が安定しているため、薄膜の組成制御が容易に
なる。
しかも上記により製造したターゲットは、機械加工性に
優れており、本発明は工業上非常に大きな効果を有する
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるターゲットのミクロ金属組織写
真、第2図は本発明による他のターゲットのミクロ金属
組織写真、第3図は本発明ターゲット合金粉末のミクロ
金属組織写真、第4図は本発明によるターゲットを用い
て作成した薄膜中のTb量とスパッタリング時間の関係を
示すグラフ、第5図は薄膜面内におけるTbの分布を示す
グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千葉 芳孝 埼玉県熊谷市三ケ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−70550(JP,A) 特開 昭61−139637(JP,A) 特開 昭61−99640(JP,A)

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】非晶組織を発現する組成範囲内にある希土
    類金属と鉄族金属とからなり急冷凝固処理された合金粉
    末と、ターゲット目標組成に対し不足分の鉄族金属粉末
    との混合物を、真空または不活性ガス雰囲気下で該混合
    物の液相発現温度未満の温度域で加圧焼結しターゲット
    組織を得ることを特徴とする希土類金属−鉄族金属ター
    ゲットの製造方法。
  2. 【請求項2】希土類金属のα相と、該希土類金属と鉄族
    金属とからなる金属間化合物相とが均一微細に晶出した
    組織を有する希土類金属−鉄族金属合金粉末に、ターゲ
    ット目標組成に対し不足分の鉄族金属粉末を混合したの
    ち、真空または不活性ガス雰囲気下で前記希土類金属−
    鉄族金属合金粉末の組織を保持しつつ加圧焼結しターゲ
    ット組織を得ることを特徴とする希土類金属−鉄族金属
    ターゲットの製造方法。
  3. 【請求項3】予め希土類金属−鉄族金属で共晶化された
    共晶合金相と鉄族金属単体相とが希土類金属と鉄族金属
    との金属間化合物を主体とする固相拡散接合層により結
    合した組織を有することを特徴とする希土類金属−鉄族
    金属ターゲット。
  4. 【請求項4】予め希土類金属−鉄族金属で共晶化された
    共晶合金相と鉄族金属単体相とが希土類金属と鉄族金属
    との金属間化合物相を主体とする層厚30μm以下の拡散
    接合層により結合した組織を有することを特徴とする希
    土類金属−鉄族金属ターゲット。
  5. 【請求項5】予め希土類金属のα相と、該希土類金属と
    鉄族金属とからなる金属間化合物相とが均一微細に分散
    した組織とした共晶合金相と、鉄族金属単体相が固相接
    合してなることを特徴とする希土類金属−鉄族金属ター
    ゲット。
  6. 【請求項6】予め希土類金属のα相と、該希土類金属と
    鉄族金属からなる金属間化合物相とからなり、隣合う同
    種相間の平均距離が5μm以下の組織とした共晶合金相
    と、鉄族金属単体相が固相接合してなることを特徴とす
    る希土類金属−鉄族金属ターゲット。
  7. 【請求項7】ターゲット組成が、希土類金属15〜45at
    %、残部が実質的に鉄族金属からなることを特徴とする
    特許請求の範囲第3項ないし第6項いずれかに記載の希
    土類金属−鉄族金属ターゲット。
  8. 【請求項8】希土類金属がTbおよびDyの1種または2種
    15〜45at%、残部が実質的にFeからなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第7項記載の希土類金属−鉄族金属タ
    ーゲット。
  9. 【請求項9】希土類金属がTbおよびDyの1種または2種
    15〜45at%、残部が実質的にFeおよびCoからなることを
    特徴とする特許請求の範囲第7項記載の希土類金属−鉄
    族金属ターゲット。
  10. 【請求項10】希土類金属のα相と、該希土類金属と鉄
    族金属からなる金属間化合物相とが均一微細に分散して
    いることを特徴とする希土類金属−鉄族金属ターゲット
    用合金粉末。
  11. 【請求項11】非晶組織を発現する組成範囲内にある希
    土類金属と鉄族金属からなる合金溶湯を急冷凝固処理
    し、希土類金属のα相と、該希土類金属と鉄族金属から
    なる金属間化合物相とが均一微細に分散している粉末組
    織を得ることを特徴とする希土類金属−鉄族金属ターゲ
    ット用合金粉末の製造方法。
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