JPH02119123A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02119123A JPH02119123A JP27222488A JP27222488A JPH02119123A JP H02119123 A JPH02119123 A JP H02119123A JP 27222488 A JP27222488 A JP 27222488A JP 27222488 A JP27222488 A JP 27222488A JP H02119123 A JPH02119123 A JP H02119123A
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- Japan
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- epitaxial layer
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- grown
- epitaxial
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
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- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に高濃度不純
物領域を有する半導体基板上へのエピタキシャル層の形
成方法に関する。
物領域を有する半導体基板上へのエピタキシャル層の形
成方法に関する。
従来、高濃度不純物領域を有する半導体基板上にエピタ
キシャル成長を行う場合は、例えば第３図に示すように
、ＳｉＨ４（モノシラン）のソースガスを使用し、まず
１１５０℃の温度でＨＣｅガスを用いて高濃度不純物領
域を含む基板全面をエツチングして表面を清浄とし、次
いで温度を１０５０°Ｃに下げてＳｉＨ４ガスを所定の
エピタキシャル膜厚になるまで流し、エピタキシャル層
を形成する方法が主に用いられていた。
キシャル成長を行う場合は、例えば第３図に示すように
、ＳｉＨ４（モノシラン）のソースガスを使用し、まず
１１５０℃の温度でＨＣｅガスを用いて高濃度不純物領
域を含む基板全面をエツチングして表面を清浄とし、次
いで温度を１０５０°Ｃに下げてＳｉＨ４ガスを所定の
エピタキシャル膜厚になるまで流し、エピタキシャル層
を形成する方法が主に用いられていた。
しかしながら、上述した従来のエピタキシャル成長の方
法では、ガスエツチング後所定の温度まで下げて１回の
エピタキシャル成長で所定の膜厚のエピタキシャル層を
形成していた為、エピタキシャル成長中、基板からの不
純物のオートドーピングの影響が強く、エピタキシャル
層中に高濃度下物層が形成されてしまう。
法では、ガスエツチング後所定の温度まで下げて１回の
エピタキシャル成長で所定の膜厚のエピタキシャル層を
形成していた為、エピタキシャル成長中、基板からの不
純物のオートドーピングの影響が強く、エピタキシャル
層中に高濃度下物層が形成されてしまう。
例えば２択的に高濃度のＮ型不純領域（例えば層抵抗３
０Ω／口）を形成したＰ型のシリコン基板（例えば比抵
抗１０Ω−Ｃ）上に厚さ２μｍのＮ型シリコンエピタキ
シャルＮ（例えば比抵抗１Ω−ｃｍ ）を形成した場合
、第４図に示すように、エピタキシャル層の厚さがオー
トドーピングにより実質的に減少する不純物分布となっ
ていた。この為高密度でかつ高速度の半導体装置を形成
するため薄いエピタキシャル層を用いる場合、耐圧等の
特性が劣化するという欠点があった。
０Ω／口）を形成したＰ型のシリコン基板（例えば比抵
抗１０Ω−Ｃ）上に厚さ２μｍのＮ型シリコンエピタキ
シャルＮ（例えば比抵抗１Ω−ｃｍ ）を形成した場合
、第４図に示すように、エピタキシャル層の厚さがオー
トドーピングにより実質的に減少する不純物分布となっ
ていた。この為高密度でかつ高速度の半導体装置を形成
するため薄いエピタキシャル層を用いる場合、耐圧等の
特性が劣化するという欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、高濃度不純物領域を
有する半導体基板上にエピタキシャル層を形成する半導
体装置の製造方法におて、所定のエピタキシャル成長温
度より低い温度で第１のエピタキシャル層を形成したの
ち所定の温度で第２のエピタキシャル層を形成するもの
である。
有する半導体基板上にエピタキシャル層を形成する半導
体装置の製造方法におて、所定のエピタキシャル成長温
度より低い温度で第１のエピタキシャル層を形成したの
ち所定の温度で第２のエピタキシャル層を形成するもの
である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための温度と時間
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
まず、１１５０℃の温度でＨＣ１！ガスを用いて高濃度
不純物領域を有する半導体基板全面をエツチングし表面
を清浄とする０次に温度を１０００℃まで下げＳｉＨ４
ガスを用いて厚さ０．２μｍ程度の第１のエピタキシャ
ル層の成長を行なう０次いで温度を所定の１０５０℃に
上げ、所定の膜厚になるまで第２のエピタキシャル層の
成長を行なう。
不純物領域を有する半導体基板全面をエツチングし表面
を清浄とする０次に温度を１０００℃まで下げＳｉＨ４
ガスを用いて厚さ０．２μｍ程度の第１のエピタキシャ
ル層の成長を行なう０次いで温度を所定の１０５０℃に
上げ、所定の膜厚になるまで第２のエピタキシャル層の
成長を行なう。
本実施例により、選択的に高濃度のＮ型不純物領域（例
えば層抵抗３０Ω／口）を形成したＰ型のシリコン基板
（例えば比抵抗１０Ω−ｃｍ＞上に厚さ２μｍのＮ型シ
リコンエピタキシャル層（例えば比抵抗１Ω−Ω）を形
成した場合、第２図に示すように、基板とエピタキシャ
ル層界面とで不純物濃度が急峻となる、オートドーピン
グのきわめて少ない不純物分布を有するエピタキシャル
層を得ることが出来る。
えば層抵抗３０Ω／口）を形成したＰ型のシリコン基板
（例えば比抵抗１０Ω−ｃｍ＞上に厚さ２μｍのＮ型シ
リコンエピタキシャル層（例えば比抵抗１Ω−Ω）を形
成した場合、第２図に示すように、基板とエピタキシャ
ル層界面とで不純物濃度が急峻となる、オートドーピン
グのきわめて少ない不純物分布を有するエピタキシャル
層を得ることが出来る。
上記実施例はガスエツチング工程を入れた場合について
説明したが、ガスエツチング工程を省略しても同様の効
果を有する。又、Ｐ型シリコン基板にＮ型高濃度不純物
領域を形成し、５ｉｌ１４を用いてＮ型シリコンをエピ
タキシャル成長する場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、高濃度不純物領域の形成された
半導体基板上にシ’Ｊコ、ンガス（５ｉＨＣ１Ｂ、５ｉ
Ｈ２Ｃｅ２，５ｉＣｅ ４等）の種類をとわずエピタキ
シャル成長してもよい。
説明したが、ガスエツチング工程を省略しても同様の効
果を有する。又、Ｐ型シリコン基板にＮ型高濃度不純物
領域を形成し、５ｉｌ１４を用いてＮ型シリコンをエピ
タキシャル成長する場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、高濃度不純物領域の形成された
半導体基板上にシ’Ｊコ、ンガス（５ｉＨＣ１Ｂ、５ｉ
Ｈ２Ｃｅ２，５ｉＣｅ ４等）の種類をとわずエピタキ
シャル成長してもよい。
以上説明したように本発明は、高濃度不純物領域を有す
る半導体基板上にエピタキシャル層を形成する場合、ま
ず所定のエピタキシャル成長温度より低い温度で第１の
エピタキシャル層を形成し、次いで所定の温度で所定の
膜厚まで第２のエピタキシャル層を形成することにより
、オートドーピングの少ない不純物分布を有するエピタ
キシャル層を形成できるなめ、耐圧等の特性劣化の少な
い高密度でかつ高速度の半導体装置を得ることができる
。
る半導体基板上にエピタキシャル層を形成する場合、ま
ず所定のエピタキシャル成長温度より低い温度で第１の
エピタキシャル層を形成し、次いで所定の温度で所定の
膜厚まで第２のエピタキシャル層を形成することにより
、オートドーピングの少ない不純物分布を有するエピタ
キシャル層を形成できるなめ、耐圧等の特性劣化の少な
い高密度でかつ高速度の半導体装置を得ることができる
。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を説明するための
エピタキシャル層形成時の温度と時間との関係を示す図
及びエピタキシャル層中の不純物分布を示す図、第３図
及び第４図は従来例を説明するためのエピタキシャル形
成時の温度と時間との関係を示す図及びエピタキシャル
層中の不純物分布を示す図である。
エピタキシャル層形成時の温度と時間との関係を示す図
及びエピタキシャル層中の不純物分布を示す図、第３図
及び第４図は従来例を説明するためのエピタキシャル形
成時の温度と時間との関係を示す図及びエピタキシャル
層中の不純物分布を示す図である。
Claims (1)
- 高濃度不純物領域を有する半導体基板上にエピタキシャ
ル層を形成する半導体装置の製造方法におて、所定のエ
ピタキシャル成長温度より低い温度で第１のエピタキシ
ャル層を形成したのち所定の温度で第２のエピタキシャ
ル層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27222488A JPH02119123A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27222488A JPH02119123A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119123A true JPH02119123A (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=17510843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27222488A Pending JPH02119123A (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02119123A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712900B1 (ko) * | 2006-07-06 | 2007-05-02 | 김영수 | 음료 추출장치 |
| JP2015213102A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2017183277A1 (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP27222488A patent/JPH02119123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712900B1 (ko) * | 2006-07-06 | 2007-05-02 | 김영수 | 음료 추출장치 |
| JP2015213102A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2017183277A1 (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN109075039A (zh) * | 2016-04-20 | 2018-12-21 | 信越半导体株式会社 | 外延晶片的制造方法 |
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