JPH0212110A - 光集積回路製造法 - Google Patents
光集積回路製造法Info
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- JPH0212110A JPH0212110A JP16091588A JP16091588A JPH0212110A JP H0212110 A JPH0212110 A JP H0212110A JP 16091588 A JP16091588 A JP 16091588A JP 16091588 A JP16091588 A JP 16091588A JP H0212110 A JPH0212110 A JP H0212110A
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- grooves
- optical integrated
- shaped groove
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/3628—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
- G02B6/3684—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier
- G02B6/3692—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier with surface micromachining involving etching, e.g. wet or dry etching steps
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/3628—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
- G02B6/3648—Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures
- G02B6/3652—Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures the additional structures being prepositioning mounting areas, allowing only movement in one dimension, e.g. grooves, trenches or vias in the microbench surface, i.e. self aligning supporting carriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光集積回路の製造において、光集積回路形成基
板であるウェハを複数の光導波回路チップとする方法の
改良に関する。
板であるウェハを複数の光導波回路チップとする方法の
改良に関する。
〈従来の技術〉
第４図、第５図に光集積回路の従来技術例を示す。第４
図は高見 等（昭和６１年度電子通信学会総合全国大会
、ＮＣＬｌ ０５０ ）による波長多重伝送システム用
の集積化光分波回路であり、シリコン単結晶基板上に形
成された薄膜光導波膜１１上にコリメーションならびに
集光用レンズ１３、透過形回折格子１２が形成され、基
板両端１６に入出力ファイバ１４．１５が設けられてい
る。第２図はＴ、５ＵＨＡＲＡ ａｔ、ａｌ（Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、、ＶＯＬ。
図は高見 等（昭和６１年度電子通信学会総合全国大会
、ＮＣＬｌ ０５０ ）による波長多重伝送システム用
の集積化光分波回路であり、シリコン単結晶基板上に形
成された薄膜光導波膜１１上にコリメーションならびに
集光用レンズ１３、透過形回折格子１２が形成され、基
板両端１６に入出力ファイバ１４．１５が設けられてい
る。第２図はＴ、５ＵＨＡＲＡ ａｔ、ａｌ（Ａｐｐｌ
、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、、ＶＯＬ。
４０、 Ｎｏ、２． Ｐ、 １２０． （１９８２）
）によるグレーティング分波器２２とフォトダイオード
２３をシリコン基板２１上の薄膜光導波膜２４に集積化
した例である。尚、第５図中、２５は入力ファイバ、２
６は導波膜端面である。これらの回路はシリコン基板上
に形成された光導波回路を基本要素とし、それと受発光
素子やファイバ、さらに電子回路とを組み合わせた所謂
ハイブリッド光集積回路と称せられるものである。この
ような光集積回路はＬＳＩ製造技術と同様に、ウェハ上
に複数の回路がフォトリソグラフィー技術により形成さ
れ、しかる後に各回路についてチップとして切り出され
て使用される。チップとして切り出す際にはＬＳＩでは
外周刃による切断のみでよいが、光集積回路では導波回
路とファイバとの良好な接続特性を得るために第４図、
第５図における導波回路端面１６，２６の平滑度を使用
波長の数分１以下に仕上げる必要がある。
）によるグレーティング分波器２２とフォトダイオード
２３をシリコン基板２１上の薄膜光導波膜２４に集積化
した例である。尚、第５図中、２５は入力ファイバ、２
６は導波膜端面である。これらの回路はシリコン基板上
に形成された光導波回路を基本要素とし、それと受発光
素子やファイバ、さらに電子回路とを組み合わせた所謂
ハイブリッド光集積回路と称せられるものである。この
ような光集積回路はＬＳＩ製造技術と同様に、ウェハ上
に複数の回路がフォトリソグラフィー技術により形成さ
れ、しかる後に各回路についてチップとして切り出され
て使用される。チップとして切り出す際にはＬＳＩでは
外周刃による切断のみでよいが、光集積回路では導波回
路とファイバとの良好な接続特性を得るために第４図、
第５図における導波回路端面１６，２６の平滑度を使用
波長の数分１以下に仕上げる必要がある。
このため、従来のこの種の光集積回路の製造ではチップ
を切り出す際に、切断の後に導波回路端面を光学研肋す
る方法や結晶基板の方位に沿って襞間する方法が採られ
ている。
を切り出す際に、切断の後に導波回路端面を光学研肋す
る方法や結晶基板の方位に沿って襞間する方法が採られ
ている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、切断後に導波路端面を光学研磨する前者
の方法は切断、研磨の工程が煩雑であるとともに作業に
長時間を要しかつ薄膜導波路端面の破損等？こより良好
な歩留りを得る事が困難であった。これに対して結晶基
板の方位に沿って種間する後者の方法は結晶の種間とと
もに薄膜導波路を同時に切断するため、良好な導波路端
面が簡便に得られる。
の方法は切断、研磨の工程が煩雑であるとともに作業に
長時間を要しかつ薄膜導波路端面の破損等？こより良好
な歩留りを得る事が困難であった。これに対して結晶基
板の方位に沿って種間する後者の方法は結晶の種間とと
もに薄膜導波路を同時に切断するため、良好な導波路端
面が簡便に得られる。
ここで、従来の襞間法によるチップ切り出しの工程はそ
の一例を第６図に示すように、まず同図（ａｌのように
傷入れ用のダイアモンド針３３でウェハ３１にファセッ
ト３５に沿って全長または一部（太線部分）に襞間用鍋
３４を入れ、その後襞間用鍋３４にブレードで同図（ｂ
）に示すように応力Ｆをかけ短冊状に携開する。次に、
この短冊状の基板に同図（ｃ）に示すように側聞用鍋３
４を入れ、同様に応力付与を行い、最終的にチップ３２
を得る。このような襞間法では、傷入れや応力付与の作
業回数が多（かつその作業条件が複雑で量産性や歩留り
を高めることが困難であった。また、傷入れを所定の位
置にミクロンオーダで精確に付与することも困難であっ
た。
の一例を第６図に示すように、まず同図（ａｌのように
傷入れ用のダイアモンド針３３でウェハ３１にファセッ
ト３５に沿って全長または一部（太線部分）に襞間用鍋
３４を入れ、その後襞間用鍋３４にブレードで同図（ｂ
）に示すように応力Ｆをかけ短冊状に携開する。次に、
この短冊状の基板に同図（ｃ）に示すように側聞用鍋３
４を入れ、同様に応力付与を行い、最終的にチップ３２
を得る。このような襞間法では、傷入れや応力付与の作
業回数が多（かつその作業条件が複雑で量産性や歩留り
を高めることが困難であった。また、傷入れを所定の位
置にミクロンオーダで精確に付与することも困難であっ
た。
本発明の目的は光集積回路の製造において、ウェハから
光学的に良好な導波回路端面を有するチップを切り出す
ためのウニへ壱開法に関し、前述の従来技術の欠点を解
決し、高精度で量産性や歩留りに優れるチップ切り出し
法を提供する点にある。
光学的に良好な導波回路端面を有するチップを切り出す
ためのウニへ壱開法に関し、前述の従来技術の欠点を解
決し、高精度で量産性や歩留りに優れるチップ切り出し
法を提供する点にある。
く課題を解決するための手段〉
本発明は光集積回路の形成されろウェハから光学的に良
好な導波回路端面を有するチップを切り出す際に、導波
回路形成側と反対のウェハ表面に、ウェハの結晶方位を
決定するファセットに対して水平、垂直方向のＶ状溝を
所定のピッチで異方性エツチングにより形成し、しかる
後該つェ八に全体的に応力を付与して■状溝に応力を集
中させウェハを一括に襞間し、多数のチップを同時に切
り出す方法である。従来の技術に比べ側聞用の傷である
Ｖ状溝をフォトリソグラフィによって高精度に形成出来
、チップ切り出しの作業性や歩留り向上が得られる。
好な導波回路端面を有するチップを切り出す際に、導波
回路形成側と反対のウェハ表面に、ウェハの結晶方位を
決定するファセットに対して水平、垂直方向のＶ状溝を
所定のピッチで異方性エツチングにより形成し、しかる
後該つェ八に全体的に応力を付与して■状溝に応力を集
中させウェハを一括に襞間し、多数のチップを同時に切
り出す方法である。従来の技術に比べ側聞用の傷である
Ｖ状溝をフォトリソグラフィによって高精度に形成出来
、チップ切り出しの作業性や歩留り向上が得られる。
く実 施 例〉
第１図、第２図、第３図に本発明による光集積回路製造
法の一実施例を示す。Ｓｉ等の単結晶基板で°は、特定
のエツチング液を用いることによって結晶方位の違いに
よりエッチレートが異なる異方性エツチングが可能であ
り、これを利用した各種の基板加工が報告されている。
法の一実施例を示す。Ｓｉ等の単結晶基板で°は、特定
のエツチング液を用いることによって結晶方位の違いに
よりエッチレートが異なる異方性エツチングが可能であ
り、これを利用した各種の基板加工が報告されている。
第１図はＳｉ単結晶基板の異方性エツチングによるＶ溝
形成法を示しており、同図（ａｌでマスクパターン４２
が形成されたＳｉ単結晶基板４１であるウェハを沸点に
近いＫＯ）（溶液等のエツチング液中に所定の時間浸す
と、結晶方位である１００面と１１１面のエツチング速
度が異なるためＳｉ単結晶基板４１には頂角７０．６°
のＶ状溝４３が形成される。Ｖ状溝４３の深さはマスク
パターンの幅で任意に制御出来る。同図（ｂ）に示すよ
うにウニへのファセット４５に対して垂直、水平方向に
Ｖ状溝４３をそれぞれ形成し、その後これらのＶ状溝４
３に沿って応力を集中してウェハを種間し、光導波回路
チップ４４を得る。第２図は光導波回路形成ウェハへの
Ｖ溝形成プロセスを示しており、図中５１はＳ１単結晶
基板、５２は熱酸化法等で成膜した５ｉ０２層、５３は
光波の閉じ込められる導波回路コア層、５４はコア層よ
りも屈折率の低いクラッド層、５５ならびに５５′はエ
ツチングマスク用の金属層であり、同じエツチング液に
より腐蝕されないように異なる材質を用いる。
形成法を示しており、同図（ａｌでマスクパターン４２
が形成されたＳｉ単結晶基板４１であるウェハを沸点に
近いＫＯ）（溶液等のエツチング液中に所定の時間浸す
と、結晶方位である１００面と１１１面のエツチング速
度が異なるためＳｉ単結晶基板４１には頂角７０．６°
のＶ状溝４３が形成される。Ｖ状溝４３の深さはマスク
パターンの幅で任意に制御出来る。同図（ｂ）に示すよ
うにウニへのファセット４５に対して垂直、水平方向に
Ｖ状溝４３をそれぞれ形成し、その後これらのＶ状溝４
３に沿って応力を集中してウェハを種間し、光導波回路
チップ４４を得る。第２図は光導波回路形成ウェハへの
Ｖ溝形成プロセスを示しており、図中５１はＳ１単結晶
基板、５２は熱酸化法等で成膜した５ｉ０２層、５３は
光波の閉じ込められる導波回路コア層、５４はコア層よ
りも屈折率の低いクラッド層、５５ならびに５５′はエ
ツチングマスク用の金属層であり、同じエツチング液に
より腐蝕されないように異なる材質を用いる。
導波回路はコア層５３をクラッド層５４が囲んだ構造と
なっており、基板側クラッド層５４に上記の熱酸化Ｓｉ
Ｏ２膜を使用する場合には上層クラッド層にはスパッタ
ー法等による５ｉＯ７膜を用いればよい。同図（ａ）の
ように導波回路コア層５３、クラッド層５４ならびに金
属層５５が形成された基板の導波回路面の裏側に、同図
（ｂ）に示すように有機レジスト膜５６を形成し、同図
（ｃ）フォトリソグラフィー技術で所定のＶ状溝用パタ
ーン５８を設ける。
なっており、基板側クラッド層５４に上記の熱酸化Ｓｉ
Ｏ２膜を使用する場合には上層クラッド層にはスパッタ
ー法等による５ｉＯ７膜を用いればよい。同図（ａ）の
ように導波回路コア層５３、クラッド層５４ならびに金
属層５５が形成された基板の導波回路面の裏側に、同図
（ｂ）に示すように有機レジスト膜５６を形成し、同図
（ｃ）フォトリソグラフィー技術で所定のＶ状溝用パタ
ーン５８を設ける。
この後、金属膜５５′ならびに５ｉ０２膜５２を同図（
ｄ）に示すようエツチングしてＶ状溝用パターン５８部
分を除去し沸点に近いＫＯＨ溶液等に所定の時間浸すこ
とにより同図＋８）のＶ状溝５７を得る以上の工程でフ
ァセットに対して垂直、水平方向にそれぞれＶ状溝５７
が形成されたつエバ６１は第３図の工程でＶ状溝５７に
応力が集中して付与されて種間され、光導波回路チップ
の切り出しが行われる。即ち、第３図に示すようにＶ状
溝６２の形成されたウェハ６１を２枚の透明粘着フィル
ム６４に挾み込むと共に、このフィルム６４の周辺部を
ボックス６５の開口部６６に気密に固定する。しかる後
にボックスの空気導入口６７がら空気を導入してボック
ス６５内部の圧力を増大させてウェハ６１の中央部へ応
力を付与することにより、Ｖ状溝６２に応力を集中させ
種間を行なう。第３図中６９はり開面である。その後、
フィルム６４をボックス６５の開口部６６から外してチ
ップ６３切９出しを確認する。この状態ではチップ６３
は粘着性フィルム６４によって把持されウェハ状態と同
様に整列されており、その後のチップ取扱が容易となる
。このように本発明ではり開用のＶ状溝をＳｉ単結晶基
板の異方性エツチングにより精度良く形成ル、さらにウ
ェハ全面に渡って応力を付与して一括襞間するため、従
来技術と較べて光集積回路チップの切り出し作業性や歩
留りの向上が得られるとともに、ブレードやダイヤモン
ド針の交換も不要であるという効果も有する。
ｄ）に示すようエツチングしてＶ状溝用パターン５８部
分を除去し沸点に近いＫＯＨ溶液等に所定の時間浸すこ
とにより同図＋８）のＶ状溝５７を得る以上の工程でフ
ァセットに対して垂直、水平方向にそれぞれＶ状溝５７
が形成されたつエバ６１は第３図の工程でＶ状溝５７に
応力が集中して付与されて種間され、光導波回路チップ
の切り出しが行われる。即ち、第３図に示すようにＶ状
溝６２の形成されたウェハ６１を２枚の透明粘着フィル
ム６４に挾み込むと共に、このフィルム６４の周辺部を
ボックス６５の開口部６６に気密に固定する。しかる後
にボックスの空気導入口６７がら空気を導入してボック
ス６５内部の圧力を増大させてウェハ６１の中央部へ応
力を付与することにより、Ｖ状溝６２に応力を集中させ
種間を行なう。第３図中６９はり開面である。その後、
フィルム６４をボックス６５の開口部６６から外してチ
ップ６３切９出しを確認する。この状態ではチップ６３
は粘着性フィルム６４によって把持されウェハ状態と同
様に整列されており、その後のチップ取扱が容易となる
。このように本発明ではり開用のＶ状溝をＳｉ単結晶基
板の異方性エツチングにより精度良く形成ル、さらにウ
ェハ全面に渡って応力を付与して一括襞間するため、従
来技術と較べて光集積回路チップの切り出し作業性や歩
留りの向上が得られるとともに、ブレードやダイヤモン
ド針の交換も不要であるという効果も有する。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明は光集積回路の形成される
ウェハから種間によって光ａｍ回路チップを切り出す際
に、ウェハの所定の位置に襞間用Ｖ状溝をＳｉ単結晶基
板の異方性エツチングによって形成し、ウェハ全面に応
力を付与することによってＶ状溝に応力を集中させて種
間を進行させ、同時に多数の回路チップを切り出す方法
であるから、次の効果を奏する。
ウェハから種間によって光ａｍ回路チップを切り出す際
に、ウェハの所定の位置に襞間用Ｖ状溝をＳｉ単結晶基
板の異方性エツチングによって形成し、ウェハ全面に応
力を付与することによってＶ状溝に応力を集中させて種
間を進行させ、同時に多数の回路チップを切り出す方法
であるから、次の効果を奏する。
■ エツチング用マスクパターンの寸法設定によりｖ溝
深さを任意に制御出来、種間する基板の厚みや大きさの
変化に対して種間条件を柔軟に設定することが可能であ
る。
深さを任意に制御出来、種間する基板の厚みや大きさの
変化に対して種間条件を柔軟に設定することが可能であ
る。
■ 切り出す光集積回路チップ寸法の高精度化が可能と
なる。
なる。
■ エツチングにより種間用のＶ溝を形成するため、ブ
レードや針の消耗が無（、切り出し作業の歩留り向上が
得られる。
レードや針の消耗が無（、切り出し作業の歩留り向上が
得られる。
■ 種間を一括して行うため光集積回路チップの量産が
可能となる。
可能となる。
第１図〜第３図は本発明の一実施例にかかり、第１図（
ａｌはウェハに形成されたＶ状溝の断面図、第１図（ｂ
ｌはファセットと垂直、平行にＶ状溝が形成されたウェ
ハの斜視図、第２図ｔａ）〜（ｅ）はそれぞれウェハに
Ｖ状溝を形成する工程を示す断面図、第３図（ａｌ （
ｂ）はそれぞれ応力の付与されるウェハの斜視図、断面
図、第４図、第５図はそれぞれ従来の光集積回路の説明
図、第６図（ａ）〜（ｄｌはそれぞれウェハからチップ
を切り出す技術に関する従来方法を示す工程図である。 図 面 中、 １１は薄膜光導波膜、 １２は透過形回折格子、 １３はレンズ、 １４は入力ファイバ、 １５は出力ファイバ、 １６は導波膜端面、 ２１はシリコン基板、 ２２はグレーティング分波器、 ２３はフォトダイオード、 ２４は薄膜先導波膜、 ２５は入力ファイバ、 ２６は導波膜端面、 ３１はＳｉ単結晶基板ウェハ、 ３２は光集積回路チップ、 ３３はブレード又はダイヤモンド針、 ３４は瞬間用鍋、 ３５はファセット、 ４１．５１，６１はＳｉ単結晶基板（ウェハ）４２はエ
ツチング用マスク、 ４３．５７，６２は■状溝、 ４４．６３は光集積回路チップ、 ４５はファセット、 ５２はＳｉＯ□膜、 ５３は導波回路コア層、 ５４は導波回路クラッド層、 ５５．５５’は金属層、 ５６は有機レジスト層、 ６４は粘着性フィルム、 ６５は気密ボックス、 ６６はボックス上部枠部分、 ６７は空気導入口、 ６８は空気排出口、 ６９は襞間面である。 第１図 （ａ）
ａｌはウェハに形成されたＶ状溝の断面図、第１図（ｂ
ｌはファセットと垂直、平行にＶ状溝が形成されたウェ
ハの斜視図、第２図ｔａ）〜（ｅ）はそれぞれウェハに
Ｖ状溝を形成する工程を示す断面図、第３図（ａｌ （
ｂ）はそれぞれ応力の付与されるウェハの斜視図、断面
図、第４図、第５図はそれぞれ従来の光集積回路の説明
図、第６図（ａ）〜（ｄｌはそれぞれウェハからチップ
を切り出す技術に関する従来方法を示す工程図である。 図 面 中、 １１は薄膜光導波膜、 １２は透過形回折格子、 １３はレンズ、 １４は入力ファイバ、 １５は出力ファイバ、 １６は導波膜端面、 ２１はシリコン基板、 ２２はグレーティング分波器、 ２３はフォトダイオード、 ２４は薄膜先導波膜、 ２５は入力ファイバ、 ２６は導波膜端面、 ３１はＳｉ単結晶基板ウェハ、 ３２は光集積回路チップ、 ３３はブレード又はダイヤモンド針、 ３４は瞬間用鍋、 ３５はファセット、 ４１．５１，６１はＳｉ単結晶基板（ウェハ）４２はエ
ツチング用マスク、 ４３．５７，６２は■状溝、 ４４．６３は光集積回路チップ、 ４５はファセット、 ５２はＳｉＯ□膜、 ５３は導波回路コア層、 ５４は導波回路クラッド層、 ５５．５５’は金属層、 ５６は有機レジスト層、 ６４は粘着性フィルム、 ６５は気密ボックス、 ６６はボックス上部枠部分、 ６７は空気導入口、 ６８は空気排出口、 ６９は襞間面である。 第１図 （ａ）
Claims (2)
- （１）シリコン基板上に形成された光導波回路を基本要
素とする光集積回路の製造において、複数の光集積回路
が形成される結晶基板であるウェハを個々の光集積回路
についてのチップとして切り出す際、該ウェハにそのフ
ァセットに対し垂直方向のＶ状溝及び水平方向のＶ状溝
を所定ピッチで異方性エッチングによって形成し、前記
ウェハに全体的に応力を付与することにより前記Ｖ状溝
へ応力を集中させ該Ｖ状溝に沿って前記ウェハを一括に
劈開し、複数の前記チップに分割することを特徴とする
光集積回路製造法。 - （２）特許請求の範囲第１項において前記Ｖ状溝の形成
された前記ウェハを２枚の粘着性フィルムの間に挾み込
んで、該粘着性フィルムの周辺部を固定して、その中央
部を気圧差により膨張させることにより、前記Ｖ状溝に
応力を集中させることを特徴とする光集積回路製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16091588A JPH0212110A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 光集積回路製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16091588A JPH0212110A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 光集積回路製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212110A true JPH0212110A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15725066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16091588A Pending JPH0212110A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 光集積回路製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212110A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044390A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 結晶軸と位置合わせされた垂直側壁デバイスおよびその製造方法 |
| US7090325B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-08-15 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid drop discharge head and manufacture method thereof, micro device ink-jet head ink cartridge and ink-jet printing device |
| JP2007017652A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Sony Corp | 光導波構造体及びその製造方法、並びに光導波路の製造方法 |
| JP2010266899A (ja) * | 2010-08-20 | 2010-11-25 | Sony Corp | 光導波構造体及びその製造方法 |
| US20230318567A1 (en) * | 2019-01-31 | 2023-10-05 | Seiko Epson Corporation | Resonator device, resonator module, electronic apparatus, and vehicle |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16091588A patent/JPH0212110A/ja active Pending
Cited By (6)
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