JPH02122598A - セラミック多層配線基板とその製造方法 - Google Patents
セラミック多層配線基板とその製造方法Info
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- JPH02122598A JPH02122598A JP27581288A JP27581288A JPH02122598A JP H02122598 A JPH02122598 A JP H02122598A JP 27581288 A JP27581288 A JP 27581288A JP 27581288 A JP27581288 A JP 27581288A JP H02122598 A JPH02122598 A JP H02122598A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ｋｇ若しくはＡｇ−Ｐｄｊ＃体を配線導体し
て使用したセラミック多層配線基板とその製造方法に関
する。
て使用したセラミック多層配線基板とその製造方法に関
する。
［従来の技術］
電子回路の小型化、高密度化に伴って、多層配線基板が
多く採用されている。なかでもセラミック多層配線基板
は、配線の高密度化が可能なため、広く採用されている
。
多く採用されている。なかでもセラミック多層配線基板
は、配線の高密度化が可能なため、広く採用されている
。
このセラミック多層配線基板が広く採用されるに伴い、
これに対する製造コストの低減の要望が高まり、この要
望を満たす為に、様々な開発が進められている。例えば
、低温焼結可能なセラミック材料の開発を図り、これに
より焼成費用を低下させたり、配線導体を比較的低価格
の金属を主体とするペーストで形成する事が出来るよう
にする等の対策がその代表的な例である。これにより、
配線基板として必要とされる特性を維持したまま、製造
費用の削減が試みられ、その成果として、コストダウン
ンが図られてる。
これに対する製造コストの低減の要望が高まり、この要
望を満たす為に、様々な開発が進められている。例えば
、低温焼結可能なセラミック材料の開発を図り、これに
より焼成費用を低下させたり、配線導体を比較的低価格
の金属を主体とするペーストで形成する事が出来るよう
にする等の対策がその代表的な例である。これにより、
配線基板として必要とされる特性を維持したまま、製造
費用の削減が試みられ、その成果として、コストダウン
ンが図られてる。
セラミック多層配線基板は、未焼成セラミックシート上
に、導電性ペーストを所定の回路パターンに従って印刷
し、これを重ね合わせて圧若し、焼成して製造される。
に、導電性ペーストを所定の回路パターンに従って印刷
し、これを重ね合わせて圧若し、焼成して製造される。
製造されたセラミック多層基板の模式的な構造を第１図
に示してあり、同図において、１は焼成されたセラミッ
ク基板、２セラミツク基板ｌの層間に形成された回路パ
ターンを形成する内部導体、４は積１ｎされたセラミッ
ク基板Ｉの表面に形成された回路パターンを形成する外
部導体、３はセラミック基板１の各層間の回路を接続す
るため、バアイアホールに充填されたホール導体である
。
に示してあり、同図において、１は焼成されたセラミッ
ク基板、２セラミツク基板ｌの層間に形成された回路パ
ターンを形成する内部導体、４は積１ｎされたセラミッ
ク基板Ｉの表面に形成された回路パターンを形成する外
部導体、３はセラミック基板１の各層間の回路を接続す
るため、バアイアホールに充填されたホール導体である
。
［発明が解決しようとする課題］
セラミック多層配線基板の前記導体２．３．４を形成す
るための材料となる印刷用の導電ペーストとしては、形
成された導体２．３．４の抵抗値が低い串、及び材料の
入手が比較的容易である串等の理由により、Ａｇ若しく
はＡｇ−Ｐｄ合金を主体とする導電ペーストが一般に用
いられている。
るための材料となる印刷用の導電ペーストとしては、形
成された導体２．３．４の抵抗値が低い串、及び材料の
入手が比較的容易である串等の理由により、Ａｇ若しく
はＡｇ−Ｐｄ合金を主体とする導電ペーストが一般に用
いられている。
Ａｇペーストを用い゛Ｃ回路パターンが印刷されたセラ
ミック多層配線基板は、大気中で８５０〜９００°Ｃ程
度の温度で焼成されている。これは、Ａｇの融点が約９
６０°Ｃである事から９００℃以上の温度で焼成すると
、Ａｇがセラミック中に拡散し、これが原因でセラミッ
クの絶縁性の低下や、回路を構成している導体の抵抗値
の増大を招くためである。
ミック多層配線基板は、大気中で８５０〜９００°Ｃ程
度の温度で焼成されている。これは、Ａｇの融点が約９
６０°Ｃである事から９００℃以上の温度で焼成すると
、Ａｇがセラミック中に拡散し、これが原因でセラミッ
クの絶縁性の低下や、回路を構成している導体の抵抗値
の増大を招くためである。
しかし一方において、多層配線基板を構成するセラミッ
ク絶縁材料を、８５０〜９００°Ｃという低い温度で焼
成しようとする場合は、セラミック材料の中にガラス成
分を多（含ませなければならないため、焼成後の抗折強
度が低下するという問題が生じる。
ク絶縁材料を、８５０〜９００°Ｃという低い温度で焼
成しようとする場合は、セラミック材料の中にガラス成
分を多（含ませなければならないため、焼成後の抗折強
度が低下するという問題が生じる。
このような欠点を解消しようとして試みられた手段に、
導体ペーストとしてＡｇ−Ｐｄ合金を主体とするものを
用いて、基板を積層後、これを９００〜１０００℃の温
度で焼成する方法がある。しかし、導体としてＡｇ−Ｐ
ｄ合金を用いた場合、導体にＡｇを用いた場合と比較し
て、回路を構成する導体の抵抗値が約３倍以上も高４な
る言う欠点があり、限られた分野にしか利用出来ない。
導体ペーストとしてＡｇ−Ｐｄ合金を主体とするものを
用いて、基板を積層後、これを９００〜１０００℃の温
度で焼成する方法がある。しかし、導体としてＡｇ−Ｐ
ｄ合金を用いた場合、導体にＡｇを用いた場合と比較し
て、回路を構成する導体の抵抗値が約３倍以上も高４な
る言う欠点があり、限られた分野にしか利用出来ない。
本発明の目的は、上記課題を解消する事ができるセラミ
ック多層配線基板とその製造方法を提供する１１にある
。
ック多層配線基板とその製造方法を提供する１１にある
。
［課題を解消する為の手段］
すなわち、上記目的を達成する為の手段の要旨は、第一
に、多層に積層されたセラミックシートの表面及び層間
にＡｇ若しくはＡｇ合金を含む導体を有するセラミック
多層配線基板に於いて、セラミックと導体が低酸素濃度
雰囲気中で焼成されたセラミック多層配線基板である。
に、多層に積層されたセラミックシートの表面及び層間
にＡｇ若しくはＡｇ合金を含む導体を有するセラミック
多層配線基板に於いて、セラミックと導体が低酸素濃度
雰囲気中で焼成されたセラミック多層配線基板である。
第二に、未焼成セラミックシート上に、Ａｇ若しくはＡ
ｇ合金を含む導電ペーストを塗布し、これらセラミック
シートをＭ ＩＮして焼成するセラミック多層配線基板
の製造方法に於いて、焼成雰囲気を低酸素濃度雰囲気と
するセラミック多層配線基板の製造方法である。
ｇ合金を含む導電ペーストを塗布し、これらセラミック
シートをＭ ＩＮして焼成するセラミック多層配線基板
の製造方法に於いて、焼成雰囲気を低酸素濃度雰囲気と
するセラミック多層配線基板の製造方法である。
第三に、ベースとなる絶縁性シート上に、絶縁性セラミ
ックペーストとＡｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペース
トを交互に塗布し、得られた積層体を焼成するセラミッ
ク多層配線基板の製造方法に於いて、焼成雰囲気を低酸
素濃度雰囲気とするセラミック多層配線基板の製造方法
である。
ックペーストとＡｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペース
トを交互に塗布し、得られた積層体を焼成するセラミッ
ク多層配線基板の製造方法に於いて、焼成雰囲気を低酸
素濃度雰囲気とするセラミック多層配線基板の製造方法
である。
さらに、上記低酸素は、具体的には５００００ｐｐｍ以
下の酸素濃度雰囲気であるセラミック多層配線基板の製
造方法である。
下の酸素濃度雰囲気であるセラミック多層配線基板の製
造方法である。
［作 用コ
Ａｇ若しくはＡｇを含む＃電ペーストを、大気中より十
分酸素の濃度が低い雰囲気、より具体向には酸素濃度５
００００ｐｐｍ以下の雰囲気中で焼成すると、Ａｇの活
性が低下し、焼成時にセラミック中へのＡｇの拡散が極
度に抑えられる。
分酸素の濃度が低い雰囲気、より具体向には酸素濃度５
００００ｐｐｍ以下の雰囲気中で焼成すると、Ａｇの活
性が低下し、焼成時にセラミック中へのＡｇの拡散が極
度に抑えられる。
このため１、大気中におけるＡｇの融点若しくはＡｇ合
金の固相線温度に近い温度で焼成しても、セラミック基
板の中へＡｇが拡散しにくい。
金の固相線温度に近い温度で焼成しても、セラミック基
板の中へＡｇが拡散しにくい。
従って、焼成温度を９００℃以上にしても導体の抵抗値
が増大せず、また絶縁性セラミックの絶縁抵抗も低下し
ない。
が増大せず、また絶縁性セラミックの絶縁抵抗も低下し
ない。
［実 施 例］
次に、本発明の具体的な実施例について詳細に説明する
。
。
（実施例１）
Ａｌ２Ｏ２が４５重、Ｆｌ ％、Ｓ ｉ ０２７’ｌ’
３５ｍｉ’ｕ％、Ｂ ２０３が８重伍％、ＣａＯが５型
組％、Ｍｇｏが３．５重徂％、Ｃｒ２Ｏ３が３１ｆｆ１
％、Ｌｉ２Ｏが０．５１重１％からなるセラミック原料
粉末と、トルエン、エタノールが１対１の混合溶媒中に
、ポリビニルブチラールを溶解した佇Ｆ３ ／＜インダ
と、ジブチルフタレート（可Ｍ１）？ｆｌｌ ）と、オ
レイン酸（分散剤）とをボールミルで混合し、セラミッ
ク原料のスラリを用意した。
３５ｍｉ’ｕ％、Ｂ ２０３が８重伍％、ＣａＯが５型
組％、Ｍｇｏが３．５重徂％、Ｃｒ２Ｏ３が３１ｆｆ１
％、Ｌｉ２Ｏが０．５１重１％からなるセラミック原料
粉末と、トルエン、エタノールが１対１の混合溶媒中に
、ポリビニルブチラールを溶解した佇Ｆ３ ／＜インダ
と、ジブチルフタレート（可Ｍ１）？ｆｌｌ ）と、オ
レイン酸（分散剤）とをボールミルで混合し、セラミッ
ク原料のスラリを用意した。
このスラリを真空脱泡機で脱泡した後、これからドクタ
ーブレード法によって、厚さ２５０μｍの長尺なグリー
ンシートを形成した。このグリーンシートを所定の大き
さ、例えば５０ｍｍＸ１２０ｍｍに切断し、このシート
上に直径２００μｍのＬ！ｒ通孔を１５２数形成してバ
アイアホールを形成した。
ーブレード法によって、厚さ２５０μｍの長尺なグリー
ンシートを形成した。このグリーンシートを所定の大き
さ、例えば５０ｍｍＸ１２０ｍｍに切断し、このシート
上に直径２００μｍのＬ！ｒ通孔を１５２数形成してバ
アイアホールを形成した。
またこれとは別に、エチルセルローズをテレピネオール
溶剤で溶量１したバインダ中に、Ａｇ粉末（比表面積１
．５３♂／ｇ）を加えて混練し、Ａｇペーストを作った
。
溶剤で溶量１したバインダ中に、Ａｇ粉末（比表面積１
．５３♂／ｇ）を加えて混練し、Ａｇペーストを作った
。
前記バアイアホールを形成したグリーンシート上に、前
記Ａｇペーストをスクリーン印刷し、これと同時にバア
イアホールの内部にもＡｇペーストを充填した。このよ
うなシートを複数枚重ねて、９０°Ｃに保温したまま、
２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で圧着した。
記Ａｇペーストをスクリーン印刷し、これと同時にバア
イアホールの内部にもＡｇペーストを充填した。このよ
うなシートを複数枚重ねて、９０°Ｃに保温したまま、
２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で圧着した。
こうして作られた未焼成のセラミックＪ、Ｌ４１２を、
まず大気中で、３°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配で室温から６
００°Ｃまで昇ｌ晶させ、続いて６００ ’Ｃの温度を
３０分間保持し、その後−１０″Ｃ／ｍｉｎの温度勾配
で室温まで冷却し、脱バインタ処理を行った。
まず大気中で、３°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配で室温から６
００°Ｃまで昇ｌ晶させ、続いて６００ ’Ｃの温度を
３０分間保持し、その後−１０″Ｃ／ｍｉｎの温度勾配
で室温まで冷却し、脱バインタ処理を行った。
次ぎに炉内に窒素ガスを導入し、これで炉内のガスを１
ａ換した後、２０°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配で室温から９
２０℃まで昇温させ、続いて９２０°Ｃの温度を１０分
間保持した後、−２０°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配で室温ま
で冷却した。この時の炉内の酸素濃度をジルコニア式酸
素濃度計によって測定した結果ｔｏｐｐｍであった。
ａ換した後、２０°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配で室温から９
２０℃まで昇温させ、続いて９２０°Ｃの温度を１０分
間保持した後、−２０°Ｃ／ｍｉｎの温度勾配で室温ま
で冷却した。この時の炉内の酸素濃度をジルコニア式酸
素濃度計によって測定した結果ｔｏｐｐｍであった。
以上の方法で作られたセラミック多層配線基板の配線抵
抗を測定し、面積抵抗率を求めた結果は１．５ｍΩ／口
であった。また、線間の絶縁抵抗は全てｌＸｌ０Ｉ”Ω
以上であった。
抗を測定し、面積抵抗率を求めた結果は１．５ｍΩ／口
であった。また、線間の絶縁抵抗は全てｌＸｌ０Ｉ”Ω
以上であった。
（実施例２）
上記実施例！にｔ１金いて、焼成時の炉内雰囲気の窒素
ガスと空気ガスとが５００： １の割合で混合された
混合ガスに代えた事以外は、同実施例１と同様の条件で
セラミック多層配線基板を装造した。この時の炉内の酸
素濃度は４２０ｐｐｍであった。
ガスと空気ガスとが５００： １の割合で混合された
混合ガスに代えた事以外は、同実施例１と同様の条件で
セラミック多層配線基板を装造した。この時の炉内の酸
素濃度は４２０ｐｐｍであった。
これによってＸ！ＡＤｉされたセラミック多層配線基板
の配線の面積抵抗率を求めた結果は１． ６ｍΩ／口で
あった。また、線間の絶縁抵抗は全て１ｘｔｏ＋８Ω以
上であった。
の配線の面積抵抗率を求めた結果は１． ６ｍΩ／口で
あった。また、線間の絶縁抵抗は全て１ｘｔｏ＋８Ω以
上であった。
（実施例３）
上記実施例１において、焼成時の炉内゛雰囲気を、窒素
ガスと空気ガスとが２０： １の割合で混合された混合
ガスに代えた事以外は、同実施例１と同様の条件でセラ
ミック多層配線ノ１（板を製造した。この時の炉内の酸
素濃度は１０，０００ｐｐｍであった。
ガスと空気ガスとが２０： １の割合で混合された混合
ガスに代えた事以外は、同実施例１と同様の条件でセラ
ミック多層配線ノ１（板を製造した。この時の炉内の酸
素濃度は１０，０００ｐｐｍであった。
これによって製造されたセラミック多層配線基板の配線
の面積抵抗率を求めた結果は２．０ｍΩ／口であった。
の面積抵抗率を求めた結果は２．０ｍΩ／口であった。
また、線間の絶８抵抗は全てｌＸｌ０Ｉ”Ω以上であっ
た。
た。
（実施例４）
上記実施例１と同様の方法で、焼成時の炉内雰囲気を窒
素ガスと空気とを３．２： Ｉの；Ｑ１１合で混合さ
れた混合ガスに代え、それ以外は同実施例１と同様にし
てセラミック多層配線１．ｒｒ板を製作した。この時の
焼成時の炉内酸素濃度は５００００ｐｐ−であった。
素ガスと空気とを３．２： Ｉの；Ｑ１１合で混合さ
れた混合ガスに代え、それ以外は同実施例１と同様にし
てセラミック多層配線１．ｒｒ板を製作した。この時の
焼成時の炉内酸素濃度は５００００ｐｐ−であった。
これによって製造されたセラミック多層配線基板の配線
の面積抵抗率を求めた結果は３．０ｍ０７口であった。
の面積抵抗率を求めた結果は３．０ｍ０７口であった。
また、線間の絶縁抵抗は全て！×ｌＯΩ１以上であった
。
。
（比較例１）
上記実施例Ｉにおいて、焼成時の炉内？ｆ囲気を大気中
としたＸＩＩ以外は、上記実施例１と同様の条件でセラ
ミック多ｊｒ１配線基板を製造した。
としたＸＩＩ以外は、上記実施例１と同様の条件でセラ
ミック多ｊｒ１配線基板を製造した。
この時の炉内の酸素濃度は２１％であった。
これによって製造されたセラミック多層配線基板の配線
の面積抵抗率を求めた結果は４．２ｍΩ／口であった。
の面積抵抗率を求めた結果は４．２ｍΩ／口であった。
また、線間の絶縁抵抗については、一部がｌＸ１０９０
以下であった。
以下であった。
（実施例５）
上記実施例１に於いて、セラミック基板を形成するセラ
ミック原料粉末のｘｌ【成を、Ａｌ２Ｏ３が４８重量％
、Ｓ ｉ ０２ カ３４ ｍｆ？ｔ％、Ｂ ２０３が７
重量％、ＣａＯが４重Ｍ％、Ｍ ｇ Ｏｈ’ ３゜５重
Ｍ％、Ｃｒ２Ｃｈが爪凱％、Ｌｉ＞Ｏが０゜５重量％に
代えた事と、焼成温度を９５０°Ｃとした小以外は、同
実施例１と同様にしてセラミック多層配線基板を製作し
た。
ミック原料粉末のｘｌ【成を、Ａｌ２Ｏ３が４８重量％
、Ｓ ｉ ０２ カ３４ ｍｆ？ｔ％、Ｂ ２０３が７
重量％、ＣａＯが４重Ｍ％、Ｍ ｇ Ｏｈ’ ３゜５重
Ｍ％、Ｃｒ２Ｃｈが爪凱％、Ｌｉ＞Ｏが０゜５重量％に
代えた事と、焼成温度を９５０°Ｃとした小以外は、同
実施例１と同様にしてセラミック多層配線基板を製作し
た。
これによって製造されたセラミック多層配線基板の配線
の面積抵抗率を求めた結果は１，８ｍΩ／口であった。
の面積抵抗率を求めた結果は１，８ｍΩ／口であった。
また、線間の絶縁抵抗は、全てｌＸｌ０Ｉ＠Ω以−ヒで
あった。
あった。
（比較例２）
上記実施例５に於いて、焼成時の炉内雰囲気を大気中と
した事以外は、同実施例５と同Ｌｌの条件でセラミック
多層配線基板を製作した。この結果、セラミック基板の
層間に形成された内部配線は全て断線していた。
した事以外は、同実施例５と同Ｌｌの条件でセラミック
多層配線基板を製作した。この結果、セラミック基板の
層間に形成された内部配線は全て断線していた。
（実施例６）
上記実施例Ｉに於いて、セラミック基板を形成するセラ
ミック原料粉末の組成を、Ａｌ２Ｏ３が５２重ｎ１％、
Ｓ ＋ ０２が３２ｆｆｌ毒％、Ｂ２Ｏ３が６型組％、
ＣａＯが３重狙％、ＭｇＯが３゜５重量％、Ｃｒ２Ｏ５
が３重狙％、Ｌｉ２Ｏが０５重量％に代エタｌＧ ＋！
−１Ａ ｇ ７’ｌ’ ９２ ｎ’ｉ ｊ７１ ％、Ｐ
ｄが８重狙％からなる導電粒子を主体する導電ペースト
を用いた串と、焼成温度を９８０℃とした事以外は、同
実施例１と同様にしてセラミック多層配線ノ、Ｕ ４ｆ
２を製作した。
ミック原料粉末の組成を、Ａｌ２Ｏ３が５２重ｎ１％、
Ｓ ＋ ０２が３２ｆｆｌ毒％、Ｂ２Ｏ３が６型組％、
ＣａＯが３重狙％、ＭｇＯが３゜５重量％、Ｃｒ２Ｏ５
が３重狙％、Ｌｉ２Ｏが０５重量％に代エタｌＧ ＋！
−１Ａ ｇ ７’ｌ’ ９２ ｎ’ｉ ｊ７１ ％、Ｐ
ｄが８重狙％からなる導電粒子を主体する導電ペースト
を用いた串と、焼成温度を９８０℃とした事以外は、同
実施例１と同様にしてセラミック多層配線ノ、Ｕ ４ｆ
２を製作した。
これによって製造されたセラミック多層配線基板の配線
の面積抵抗率を求めたれ１１′果は５．１ｍΩ／口であ
った。また、線間の絶縁抵抗は、全てｌＸｌ０Ｉ”Ω以
上であった。
の面積抵抗率を求めたれ１１′果は５．１ｍΩ／口であ
った。また、線間の絶縁抵抗は、全てｌＸｌ０Ｉ”Ω以
上であった。
（比較例３）
上記実施例６に於いて、焼成時の炉内雰囲気を大気中と
した事以外は、同実施例６七同様の条件でセラミック多
層配線基板を製作した。この結果、セラミック基板のｊ
※間に形成された内部配線は全て断線していた。
した事以外は、同実施例６七同様の条件でセラミック多
層配線基板を製作した。この結果、セラミック基板のｊ
※間に形成された内部配線は全て断線していた。
（実施例７）
上記実施例１に於いて、セラミツクツ、（板を形成する
セラミック原料粉末のｍ成を、Ａｌ２Ｏ３が４０重型組
、Ｓ ｉ ０２が３６重重打％、Ｂ ２０３が１ｌｆｆ
ｌｆｆ）％、ＣａＯが６ ！Ｉｆ＝ｔ％、ＭｇＯが３゜
５重量％、Ｃｒ２Ｏ３が３ Ｅｌｉ ｆｆ１％、Ｌｉ２
Ｏが０゜５重Ｍ％に代えた事と、焼成温度を８９０°Ｃ
とした事以外は、上記実施例１と同様にしてセラミック
多層配線基板を製作した。
セラミック原料粉末のｍ成を、Ａｌ２Ｏ３が４０重型組
、Ｓ ｉ ０２が３６重重打％、Ｂ ２０３が１ｌｆｆ
ｌｆｆ）％、ＣａＯが６ ！Ｉｆ＝ｔ％、ＭｇＯが３゜
５重量％、Ｃｒ２Ｏ３が３ Ｅｌｉ ｆｆ１％、Ｌｉ２
Ｏが０゜５重Ｍ％に代えた事と、焼成温度を８９０°Ｃ
とした事以外は、上記実施例１と同様にしてセラミック
多層配線基板を製作した。
これによって製造されたセラミック多層配線基板の配線
の面ｒｉＩｔ抵抗率を求めた結果は１．６ｍΩ／口であ
った。また、線間の絶縁抵抗は、全てｌＸ１０１９Ω以
上であった。
の面ｒｉＩｔ抵抗率を求めた結果は１．６ｍΩ／口であ
った。また、線間の絶縁抵抗は、全てｌＸ１０１９Ω以
上であった。
［発明の効果］
以上説明した通り、本発明によれば、Ａｇ若しくはＡｇ
合金を導体としたセラミック多層配線基板を、従来より
高い温度で焼成する事が可能になる。これによって、焼
成温度を低くするために、セラミック基板の中のガラス
成分を増加させて、その抗折強度が低下するという）弊
害がない。しかも、導体のセラミック基板への拡散も抑
えられるため、配線基板の絶縁性を高く、導体の抵抗値
を低く維持する事ができ、高信頼性ををするセラミック
配線基板を提供１１８来ると言う効果が達成される。
合金を導体としたセラミック多層配線基板を、従来より
高い温度で焼成する事が可能になる。これによって、焼
成温度を低くするために、セラミック基板の中のガラス
成分を増加させて、その抗折強度が低下するという）弊
害がない。しかも、導体のセラミック基板への拡散も抑
えられるため、配線基板の絶縁性を高く、導体の抵抗値
を低く維持する事ができ、高信頼性ををするセラミック
配線基板を提供１１８来ると言う効果が達成される。
４、図面のｆｌＴｉ （１１な説明
第１図は、セラミック多層配線基板の６１４造を示す要
部断面図である。
部断面図である。
１・・・セラミック基板 ２・・・内部導体 ３・・・
ホール４体 ４・・・外部導体 特許出願人 太陽１橘電株式会社 代 理 人 弁理士北條和由 今 第１図 ］ Φ
ホール４体 ４・・・外部導体 特許出願人 太陽１橘電株式会社 代 理 人 弁理士北條和由 今 第１図 ］ Φ
Claims (4)
- （１）多層に積層されたセラミックシートの表面及び層
間にＡｇ若しくはＡｇ合金を含む内部導体を有するセラ
ミック多層配線基板に於いて、セラミックと導体が低酸
素濃度雰囲気中で焼成された事を特徴とするセラミック
多層配線基板。 - （２）未焼成セラミックシート上に、Ａｇ若しくはＡｇ
合金を含む導電ペーストを塗布し、これらセラミックシ
ートを積層して焼成するセラミック多層配線基板の製造
方法に於いて、焼成雰囲気を低酸素濃度雰囲気とする事
を特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。 - （３）ベースとなる絶縁性シート上に、絶縁性セラミッ
クペーストとＡｇ若しくはＡｇ合金を含む導電ペースト
を交互に塗布し、得られた積層体を焼成するセラミック
多層配線基板の製造方法に於いて、焼成雰囲気を低酸素
濃度雰囲気とする事を特徴とするセラミック多層配線基
板の製造方法。 - （４）前項特許請求の範囲第２項または第３項の何れか
に記載の低酸素濃度雰囲気が、５００００ｐｐｍ以下の
酸素濃度雰囲気である事を特徴とするセラミック多層配
線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27581288A JPH02122598A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | セラミック多層配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27581288A JPH02122598A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | セラミック多層配線基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122598A true JPH02122598A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17560764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27581288A Pending JPH02122598A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | セラミック多層配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122598A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683790A (en) * | 1992-12-28 | 1997-11-04 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic parts |
| JP2005167108A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品の製造方法 |
| US7431785B2 (en) | 2002-07-25 | 2008-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method for monolithic piezoelectric part, and monolithic piezoelectric part |
| JP2016213410A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | 日立金属株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108192A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | 日本電気株式会社 | 低温焼結多層セラミツク基板 |
| JPS62265796A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP27581288A patent/JPH02122598A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108192A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | 日本電気株式会社 | 低温焼結多層セラミツク基板 |
| JPS62265796A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-18 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミツク多層配線基板およびその製造法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683790A (en) * | 1992-12-28 | 1997-11-04 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic parts |
| US7431785B2 (en) | 2002-07-25 | 2008-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method for monolithic piezoelectric part, and monolithic piezoelectric part |
| JP2005167108A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型電子部品の製造方法 |
| JP2016213410A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | 日立金属株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
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