JPH02122618A - 不純物拡散装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程において用いられる不純
物拡散装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の不純物拡散装置は第３図に示すように炉
芯管１１と、この炉芯管１１上に設けられた均熱板１２
と、ヒータ１３と、炉芯管１１内を所定の温度に保つ為
の温度コントローラ（図示せず）とから構成されており
、シリコン基板１６はボート１４に載置され、更にこの
ボート１４はマザーボート１５により炉芯管１１内に挿
入され、所定枚数のシリコン基板が一度に処理されるよ
うに構成されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の不純物拡散装置では、シリコン基板の所
定の枚数が一度に処理されるバッチ処理式の構造となっ
ている為、少量多品種化が進むにつれ、不純物拡散装置
でのロスタイムが多くなり、製造期間が長くなるという
欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の不純物拡散装置は、チャンバーと、前記チャン
バー内に設けられシリコン基板を支持する支持体と、前
記シリコン基板を加熱するための紫外線または高周波照
射手段と、前記シリコン基板の温度を検出し前記紫外線
または高周波照射手段の出力を制御する温度制御手段と
を含んで構成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第一の実施例の断面図である。

第１図において、チャンバー１内にはシリコン基板３を
支持する支持体４が設けられており、その上部には、例
えば５０〜１１００ｎの波長を有する紫外線を発生する
光源２が設けられている。

そして、チャンバー１の外部には、この光源２とシリコ
ン基板の裏面に接するように設けられた熱センサ（図示
せず）に接続する温度コントローラー５が設けられてい
る。なお６はガス導入管である。

このように構成された第１の実施例によれば、支持体４
上に支持されたシリコン基板３は、照射された紫外線を
Ｓｉが吸収して熱エネルギーに変換するため紫外線によ
り加熱されることになる。

そして、その加熱温度は温度コントローラー５により制
御されるため、シリコン基板３は１枚づつ所定の熱処理
がなされる。従ってシリコン基板への不純物拡散及び酸
化膜の形成は、精度よくしかも短時間に行なわれる。

第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。

この第２の実施例における不純物拡散装置は、シリコン
基板を加熱するために高周波を用いるものである。すな
わち、Ｓｉが吸収する高周波を高周波発生機７により発
生させ、導波管２を介してチャンバー１内の支持体４上
に支持されたシリコン基板３上に照射し、熱エネルギー
に変換し、温度コントローラー５により所定の温度に保
つように構成されており、必要に応じて、ガス導入管６
よりチャンバー１内にガスを注入し、処理する。

又、チャンバー１は空洞共振器の機能を有するように構
成されており、シリコン基板３上で高周波パワーが最大
になるように調整することにより省エネルギー化が可能
である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、チャンバー内に設けられ
た支持体と、この支持体上のシリコン基板を加熱するた
めの紫外線または高周波照射手段と、温度制御手段とに
より不純物拡散装置を構成することにより、シリコン基
板上への酸化膜の形成および不純物の拡散を１枚づつ処
理できるため、シリコン基板の処理待ち時間を減少させ
たり、処理ロット数を多くできる等の効果がある。

従って半導体装置の製造期間を短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の不純物拡散装置の一例の断面図で
ある。 １、ＩＡ・・・チャンバー　２・・・光源、３・・・シ
リコン基板、４・・・支持体、５・・・温度コントロー
ラー、６・・・ガス導入管、７・・・高周波発生機、８
・・・導波管、１１・・・炉芯管、１２・・・均熱管、
１３・・・ヒーター　１４・・・ボート、１５・・・マ
ザーボート、１６・・・シリコン基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　チャンバーと、前記チャンバー内に設けられシリコン
   基板を支持する支持体と、前記シリコン基板を加熱する
   ための紫外線または高周波照射手段と、前記シリコン基
   板の温度を検出し前記紫外線または高周波照射手段の出
   力を制御する温度制御手段とを含むことを特徴とする不
   純物拡散装置。