JPH03112132A - 減圧式短時間熱処理装置 - Google Patents
減圧式短時間熱処理装置Info
- Publication number
- JPH03112132A JPH03112132A JP25108989A JP25108989A JPH03112132A JP H03112132 A JPH03112132 A JP H03112132A JP 25108989 A JP25108989 A JP 25108989A JP 25108989 A JP25108989 A JP 25108989A JP H03112132 A JPH03112132 A JP H03112132A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- heat treatment
- infrared rays
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Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は減圧下でランプを用いて熱処理を行う短時間熱
処理装置に関する。
処理装置に関する。
従来、イオン注入したイオンを電気的に活性化させる短
時間熱処理装置は第３図（ａ） 、 （ｂ）に示すよう
に、円筒型炉芯管３２の内部に設置された半導体基板１
１を、アルゴンや窒素ガス等の雰囲気ガス１４中で、炉
芯管の外部がらランプ１５で照射し熱処理しており、半
導体基板１１はガス１４の流れに対して平行になるよう
に支持台３５を介して水平に保持される。
時間熱処理装置は第３図（ａ） 、 （ｂ）に示すよう
に、円筒型炉芯管３２の内部に設置された半導体基板１
１を、アルゴンや窒素ガス等の雰囲気ガス１４中で、炉
芯管の外部がらランプ１５で照射し熱処理しており、半
導体基板１１はガス１４の流れに対して平行になるよう
に支持台３５を介して水平に保持される。
しかし、上記のような構造の短時間熱処理装置において
、雰囲気ガス１４中で半導体基板１１を短時間熱処理す
ると、ガス１４の流れが作る層流により半導体基板１１
の表面に厚さの異なる澱み層が形成される。この澱み層
では、ガスの動きがほとんど無いので、ガスによる冷却
効果は期待できないため、基板面内では澱み層の厚さに
よる温度分布が顕れる。従って、澱み層の厚い部分の温
度は高く、薄い部分の温度は低くなるので、面内の温度
が不均一になり、例えば注入されたイオンの電気的活性
化率が基板面内で大きく変動するという問題があった。
、雰囲気ガス１４中で半導体基板１１を短時間熱処理す
ると、ガス１４の流れが作る層流により半導体基板１１
の表面に厚さの異なる澱み層が形成される。この澱み層
では、ガスの動きがほとんど無いので、ガスによる冷却
効果は期待できないため、基板面内では澱み層の厚さに
よる温度分布が顕れる。従って、澱み層の厚い部分の温
度は高く、薄い部分の温度は低くなるので、面内の温度
が不均一になり、例えば注入されたイオンの電気的活性
化率が基板面内で大きく変動するという問題があった。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、ガスの流れが作る層流による
基板面内の温度の不均一性を抑制できる短時間熱処理装
置を提供することにある。
めになされたものであり、ガスの流れが作る層流による
基板面内の温度の不均一性を抑制できる短時間熱処理装
置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る減圧式短時間熱
処理装置は、減圧下でラングを用いて熱処理を行う短時
間熱処理装置において、半導体基板を円筒型炉芯管内に
該炉芯管と同軸上に設置するとともに、前記半導体基板
の被処理面を上流側に向けて配置し、赤外線を透過させ
る円盤状の整流板を前記半導体基板より上流側で該基板
と平行にかつ円筒型炉芯管と同軸上に設置したしのであ
る。
処理装置は、減圧下でラングを用いて熱処理を行う短時
間熱処理装置において、半導体基板を円筒型炉芯管内に
該炉芯管と同軸上に設置するとともに、前記半導体基板
の被処理面を上流側に向けて配置し、赤外線を透過させ
る円盤状の整流板を前記半導体基板より上流側で該基板
と平行にかつ円筒型炉芯管と同軸上に設置したしのであ
る。
本発明の減圧式短時間熱処理装置は、減圧下において半
導体基板が円筒型炉芯管と同軸上となるような位置でガ
スの流れに対して垂直に設置し、この半導体基板より上
流側に赤外線を透過する円盤状の整流板を、半導体基板
と平行に、かつ、円筒型炉芯管と同軸上となるような位
置に設置させてランプで加熱し、前記半導体基板を熱処
理する。
導体基板が円筒型炉芯管と同軸上となるような位置でガ
スの流れに対して垂直に設置し、この半導体基板より上
流側に赤外線を透過する円盤状の整流板を、半導体基板
と平行に、かつ、円筒型炉芯管と同軸上となるような位
置に設置させてランプで加熱し、前記半導体基板を熱処
理する。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の模式図
である。同図（ａ）は正面断面図、（ｂ）は上面断面図
を示す。
である。同図（ａ）は正面断面図、（ｂ）は上面断面図
を示す。
第１図に示すように、半導体基板１１は円筒型炉芯管１
２と同軸上となるようにボート１３にて保持される。こ
の際半導体基板１１の被処理面は、ガス１４の流れの上
流側を向くようにボート１３に搭載する。
２と同軸上となるようにボート１３にて保持される。こ
の際半導体基板１１の被処理面は、ガス１４の流れの上
流側を向くようにボート１３に搭載する。
ボート１３には、ランプ１５から照射される赤外線を透
過する例えば石英ガラスからなる円盤状の整流板１６を
有しており、整流板１６は基板１１と同一口径であり、
整流板１６は半導体基板１１と平行になるようにし、か
つ半導体基板１１の上流側に円筒型炉芯管１２と同軸上
となるように設置する。尚、カスはガス吸気口１７から
導入し真空排気口１８より真空ポンプにより排出される
。
過する例えば石英ガラスからなる円盤状の整流板１６を
有しており、整流板１６は基板１１と同一口径であり、
整流板１６は半導体基板１１と平行になるようにし、か
つ半導体基板１１の上流側に円筒型炉芯管１２と同軸上
となるように設置する。尚、カスはガス吸気口１７から
導入し真空排気口１８より真空ポンプにより排出される
。
実施例において、第２図に示すように半導体基板１１の
裏面２１ａは、ランプ１５から照射される赤外線２５に
て直接加熱される。一方、半導体基板１１の被熱処理面
２１は、ランプ１５から照射され整流板１６を透過して
きた赤外線２６にて加熱されるので、半導体基板１１は
均一に加熱される。半導体基板１１の被熱処理面２１と
整流板２６とで作る空間のガスの流れは、ガス１４の流
れに対して垂直となるように設置された半導体基板１１
と、この半導体基板１１と平行に設置された整流板２６
との間の炉芯管１２内が減圧であるために乱流２４とな
り、層流による厚さの異なる澱み層が被熱処理面２１に
できなくなるので、基板面内の温度不均一が回避できる
。
裏面２１ａは、ランプ１５から照射される赤外線２５に
て直接加熱される。一方、半導体基板１１の被熱処理面
２１は、ランプ１５から照射され整流板１６を透過して
きた赤外線２６にて加熱されるので、半導体基板１１は
均一に加熱される。半導体基板１１の被熱処理面２１と
整流板２６とで作る空間のガスの流れは、ガス１４の流
れに対して垂直となるように設置された半導体基板１１
と、この半導体基板１１と平行に設置された整流板２６
との間の炉芯管１２内が減圧であるために乱流２４とな
り、層流による厚さの異なる澱み層が被熱処理面２１に
できなくなるので、基板面内の温度不均一が回避できる
。
以上から明らかなように、本発明によれば、減圧下にお
いて半導体基板が円筒型炉芯管と同軸上となるような位
置でガスの流れに対して垂直に設置し、この半導体基板
より上流側に赤外線を透過する円盤状の整流板を平行に
設置し、かつ円筒型炉芯管と同軸上となるような位置に
設置させることにより、澱み層ができる原因である層流
の発生が回避でき、乱流ができるので、ランプで加熱し
ても、半導体基板面内の温度分布が一様となるため、基
板面内のデバイス特性を均一化できる効果がある。
いて半導体基板が円筒型炉芯管と同軸上となるような位
置でガスの流れに対して垂直に設置し、この半導体基板
より上流側に赤外線を透過する円盤状の整流板を平行に
設置し、かつ円筒型炉芯管と同軸上となるような位置に
設置させることにより、澱み層ができる原因である層流
の発生が回避でき、乱流ができるので、ランプで加熱し
ても、半導体基板面内の温度分布が一様となるため、基
板面内のデバイス特性を均一化できる効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例を示す模
式図、第２図は本発明における熱処理状態を示す概念図
、第３図（ａ）は従来例を示す正面断面図、第３図（ｂ
）は同上面断面図である。 １１・・・半導体基板 １２・・・円筒型炉芯管
１３・・・ボート １４・・・ガス１５・・
・ランプ １６・・・整流板１７・・・ガス
吸気口 １８・・・真空排気口２４・・・乱流
２５．２６・・・赤外線（α） （ｂ） 第１図 ２に被熱処理面 第２図
式図、第２図は本発明における熱処理状態を示す概念図
、第３図（ａ）は従来例を示す正面断面図、第３図（ｂ
）は同上面断面図である。 １１・・・半導体基板 １２・・・円筒型炉芯管
１３・・・ボート １４・・・ガス１５・・
・ランプ １６・・・整流板１７・・・ガス
吸気口 １８・・・真空排気口２４・・・乱流
２５．２６・・・赤外線（α） （ｂ） 第１図 ２に被熱処理面 第２図
Claims (1)
- （１）減圧下でランプを用いて熱処理を行う短時間熱処
理装置において、半導体基板を円筒型炉芯管内に該炉芯
管と同軸上に設置するとともに、前記半導体基板の被処
理面を上流側に向けて配置し、赤外線を透過させる円盤
状の整流板を前記半導体基板より上流側で該基板と平行
にかつ円筒型炉芯管と同軸上に設置したことを特徴とす
る減圧式短時間熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25108989A JPH03112132A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 減圧式短時間熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25108989A JPH03112132A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 減圧式短時間熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112132A true JPH03112132A (ja) | 1991-05-13 |
Family
ID=17217477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25108989A Pending JPH03112132A (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 減圧式短時間熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03112132A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7025831B1 (en) * | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP25108989A patent/JPH03112132A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7025831B1 (en) * | 1995-12-21 | 2006-04-11 | Fsi International, Inc. | Apparatus for surface conditioning |
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