JPH02123732A - レジスト・スピン・コート方法 - Google Patents
レジスト・スピン・コート方法Info
- Publication number
- JPH02123732A JPH02123732A JP63276021A JP27602188A JPH02123732A JP H02123732 A JPH02123732 A JP H02123732A JP 63276021 A JP63276021 A JP 63276021A JP 27602188 A JP27602188 A JP 27602188A JP H02123732 A JPH02123732 A JP H02123732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- semiconductor wafer
- wafer
- coating method
- facet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体ウェハにレジスト膜を形成する際に適用するレジ
スト・スピン・コート方法の改良に関し、半導体ウェハ
の全面に膜厚が均一なレジスト膜を形成することができ
るようにすることを目的とし、 半導体ウェハを正転及び逆転可能な回転チャックに保持
し、該半導体ウェハの中央部分に所定量のレジストを滴
下し、該半導体ウェハを正転させて該レジストを周辺部
分にまで拡げ、しかる後、半導体ウェハを逆転させてレ
ジストの塗布を終了する工程を含んでなるよう構成する
。
スト・スピン・コート方法の改良に関し、半導体ウェハ
の全面に膜厚が均一なレジスト膜を形成することができ
るようにすることを目的とし、 半導体ウェハを正転及び逆転可能な回転チャックに保持
し、該半導体ウェハの中央部分に所定量のレジストを滴
下し、該半導体ウェハを正転させて該レジストを周辺部
分にまで拡げ、しかる後、半導体ウェハを逆転させてレ
ジストの塗布を終了する工程を含んでなるよう構成する
。
本発明は、半導体ウェハにレジスト膜を形成する際に適
用するレジスト・スピン・コート方法の改良に関する。
用するレジスト・スピン・コート方法の改良に関する。
半導体装置を高集積化するには、微細パターンの形成が
必要であり、現在、サブミクロン・デバイスの量産が開
始されようとしている。
必要であり、現在、サブミクロン・デバイスの量産が開
始されようとしている。
半導体装置のパターン形成にはレジスト工程が不可欠で
あり、そして、レジスト膜を微細パターンのマスクに仕
立てるには、先ず、レジスト膜の膜厚が均一であること
が肝要である。
あり、そして、レジスト膜を微細パターンのマスクに仕
立てるには、先ず、レジスト膜の膜厚が均一であること
が肝要である。
現在、半導体ウェハにレジストを塗布する際、スピン・
コート法が多用されている。
コート法が多用されている。
この技術は、半導体ウェハを回転チャックに保持し、そ
の中央部分にレジストを滴下し、回転チャック、従って
、半導体ウェハを回転させ、レジストを周辺部分へ拡げ
ることで膜厚が均一な塗布膜を得ようとするものである
。
の中央部分にレジストを滴下し、回転チャック、従って
、半導体ウェハを回転させ、レジストを周辺部分へ拡げ
ることで膜厚が均一な塗布膜を得ようとするものである
。
従来のスピン・コート法に依ってレジスト膜を形成した
場合、半導体ウェハの全面に亙って均一な膜厚にするこ
とは困難である。
場合、半導体ウェハの全面に亙って均一な膜厚にするこ
とは困難である。
その理由は、半導体ウェハにファセットが存在すること
に依る。
に依る。
第３図は従来のスピン・コート法に依って半導体ウェハ
にレジストを塗布する場合を説明する為の要部説明図、
第４図は第３図に見られる線Ｘ−Ｘに沿う要部切断側面
図をそれぞれ表している。
にレジストを塗布する場合を説明する為の要部説明図、
第４図は第３図に見られる線Ｘ−Ｘに沿う要部切断側面
図をそれぞれ表している。
図に於いて、１は半導体ウェハ、ＩＡはファセット、２
はレジスト膜、２Ａはレジストの滞留部分をそれぞれ示
している。
はレジスト膜、２Ａはレジストの滞留部分をそれぞれ示
している。
ここで、半導体ウェハ１は回転チャック（図示せず）に
保持されてモータ（図示せず）で回転されるようになっ
ているものとする。
保持されてモータ（図示せず）で回転されるようになっ
ているものとする。
今、半導体ウェハ１の中央部分にレジストを滴下してか
ら時計方向に回転させ、レジストを半導体ウェハｌの周
辺部分にまで拡げる。
ら時計方向に回転させ、レジストを半導体ウェハｌの周
辺部分にまで拡げる。
このようにすると、ファセットＩＡの近傍一部にレジス
トの膜厚が著しく厚くなった滞留部分２Ａが発生する。
トの膜厚が著しく厚くなった滞留部分２Ａが発生する。
この滞留部分２Ａはリソグラフィ工程を困難にするばか
りでなく、後の工程で崩壊し、塵となって半導体装置に
付着するなどして製造歩留りを低下させる。
りでなく、後の工程で崩壊し、塵となって半導体装置に
付着するなどして製造歩留りを低下させる。
本発明は、半導体ウェハの全面に膜厚が均一なレジスト
膜を形成することができるレジスト・スピン・コート方
法を提供しようとする。
膜を形成することができるレジスト・スピン・コート方
法を提供しようとする。
本発明に依るレジスト・スピン・コート方法では、半導
体ウェハ（例えば半導体ウェハ１）を正転及び逆転可能
な回転チャックに保持し、該半導体ウェハの中央部分に
所定量のレジストを滴下し、該半導体ウェハを正転させ
て該レジストを周辺部分にまで拡げ、しかる後、半導体
ウェハを逆転させてレジストの塗布を終了する工程を含
んでいる。
体ウェハ（例えば半導体ウェハ１）を正転及び逆転可能
な回転チャックに保持し、該半導体ウェハの中央部分に
所定量のレジストを滴下し、該半導体ウェハを正転させ
て該レジストを周辺部分にまで拡げ、しかる後、半導体
ウェハを逆転させてレジストの塗布を終了する工程を含
んでいる。
前記手段を採ることに依り、半導体ウェハのファセット
近傍にはレジストの滞留部分が発生せず、全面に亙り略
均−な膜厚のレジスト膜を形成することができ、リソグ
ラフィが容易となり、また、レジスト片からなる塵の発
生もなくなるので半導体装置の製造歩留りは向上する。
近傍にはレジストの滞留部分が発生せず、全面に亙り略
均−な膜厚のレジスト膜を形成することができ、リソグ
ラフィが容易となり、また、レジスト片からなる塵の発
生もなくなるので半導体装置の製造歩留りは向上する。
第１図は本発明一実施例に依って半導体ウェハにレジス
トを塗布する場合を説明する為の要部説明図、第２図は
第１図に見られる￥ａｘ−ｘに沿う要部切断側面図をそ
れぞれ表していて、第３図及び第４図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つもの
とし、また、半導体ウェハが回転チャックに保持されて
回転自在であることなども同様であるが、唯、回転チャ
ックは時計方向の回転と反時計方向の回転が任意に選択
できるようにしである。
トを塗布する場合を説明する為の要部説明図、第２図は
第１図に見られる￥ａｘ−ｘに沿う要部切断側面図をそ
れぞれ表していて、第３図及び第４図に於いて用いた記
号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つもの
とし、また、半導体ウェハが回転チャックに保持されて
回転自在であることなども同様であるが、唯、回転チャ
ックは時計方向の回転と反時計方向の回転が任意に選択
できるようにしである。
さて、レジスト膜を形成するには、半導体ウェハ１の中
央部分にレジストを滴下してから例えば時計方向に回転
させ、レジストを半導体ウェハ１の周辺部分にまで拡げ
、その後、反時計方向に回転させてから終了する。
央部分にレジストを滴下してから例えば時計方向に回転
させ、レジストを半導体ウェハ１の周辺部分にまで拡げ
、その後、反時計方向に回転させてから終了する。
この場合の主要データを例示すると次の通りである。
レジスト：０ＦＰＲ−８００（商品名、東京応化の製品
） 時計方向の回転：１ 〔秒〕 反時計方向の回転＝２０〔秒〕 回転加速度：ｔｏ、ｏｏ。
） 時計方向の回転：１ 〔秒〕 反時計方向の回転＝２０〔秒〕 回転加速度：ｔｏ、ｏｏ。
回転数：４０００ （ｒｐｍ）
前記のようにして形成したレジスト膜２に於ける膜厚分
布を調べたところ、ファセットＩＡの近傍に於いては、
中央部分に比較すると約２００〜３００〔人〕程度厚く
なっていたが、この程度の分布は実用上無視できる範囲
である。因みに、従来のスピン・コート法に依った場合
、前記滞留部分２Ａでは厚さが約１〜３ 〔μｍ〕程度
にも達する。
布を調べたところ、ファセットＩＡの近傍に於いては、
中央部分に比較すると約２００〜３００〔人〕程度厚く
なっていたが、この程度の分布は実用上無視できる範囲
である。因みに、従来のスピン・コート法に依った場合
、前記滞留部分２Ａでは厚さが約１〜３ 〔μｍ〕程度
にも達する。
本発明に依るレジスト・スピン・コート方法に於いては
、半導体ウェハにレジストを滴下し、それを正転させて
レジストを周辺部分にまで拡げ、しかる後、逆転するよ
うにしている。
、半導体ウェハにレジストを滴下し、それを正転させて
レジストを周辺部分にまで拡げ、しかる後、逆転するよ
うにしている。
前記構成を採ることに依り、半導体ウェハのファセット
近傍にはレジストの滞留部分が発生せず、全面に亙り略
均−な膜厚のレジスト膜を形成することができ、リソグ
ラフィが容易となり、また、レジスト片からなる塵の発
生もなくなるので半導体装置の製造歩留りは向上する。
近傍にはレジストの滞留部分が発生せず、全面に亙り略
均−な膜厚のレジスト膜を形成することができ、リソグ
ラフィが容易となり、また、レジスト片からなる塵の発
生もなくなるので半導体装置の製造歩留りは向上する。
第１図は本発明一実施例に依って半導体ウェハにレジス
トを塗布する場合を説明する為の要部説明図、第２図は
第１図に見られるｗＡｘ−ｘに沿う要部切断側面図、第
３図は従来のスピン・コート法に依って半導体ウェハに
レジストを塗布する場合を説明する為の要部説明図、第
４図は第３図に見られるｌ／ｌＡｘ −ｘに沿う要部切
断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１は半導体ウェハ、ＩＡはファセット、２
はレジスト膜、２Ａはレジストの滞留部分をそれぞれ示
している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司
トを塗布する場合を説明する為の要部説明図、第２図は
第１図に見られるｗＡｘ−ｘに沿う要部切断側面図、第
３図は従来のスピン・コート法に依って半導体ウェハに
レジストを塗布する場合を説明する為の要部説明図、第
４図は第３図に見られるｌ／ｌＡｘ −ｘに沿う要部切
断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１は半導体ウェハ、ＩＡはファセット、２
はレジスト膜、２Ａはレジストの滞留部分をそれぞれ示
している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを正転及び逆転可能な回転チャックに保
持し、 該半導体ウェハの中央部分に所定量のレジストを滴下し
、 該半導体ウェハを正転させて該レジストを周辺部分にま
で拡げ、 しかる後、半導体ウェハを逆転させてレジストの塗布を
終了する工程 を含んでなることを特徴とするレジスト・スピン・コー
ト方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276021A JPH02123732A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | レジスト・スピン・コート方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276021A JPH02123732A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | レジスト・スピン・コート方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02123732A true JPH02123732A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17563686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276021A Pending JPH02123732A (ja) | 1988-11-02 | 1988-11-02 | レジスト・スピン・コート方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02123732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060269A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜被覆方法 |
-
1988
- 1988-11-02 JP JP63276021A patent/JPH02123732A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014060269A (ja) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜被覆方法 |
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