JPH07227568A - 塗膜形成方法 - Google Patents
塗膜形成方法Info
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- JPH07227568A JPH07227568A JP6020439A JP2043994A JPH07227568A JP H07227568 A JPH07227568 A JP H07227568A JP 6020439 A JP6020439 A JP 6020439A JP 2043994 A JP2043994 A JP 2043994A JP H07227568 A JPH07227568 A JP H07227568A
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- coating film
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
- H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
- H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/116—Deposition methods from solutions or suspensions by spin-coating, centrifugation
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチバックの必要がないようなＳＯＧ膜を
形成する。 【構成】 基板Ｗの回転を低速（1000rpm）の第１回転
と高速（5000rpm）の第２回転に分けて行い、第１回転
と第２回転との間隔は第１回転の回転時間（１秒）の１
０倍以上とし、且つ第２回転の回転時間は第１回転の回
転時間の３倍以上とする。
形成する。 【構成】 基板Ｗの回転を低速（1000rpm）の第１回転
と高速（5000rpm）の第２回転に分けて行い、第１回転
と第２回転との間隔は第１回転の回転時間（１秒）の１
０倍以上とし、且つ第２回転の回転時間は第１回転の回
転時間の３倍以上とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】凹凸部を有するガラス基板や半導
体ウェーハ等の表面に塗膜を形成する方法に関する。
体ウェーハ等の表面に塗膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６はスピンナーを用いて板状被処理物
（以下、単に基板とする）に平坦化膜としてＳＯＧ（Sp
in-On-Glass：珪素化合物を有機溶媒に溶解した溶液、
及びこの溶液を塗布・焼成することで形成される酸化珪
素膜）膜を形成する従来方法の回転速度と経過時間との
関係を示すグラフであり、従来にあってはスピンナーの
回転速度をいきなり約5000rpmまで上げ、そのまま３秒
程回転速度を維持して塗布を終了するようにしている。
（以下、単に基板とする）に平坦化膜としてＳＯＧ（Sp
in-On-Glass：珪素化合物を有機溶媒に溶解した溶液、
及びこの溶液を塗布・焼成することで形成される酸化珪
素膜）膜を形成する従来方法の回転速度と経過時間との
関係を示すグラフであり、従来にあってはスピンナーの
回転速度をいきなり約5000rpmまで上げ、そのまま３秒
程回転速度を維持して塗布を終了するようにしている。
【０００３】図７は上述した従来方法によって形成され
たＳＯＧ膜の厚みを示す断面図であり、基板Ｗ表面には
Ａl等からなるツインパターン１０１，１０２及びグロ
ーバルパターン１０３が形成されており、ツインパター
ン１０１，１０２間には塗布液が入りにくくＳＯＧ膜１
０４の厚みＴ1は所要の厚みより薄くなり、逆にグロー
バルパターン１０３上の厚みＴ2は所要の厚みより厚く
なってしまう。
たＳＯＧ膜の厚みを示す断面図であり、基板Ｗ表面には
Ａl等からなるツインパターン１０１，１０２及びグロ
ーバルパターン１０３が形成されており、ツインパター
ン１０１，１０２間には塗布液が入りにくくＳＯＧ膜１
０４の厚みＴ1は所要の厚みより薄くなり、逆にグロー
バルパターン１０３上の厚みＴ2は所要の厚みより厚く
なってしまう。
【０００４】一方、平坦な基板表面にレジスト膜を均一
な厚みで形成する方法として、特開昭６２−１９０８３
８号公報、特開昭６３−３１３１６０号公報及び特開平
２−１５６６２６号公報に開示される方法がある。これ
ら公報に開示される方法は、基板の回転を回転速度が異
なる第１回転と第２回転に分けて行うようにしたもので
あるが、ＳＯＧ溶液により均一な膜を形成するまでには
至っていない。
な厚みで形成する方法として、特開昭６２−１９０８３
８号公報、特開昭６３−３１３１６０号公報及び特開平
２−１５６６２６号公報に開示される方法がある。これ
ら公報に開示される方法は、基板の回転を回転速度が異
なる第１回転と第２回転に分けて行うようにしたもので
あるが、ＳＯＧ溶液により均一な膜を形成するまでには
至っていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように基板の
回転を第１回転と第２回転に分けて行う方法を、そのま
ま表面に凹凸部が形成された基板に適用しても、所要の
膜厚を得ることはできず、結局エッチバック工程を付加
しなければならず、またエッチバックを行なうための装
置を別途必要とし、更に、一旦形成したＳＯＧ膜を除去
するのであるから材料的にも無駄が生じる。
回転を第１回転と第２回転に分けて行う方法を、そのま
ま表面に凹凸部が形成された基板に適用しても、所要の
膜厚を得ることはできず、結局エッチバック工程を付加
しなければならず、またエッチバックを行なうための装
置を別途必要とし、更に、一旦形成したＳＯＧ膜を除去
するのであるから材料的にも無駄が生じる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
願の第１発明は、凹凸部が形成された板状被処理物表面
に塗布液を滴下し、板状被処理物を回転せしめることで
発生する遠心力で塗布液を板状被処理物表面に拡散せし
めるようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理
物の回転を低速の第１回転と高速の第２回転に分け、第
１回転と第２回転との間隔は第１回転の回転時間の１０
倍以上とし、第２回転の回転時間は第１回転の回転時間
の３倍以上とし、且つ第１回転の時間は２秒未満とし
た。
願の第１発明は、凹凸部が形成された板状被処理物表面
に塗布液を滴下し、板状被処理物を回転せしめることで
発生する遠心力で塗布液を板状被処理物表面に拡散せし
めるようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理
物の回転を低速の第１回転と高速の第２回転に分け、第
１回転と第２回転との間隔は第１回転の回転時間の１０
倍以上とし、第２回転の回転時間は第１回転の回転時間
の３倍以上とし、且つ第１回転の時間は２秒未満とし
た。
【０００７】また、本願の第２発明は、凹凸部が形成さ
れた板状被処理物表面に塗布液を滴下し、板状被処理物
を回転せしめることで発生する遠心力で塗布液を板状被
処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法にお
いて、前記板状被処理物の回転は低速の第１回転と中速
及び高速の第２回転に分けて行い、第１回転と第２回転
との間隔は第１回転の回転時間の１０倍以上とし、第２
回転の回転時間は第１回転の回転時間の６倍以上とし、
且つ第１回転の時間は２秒未満とした。尚、本発明にお
ける低速回転は１０００ｒｐｍ以下、中速回転は２００
０〜３０００ｒｐｍ、高速回転は中速回転に更に２００
０ｒｐｍ加算した回転数とし、第１回転の時間は回転数
にもよるが２秒未満、好ましくは１秒未満である。
れた板状被処理物表面に塗布液を滴下し、板状被処理物
を回転せしめることで発生する遠心力で塗布液を板状被
処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法にお
いて、前記板状被処理物の回転は低速の第１回転と中速
及び高速の第２回転に分けて行い、第１回転と第２回転
との間隔は第１回転の回転時間の１０倍以上とし、第２
回転の回転時間は第１回転の回転時間の６倍以上とし、
且つ第１回転の時間は２秒未満とした。尚、本発明にお
ける低速回転は１０００ｒｐｍ以下、中速回転は２００
０〜３０００ｒｐｍ、高速回転は中速回転に更に２００
０ｒｐｍ加算した回転数とし、第１回転の時間は回転数
にもよるが２秒未満、好ましくは１秒未満である。
【０００８】
【作用】第１回転と第２回転との間隔を比較的長くと
り、また第１回転よりも第２回転を高速にすることで、
第１回転により板状比処理物表面全面への塗布液の濡れ
をなし、続く第２回転により該被処理物の凹部への塗布
液の充填と、凸部の余剰塗布液の除去を行い、所要の膜
厚が得られる。
り、また第１回転よりも第２回転を高速にすることで、
第１回転により板状比処理物表面全面への塗布液の濡れ
をなし、続く第２回転により該被処理物の凹部への塗布
液の充填と、凸部の余剰塗布液の除去を行い、所要の膜
厚が得られる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる回
転カップ式塗布装置の断面図であり、回転カップ式塗布
装置は、環状のアウターカップ１内にインナーカップ２
を配置し、このインナーカップ２をスピンナー装置３の
軸に取り付け、インナーカップ２を高速で回転せしめる
ようにし、またスピンナー装置３の軸の上端には半導体
ウェーハ等の基板Ｗを吸着固定する真空チャック４を設
け、更にアウターカップ１にはインナーカップ２からの
ドレンを受ける回収通路５を形成している。
説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる回
転カップ式塗布装置の断面図であり、回転カップ式塗布
装置は、環状のアウターカップ１内にインナーカップ２
を配置し、このインナーカップ２をスピンナー装置３の
軸に取り付け、インナーカップ２を高速で回転せしめる
ようにし、またスピンナー装置３の軸の上端には半導体
ウェーハ等の基板Ｗを吸着固定する真空チャック４を設
け、更にアウターカップ１にはインナーカップ２からの
ドレンを受ける回収通路５を形成している。
【００１０】また、前記アウターカップ１及びインナー
カップ２の開口は開閉自在な蓋体６，７にて気密に閉塞
され、インナーカップ２用の蓋体６の下面には真空チャ
ック４上に固着された基板Ｗ表面との間に極めて限られ
た空間を形成する整流板８を取り付けている。
カップ２の開口は開閉自在な蓋体６，７にて気密に閉塞
され、インナーカップ２用の蓋体６の下面には真空チャ
ック４上に固着された基板Ｗ表面との間に極めて限られ
た空間を形成する整流板８を取り付けている。
【００１１】以上の回転カップ式塗布装置を用いて基板
Ｗ表面にＳＯＧ溶液を均一に塗布するには、アウターカ
ップ１及びインナーカップ２の上面を開放して真空チャ
ック４上に固着している基板Ｗの表面にＳＯＧ溶液を滴
下し、次いで蓋体６，７でアウターカップ１及びインナ
ーカップ２の上面開口を閉じ、スピンナーによって真空
チャック４とインナーカップ２を一体的に回転せしめ、
遠心力によりＳＯＧ溶液を基板Ｗの表面に塗布する。
Ｗ表面にＳＯＧ溶液を均一に塗布するには、アウターカ
ップ１及びインナーカップ２の上面を開放して真空チャ
ック４上に固着している基板Ｗの表面にＳＯＧ溶液を滴
下し、次いで蓋体６，７でアウターカップ１及びインナ
ーカップ２の上面開口を閉じ、スピンナーによって真空
チャック４とインナーカップ２を一体的に回転せしめ、
遠心力によりＳＯＧ溶液を基板Ｗの表面に塗布する。
【００１２】ここで、基板の回転によりインナーカップ
２内のガス（空気）は外部（回収通路）に排出され、イ
ンナーカップ２内は減圧され、また基板Ｗの表面と整流
板８下面との隙間は極めて小さいため、回転中に基板表
面の塗布液には実質的に気流は作用せず遠心力のみが作
用する。
２内のガス（空気）は外部（回収通路）に排出され、イ
ンナーカップ２内は減圧され、また基板Ｗの表面と整流
板８下面との隙間は極めて小さいため、回転中に基板表
面の塗布液には実質的に気流は作用せず遠心力のみが作
用する。
【００１３】図２は第１発明に係る塗膜形成方法の回転
速度と経過時間との関係を示すグラフ、図３（ａ）
（ｂ）（ｃ）はそれぞれ図２に示したＡ、Ｂ、Ｃの各時
点における塗膜の厚みを示す断面図であり、第１発明に
あっては基板Ｗの回転を低速（1000rpm）の第１回転と
高速（5000rpm）の第２回転に分けて行い、第１回転と
第２回転との間隔は第１回転の回転時間（１秒）の１０
倍以上とし、且つ第２回転の回転時間は第１回転の回転
時間の３倍以上としている。
速度と経過時間との関係を示すグラフ、図３（ａ）
（ｂ）（ｃ）はそれぞれ図２に示したＡ、Ｂ、Ｃの各時
点における塗膜の厚みを示す断面図であり、第１発明に
あっては基板Ｗの回転を低速（1000rpm）の第１回転と
高速（5000rpm）の第２回転に分けて行い、第１回転と
第２回転との間隔は第１回転の回転時間（１秒）の１０
倍以上とし、且つ第２回転の回転時間は第１回転の回転
時間の３倍以上としている。
【００１４】そして、第１発明の時点Ａにおいては、図
３（ａ）に示すようにツインパターン１１，１２及びグ
ローバルパターン１３上には所要の厚み以上のＳＯＧ塗
布液１４が盛られ、ツインパターン１１，１２間には所
要の厚み以下のＳＯＧ塗布液１４が入り込んでいる。
３（ａ）に示すようにツインパターン１１，１２及びグ
ローバルパターン１３上には所要の厚み以上のＳＯＧ塗
布液１４が盛られ、ツインパターン１１，１２間には所
要の厚み以下のＳＯＧ塗布液１４が入り込んでいる。
【００１５】この後、時点Ｂにおいては、図３（ｂ）に
示すようにパターン上に盛られたＳＯＧ塗布液１４がパ
ターン間に流れ込み、更に時点Ｃにおいては、図３
（ｃ）に示すようにツインパターン１１，１２上のＳＯ
Ｇ塗布液１４の厚みは略０になり、またグローバルパタ
ーン１３上のＳＯＧ塗布液１４の厚みは中央部は多少厚
いが全体的に薄くなる。
示すようにパターン上に盛られたＳＯＧ塗布液１４がパ
ターン間に流れ込み、更に時点Ｃにおいては、図３
（ｃ）に示すようにツインパターン１１，１２上のＳＯ
Ｇ塗布液１４の厚みは略０になり、またグローバルパタ
ーン１３上のＳＯＧ塗布液１４の厚みは中央部は多少厚
いが全体的に薄くなる。
【００１６】即ち、第１発明によればツインパターン１
１，１２間のＳＯＧ膜１４の厚みＴ1、グローバルパタ
ーン１３上のＳＯＧ膜１４の厚みＴ2はほぼ所要のもの
が得られる。尚、第１回転と第２回転との間隔について
は第１回転の回転時間の１０倍未満とした実験を行った
が、ＳＯＧ膜１４のなじみが不十分でツインパターン１
１，１２間のＳＯＧ膜１４の厚みが不十分となり、また
第２回転の回転時間を第１回転の回転時間の３倍未満と
した実験を行ったがツインパターン１１，１２上及びグ
ローバルパターン１３上のＳＯＧ膜１４の厚みが十分に
薄くならなかった。したがって、第１回転と第２回転と
の間隔は第１回転の回転時間の１０倍以上とし、且つ第
２回転の回転時間は第１回転の回転時間の３倍以上とす
る。
１，１２間のＳＯＧ膜１４の厚みＴ1、グローバルパタ
ーン１３上のＳＯＧ膜１４の厚みＴ2はほぼ所要のもの
が得られる。尚、第１回転と第２回転との間隔について
は第１回転の回転時間の１０倍未満とした実験を行った
が、ＳＯＧ膜１４のなじみが不十分でツインパターン１
１，１２間のＳＯＧ膜１４の厚みが不十分となり、また
第２回転の回転時間を第１回転の回転時間の３倍未満と
した実験を行ったがツインパターン１１，１２上及びグ
ローバルパターン１３上のＳＯＧ膜１４の厚みが十分に
薄くならなかった。したがって、第１回転と第２回転と
の間隔は第１回転の回転時間の１０倍以上とし、且つ第
２回転の回転時間は第１回転の回転時間の３倍以上とす
る。
【００１７】図４は第２発明に係る塗膜形成方法の回転
速度と経過時間との関係を示すグラフであり、第２発明
にあっては基板Ｗの回転を低速（900rpm）の第１回転
（１秒）と、中速（2000〜3000rpm）と高速（中速＋200
0rpm以上）とを連続して行う第２回転とに分けて行い、
中速回転については３〜７秒（第１回転の５倍）、高速
（5000rpm）回転については１秒（第１回転と同じ）以
上とした。また、第１回転と第２回転との間隔は第１発
明と同様に第１回転の回転時間の１０倍以上とし、更に
第２回転の回転時間は第１回転の回転時間の６倍以上と
している。尚、第１回転と第２回転との間隔について
は、短すぎると溶剤の動きが終了せず長すぎると溶剤の
乾燥が始ってしまうので、第１回転の５倍以上３０倍以
下とする。また、第２回転の回転時間を第１回転の回転
時間の３倍未満として場合には均一な塗布ができなかっ
た。
速度と経過時間との関係を示すグラフであり、第２発明
にあっては基板Ｗの回転を低速（900rpm）の第１回転
（１秒）と、中速（2000〜3000rpm）と高速（中速＋200
0rpm以上）とを連続して行う第２回転とに分けて行い、
中速回転については３〜７秒（第１回転の５倍）、高速
（5000rpm）回転については１秒（第１回転と同じ）以
上とした。また、第１回転と第２回転との間隔は第１発
明と同様に第１回転の回転時間の１０倍以上とし、更に
第２回転の回転時間は第１回転の回転時間の６倍以上と
している。尚、第１回転と第２回転との間隔について
は、短すぎると溶剤の動きが終了せず長すぎると溶剤の
乾燥が始ってしまうので、第１回転の５倍以上３０倍以
下とする。また、第２回転の回転時間を第１回転の回転
時間の３倍未満として場合には均一な塗布ができなかっ
た。
【００１８】図５は第２発明に係る塗膜形成方法によっ
て形成された塗膜の厚みを示す断面図であり、この図か
らも明らかなように第２発明によれば、グローバルパタ
ーン１３の中央部に残っていたＳＯＧ塗布液１４の若干
厚い部分も均一に薄くなることが分る。
て形成された塗膜の厚みを示す断面図であり、この図か
らも明らかなように第２発明によれば、グローバルパタ
ーン１３の中央部に残っていたＳＯＧ塗布液１４の若干
厚い部分も均一に薄くなることが分る。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
配線等の凹凸部が形成された基板表面に塗布液を滴下
し、基板を回転せしめることで発生する遠心力で塗布液
を基板表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法にお
いて、前記基板の回転を第１回転と第２回転に分け、第
１回転は低速とし第２回転は高速若しくは中速と高速と
し、この第１回転と第２回転との間隔は第１回転の回転
時間の１０倍以上としたので、基板表面に対する塗布液
のなじみがよくなり、また第２回転の回転時間を第１回
転の所定倍以上とすることで、塗布液の拡散が充分にな
され、所要の膜厚が得られる。
配線等の凹凸部が形成された基板表面に塗布液を滴下
し、基板を回転せしめることで発生する遠心力で塗布液
を基板表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法にお
いて、前記基板の回転を第１回転と第２回転に分け、第
１回転は低速とし第２回転は高速若しくは中速と高速と
し、この第１回転と第２回転との間隔は第１回転の回転
時間の１０倍以上としたので、基板表面に対する塗布液
のなじみがよくなり、また第２回転の回転時間を第１回
転の所定倍以上とすることで、塗布液の拡散が充分にな
され、所要の膜厚が得られる。
【図１】本発明方法の実施に用いる回転カップ式塗布装
置の断面図
置の断面図
【図２】第１発明に係る塗膜形成方法の回転速度と経過
時間との関係を示すグラフ
時間との関係を示すグラフ
【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ図２に示した
Ａ、Ｂ、Ｃの各時点における塗膜の厚みを示す断面図
Ａ、Ｂ、Ｃの各時点における塗膜の厚みを示す断面図
【図４】第２発明に係る塗膜形成方法の回転速度と経過
時間との関係を示すグラフ
時間との関係を示すグラフ
【図５】第２発明に係る塗膜形成方法によって形成され
た塗膜の厚みを示す断面図
た塗膜の厚みを示す断面図
【図６】従来の塗膜形成方法の回転速度と経過時間との
関係を示すグラフ
関係を示すグラフ
【図７】従来方法によって形成された塗膜の厚みを示す
断面図
断面図
１…アウターカップ、２…インナーカップ、３…スピン
ナー装置、４…真空チャック、１１，１２，１３…凸パ
ターン、１４…ＳＯＧ膜、Ｗ…基板。
ナー装置、４…真空チャック、１１，１２，１３…凸パ
ターン、１４…ＳＯＧ膜、Ｗ…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐合 宏仁 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 凹凸部が形成された板状被処理物表面に
塗布液を滴下し、板状被処理物を回転せしめることで発
生する遠心力で塗布液を板状被処理物表面に拡散せしめ
るようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理物
の回転は低速の第１回転と高速の第２回転に分けて行
い、第１回転と第２回転との間隔は第１回転の回転時間
の１０倍以上とし、第２回転の回転時間は第１回転の回
転時間の３倍以上とし、且つ第１回転の時間は２秒未満
としたことを特徴とする塗膜形成方法。 - 【請求項２】 凹凸部が形成された板状被処理物表面に
塗布液を滴下し、板状被処理物を回転せしめることで発
生する遠心力で塗布液を板状被処理物表面に拡散せしめ
るようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理物
の回転は低速の第１回転と中速及び高速の第２回転に分
けて行い、第１回転と第２回転との間隔は第１回転の回
転時間の１０倍以上とし、第２回転の回転時間は第１回
転の回転時間の６倍以上とし、且つ第１回転の時間は２
秒未満としたことを特徴とする塗膜形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の塗膜形成方法
において、塗布液の拡散は実質的に塗布液に気流が作用
しない雰囲気下で行うようにしたことを特徴とする塗膜
形成方法。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載の塗膜形成方法
において、塗布液がＳＯＧ溶液であることを特徴とする
塗膜形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02043994A JP3280791B2 (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 塗膜形成方法 |
| US08/389,119 US6277441B1 (en) | 1994-02-17 | 1995-02-15 | Method of forming coating film on a substrate |
| KR1019950002989A KR100254851B1 (ko) | 1994-02-17 | 1995-02-17 | 도막형성 방법 |
| TW084102473A TW267239B (ja) | 1994-02-17 | 1995-03-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02043994A JP3280791B2 (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 塗膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07227568A true JPH07227568A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3280791B2 JP3280791B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=12027084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02043994A Expired - Fee Related JP3280791B2 (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 塗膜形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6277441B1 (ja) |
| JP (1) | JP3280791B2 (ja) |
| KR (1) | KR100254851B1 (ja) |
| TW (1) | TW267239B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714417A (en) * | 1996-08-22 | 1998-02-03 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Planarization process using artificial gravity |
| US6872418B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Film forming method |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000082647A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nec Corp | レジスト膜の塗布方法及び塗布装置 |
| KR20010003577A (ko) * | 1999-06-24 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법 |
| JP4394239B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2010-01-06 | 独立行政法人理化学研究所 | 二次非線形光学特性を有するポリマーフィルムの製造方法、ポリマーフィルム及び非線形光学素子 |
| JP5790622B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123031A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Hoya Corp | レジスト塗布方法 |
| JPS62190838A (ja) | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Rohm Co Ltd | レジスト塗布方法 |
| JP2583239B2 (ja) | 1987-06-16 | 1997-02-19 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク用基板等へのレジスト塗布方法およびスピンナチャック装置 |
| JPH0656832B2 (ja) | 1988-12-09 | 1994-07-27 | 富士電機株式会社 | レジスト塗布方法 |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP02043994A patent/JP3280791B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-15 US US08/389,119 patent/US6277441B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-17 KR KR1019950002989A patent/KR100254851B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-15 TW TW084102473A patent/TW267239B/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5714417A (en) * | 1996-08-22 | 1998-02-03 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Planarization process using artificial gravity |
| US6872418B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Film forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3280791B2 (ja) | 2002-05-13 |
| US6277441B1 (en) | 2001-08-21 |
| TW267239B (ja) | 1996-01-01 |
| KR950034494A (ko) | 1995-12-28 |
| KR100254851B1 (ko) | 2000-05-01 |
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