JPH02124406A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH02124406A JPH02124406A JP27798088A JP27798088A JPH02124406A JP H02124406 A JPH02124406 A JP H02124406A JP 27798088 A JP27798088 A JP 27798088A JP 27798088 A JP27798088 A JP 27798088A JP H02124406 A JPH02124406 A JP H02124406A
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- thin film
- metallic thin
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- film thickness
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この帛明は半導体製造装置に関するもので、特に半導体
素子および半導体集積回路（ＩＣ）で用いられている金
属薄膜を形成する半導体製造Ｖｉ置に関するものである
。
素子および半導体集積回路（ＩＣ）で用いられている金
属薄膜を形成する半導体製造Ｖｉ置に関するものである
。
第３図は従来のスパッタリングに上すＳ１ウエハ上に金
属薄膜を形成するスパッタリング装置の説明図で１図に
おいて、（１）は真空槽、（２）は負電極。
属薄膜を形成するスパッタリング装置の説明図で１図に
おいて、（１）は真空槽、（２）は負電極。
（３）は陽電極、（４）はＳ１ウエハ５（５）は直流電
源、（６）は金属薄膜、（７）はヒータ、（８）は交流
電極、（９）は真空パＶブである、 このスパッタリング装置は真空槽を真空ポンプ（図示せ
ず）によってあらかじめ真空にし１次いで、ヒ−ＩＪ（
７）’）交流ＨＡで加熱し陽［Ｆｊｉｔ （３）上ＩＣ
１６！宣された８１ウエハ（４）ｆ所望の温度に加熱し
て、Ａｒガス全真空パルプ（９） を開いて封入し陽電
極（３）、負Ｗ１憧（２）間に直流電ｉｌｌ！ （５）
を印加してＳ１ウエハ（４）の表面に金属薄＠（６）を
形成するものである。
源、（６）は金属薄膜、（７）はヒータ、（８）は交流
電極、（９）は真空パＶブである、 このスパッタリング装置は真空槽を真空ポンプ（図示せ
ず）によってあらかじめ真空にし１次いで、ヒ−ＩＪ（
７）’）交流ＨＡで加熱し陽［Ｆｊｉｔ （３）上ＩＣ
１６！宣された８１ウエハ（４）ｆ所望の温度に加熱し
て、Ａｒガス全真空パルプ（９） を開いて封入し陽電
極（３）、負Ｗ１憧（２）間に直流電ｉｌｌ！ （５）
を印加してＳ１ウエハ（４）の表面に金属薄＠（６）を
形成するものである。
また、従来の膜厚測定方法としてはうず電流。
抵抗計、螢光Ｘ＠１重は法などがあるが、いずれの方法
も金属薄膜形成中の膜厚音測定することは不可能であっ
た。また、水晶式膜厚計に関しては蒸着中の膜厚の測定
には用いられてきたが、スパッタリング、化学気相成長
においては金属薄膜形成中の膜厚測定には用いられず、
成長途中の金属薄膜厚の測定が不可能であった０従って
金属薄膜の形成における膜厚の制御は金属薄膜形成ｖｋ
ｌＣ金属薄膜厚を測定し、半導体基体上＠における何ら
かの条件を調整することＫよって行われていた。
も金属薄膜形成中の膜厚音測定することは不可能であっ
た。また、水晶式膜厚計に関しては蒸着中の膜厚の測定
には用いられてきたが、スパッタリング、化学気相成長
においては金属薄膜形成中の膜厚測定には用いられず、
成長途中の金属薄膜厚の測定が不可能であった０従って
金属薄膜の形成における膜厚の制御は金属薄膜形成ｖｋ
ｌＣ金属薄膜厚を測定し、半導体基体上＠における何ら
かの条件を調整することＫよって行われていた。
従来の金属薄膜形成途中膜厚測定は以上のようになされ
ていたので、金属薄膜の形成は半導体製造装置の状態、
すなわちガス流量や温度、圧力などに敏感に影響され膜
厚に変動をもたらし、従って金属膜厚を制御する場合に
おいて、従来の方法では金属薄膜形成後に膜厚測定を行
なうことができないために半導体製造装置異常が余生し
た場合の定見が遅れ、製品不良が増大するなどの問題点
を有していた。
ていたので、金属薄膜の形成は半導体製造装置の状態、
すなわちガス流量や温度、圧力などに敏感に影響され膜
厚に変動をもたらし、従って金属膜厚を制御する場合に
おいて、従来の方法では金属薄膜形成後に膜厚測定を行
なうことができないために半導体製造装置異常が余生し
た場合の定見が遅れ、製品不良が増大するなどの問題点
を有していた。
との発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体基体上に形成された金属薄膜ｆ成長途
中に測定できることによって膜厚を正確に制御し製品の
歩留りの向上と工程の短縮を図ることが可能な、半４体
製造装置を得ることを目的とする〇 〔課題？解決するための手段〕 この発明に係る半導体基体上［は半導体基体上に形成さ
れた金属薄膜の表面に斜め方向からレーザ光を照射して
最大反射光の位置を噴出することによって、金属薄膜形
成途中の膜厚を測定できるようにしたものである。
たもので、半導体基体上に形成された金属薄膜ｆ成長途
中に測定できることによって膜厚を正確に制御し製品の
歩留りの向上と工程の短縮を図ることが可能な、半４体
製造装置を得ることを目的とする〇 〔課題？解決するための手段〕 この発明に係る半導体基体上［は半導体基体上に形成さ
れた金属薄膜の表面に斜め方向からレーザ光を照射して
最大反射光の位置を噴出することによって、金属薄膜形
成途中の膜厚を測定できるようにしたものである。
この発明の金属薄膜形成途中の測定は半導体基体上に形
成された金属薄膜の表面に斜め方向からレーザ光を照射
して最大反射光の位置を検出することによって測定がで
きるので、半導体製造装置に膜厚測定装置を設けること
より金属薄膜形成途中の金属膜厚測定および膜厚の制御
を行う。
成された金属薄膜の表面に斜め方向からレーザ光を照射
して最大反射光の位置を検出することによって測定がで
きるので、半導体製造装置に膜厚測定装置を設けること
より金属薄膜形成途中の金属膜厚測定および膜厚の制御
を行う。
以下、この発明の一実施例を図について説明する、
なお、この実施例の説明において前記従来のものと同一
部分についてはその説明を省略する。
部分についてはその説明を省略する。
第１図はとの発明の一実施例であるスパツＪ ＩＪソン
グよりＳ１ウエハ上に金属薄膜の形成における。
グよりＳ１ウエハ上に金属薄膜の形成における。
膜厚測定装置を備えたスパッタリング装置ｉｔを示す説
明図である。この装置の構成が前記従来のスパッタリン
グ装置の構成と異なる点は真空槽１の槽壁にレーザ光の
出力［１αＯと受光位置にレーザ光の噴出ｔｉ！ｉｍａ
ｎｒ設けた点である。このレーザ光の出力装置αＯはＨ
θ−Ｎ８レーザまたはＡｒレーザであってもよい。この
よりなレーザ光による金属薄膜厚測定装置を真空槽内に
設置し、金属薄膜形成中にＳ１ウエハ（４）の表面にレ
ーザ出力装置αｄＫより斜め方向からレーザ光を照射す
れば、その最大反射光は金属薄膜厚の増加に伴って変化
する０この変化する最大反射光を変化方向に可動するレ
ーザ検出器０１１により検出すれば、第２図に示す如く
レーザ噴出塁圓の可動距離を金属薄膜（６）の増加置く
換算することによって、金属薄膜厚の測定が可能になる
。これ全金属薄膜形成中に連続または断続して行なえば
、金属薄膜形成中の膜厚の測定、観測が常に可能となり
、また所望の膜厚で薄膜形成ｆＩ業を終了することによ
り正確な膜厚の制御が可能となる。
明図である。この装置の構成が前記従来のスパッタリン
グ装置の構成と異なる点は真空槽１の槽壁にレーザ光の
出力［１αＯと受光位置にレーザ光の噴出ｔｉ！ｉｍａ
ｎｒ設けた点である。このレーザ光の出力装置αＯはＨ
θ−Ｎ８レーザまたはＡｒレーザであってもよい。この
よりなレーザ光による金属薄膜厚測定装置を真空槽内に
設置し、金属薄膜形成中にＳ１ウエハ（４）の表面にレ
ーザ出力装置αｄＫより斜め方向からレーザ光を照射す
れば、その最大反射光は金属薄膜厚の増加に伴って変化
する０この変化する最大反射光を変化方向に可動するレ
ーザ検出器０１１により検出すれば、第２図に示す如く
レーザ噴出塁圓の可動距離を金属薄膜（６）の増加置く
換算することによって、金属薄膜厚の測定が可能になる
。これ全金属薄膜形成中に連続または断続して行なえば
、金属薄膜形成中の膜厚の測定、観測が常に可能となり
、また所望の膜厚で薄膜形成ｆＩ業を終了することによ
り正確な膜厚の制御が可能となる。
なお、上記実施例ではスパッタリングにおける形成途中
の膜厚測定を行なう場合について述べたが、この機構は
化学気相成長または真空蒸着九ついても適用可能なこと
は云うまでもない口〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、半導体基板表面に形成
途中の金属薄膜の膜厚測定を行なう場合において、金属
薄膜表面に斜め方向からレーザ光を照射して最大反射光
の位置１ｒ＠出する膜厚測定装置？半導体製造装置内に
設けることによって。
の膜厚測定を行なう場合について述べたが、この機構は
化学気相成長または真空蒸着九ついても適用可能なこと
は云うまでもない口〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、半導体基板表面に形成
途中の金属薄膜の膜厚測定を行なう場合において、金属
薄膜表面に斜め方向からレーザ光を照射して最大反射光
の位置１ｒ＠出する膜厚測定装置？半導体製造装置内に
設けることによって。
形成途中の金属薄膜の膜厚を測定可能にし、またこの測
定によって正確な膜厚の制御を可能にできる半導体製造
装置ケ得ることができる。
定によって正確な膜厚の制御を可能にできる半導体製造
装置ケ得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例である。金属薄膜の表面に
斜めか向からレーザ光ケ照射するレーザ出力装置とその
最大反射光を噴出するレーザ検出器を真空槽内に設置し
たスパッタリング装置を示す説明図、第２図は第１因に
示したレーザ出力装置とレーザ検出器のレーザの全光、
受光の状態を示した拡大説明図、＠３図は、従来のスパ
ッタリング装置を示す説明図である。 図において、（１）は真空槽、（２）は負イ瞳、（３）
は陽電極、（４）はＳ１ウエハ、（５）は直流電源、（
６）は金属薄膜、（７）はと−タ、（８）Ｖｉ交流電源
、（９）は真空バルブ。 αｏＶｉレーザ出力装置、Ｉはレーザ検出Ｒｆ４ｆｒｙ
、す。 なお１図中同一符号は同一 または相当部分を示す。
斜めか向からレーザ光ケ照射するレーザ出力装置とその
最大反射光を噴出するレーザ検出器を真空槽内に設置し
たスパッタリング装置を示す説明図、第２図は第１因に
示したレーザ出力装置とレーザ検出器のレーザの全光、
受光の状態を示した拡大説明図、＠３図は、従来のスパ
ッタリング装置を示す説明図である。 図において、（１）は真空槽、（２）は負イ瞳、（３）
は陽電極、（４）はＳ１ウエハ、（５）は直流電源、（
６）は金属薄膜、（７）はと−タ、（８）Ｖｉ交流電源
、（９）は真空バルブ。 αｏＶｉレーザ出力装置、Ｉはレーザ検出Ｒｆ４ｆｒｙ
、す。 なお１図中同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基体上に形成された金属薄膜の表面に斜め方向
からレーザ光を照射して最大反射光の位置を検出するこ
とにより、金属薄膜形成途中の金属薄膜厚を測定できる
測定装置を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27798088A JPH02124406A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27798088A JPH02124406A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02124406A true JPH02124406A (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=17590950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27798088A Pending JPH02124406A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02124406A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0666337A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring the deposition rate of opaque films |
| US5754297A (en) * | 1994-01-28 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring the deposition rate of films during physical vapor deposition |
| US6869810B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008508726A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | クリー インコーポレイテッド | Ｐ型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 |
| JP2011164110A (ja) * | 1999-12-23 | 2011-08-25 | Kla-Tencor Corp | 渦電流測定あるいは光学測定を利用して、メタライゼーション処理を実状態で監視する方法 |
| CN105136047A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-12-09 | 清华大学深圳研究生院 | 原位测量薄膜厚度变化的设备和方法 |
| JP2020090699A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 成膜装置および半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP27798088A patent/JPH02124406A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0666337A1 (en) * | 1994-01-28 | 1995-08-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring the deposition rate of opaque films |
| US5754297A (en) * | 1994-01-28 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring the deposition rate of films during physical vapor deposition |
| JP2011164110A (ja) * | 1999-12-23 | 2011-08-25 | Kla-Tencor Corp | 渦電流測定あるいは光学測定を利用して、メタライゼーション処理を実状態で監視する方法 |
| US6869810B2 (en) | 2003-05-13 | 2005-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008508726A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | クリー インコーポレイテッド | Ｐ型窒化物発光デバイス用の極薄オーミックコンタクトおよび形成方法 |
| US8089090B2 (en) | 2004-07-27 | 2012-01-03 | Cree, Inc. | Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices |
| US8759868B2 (en) | 2004-07-27 | 2014-06-24 | Cree, Inc. | Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices |
| CN105136047A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-12-09 | 清华大学深圳研究生院 | 原位测量薄膜厚度变化的设备和方法 |
| JP2020090699A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 成膜装置および半導体装置の製造方法 |
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