JPH02125531U - - Google Patents

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JPH02125531U
JPH02125531U JP1912188U JP1912188U JPH02125531U JP H02125531 U JPH02125531 U JP H02125531U JP 1912188 U JP1912188 U JP 1912188U JP 1912188 U JP1912188 U JP 1912188U JP H02125531 U JPH02125531 U JP H02125531U
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JP
Japan
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photodiode
emitting diode
light
light emitting
light shielding
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JP1912188U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の第１の実施例を示す図、第２
図は実施例に於ける接続状態を示す図、第３図は
実施例の素子を封止する形態を示す図、第４図は
実施例の素子を基板に直接実装した状態を示す図
、第５図は本考案の他の実施例を示す図である。 ２，２６……シヤツター、２１，６１……Ｎチ
ヤンネルＭＯＳＦＥＴ、２２，６２……負荷、２
４，６４……フオトダイオード、２５，６５……
発光ダイオード。
補正 平１．８．１０ 図面の簡単な説明を次のように補正する。 明細書の「４．図面の簡単な説明」第１１頁第
１４行目「第５図は本考案の他の実施例を示す図
である。」の後に「第６図は従来例を示す図であ
る。」を挿入する。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第１の素子に形成されたフオトダイオードと、
    第２の素子に形成されて発光ダイオードと、前記
    第１又は第２の素子に形成され、ゲート、ソース
    間に前記フオトダイオードが接続されたＭＯＳＦ
    ＥＴと、前記フオトダイオードと前記発光ダイオ
    ードとの間に設けられた遮光素子とからなり、該
    遮光素子は、前記ＭＯＳＦＥＴの温度が上がると
    、光を遮断する素子であることを特徴とする半導
    体装置。
JP1912188U 1988-02-16 1988-02-16 Pending JPH02125531U (ja)

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JP1912188U JPH02125531U (ja) 1988-02-16 1988-02-16

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JP1912188U JPH02125531U (ja) 1988-02-16 1988-02-16

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JPH02125531U true JPH02125531U (ja) 1990-10-16

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JP1912188U Pending JPH02125531U (ja) 1988-02-16 1988-02-16

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