JPH02125619A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH02125619A JPH02125619A JP27985588A JP27985588A JPH02125619A JP H02125619 A JPH02125619 A JP H02125619A JP 27985588 A JP27985588 A JP 27985588A JP 27985588 A JP27985588 A JP 27985588A JP H02125619 A JPH02125619 A JP H02125619A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 3
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に関し、特に半導伺ウェハー
上に塗布・形成されたフォトレジストをプラズマ雰囲気
中で除去する装置に関する。
上に塗布・形成されたフォトレジストをプラズマ雰囲気
中で除去する装置に関する。
従来、この種の半導体製造装置は、第３図に仔すように
半導体ウェハー１を支えるウェハーホルダ２をガス封入
管３に入れ、ガス封入管３の外部の高周波電極４により
反応性ガスを励起し活性化させることによって半導体ウ
ェハー上に塗布あるいは形成されたフォトレジストを除
去していた。
半導体ウェハー１を支えるウェハーホルダ２をガス封入
管３に入れ、ガス封入管３の外部の高周波電極４により
反応性ガスを励起し活性化させることによって半導体ウ
ェハー上に塗布あるいは形成されたフォトレジストを除
去していた。
上述した従来の半導体製造装置では、フォトレジストを
除去している間半導体フェハーが高周波電源により励起
活性化されたプラズマ中にさらされているため、プラズ
マダメージによる半導体素子の特性劣化あるいは損傷を
招いていた。またフォトレジスト中に含まれる不純物が
フォトレジストの除去中に半導体ウェハー内に拡散して
いき、半導体素子の特性の変動及び劣化を引き起こす。
除去している間半導体フェハーが高周波電源により励起
活性化されたプラズマ中にさらされているため、プラズ
マダメージによる半導体素子の特性劣化あるいは損傷を
招いていた。またフォトレジスト中に含まれる不純物が
フォトレジストの除去中に半導体ウェハー内に拡散して
いき、半導体素子の特性の変動及び劣化を引き起こす。
このようなプラズマダメージや不純物拡散の影響は、フ
ォトレジスト除去に要する時間が長い程、半導体ウェハ
ーの温度上昇も要因となり大きくなり、近年のＬＳＩの
高集積化、微細化にともない無視できない問題となって
いる。
ォトレジスト除去に要する時間が長い程、半導体ウェハ
ーの温度上昇も要因となり大きくなり、近年のＬＳＩの
高集積化、微細化にともない無視できない問題となって
いる。
本発明は、高周波電源によりガス封入管内の反応性ガス
を励起・活性化し、半導体ウェハー上に塗布、形成され
たフォトレジストを除去する半導体製造装置において、
ガス封入管内に相対向する複数対の高周波電極を有し、
各一対の相対向する高周波電極の間に一枚の被処理ウェ
ハーを設置することを特徴とする。
を励起・活性化し、半導体ウェハー上に塗布、形成され
たフォトレジストを除去する半導体製造装置において、
ガス封入管内に相対向する複数対の高周波電極を有し、
各一対の相対向する高周波電極の間に一枚の被処理ウェ
ハーを設置することを特徴とする。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。第１
図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。
図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。
ウェハーホルダ２により支持された半導体ウェハー１は
、石英等の材質で作られたガス封入管３の内部に入れら
れる。ガス封入管３の内部に０．１〜１．ＯＴｏｒｒ程
度の反応ガスを導入し、ガス封入管３内の相対する複数
対の高周波電極４に高周波電源５より１３．５６ ＭＨ
ｚの高周波電力を印加してプラズマを発生させる。個々
の一対の高周波電極４の間に１枚づつ処理を行うウェハ
ーを位置させることにより、処理ウェハーの処理面近辺
に高密度プラズマと集中的に発生させ、プラズマ中のラ
ジカルによりウェハー上のフォトレジストを除去する。
、石英等の材質で作られたガス封入管３の内部に入れら
れる。ガス封入管３の内部に０．１〜１．ＯＴｏｒｒ程
度の反応ガスを導入し、ガス封入管３内の相対する複数
対の高周波電極４に高周波電源５より１３．５６ ＭＨ
ｚの高周波電力を印加してプラズマを発生させる。個々
の一対の高周波電極４の間に１枚づつ処理を行うウェハ
ーを位置させることにより、処理ウェハーの処理面近辺
に高密度プラズマと集中的に発生させ、プラズマ中のラ
ジカルによりウェハー上のフォトレジストを除去する。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。ウェ
ハーホルダ２により支持された半導体ウェハー１はガス
封入管３の内部に設置される。ガス封入管３内の相対す
る複数対の高周波電極４に高周波電源５より高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、フォトレジストの除去
を行う。この実施例では、高周波電極４に高周波電力を
印加する高周波電源が、それぞれ高周波電極対ごとに独
立して設けられているなめ、フォトレジストの除去速度
に影響を与えるガス封入管内の温度分布に応じて、個々
の高周波電極対に与える高周波型′力を調整し、半導体
ウェハー間のフォトレジスト除去速度の均一性を向上さ
せうる利点がある。また、多種類のフォトレジスト除去
工程を一度に処理することも可能となるという利点があ
る。
ハーホルダ２により支持された半導体ウェハー１はガス
封入管３の内部に設置される。ガス封入管３内の相対す
る複数対の高周波電極４に高周波電源５より高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、フォトレジストの除去
を行う。この実施例では、高周波電極４に高周波電力を
印加する高周波電源が、それぞれ高周波電極対ごとに独
立して設けられているなめ、フォトレジストの除去速度
に影響を与えるガス封入管内の温度分布に応じて、個々
の高周波電極対に与える高周波型′力を調整し、半導体
ウェハー間のフォトレジスト除去速度の均一性を向上さ
せうる利点がある。また、多種類のフォトレジスト除去
工程を一度に処理することも可能となるという利点があ
る。
以上説明したように本発明は、複数の高周波電極対の間
に１枚づつ処理ウェハーを位・置せしめ、処理ウェハー
近辺に高密度プラズマを発生させることにより、フォト
レジストの除去速度を増大せしめ、フォトレジスト除去
に要する時間を著しく短縮し、処理効率を著しく向上さ
せる効果がある。処理時間の大幅な短縮は、処理ウェハ
ーがプラズマにさらされることによる半導体素子の劣化
・損傷の程度を著しく低減させる。また、処理時間の短
縮及び処理時間短縮に共う半導体ウェハーの温度上昇幅
の現象は、フォトレジスト除去中に起こるフォトレジス
ト中の不純物の半導体ウェハーへの拡散を最小限に抑え
、半導体素子特性への重大な影響を避ける効果がある。
に１枚づつ処理ウェハーを位・置せしめ、処理ウェハー
近辺に高密度プラズマを発生させることにより、フォト
レジストの除去速度を増大せしめ、フォトレジスト除去
に要する時間を著しく短縮し、処理効率を著しく向上さ
せる効果がある。処理時間の大幅な短縮は、処理ウェハ
ーがプラズマにさらされることによる半導体素子の劣化
・損傷の程度を著しく低減させる。また、処理時間の短
縮及び処理時間短縮に共う半導体ウェハーの温度上昇幅
の現象は、フォトレジスト除去中に起こるフォトレジス
ト中の不純物の半導体ウェハーへの拡散を最小限に抑え
、半導体素子特性への重大な影響を避ける効果がある。
プラズマダメージや不純物拡散の半導体素子に対する影
響の大幅な低減は近年の高集積化、微細加工化のおり歩
留まり向上、信頼性向上にとって多大な効果がある。
響の大幅な低減は近年の高集積化、微細加工化のおり歩
留まり向上、信頼性向上にとって多大な効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来の半導体
製造装置の断面図である。 ■・・・半導体ウェハー、２・・・ウェハーホルダ、３
・・・ガス封入管、４・・・高周波電極、５・・・高周
波電源。
発明の第２の実施例の縦断面図、第３図は従来の半導体
製造装置の断面図である。 ■・・・半導体ウェハー、２・・・ウェハーホルダ、３
・・・ガス封入管、４・・・高周波電極、５・・・高周
波電源。
Claims (1)
- 高周波電源によりガス封入管内の反応性ガスを励起・活
性化し、半導体ウェハー上に塗布、形成されたフォトレ
ジストを除去する半導体製造装置において、ガス封入管
内に相対向する複数対の高周波電極を有することを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27985588A JPH02125619A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27985588A JPH02125619A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125619A true JPH02125619A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17616884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27985588A Pending JPH02125619A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268727A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
| US7017637B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984524A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP27985588A patent/JPH02125619A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984524A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268727A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
| US7017637B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
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