JPS6410933B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6410933B2 JPS6410933B2 JP56095354A JP9535481A JPS6410933B2 JP S6410933 B2 JPS6410933 B2 JP S6410933B2 JP 56095354 A JP56095354 A JP 56095354A JP 9535481 A JP9535481 A JP 9535481A JP S6410933 B2 JPS6410933 B2 JP S6410933B2
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- JP
- Japan
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- plasma
- electrode
- flat plate
- gas
- electrode pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマ反応装置に関する。
従来、半導体素子製造過程におけるウエハ処理
プロセスにおいては、Si−Ｎ膜やPSG膜の生成、
エツチングアツシヤー等のためのプラズマエネル
ギーを用いたプラズマ反応装置が採用される機会
が増えている。このようなプラズマ反応装置にお
いては、反応ガスのプラズマ化率が反応速度を決
定する重要なポイントとなる。
プロセスにおいては、Si−Ｎ膜やPSG膜の生成、
エツチングアツシヤー等のためのプラズマエネル
ギーを用いたプラズマ反応装置が採用される機会
が増えている。このようなプラズマ反応装置にお
いては、反応ガスのプラズマ化率が反応速度を決
定する重要なポイントとなる。
従来のプラズマ反応装置はプラズマの生成のた
めに平行平板電極あるいは誘導コイルを使用し、
これらに高周波電力を加えることによりプラズマ
を生成している。
めに平行平板電極あるいは誘導コイルを使用し、
これらに高周波電力を加えることによりプラズマ
を生成している。
ところが、従来のプラズマ反応装置はプラズマ
生成に要する時間が長く、十分なプラズマ化を迅
速に得ることができないという問題がある。特
に、高周波は反応炉の中央側よりも周辺側にかた
よる傾向があるので、プラズマ化が不均一とな
り、中央側のプラズマ化を十分に行うためには相
当長いプラズマ生成時間を要していた。
生成に要する時間が長く、十分なプラズマ化を迅
速に得ることができないという問題がある。特
に、高周波は反応炉の中央側よりも周辺側にかた
よる傾向があるので、プラズマ化が不均一とな
り、中央側のプラズマ化を十分に行うためには相
当長いプラズマ生成時間を要していた。
本発明の目的は前記課題を解決し、短い処理時
間で十分なプラズマ化を均一に行うことのできる
プラズマ反応装置を提供することにある。
間で十分なプラズマ化を均一に行うことのできる
プラズマ反応装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明によるプラズ
マ反応装置は、反応容器内における反応ガスの流
れを乱流化させるためのガス拡散手段を設けたも
のである。
マ反応装置は、反応容器内における反応ガスの流
れを乱流化させるためのガス拡散手段を設けたも
のである。
本発明の要旨は、内部に半導体ウエハを載置可
能なプラズマ反応容器と、前記プラズマ反応容器
内に設けられた第１，第２及び第３の平板電極を
有し、前記第３の平板電極には複数枚の前記半導
体ウエハが載置され、前記第１及び第２の平板電
極を平行に配置することにより第１の電極対を形
成し、前記第２及び第３の平板電極を平行に配置
することにより第２の電極対を形成し、前記第１
及び第２の電極対にはそれぞれ高周波電圧が供給
され、前記第１の電極対中に反応ガスが導入され
て前記反応ガスがプラズマ化し、前記第２の平板
電極は、前記第２の平板電極を通じて前記第１の
電極対中でプラズマ化されなかつた前記反応ガス
を前記第２の電極対中に導入可能であり、かつ、
前記第２の平板電極を通じて前記第２の電極対中
に前記反応ガスが拡散可能に形成され、前記第２
の電極対中に導入，拡散された前記反応ガスはそ
こでプラズマ化されることを特徴とするプラズマ
反応装置にある。
能なプラズマ反応容器と、前記プラズマ反応容器
内に設けられた第１，第２及び第３の平板電極を
有し、前記第３の平板電極には複数枚の前記半導
体ウエハが載置され、前記第１及び第２の平板電
極を平行に配置することにより第１の電極対を形
成し、前記第２及び第３の平板電極を平行に配置
することにより第２の電極対を形成し、前記第１
及び第２の電極対にはそれぞれ高周波電圧が供給
され、前記第１の電極対中に反応ガスが導入され
て前記反応ガスがプラズマ化し、前記第２の平板
電極は、前記第２の平板電極を通じて前記第１の
電極対中でプラズマ化されなかつた前記反応ガス
を前記第２の電極対中に導入可能であり、かつ、
前記第２の平板電極を通じて前記第２の電極対中
に前記反応ガスが拡散可能に形成され、前記第２
の電極対中に導入，拡散された前記反応ガスはそ
こでプラズマ化されることを特徴とするプラズマ
反応装置にある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがつて
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
第１図は本発明によるプラズマ反応装置の一実
施例を示す概略断面図である。
施例を示す概略断面図である。
本実施例のプラズマ反応装置は平行平板電極型
の構造であり、反応容器１０内には上下２枚の平
行平板電極１２Ａ，１２Ｂが対向配置されてい
る。上側の平板電極１２Ａにはプラズマ反応処理
を受ける半導体ウエハ１４が支持されている。一
方、下側の平板電極１２Ｂには反応ガス供給管１
６が連結され、該反応ガス供給管１６は図示しな
い反応ガス源から反応ガス制御部を経て供給され
た反応ガスを反応容器１０内に送り込む。また、
反応容器１０の下部には、排気管１８が設けら
れ、該排気管１８を経て真空ポンプ（図示せず）
で吸引することにより反応容器１０内を真空状態
にすることができる。前記平板電極１２Ａ，１２
Ｂは高周波電源２０に接続され、平板電極１２Ｂ
に連結された反応ガス供給管１６と高周波電源２
０との間には負荷抵抗２２が設けられている。
の構造であり、反応容器１０内には上下２枚の平
行平板電極１２Ａ，１２Ｂが対向配置されてい
る。上側の平板電極１２Ａにはプラズマ反応処理
を受ける半導体ウエハ１４が支持されている。一
方、下側の平板電極１２Ｂには反応ガス供給管１
６が連結され、該反応ガス供給管１６は図示しな
い反応ガス源から反応ガス制御部を経て供給され
た反応ガスを反応容器１０内に送り込む。また、
反応容器１０の下部には、排気管１８が設けら
れ、該排気管１８を経て真空ポンプ（図示せず）
で吸引することにより反応容器１０内を真空状態
にすることができる。前記平板電極１２Ａ，１２
Ｂは高周波電源２０に接続され、平板電極１２Ｂ
に連結された反応ガス供給管１６と高周波電源２
０との間には負荷抵抗２２が設けられている。
また、本実施例においては、前記平板電極１２
Ａと１２Ｂとの間には、ガス流通孔２６を多数形
成したガス拡散板２４が長さ方向に平板電極１２
Ａ，１２Ｂと平行に配設されている。このガス拡
散板２４は高周波電源２０と接続され、電極とし
ての役割も果たす。したがつて、ガス拡散板２４
は平板電極１２Ａおよび１２Ｂのそれぞれと合計
２つの電極対を形成する。その結果、反応容器１
０内に流入した反応ガスはまず平板電極１２Ｂと
ガス拡散板２４との間でプラズマ化され、次いで
プラズマ化されなかつた反応ガスはガス拡散板２
４のガス流通孔２６を通つて乱流化され、ガス拡
散板２４と平板電極１２Ａとの間でプラズマ化さ
れる。それにより、本実施例では２つの電極対の
間で２回のプラズマ化が行われ、より良好なプラ
ズマ化率が得られ、プラズマ生成時間を短縮でき
る。
Ａと１２Ｂとの間には、ガス流通孔２６を多数形
成したガス拡散板２４が長さ方向に平板電極１２
Ａ，１２Ｂと平行に配設されている。このガス拡
散板２４は高周波電源２０と接続され、電極とし
ての役割も果たす。したがつて、ガス拡散板２４
は平板電極１２Ａおよび１２Ｂのそれぞれと合計
２つの電極対を形成する。その結果、反応容器１
０内に流入した反応ガスはまず平板電極１２Ｂと
ガス拡散板２４との間でプラズマ化され、次いで
プラズマ化されなかつた反応ガスはガス拡散板２
４のガス流通孔２６を通つて乱流化され、ガス拡
散板２４と平板電極１２Ａとの間でプラズマ化さ
れる。それにより、本実施例では２つの電極対の
間で２回のプラズマ化が行われ、より良好なプラ
ズマ化率が得られ、プラズマ生成時間を短縮でき
る。
次に、本実施例の作用について説明する。
反応容器１０内の平板電極１２Ａの溝内に半導
体ウエハ１４を保持し、反応ガスを反応ガス源
（図示せず）から反応ガス制御部を経て反応ガス
供給管１６により反応容器１０内に供給する。一
方、反応容器１０の内部は排気管１８を経て図示
しない真空ポンプで吸引することにより真空状態
とされている。
体ウエハ１４を保持し、反応ガスを反応ガス源
（図示せず）から反応ガス制御部を経て反応ガス
供給管１６により反応容器１０内に供給する。一
方、反応容器１０の内部は排気管１８を経て図示
しない真空ポンプで吸引することにより真空状態
とされている。
この状態で高周波電源２０により平行平板電極
１２Ａと１２Ｂに高周波電力を印加すると、反応
ガスはまず平板電極１２Ｂとガス拡散板２４とに
より形成される第１の電極対間でプラズマ化され
る。この時にプラズマ化されなかつた残りの反応
ガスはガス拡散板２４のガス流通孔２６を通つて
乱流化され、ガス拡散板２４と平板電極１２Ｂと
により形成される第２の電極対間でプラズマ化さ
れる。したがつて、本実施例では、２つの電極対
により２回にわたつてプラズマ化されるので、プ
ラズマ化率が向上し、プラズマ生成時間の短縮化
による処理能率の向上を図ることもできる。その
場合、本実施例では、ガス拡散板２４のガス流通
孔２６は反応ガスの乱流化を行うことができるの
で、反応ガスのプラズマ化はより均一に行うこと
ができる。よつて、本実施例では、半導体ウエハ
１４は良好なプラズマ化状態の下で良好にプラズ
マ処理されうる。
１２Ａと１２Ｂに高周波電力を印加すると、反応
ガスはまず平板電極１２Ｂとガス拡散板２４とに
より形成される第１の電極対間でプラズマ化され
る。この時にプラズマ化されなかつた残りの反応
ガスはガス拡散板２４のガス流通孔２６を通つて
乱流化され、ガス拡散板２４と平板電極１２Ｂと
により形成される第２の電極対間でプラズマ化さ
れる。したがつて、本実施例では、２つの電極対
により２回にわたつてプラズマ化されるので、プ
ラズマ化率が向上し、プラズマ生成時間の短縮化
による処理能率の向上を図ることもできる。その
場合、本実施例では、ガス拡散板２４のガス流通
孔２６は反応ガスの乱流化を行うことができるの
で、反応ガスのプラズマ化はより均一に行うこと
ができる。よつて、本実施例では、半導体ウエハ
１４は良好なプラズマ化状態の下で良好にプラズ
マ処理されうる。
以上説明したように、本発明によれば、プラズ
マ化率の向上によりプラズマ生成時間を短縮し、
処理時間を短縮できる上に、プラズマ処理製品の
品質のばらつきを減少させることもできる。
マ化率の向上によりプラズマ生成時間を短縮し、
処理時間を短縮できる上に、プラズマ処理製品の
品質のばらつきを減少させることもできる。
第１図は本発明によるプラズマ反応装置の一実
施例の概略断面図。 １０…反応容器、１２Ａ，１２Ｂ…平行平板電
極、１４…半導体ウエハ、１６…反応ガス供給
管、１８…排気管、２０…高周波電源、２２…負
荷抵抗、２４…ガス拡散板、２６…ガス流通孔、
２８…誘導コイル。
施例の概略断面図。 １０…反応容器、１２Ａ，１２Ｂ…平行平板電
極、１４…半導体ウエハ、１６…反応ガス供給
管、１８…排気管、２０…高周波電源、２２…負
荷抵抗、２４…ガス拡散板、２６…ガス流通孔、
２８…誘導コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 内部に半導体ウエハを載置可能なプラズマ反
応容器と、前記プラズマ反応容器内に設けられた
第１、第２及び第３の平板電極を有し、前記第３
の平板電極には複数枚の前記半導体ウエハが載置
され、前記第１及び第２の平板電極を平行に配置
することにより第１の電極対を形成し、前記第２
及び第３の平板電極を平行に配置することにより
第２の電極対を形成し、前記第１及び第２の電極
対にはそれぞれ高周波電圧が供給され、前記第１
の電極対中に反応ガスが導入されて前記反応ガス
がプラズマ化し、前記第２の平板電極は、前記第
２の平板電極を通じて前記第１の電極対中でプラ
ズマ化されなかつた前記反応ガスを前記第２の電
極対中に導入可能であり、かつ、前記第２の平板
電極を通じて前記第２の電極対中に前記反応ガス
が拡散可能に形成され、前記第２の電極対中に導
入、拡散された前記反応ガスはそこでプラズマ化
されることを特徴とするプラズマ反応装置。 ２ 前記第１及び第２の電極対への高周波電圧の
供給は単一の高周波電源によりなされることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ反
応装置。 ３ 前記第２の平板電極にはガス流通孔が設けら
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のプラズマ反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56095354A JPS57211237A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Plasma reaction device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56095354A JPS57211237A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Plasma reaction device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211237A JPS57211237A (en) | 1982-12-25 |
| JPS6410933B2 true JPS6410933B2 (ja) | 1989-02-22 |
Family
ID=14135316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56095354A Granted JPS57211237A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Plasma reaction device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57211237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220162629A (ko) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 전고체 리튬 이차전지 및 이의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60239015A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-27 | Toyobo Co Ltd | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5467377A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-30 | Hitachi Ltd | Plasma processing apparatus |
-
1981
- 1981-06-22 JP JP56095354A patent/JPS57211237A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220162629A (ko) * | 2021-06-01 | 2022-12-08 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 전고체 리튬 이차전지 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57211237A (en) | 1982-12-25 |
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