JPH02125765A - Ledアレイ・ヘッド - Google Patents
Ledアレイ・ヘッドInfo
- Publication number
- JPH02125765A JPH02125765A JP63277258A JP27725888A JPH02125765A JP H02125765 A JPH02125765 A JP H02125765A JP 63277258 A JP63277258 A JP 63277258A JP 27725888 A JP27725888 A JP 27725888A JP H02125765 A JPH02125765 A JP H02125765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led array
- substrate
- light
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野]
この発明は、電子写真プリンタ用のLED(発光ダイオ
ード)アレイ・ヘッドに関するものである。
ード)アレイ・ヘッドに関するものである。
[従来の技術]
従来例の構成を第3図を参照しながら説明する。
第3図は、従来のLEDアレイ・ヘッドを使用した電子
写真プリンタの概略を示す側面図である。
写真プリンタの概略を示す側面図である。
第3図において、(10)は、(1)、(20)、(3
0)等から構成されているL E Dアレイ・ヘッドで
ある。
0)等から構成されているL E Dアレイ・ヘッドで
ある。
ここで、(1)はLEDアレイ、(20)はグイボンド
やワイヤーボンドによりLEDアレイ(1)と接続され
た基板、(30)は図示しない支持機構によりLEDア
レイ(1)の発光面側に設けられた5LA(七ルフフォ
ーカス・レンズ・アレイ)である。
やワイヤーボンドによりLEDアレイ(1)と接続され
た基板、(30)は図示しない支持機構によりLEDア
レイ(1)の発光面側に設けられた5LA(七ルフフォ
ーカス・レンズ・アレイ)である。
また、(40)は中心がLEDアレイ(1)からSLA
(30)を通る延長線上にある感光ドラムである。
(30)を通る延長線上にある感光ドラムである。
第4図は、LEDアレイ・ヘッド(10)の主要部を構
成しているLEDアレイ(1)の一部を示す斜視図であ
る。
成しているLEDアレイ(1)の一部を示す斜視図であ
る。
第4図において、LEDアレイ(1)は、(2)、(3
)、(4)、(5)、(6)及び(7)から構成されて
いる。
)、(4)、(5)、(6)及び(7)から構成されて
いる。
ここで、(2)はN電極、(3)はこのN電極(2)に
積層されたN−GaAs層、(4)はこのN−GaAs
層(3)に積層されたN−AlxGa1−xAs層、(
5)はこのN−AlxGa、−xAs層(4)に積層さ
れたP −A lxG al −xA s層、(6)は
N−A 1xGal−xAs層(4)に積層された絶縁
層、(7)はP−AlxGap−xAs層(5)に接続
されたP電極である。なお、絶縁層(6)には、P−A
IxGa、−xAs層(5)に対応して多数の開口部(
6a)がある。
積層されたN−GaAs層、(4)はこのN−GaAs
層(3)に積層されたN−AlxGa1−xAs層、(
5)はこのN−AlxGa、−xAs層(4)に積層さ
れたP −A lxG al −xA s層、(6)は
N−A 1xGal−xAs層(4)に積層された絶縁
層、(7)はP−AlxGap−xAs層(5)に接続
されたP電極である。なお、絶縁層(6)には、P−A
IxGa、−xAs層(5)に対応して多数の開口部(
6a)がある。
つぎに、上述した従来例の動作を説明する。
まず、LEDアレイ(1)中の個々のLEDは、印画信
号に基づいて図示しない駆動回路により、選択的に点灯
駆動され、絶縁層(6)の開口部(6a)から全体とし
て面発光する。
号に基づいて図示しない駆動回路により、選択的に点灯
駆動され、絶縁層(6)の開口部(6a)から全体とし
て面発光する。
そして、S L A (30)は、感光面上での光スポ
ットの拡大を防ぐために、面発光の光を集束して感光ド
ラム(40)の感光面に結像させる。
ットの拡大を防ぐために、面発光の光を集束して感光ド
ラム(40)の感光面に結像させる。
以下、LEDアレイ ヘッド(10)を露光源とする電
子写真のプロセスを簡単に説明する。
子写真のプロセスを簡単に説明する。
負に帯電された感光ドラム(40)は、LEDアレイ
ヘッド(10)により露光された部分だけに帯電電荷の
放電が行なわれ、その部分のみにトナーが付着される。
ヘッド(10)により露光された部分だけに帯電電荷の
放電が行なわれ、その部分のみにトナーが付着される。
付着されたトナーは、用紙に転写されて加熱及び圧力に
より定着される。
より定着される。
なお、LEDアレイ・ヘッド(10)の光伝達効率は、
数%程度である。
数%程度である。
[発明が解決しようとする課題]
上述したような従来のLEDアレイ・へ・ンドでは、S
LAが介在するために、光伝達効率が低いという問題点
があった。
LAが介在するために、光伝達効率が低いという問題点
があった。
この発明は、上述した問題点を解決するためになされた
もので、光伝達効率を高くすることができるLEDアレ
イ・ヘッドを得ることを目的とする。
もので、光伝達効率を高くすることができるLEDアレ
イ・ヘッドを得ることを目的とする。
し課題を解決するための手段〕
この発明に係るLEDアレイ・ヘッドは、以下に述べる
ような手段を備えたものである。
ような手段を備えたものである。
(i)、光を放出するしEDアレイ。
<ii)、このLEDアレイが接続される基板。
(iii)、上記LEDアレイの発光面が上記基板の面
方向と垂直になるように上記LEDアレイを上記基板に
支持する支持部材。
方向と垂直になるように上記LEDアレイを上記基板に
支持する支持部材。
し作用〕
この発明においては、支持部材によって、LEDアレイ
の発光面が基板の面方向と垂直になるように上記LED
アレイが上記基板に支持されるので、光が放出される方
向が上記面方向と平行になる。
の発光面が基板の面方向と垂直になるように上記LED
アレイが上記基板に支持されるので、光が放出される方
向が上記面方向と平行になる。
[実施例]
実施例の構成を第1図を参照しながら説明する。
第1図は、この発明の一実施例を使用した電子写真プリ
ンタの概略を示す側面図であり、(20)及び(40)
は上記従来の電子写真プリンタのものと全く同一である
。
ンタの概略を示す側面図であり、(20)及び(40)
は上記従来の電子写真プリンタのものと全く同一である
。
第1図において、(10^)は、(1^)、(8)、<
20)等から構成されているLEDアレイ ヘッドであ
る。
20)等から構成されているLEDアレイ ヘッドであ
る。
ここで、(1^)はLEDアレイ、(8)はこのLED
アレイ(1^)の長さに対応し、そのLEDアレイ(1
^)を基板〈20)に支持している導電性の例えば金属
からできている支持部材である。
アレイ(1^)の長さに対応し、そのLEDアレイ(1
^)を基板〈20)に支持している導電性の例えば金属
からできている支持部材である。
LEDアレイ(l^)は、P電極(7^)がバンプ配線
(ハンダ付け)により、N電極(2)が支持部材(8)
を介して、基板(20)に電気的に接続されて、感光ド
ラム(40)の近傍に配置されている。
(ハンダ付け)により、N電極(2)が支持部材(8)
を介して、基板(20)に電気的に接続されて、感光ド
ラム(40)の近傍に配置されている。
第2図は、LEDアレイ・ヘッド(10^)の主要部を
構成しているLEDアレイ(1^)の一部を示す斜視図
であり、(2)〜(6)は上記LEDアレイ(1)と全
く同一である。
構成しているLEDアレイ(1^)の一部を示す斜視図
であり、(2)〜(6)は上記LEDアレイ(1)と全
く同一である。
第2図において、LEDアレイ(1^)は、(2)〜(
6)及び(7^)から構成されている。
6)及び(7^)から構成されている。
ここで、(7^)は絶縁層(6)の開口部を覆うように
形成されたP電極である。
形成されたP電極である。
つぎに、上述した実施例の動作を説明する。
LEDアレイ(1^)中の個々のLEDは、印画信号に
基づいて図示しない駆動回路により、選択的に点灯駆動
され、N−A lxG al −xA s層(4)とP
A IxG al −xA s層(5)とのへき開面か
ら線状発光する。
基づいて図示しない駆動回路により、選択的に点灯駆動
され、N−A lxG al −xA s層(4)とP
A IxG al −xA s層(5)とのへき開面か
ら線状発光する。
そして、その光が感光ドラム(40)の感光面に結像す
る。なお、放出された光のビームは、発光面が基板(2
0)の面と垂直なので、基板(20)の面方向と平行で
ある。
る。なお、放出された光のビームは、発光面が基板(2
0)の面と垂直なので、基板(20)の面方向と平行で
ある。
以下、LEDアレイ・ヘッド(10^)を露光源とする
電子写真のプロセスは、上述した従来例と同一である。
電子写真のプロセスは、上述した従来例と同一である。
つづいて、上述したLEDアレイ(瓢)の製造方法の一
例を簡単に説明する。
例を簡単に説明する。
まず、N電極(2)、N−GILAS履くバッファ層)
(3)、N −A lxG al −xA s層<4
)、P −A IxG al −XAs層(5)、絶縁
層(6)及びP電極(7八)から構成された積層体(ウ
ェーハ)がエピタキシャル成長法等により製造される。
(3)、N −A lxG al −xA s層<4
)、P −A IxG al −XAs層(5)、絶縁
層(6)及びP電極(7八)から構成された積層体(ウ
ェーハ)がエピタキシャル成長法等により製造される。
そして、ダイシングされてLEDアレイ(1^)が製造
される。
される。
こうして、上述したLEDアレイ(1^)から放出され
る光は、P −A 1xGal−xAs層(5)からの
面発光がP電極(7^)によって抑えられるので、N−
A lxG al −xA s層(4)とP −A l
xG at −xA 5l(5)とのへき開面からの線
状発光するものだけとなる。
る光は、P −A 1xGal−xAs層(5)からの
面発光がP電極(7^)によって抑えられるので、N−
A lxG al −xA s層(4)とP −A l
xG at −xA 5l(5)とのへき開面からの線
状発光するものだけとなる。
上述したL E Dアレイ・ヘッド(10^)は、以下
に述べるような効果を奏する。
に述べるような効果を奏する。
(i)、感光ドラムに極めて近ずけて設置できるので、
光伝達効率を高くすることができる。
光伝達効率を高くすることができる。
(ii)、SLAを省略できるので、コストダウンを図
ることができる。
ることができる。
(iii>、全体として薄型化を図ることができる。
ところで上記説明では、N電極を支持部材を介して基板
に接続し、かつP電極を直接基板に接続した場合につい
て述べたが、逆にP電極を支持部材を介して基板に接続
し、かつN電極を直接基板に接続しても所期の目的を達
成し得ることはいうまでもない。
に接続し、かつP電極を直接基板に接続した場合につい
て述べたが、逆にP電極を支持部材を介して基板に接続
し、かつN電極を直接基板に接続しても所期の目的を達
成し得ることはいうまでもない。
[発明の効果]
この発明は、以上説明したとおり、光を放出するLED
アレイと、このしEDアレイが接続される基板と、上記
LEDアレイの発光面が上記基板の面方向と垂直になる
ように上記LEDアレイを上記基板に支持する支持部材
とから構成されたので、光伝達効率を高くすることがで
きるという効果を奏する。
アレイと、このしEDアレイが接続される基板と、上記
LEDアレイの発光面が上記基板の面方向と垂直になる
ように上記LEDアレイを上記基板に支持する支持部材
とから構成されたので、光伝達効率を高くすることがで
きるという効果を奏する。
第1図はこの発明の一実施例を使用した電子写真プリン
タの概略を示す側面図、第2図はこの発明の一実施例の
主要部を構成するLEDアレイを示す斜視図、第3図は
従来のLEDアレイ・ヘッドを使用した電子写真プリン
タの概略を示す側面図、第4図は従来のLEDアレイ・
ヘッドの主要部を構成するLEDアレイを示す斜視図で
ある。 図において、 (1^) ・ LEDアレイ、 (2) ・・ N電極、 (7^) P電極、 (8) ・・・ 支持部材、 (1〇八) ・・ LP、Dアレイ・へ・ンド。 (20) 基板である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 1?□+ワー11 代理人 言残 道照 ・・−・B:会1ん1図 10A : LED了Lイしへ−Iド2o 基板 40 !!!、梵)?54A 扇2図 LA LED了しイ 2:Ntや駐 3 : N−GaAs層 4 ; N−A/xGco−xAs層 5 : P−AlxGal−xAs層 6.412階層 7A Ptl権
タの概略を示す側面図、第2図はこの発明の一実施例の
主要部を構成するLEDアレイを示す斜視図、第3図は
従来のLEDアレイ・ヘッドを使用した電子写真プリン
タの概略を示す側面図、第4図は従来のLEDアレイ・
ヘッドの主要部を構成するLEDアレイを示す斜視図で
ある。 図において、 (1^) ・ LEDアレイ、 (2) ・・ N電極、 (7^) P電極、 (8) ・・・ 支持部材、 (1〇八) ・・ LP、Dアレイ・へ・ンド。 (20) 基板である。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 1?□+ワー11 代理人 言残 道照 ・・−・B:会1ん1図 10A : LED了Lイしへ−Iド2o 基板 40 !!!、梵)?54A 扇2図 LA LED了しイ 2:Ntや駐 3 : N−GaAs層 4 ; N−A/xGco−xAs層 5 : P−AlxGal−xAs層 6.412階層 7A Ptl権
Claims (1)
- 光を放出するLEDアレイ、このLEDアレイが接続さ
れる基板、及び上記LEDアレイの発光面が上記基板の
面方向と垂直になるように上記LEDアレイを上記基板
に支持する支持部材から構成されたことを特徴とするL
EDアレイ・ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277258A JPH02125765A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Ledアレイ・ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63277258A JPH02125765A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Ledアレイ・ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125765A true JPH02125765A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17581020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277258A Pending JPH02125765A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Ledアレイ・ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125765A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5250819A (en) * | 1991-04-15 | 1993-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device having stepped non-nucleation layer |
| US5659184A (en) * | 1990-11-07 | 1997-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | III-V compound semiconductor device with a polycrystalline structure with minimum grain size of 0.6 μm and printer and display device utilizing the same |
| US5866439A (en) * | 1995-07-21 | 1999-02-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| US5869848A (en) * | 1995-12-14 | 1999-02-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light-emitting-type LED, end face light-emitting-type LED array and methods of manufacturing them |
| US5955748A (en) * | 1994-07-19 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light emitting type light emitting diode |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63277258A patent/JPH02125765A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5659184A (en) * | 1990-11-07 | 1997-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | III-V compound semiconductor device with a polycrystalline structure with minimum grain size of 0.6 μm and printer and display device utilizing the same |
| US5250819A (en) * | 1991-04-15 | 1993-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device having stepped non-nucleation layer |
| US5955748A (en) * | 1994-07-19 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light emitting type light emitting diode |
| US5866439A (en) * | 1995-07-21 | 1999-02-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| EP0755084A3 (en) * | 1995-07-21 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| US5869848A (en) * | 1995-12-14 | 1999-02-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light-emitting-type LED, end face light-emitting-type LED array and methods of manufacturing them |
| EP0779667A3 (en) * | 1995-12-14 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light-emitting-type LED, end face light-emitting-type LED array and methods of manufacturing them |
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