JPH02126520A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH02126520A JPH02126520A JP63280814A JP28081488A JPH02126520A JP H02126520 A JPH02126520 A JP H02126520A JP 63280814 A JP63280814 A JP 63280814A JP 28081488 A JP28081488 A JP 28081488A JP H02126520 A JPH02126520 A JP H02126520A
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- JP
- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- substrate
- tin oxide
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示素子、透明メンブレンスイッチ等の
各種エレクトロニクス素子に用いられる透明導電膜の形
成方法に関するものである。
各種エレクトロニクス素子に用いられる透明導電膜の形
成方法に関するものである。
従来の技術
従来より、透明導電膜は液晶表示素子、電気的透明遮蔽
剤、赤外線反射膜、透明メンブレンスイッチ等に広く利
用されている。
剤、赤外線反射膜、透明メンブレンスイッチ等に広く利
用されている。
透明導電膜材料としては、アンチモンやフッ素をドープ
した酸化スズが知られている。透明導電膜の形成方法は
、スプレー法、ゾル・ゲル法。
した酸化スズが知られている。透明導電膜の形成方法は
、スプレー法、ゾル・ゲル法。
ＣＶＤ法、ヌパソタ法、真空蒸着法等が知られている。
特に、フッ素をドープした酸化スズ膜の形成法としては
、塩化スズにフッ化水素を加えてスプレー法で形成する
方法、あるいは、テトラメチルスズに、トリフルオロブ
ロムメタンを加えてＣＶＤ法により形成する方法が挙げ
られる。
、塩化スズにフッ化水素を加えてスプレー法で形成する
方法、あるいは、テトラメチルスズに、トリフルオロブ
ロムメタンを加えてＣＶＤ法により形成する方法が挙げ
られる。
発明が解決しようとする課題
上記方法で、フッ素をドープした酸化スズ透明導電膜を
形成する場合、酸化スズの原料は塩化スズ、あるいはテ
トラメチルヌズ、ドープするフッ素の原料はフッ化水素
、あるいはトリフルオロブロムメタン等を用いるが、必
ず酸化スズの原料およびドープするフッ素の原料の２種
類の原料を必要とするという煩しさがある。
形成する場合、酸化スズの原料は塩化スズ、あるいはテ
トラメチルヌズ、ドープするフッ素の原料はフッ化水素
、あるいはトリフルオロブロムメタン等を用いるが、必
ず酸化スズの原料およびドープするフッ素の原料の２種
類の原料を必要とするという煩しさがある。
さらに、これら原料のうち、テトラメチルスズやフッ化
水素等の原料ガスは、人体に有害なガスであり、取扱い
が難しいという課題がある。
水素等の原料ガスは、人体に有害なガスであり、取扱い
が難しいという課題がある。
本発明は、このような課題に鑑み、容易に、かつ、安全
に透明導電膜を形成することを目的としている。
に透明導電膜を形成することを目的としている。
課題を解決するための手段
以上の課題を解決するためＫ、酸素を含有する雰囲気中
でフッ化スズを加熱して得られるガスを、加熱した基板
上にフッ素をドープした酸化スズ透明導電膜を堆積する
ことで、透明導電膜を形成するものである。
でフッ化スズを加熱して得られるガスを、加熱した基板
上にフッ素をドープした酸化スズ透明導電膜を堆積する
ことで、透明導電膜を形成するものである。
作用
上記手段を用いることで、原料はフッ化スズのみで、フ
ッ素をドープした酸化ヌズ膜を容易に形成することがで
き、さらに、人体に有害な化合物を用いることもなく、
低抵抗値の透明導電膜を提供することができる。
ッ素をドープした酸化ヌズ膜を容易に形成することがで
き、さらに、人体に有害な化合物を用いることもなく、
低抵抗値の透明導電膜を提供することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。
本発明は、酸素を含有する雰囲気中でフッ化スズを加熱
して得られるガスを、加熱した基板上に流し、基板上に
フッ素をドープした酸化スズ透明導電膜を堆積すること
を特徴とする。
して得られるガスを、加熱した基板上に流し、基板上に
フッ素をドープした酸化スズ透明導電膜を堆積すること
を特徴とする。
本発明に使用できる基板には、基板の加熱温度に耐える
ものであれば、任意である。例えば、安価なソーダ石灰
ガラス等を用いることができる。
ものであれば、任意である。例えば、安価なソーダ石灰
ガラス等を用いることができる。
フッ化スズを加熱する雰囲気については、酸素を含有し
ていない場合、基板上に堆積される膜は酸化ヌズ膜では
なく、抵抗値が高い膜になる。このため、酸素を含有し
た雰囲気でなければならない。必要とする酸素の量は発
生させるガスの量に依存している。
ていない場合、基板上に堆積される膜は酸化ヌズ膜では
なく、抵抗値が高い膜になる。このため、酸素を含有し
た雰囲気でなければならない。必要とする酸素の量は発
生させるガスの量に依存している。
基板の加熱については、加熱しないと、得られる膜の結
晶性が劣り、抵抗値が高くなるため、２００’Ｃ以上に
加熱する方が望ましい。
晶性が劣り、抵抗値が高くなるため、２００’Ｃ以上に
加熱する方が望ましい。
以下、具体的実施例について説明する。
〔実施例１〕
フッ化スズを酸素２０ ｖｏ１％、窒素８０７０１％の
雰囲気中で加熱し得られるガスを、加熱したソーダ石灰
ガラヌ基板上に流し、前記基板上に膜を堆積させる。そ
の結果、基板加熱温度を室温。
雰囲気中で加熱し得られるガスを、加熱したソーダ石灰
ガラヌ基板上に流し、前記基板上に膜を堆積させる。そ
の結果、基板加熱温度を室温。
１００°Ｃ，２００°Ｃ，３００°Ｃ，４００℃、５ｏ
Ｏ°Ｃと変化させると、比抵抗は１０α以上’、５×１
０−１Ω画、ｌＸ１（Ｔ５Ωα、６×１０−’Ωα、２
ＸＩＯ−’Ω１のフッ素をドープした酸化スズ透明導電
膜が得られた。以上の結果から２００℃以上に加熱した
基板を用いることで、よシ低抵抗値の膜が得られること
が明らかとなった。
Ｏ°Ｃと変化させると、比抵抗は１０α以上’、５×１
０−１Ω画、ｌＸ１（Ｔ５Ωα、６×１０−’Ωα、２
ＸＩＯ−’Ω１のフッ素をドープした酸化スズ透明導電
膜が得られた。以上の結果から２００℃以上に加熱した
基板を用いることで、よシ低抵抗値の膜が得られること
が明らかとなった。
〔実施例２〕
フッ化スズを加熱する雰囲気中の酸素濃度を０ｖｏ１％
、１ｖｏ１％、５ｖｏ１％、２ｏｖｏ１％と変化させ、
前記雰囲気中で加熱して得られるガスを、ＳＯＯ℃に加
熱したソーダ石灰ガラヌ基板上に流し、前記基板上に膜
を堆積させる。その結果、比抵抗は１０α以上、３Ｘ１
０−’Ωα、２Ｘ１０−’Ωｆｆ、２×ＩＱ−’Ω画の
膜が得られた。しかしながら酸素濃度０マ０１％の膜は
酸化スズ膜ではなく、それ以外はフッ素をドープした酸
化スズ膜であった。
、１ｖｏ１％、５ｖｏ１％、２ｏｖｏ１％と変化させ、
前記雰囲気中で加熱して得られるガスを、ＳＯＯ℃に加
熱したソーダ石灰ガラヌ基板上に流し、前記基板上に膜
を堆積させる。その結果、比抵抗は１０α以上、３Ｘ１
０−’Ωα、２Ｘ１０−’Ωｆｆ、２×ＩＱ−’Ω画の
膜が得られた。しかしながら酸素濃度０マ０１％の膜は
酸化スズ膜ではなく、それ以外はフッ素をドープした酸
化スズ膜であった。
加熱した基板上に流し、基板上にフッ素をドープした酸
化スズ透明導電膜を堆積することによって。
化スズ透明導電膜を堆積することによって。
人体に有害なガスを用いることなく、１種類の原料から
容易にかつ安全に透明導電膜を形成できるという効果を
得ることができる。
容易にかつ安全に透明導電膜を形成できるという効果を
得ることができる。
Claims (1)
- 酸素を含有する雰囲気中でフッ化スズを加熱して得られ
るガスを、加熱した基板上に流し、基板上にフッ素をド
ープした酸化スズ透明導電膜を堆積することを特徴とし
た透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280814A JPH02126520A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280814A JPH02126520A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126520A true JPH02126520A (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=17630348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63280814A Pending JPH02126520A (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02126520A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815712A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Seiko Instr Inc | 透明導電性薄膜の製造方法 |
| JP2007242340A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujikura Ltd | 透明導電性基板及びその製造方法並びにその製造装置 |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63280814A patent/JPH02126520A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815712A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Seiko Instr Inc | 透明導電性薄膜の製造方法 |
| JP2007242340A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Fujikura Ltd | 透明導電性基板及びその製造方法並びにその製造装置 |
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