JPH02127438A - 垂直配向ポリイミド膜 - Google Patents
垂直配向ポリイミド膜Info
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- JPH02127438A JPH02127438A JP28033288A JP28033288A JPH02127438A JP H02127438 A JPH02127438 A JP H02127438A JP 28033288 A JP28033288 A JP 28033288A JP 28033288 A JP28033288 A JP 28033288A JP H02127438 A JPH02127438 A JP H02127438A
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- Japan
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- film
- polyimide
- polyamic acid
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- oriented
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐熱性樹脂として知られるポリイミドに係る
もので、極低温や高温などの温度差の著しい環境で使用
され、形状の安定性や信頼性が強く要求される電子部品
関連の産業分野で使用される絶ｌｉ＆喚に関するもので
あり、異種材料間の線膨張率差に基づく熱歪を緩和する
ことができると共に熱伝導性に優れた絶縁膜、更に詳し
くいえば絶縁膜の膜面に対し垂直方向の線膨張率が小さ
くかつ熱伝導率が大きく、模面と平行方向の熱歪を吸収
することが出来る絶縁膜に関する。
もので、極低温や高温などの温度差の著しい環境で使用
され、形状の安定性や信頼性が強く要求される電子部品
関連の産業分野で使用される絶ｌｉ＆喚に関するもので
あり、異種材料間の線膨張率差に基づく熱歪を緩和する
ことができると共に熱伝導性に優れた絶縁膜、更に詳し
くいえば絶縁膜の膜面に対し垂直方向の線膨張率が小さ
くかつ熱伝導率が大きく、模面と平行方向の熱歪を吸収
することが出来る絶縁膜に関する。
ポリイミドは耐熱性、耐薬品性、電気的特性、機械的特
性、その他優れた緒特性を有していることが知られてお
υ、例えば、ピロメリット酸２ ｇ水物ト４．４’−ジ
アミノジフェニルエーテルから得られるポリイミド膜は
従来から広く使用されている。しかし、一般に線膨張率
が大きく、熱的寸法安定性が悪く、熱伝導性も極めて悪
いことが知られている。
性、その他優れた緒特性を有していることが知られてお
υ、例えば、ピロメリット酸２ ｇ水物ト４．４’−ジ
アミノジフェニルエーテルから得られるポリイミド膜は
従来から広く使用されている。しかし、一般に線膨張率
が大きく、熱的寸法安定性が悪く、熱伝導性も極めて悪
いことが知られている。
近年、電子部品の高集積化、高密度化に伴い、ＩＣチッ
プ内配線のみならず、ＩＣチップ搭載基板内配線や入出
カケ−グル内配線も細線幅化の一途（あシ、工Ｃチップ
と基板間や、基板と入出カケ−プル間の構成材料の線膨
張率差に基づくわずかな熱歪による接点障害や、ＩＣチ
ップよシ発生した熱による素子の温度上昇などが重要な
問題になっている。また、超伝導関連の分野では超伝導
特有のクエンチ現象（何らかの異常によシ一部で超伝導
状顔が常伝導状態に変わると共に急激に発熱し常伝導領
域が拡大する現象）が問題になっている。
プ内配線のみならず、ＩＣチップ搭載基板内配線や入出
カケ−グル内配線も細線幅化の一途（あシ、工Ｃチップ
と基板間や、基板と入出カケ−プル間の構成材料の線膨
張率差に基づくわずかな熱歪による接点障害や、ＩＣチ
ップよシ発生した熱による素子の温度上昇などが重要な
問題になっている。また、超伝導関連の分野では超伝導
特有のクエンチ現象（何らかの異常によシ一部で超伝導
状顔が常伝導状態に変わると共に急激に発熱し常伝導領
域が拡大する現象）が問題になっている。
これらの問題解決のために熱歪が少なく熱伝導性に優れ
た＃熱性の絶縁材料の開発が切望されている。
た＃熱性の絶縁材料の開発が切望されている。
本発明の目的は、異種材料間の線膨張率差に基づく熱歪
を緩和することができると共に熱伝導性に優れた耐熱性
の絶縁模を提供することにある。
を緩和することができると共に熱伝導性に優れた耐熱性
の絶縁模を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は垂直配向ポリイ
夷
ド膜に関する発明であって、
下記−船人Ｉ：
（式中、Ａｒ１は４価の芳香族基、Ａｒｃは２価の芳香
族基を示す） で表される繰返し単位を有するポリイミドで、このポリ
イミドの分子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを
特徴とする。
族基を示す） で表される繰返し単位を有するポリイミドで、このポリ
イミドの分子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを
特徴とする。
上記−船人ＩにおいてＡｒｌで示される４価の芳香族基
の例としては、 などが挙げられ、またＡｒ２で示される２価の芳香族基
の例としては、 などが挙げられる。これらの組合せは１組のものに限定
されるものではなく、２組以上の組合せたものを混合し
て用いることも可能である。
の例としては、 などが挙げられ、またＡｒ２で示される２価の芳香族基
の例としては、 などが挙げられる。これらの組合せは１組のものに限定
されるものではなく、２組以上の組合せたものを混合し
て用いることも可能である。
一般にポリエチレンなどの結晶性高分子に見られるよう
に、延伸により一軸方向に分子鎖が配向した高分子材料
を容易に得ることができる。
に、延伸により一軸方向に分子鎖が配向した高分子材料
を容易に得ることができる。
このような−軸配向高分子の配向方向の引張弾性率は延
伸倍率と共に急速に大きくなる一方、線膨張率は逆に延
伸倍率と共に急速に小さくなり零から負の値へと変化し
く工、Ｍ、ウオード（Ｉ。
伸倍率と共に急速に大きくなる一方、線膨張率は逆に延
伸倍率と共に急速に小さくなり零から負の値へと変化し
く工、Ｍ、ウオード（Ｉ。
Ｍ、 Ｗａｒｄ ） ＩＪ！ 、デベロップ、メンツ
イン オリエンテッド ポリマース−１（Ｄｅｖｅｌｏ
ｐｍｅｎｔｓｉｎ ０ｒｉｅｎｔｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒ
ｓ−１）、アプライド サイエンス社（ロンドン）ｉ行
（１ｔａｚ））、Ｑａ向力方向熱伝動率は延伸倍率と共
に大きくなるｃｃ、Ｌ、チョイ（Ｃ，Ｌ、Ｃｈｏｙ ）
ｆ’ｉか、ジャーナμオプ ポリマー サイエンス
ポリマー フイジク７．ｚジＶ ｘ；１７ （Ｊ、
Ｐｏｌｙｍ、 Ｓｃｉ、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｐｈｙａ。
イン オリエンテッド ポリマース−１（Ｄｅｖｅｌｏ
ｐｍｅｎｔｓｉｎ ０ｒｉｅｎｔｅｄ Ｐｏｌｙｍｅｒ
ｓ−１）、アプライド サイエンス社（ロンドン）ｉ行
（１ｔａｚ））、Ｑａ向力方向熱伝動率は延伸倍率と共
に大きくなるｃｃ、Ｌ、チョイ（Ｃ，Ｌ、Ｃｈｏｙ ）
ｆ’ｉか、ジャーナμオプ ポリマー サイエンス
ポリマー フイジク７．ｚジＶ ｘ；１７ （Ｊ、
Ｐｏｌｙｍ、 Ｓｃｉ、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｐｈｙａ。
Ｈａ、 ）第１８巻、第１１８７頁（１９８０））。
例えば、高密度ポリエチレンの引張弾性率は未延伸状態
のＩ ＧＰａから延伸倍率３０倍で７０３Ｐａとなシ、
線膨張率は未延伸状態のｔ ２ Ｘ １０−’ｘ４から
延伸倍率２倍で零、延伸倍率１８倍では−１，２Ｘ１０
Ｋ となる。熱伝導率は未延伸状態のαＯＱ ５
５ Ｗ ／ ａａＫ から、延伸倍率２５倍で１１３
Ｗ／ａａＫと大幅に大きく４る。しかし、配向方向と
直角の方向の上記各特性は若干逆の傾向を示すことはよ
く知られている。
のＩ ＧＰａから延伸倍率３０倍で７０３Ｐａとなシ、
線膨張率は未延伸状態のｔ ２ Ｘ １０−’ｘ４から
延伸倍率２倍で零、延伸倍率１８倍では−１，２Ｘ１０
Ｋ となる。熱伝導率は未延伸状態のαＯＱ ５
５ Ｗ ／ ａａＫ から、延伸倍率２５倍で１１３
Ｗ／ａａＫと大幅に大きく４る。しかし、配向方向と
直角の方向の上記各特性は若干逆の傾向を示すことはよ
く知られている。
したがって、本発明になる垂直配向ポリイミド嗅では、
ポリイミドの分子鎖が膜面に対し垂直に配向しているた
め、！！１面に対し垂直方向の引張弾性率は大きく、線
膨張率は小さく、熱伝導率は大きくなる。
ポリイミドの分子鎖が膜面に対し垂直に配向しているた
め、！！１面に対し垂直方向の引張弾性率は大きく、線
膨張率は小さく、熱伝導率は大きくなる。
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明の一般式Ｉで表されるポリイミドは、例えば下記
の方法によって製造することができる。すなわち下記一
般弐Ｈ： （式中、Ａｒ１、Ａｒｃは式ｌに定義したものと同義で
ある）で表される繰返し単位を有するポリアミック酸の
溶液のキャストフィルムを、１１ＭＶ ／ａｗ以上の電
界強度下で１５０°Ｃ以上の温度で熱処理することＫよ
り得られる。
の方法によって製造することができる。すなわち下記一
般弐Ｈ： （式中、Ａｒ１、Ａｒｃは式ｌに定義したものと同義で
ある）で表される繰返し単位を有するポリアミック酸の
溶液のキャストフィルムを、１１ＭＶ ／ａｗ以上の電
界強度下で１５０°Ｃ以上の温度で熱処理することＫよ
り得られる。
ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸は、公知の方
法で製造することが出来る。すなわち、酸無水物成分と
ジアミン成分を実質等モル使用し、有機極性溶媒中で重
合して得られる。このポリアミック酸溶液をガラス等の
基板の上に塗布した後、例えば１２０°Ｃで１時間Ｍ乾
燥すればポリアミック酸のキャストフィルムが得られる
。
法で製造することが出来る。すなわち、酸無水物成分と
ジアミン成分を実質等モル使用し、有機極性溶媒中で重
合して得られる。このポリアミック酸溶液をガラス等の
基板の上に塗布した後、例えば１２０°Ｃで１時間Ｍ乾
燥すればポリアミック酸のキャストフィルムが得られる
。
このキャストフィルムを偏光顕微鏡によシ偏光子と検光
子を互いに直交するようにして膜面に対し垂直方向より
観察したところ、光を透過しない消光状態になっておシ
、コノスコープ像が明シように観察された。これはポリ
アミック酸のキャストフィルムではポリアミック酸の分
子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを示している
。
子を互いに直交するようにして膜面に対し垂直方向より
観察したところ、光を透過しない消光状態になっておシ
、コノスコープ像が明シように観察された。これはポリ
アミック酸のキャストフィルムではポリアミック酸の分
子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを示している
。
ポリイミドは、ポリアミック酸のキャストフィルムを化
学量論以上の脱水剤と必要に応じ触媒量の第５級アミン
類等を加えた溶剤中に浸漬して脱水するなどの化学的方
法、又は脱水剤などを加えずに熱的に脱水閉環する方法
によシ得られるが、このポリアミック酸の脱水閉環過程
で垂直配向状類のポリアミック酸から分子鎖が膜面と平
行になった面配向状態のポリイミドに変わることが分か
った。
学量論以上の脱水剤と必要に応じ触媒量の第５級アミン
類等を加えた溶剤中に浸漬して脱水するなどの化学的方
法、又は脱水剤などを加えずに熱的に脱水閉環する方法
によシ得られるが、このポリアミック酸の脱水閉環過程
で垂直配向状類のポリアミック酸から分子鎖が膜面と平
行になった面配向状態のポリイミドに変わることが分か
った。
第１図は酸無水物成分としてピロメリット酸２無水物を
、ジアミン成分として４．４′−ジアミノジフエニμエ
ーテμを、溶媒としてＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドを
用いて重合させて得た厚′さ７−（Ｌ／Ｊｍのポリアミ
ック酸キャストフイμムの温度（℃、横軸）上昇に伴う
偏光の透過光量変化（任意スケール１縦軸）とポリイミ
ド化率（％、縦軸）を示した図である。なお、ポリイミ
ド化率は赤外吸収スペクトＮにおける１ ７８０ ｃｍ
−”のポリイミド環内の力μボニル基の伸縮振動に基づ
く吸収の吸光度よシ定量した。室温から１４０°Ｃ付近
まではほぼ消光状態となっているが、１５０℃付近で急
激に透光状態となシ垂直配向から面配向へと急激な配向
変化が起こることが分かった。ポリイミド化率は１２０
℃では３％、１５０℃で４２％、１８０℃では９２％と
なってお、９．１５０℃付近の配向変化はポリイミド化
に伴うものである。
、ジアミン成分として４．４′−ジアミノジフエニμエ
ーテμを、溶媒としてＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドを
用いて重合させて得た厚′さ７−（Ｌ／Ｊｍのポリアミ
ック酸キャストフイμムの温度（℃、横軸）上昇に伴う
偏光の透過光量変化（任意スケール１縦軸）とポリイミ
ド化率（％、縦軸）を示した図である。なお、ポリイミ
ド化率は赤外吸収スペクトＮにおける１ ７８０ ｃｍ
−”のポリイミド環内の力μボニル基の伸縮振動に基づ
く吸収の吸光度よシ定量した。室温から１４０°Ｃ付近
まではほぼ消光状態となっているが、１５０℃付近で急
激に透光状態となシ垂直配向から面配向へと急激な配向
変化が起こることが分かった。ポリイミド化率は１２０
℃では３％、１５０℃で４２％、１８０℃では９２％と
なってお、９．１５０℃付近の配向変化はポリイミド化
に伴うものである。
この垂直配向状態のポリアミック酸のキャストフィルム
から面配向状態のポリイミド膜への配向変化は電場によ
シ制御できることが分かった。すなわち、静電場を印加
した状態で熱処理を行えば垂直配向状態が保持されたま
までポリイミド化が起こることが分かった。電界強度と
しては、 ｌ １０ Ｍｖ／ｅｓでは部分的に垂直配
向状態が保たれているが、α２０ Ｍ′ｖ／ｅｘではほ
ぼ垂直配向状態が保持され、蚤ましくはα２５Ｍｖ／−
以上の電界強度下で熱処理すれば良いことが分かった。
から面配向状態のポリイミド膜への配向変化は電場によ
シ制御できることが分かった。すなわち、静電場を印加
した状態で熱処理を行えば垂直配向状態が保持されたま
までポリイミド化が起こることが分かった。電界強度と
しては、 ｌ １０ Ｍｖ／ｅｓでは部分的に垂直配
向状態が保たれているが、α２０ Ｍ′ｖ／ｅｘではほ
ぼ垂直配向状態が保持され、蚤ましくはα２５Ｍｖ／−
以上の電界強度下で熱処理すれば良いことが分かった。
このような垂直配向状態の程度はコノスコープ像の観察
によシ定性的ではあるが判定できる。
によシ定性的ではあるが判定できる。
なお、ポリアミック酸の脱水閉環過程では脱水に伴い収
縮が起こる。静電場下での熱処理では分子鎖の垂直配向
状態が保持されているため、膜面に対し垂直方向の引張
弾性率は大きいが面方向の引張弾性率は小さくなってい
る。したがって、専ら面方向に収縮し、垂直配向したポ
リイミド結晶塊の集合体となる。この結晶塊の境界には
収縮に伴い空隙ができる。この空隙が面方向の熱歪を吸
収する役割をする。一方、膜面に対し垂直方向の線膨張
率はポリイミドの分子鎖が垂直に配向しているため小さ
な値になっておシ、熱伝導率は大きくなっている。
縮が起こる。静電場下での熱処理では分子鎖の垂直配向
状態が保持されているため、膜面に対し垂直方向の引張
弾性率は大きいが面方向の引張弾性率は小さくなってい
る。したがって、専ら面方向に収縮し、垂直配向したポ
リイミド結晶塊の集合体となる。この結晶塊の境界には
収縮に伴い空隙ができる。この空隙が面方向の熱歪を吸
収する役割をする。一方、膜面に対し垂直方向の線膨張
率はポリイミドの分子鎖が垂直に配向しているため小さ
な値になっておシ、熱伝導率は大きくなっている。
以下、本発明を実施例によシ更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されない。
本発明はこれらの実施例に限定されない。
実施例１
市販の４．４′−ジアミノゾフエニｙエーテＩｖｔ１５
ｆ１昇華精製したピロメリット酸２無水物Ｌ ３０ ｆ
及ヒ市販のＮ、Ｎ−ジメチμアセトアミド１５−を窒素
ガス導入管を備えたガラス容器に仕込み、室温で４時間
マグネチックスターラーでかくはん下に重縮合させた。
ｆ１昇華精製したピロメリット酸２無水物Ｌ ３０ ｆ
及ヒ市販のＮ、Ｎ−ジメチμアセトアミド１５−を窒素
ガス導入管を備えたガラス容器に仕込み、室温で４時間
マグネチックスターラーでかくはん下に重縮合させた。
次いで上記のポリアミック酸溶液をスピンコーターでス
フイドガラス上に塗布し、１２０°Ｃで１時間鼻奉乾燥
して厚さ４０μｍのポリアミック酸のキャストフィルム
を得た。このキャストフィルムｔ＜ｉ光ａ微鏡により観
察したところ明りょうなコノスコープ像が認められた。
フイドガラス上に塗布し、１２０°Ｃで１時間鼻奉乾燥
して厚さ４０μｍのポリアミック酸のキャストフィルム
を得た。このキャストフィルムｔ＜ｉ光ａ微鏡により観
察したところ明りょうなコノスコープ像が認められた。
すなわち、ポリアミック酸の分子鎖が膜面に対し垂直に
配向していることを確認した。次いでこのキャストフィ
ルムを透明電極付きのスライドガラス板に挟み、０、４
ｋＶの静電圧下、すなわちＱ、 １０ ＭＶ／ａｍの
電界強度下で真空下３００℃で３０分熱処理した。この
ようにして得たポリイミド膜を偏光顕微鏡によシ観察し
たところ部分的にコノスコープ像が認められた。すなわ
ち、ポリイミドの分子鎖が１僕面に対し垂直に配向して
いる部分があることを確認した。電界強度０．１０ ’
ｈｌＶ／ｒｘでは部分的に垂直配向状態が保たれる程度
であった。
配向していることを確認した。次いでこのキャストフィ
ルムを透明電極付きのスライドガラス板に挟み、０、４
ｋＶの静電圧下、すなわちＱ、 １０ ＭＶ／ａｍの
電界強度下で真空下３００℃で３０分熱処理した。この
ようにして得たポリイミド膜を偏光顕微鏡によシ観察し
たところ部分的にコノスコープ像が認められた。すなわ
ち、ポリイミドの分子鎖が１僕面に対し垂直に配向して
いる部分があることを確認した。電界強度０．１０ ’
ｈｌＶ／ｒｘでは部分的に垂直配向状態が保たれる程度
であった。
実施例２
実施例１のポリアミック酸溶液をスピンコーターでスフ
イドガラス上に塗布し、１２０’Ｃで１時間島鑵乾燥し
て厚さ２０ ｐｍのポリアミック酸のキャストフィルム
を得た。
イドガラス上に塗布し、１２０’Ｃで１時間島鑵乾燥し
て厚さ２０ ｐｍのポリアミック酸のキャストフィルム
を得た。
次いでこのキャストフィルムを透明電極付きのスライド
ガラス板に挟み、（Ｌ４ｋＶの静電圧下、すなわち（１
２０ＭＶ ／ｃ１ｍの電界強度下で真空下３００°Ｃで
３０分熱処理した。このようにして得たポリイミド膜を
偏光顕微鏡にょシ観察したところコノスコープ像が認め
られた。すなゎち、ポリイミドの分子鎖が膜面に対し垂
直に配向していることを確認した。電界強度（Ｌ２０Ｍ
Ｖ１５１ではほぼ全体的に垂直配向状態が保たれていた
。
ガラス板に挟み、（Ｌ４ｋＶの静電圧下、すなわち（１
２０ＭＶ ／ｃ１ｍの電界強度下で真空下３００°Ｃで
３０分熱処理した。このようにして得たポリイミド膜を
偏光顕微鏡にょシ観察したところコノスコープ像が認め
られた。すなゎち、ポリイミドの分子鎖が膜面に対し垂
直に配向していることを確認した。電界強度（Ｌ２０Ｍ
Ｖ１５１ではほぼ全体的に垂直配向状態が保たれていた
。
実施例３
実施例１のポリアミック酸溶液をスピンコーターでスフ
イドガラス上に塗布し、１２０℃で１時間１ｎ乾燥して
厚さ２０μｍのポリアミック酸のキャストフィルムを得
た。次いでこのキャストフィルムを透明電極付きのスラ
イドガラス板に挟み、０．５ ｋｖの静電圧下、すなわ
ち１２５ ＭＶ ／ｅｘの電界強度下で真空下３００°
Ｃで３０分熱処理した。このようにして得たポリイミド
膜を偏光顕微鏡により観察したところ全体的に明りよう
かコノスコープ像が認められた。すなわち、ポリイミド
の分子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを確認し
た。電界強度ＣＬ２５Ｍ′ｖ／ｅｓでは全体的に垂直配
向状態が保たれていた。
イドガラス上に塗布し、１２０℃で１時間１ｎ乾燥して
厚さ２０μｍのポリアミック酸のキャストフィルムを得
た。次いでこのキャストフィルムを透明電極付きのスラ
イドガラス板に挟み、０．５ ｋｖの静電圧下、すなわ
ち１２５ ＭＶ ／ｅｘの電界強度下で真空下３００°
Ｃで３０分熱処理した。このようにして得たポリイミド
膜を偏光顕微鏡により観察したところ全体的に明りよう
かコノスコープ像が認められた。すなわち、ポリイミド
の分子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを確認し
た。電界強度ＣＬ２５Ｍ′ｖ／ｅｓでは全体的に垂直配
向状態が保たれていた。
実施例４
市販の片面を粗にしたプリント板用の厚さ５５μ惰の電
解鋼箔の粗面上に、実施例１のポリアミック酸溶液を厚
く塗布し、１２０”Ｃで１時間Ｍ乾燥して厚さ８０μｍ
のポリアミック酸のキャストフィルムを得た。続いて、
この銅張シキャストフイルムの上に上記の電界鋼箔を粗
面が接するようにして張合せた状愚で、２ｋＶのＤ電圧
下、すなわち０．２５λＣＶ ７ｃｍの電界強度下で真
空下５００°Ｃで５０分熱処理した。このようにして得
た垂直配向ポリイミド膜を絶縁１とする平行平板導体に
ついて線膨張率と熱伝導率の測定を行った。導体面に対
し垂直方向の線膨張率は零、導体面に平行な方向の線膨
張率は金属銅の線膨張率と同じｔ ４ Ｘ １０＝Ｋ”
”であり、導体面に対し垂直方向の熱伝導率はα０１Ｗ
／譚にであった。また、液体窒素温度（−１９６゛Ｃ）
と室温間及び室温と２５０°Ｃの間でヒートサイク〜を
繰返しても銅箔がはがれることもなく、変形などの歪は
認められなかった。
解鋼箔の粗面上に、実施例１のポリアミック酸溶液を厚
く塗布し、１２０”Ｃで１時間Ｍ乾燥して厚さ８０μｍ
のポリアミック酸のキャストフィルムを得た。続いて、
この銅張シキャストフイルムの上に上記の電界鋼箔を粗
面が接するようにして張合せた状愚で、２ｋＶのＤ電圧
下、すなわち０．２５λＣＶ ７ｃｍの電界強度下で真
空下５００°Ｃで５０分熱処理した。このようにして得
た垂直配向ポリイミド膜を絶縁１とする平行平板導体に
ついて線膨張率と熱伝導率の測定を行った。導体面に対
し垂直方向の線膨張率は零、導体面に平行な方向の線膨
張率は金属銅の線膨張率と同じｔ ４ Ｘ １０＝Ｋ”
”であり、導体面に対し垂直方向の熱伝導率はα０１Ｗ
／譚にであった。また、液体窒素温度（−１９６゛Ｃ）
と室温間及び室温と２５０°Ｃの間でヒートサイク〜を
繰返しても銅箔がはがれることもなく、変形などの歪は
認められなかった。
比較例１
実施例１のポリアミック酸溶液をスビンコーヤストフイ
〜ムをスフイドガラス板に挟み真空下３００°Ｃで３０
分熱処理した。このようにして得たポリイミド膜を偏光
顕微琥によシ観察したところコノスコープ像は全く認め
られず、偏光子と検光子が直交した状態でこのポリイミ
ド膜を観察したところ透光状態罠なっていた。すなわち
、ポリイミドの分子鎖が膜面に対し平行に配向している
ことを確認した。
〜ムをスフイドガラス板に挟み真空下３００°Ｃで３０
分熱処理した。このようにして得たポリイミド膜を偏光
顕微琥によシ観察したところコノスコープ像は全く認め
られず、偏光子と検光子が直交した状態でこのポリイミ
ド膜を観察したところ透光状態罠なっていた。すなわち
、ポリイミドの分子鎖が膜面に対し平行に配向している
ことを確認した。
比較例２
静電圧を零（電界強度ＯＭＶ ／ ｔ：ｎｉ ）とした
以外は実施例４と全く同様にして面配向状態のポリイミ
ド膜を絶縁層とする平行平板導体を作製した。この平行
平板導体の導体面に対し垂直方向の線膨張率は２ Ｘ
１０−ｓＫ””と大きく、熱伝導率はｃＬＯ０２Ｗ ／
５１にと小さく、いずれも無配向状態の値に近い値を
示した。なお、相対する銅箔間の接着強度は弱く、液体
窒素で冷却したところ容易にはく離した。
以外は実施例４と全く同様にして面配向状態のポリイミ
ド膜を絶縁層とする平行平板導体を作製した。この平行
平板導体の導体面に対し垂直方向の線膨張率は２ Ｘ
１０−ｓＫ””と大きく、熱伝導率はｃＬＯ０２Ｗ ／
５１にと小さく、いずれも無配向状態の値に近い値を
示した。なお、相対する銅箔間の接着強度は弱く、液体
窒素で冷却したところ容易にはく離した。
以上説明したように、本発明の垂直配向ポリイミド膜は
、膜面に対し垂直方向の線膨張率が小さくかつ熱伝導率
が大きく、膜面と平行方向の熱歪を吸収することが出来
る耐熱性の絶縁層であるという利点がある。このような
絶縁層は工Ｃチップ搭載基板内配線部や入出カケ−プル
′用の絶縁、１や超伝導応用関連の絶縁層として使用す
れば効果的でおる。
、膜面に対し垂直方向の線膨張率が小さくかつ熱伝導率
が大きく、膜面と平行方向の熱歪を吸収することが出来
る耐熱性の絶縁層であるという利点がある。このような
絶縁層は工Ｃチップ搭載基板内配線部や入出カケ−プル
′用の絶縁、１や超伝導応用関連の絶縁層として使用す
れば効果的でおる。
第１図は厚さ２０ ｐｍのポリアミック酸キャストフイ
ｙムの温度上昇に伴う偏光の透過光量変化とポリイミド
化率を示す図である。 特許出願人 日本電信電話株式会社
ｙムの温度上昇に伴う偏光の透過光量変化とポリイミド
化率を示す図である。 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- １．下記一般式１： ▲数式、化学式、表等があります▼…（１） （式中、Ａｒ＿１は４価の芳香族基、Ａｒ＿２は２価の
芳香族基を示す） で表される繰返し単位を有するポリイミドで、このポリ
イミドの分子鎖が膜面に対し垂直に配向していることを
特徴とする垂直配向ポリイミド膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28033288A JPH02127438A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 垂直配向ポリイミド膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28033288A JPH02127438A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 垂直配向ポリイミド膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02127438A true JPH02127438A (ja) | 1990-05-16 |
Family
ID=17623528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28033288A Pending JPH02127438A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 垂直配向ポリイミド膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02127438A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229039A (en) * | 1988-11-11 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display and method of manufacture |
| US6261481B1 (en) * | 1998-03-19 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd | Insulating composition |
| US7109288B2 (en) | 2001-05-18 | 2006-09-19 | Hitachi, Ltd. | Cured thermosetting resin product |
| JP2007264363A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Jsr Corp | 液晶配向剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
| WO2010050202A1 (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 株式会社カネカ | 高熱伝導性の熱可塑性樹脂組成物及び熱可塑性樹脂 |
| US8637630B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-01-28 | Kaneka Corporation | Thermoplastic resin with high thermal conductivity |
| US8921507B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-12-30 | Kaneka Corporation | Thermoplastic resin with high thermal conductivity |
| US9234095B2 (en) | 2009-09-16 | 2016-01-12 | Kaneka Corporation | Thermally-conductive organic additive, resin composition, and cured product |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP28033288A patent/JPH02127438A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229039A (en) * | 1988-11-11 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Color liquid crystal display and method of manufacture |
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| WO2010050202A1 (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 株式会社カネカ | 高熱伝導性の熱可塑性樹脂組成物及び熱可塑性樹脂 |
| US8946335B2 (en) | 2008-10-30 | 2015-02-03 | Kaneka Corporation | Highly thermally conductive thermoplastic resin composition and thermoplastic resin |
| US9234095B2 (en) | 2009-09-16 | 2016-01-12 | Kaneka Corporation | Thermally-conductive organic additive, resin composition, and cured product |
| US8637630B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-01-28 | Kaneka Corporation | Thermoplastic resin with high thermal conductivity |
| US8921507B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-12-30 | Kaneka Corporation | Thermoplastic resin with high thermal conductivity |
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