JPH025307A - 垂直配向高分子絶縁導体 - Google Patents
垂直配向高分子絶縁導体Info
- Publication number
- JPH025307A JPH025307A JP63154670A JP15467088A JPH025307A JP H025307 A JPH025307 A JP H025307A JP 63154670 A JP63154670 A JP 63154670A JP 15467088 A JP15467088 A JP 15467088A JP H025307 A JPH025307 A JP H025307A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- linear expansion
- conductors
- insulator layer
- coefficient
- Prior art date
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- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、極低温や高温などの温度差の著しい環境で使
用され、形状の安定性や信頼性が強く要求される電子部
品関連の産業分野で使用される絶縁導体に関するもので
、導体と絶縁層間の線膨張率差に基づく熱歪を緩和する
ことができると共に導体間の熱伝導性に優れた絶縁導体
、更に詳しくいえば絶縁層の線膨張率が導体面に対し垂
直方向では小さく、導体面と平行方向では導体の線膨張
率とほぼ等しく、しかも導体面に対し垂直方向の絶縁層
の熱伝導率が大きい絶縁導体に関する。
用され、形状の安定性や信頼性が強く要求される電子部
品関連の産業分野で使用される絶縁導体に関するもので
、導体と絶縁層間の線膨張率差に基づく熱歪を緩和する
ことができると共に導体間の熱伝導性に優れた絶縁導体
、更に詳しくいえば絶縁層の線膨張率が導体面に対し垂
直方向では小さく、導体面と平行方向では導体の線膨張
率とほぼ等しく、しかも導体面に対し垂直方向の絶縁層
の熱伝導率が大きい絶縁導体に関する。
近年、電子部品の高集積化、高密度化に伴い、ＩＣＣチ
ップ内線線みならず、ＩＣチップ搭載基板内配線や入出
カケ−プル内配線も細ｌｌＡｍ化の一途にあ）、ＩＣチ
ップと基板間や、基板と入出カケ−プル間の構成材料の
線膨張率差に基づくわずかな熱歪による接点障害や、Ｉ
Ｃチップより発生した熱を効率よく放熱し、素子の温度
上昇を少なくすることなどが重要な問題になっている。
ップ内線線みならず、ＩＣチップ搭載基板内配線や入出
カケ−プル内配線も細ｌｌＡｍ化の一途にあ）、ＩＣチ
ップと基板間や、基板と入出カケ−プル間の構成材料の
線膨張率差に基づくわずかな熱歪による接点障害や、Ｉ
Ｃチップより発生した熱を効率よく放熱し、素子の温度
上昇を少なくすることなどが重要な問題になっている。
また、超伝導関連の分野では超伝導特有のクエンチ現象
を抑制するために熱歪が少なく熱伝導性に優れた絶縁材
料の開発が重要になっている。
を抑制するために熱歪が少なく熱伝導性に優れた絶縁材
料の開発が重要になっている。
一般に高分子材料の線膨張率は大きいため、線膨張率の
小さなガラスなどの無機光てん剤を配合するなどして工
ａチップの線膨張率との整合性を良くした絶縁材料（基
板）や、高分子の中では比較的低線膨張率のポリイミド
を絶縁体にした入出カケ−プルなどがある。
小さなガラスなどの無機光てん剤を配合するなどして工
ａチップの線膨張率との整合性を良くした絶縁材料（基
板）や、高分子の中では比較的低線膨張率のポリイミド
を絶縁体にした入出カケ−プルなどがある。
しかしながら、ｈずれも十分満足のいくものではなく、
導体や絶縁体などの異種材料間の線膨張率差に基づく熱
歪を緩和する材料や熱伝導性に優れた絶縁材料の実現が
切望されている。
導体や絶縁体などの異種材料間の線膨張率差に基づく熱
歪を緩和する材料や熱伝導性に優れた絶縁材料の実現が
切望されている。
本発明の目的は、異種材料間の線膨張率差に基づく熱歪
を緩和することができると共に熱伝導性に優れた絶縁導
体を提供することにある。
を緩和することができると共に熱伝導性に優れた絶縁導
体を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は垂直配向高分子絶縁導体
に関する発明であって、相対する導体間釦絶縁層を有し
、該絶縁層は、導体面に対し垂直に分子軸が配向した高
分子結晶塊の集合体から成シ、該結晶塊はそれぞれ相対
する導体間にまたがっており、導体面と平行な面内の該
結晶塊の境界には空隙を有し、しかも導体間の所々に設
置した製造過程で必要な導体間隔を所定の値に保つため
のスペーサーをそのまま有するか又は有しないことを特
徴とする。
に関する発明であって、相対する導体間釦絶縁層を有し
、該絶縁層は、導体面に対し垂直に分子軸が配向した高
分子結晶塊の集合体から成シ、該結晶塊はそれぞれ相対
する導体間にまたがっており、導体面と平行な面内の該
結晶塊の境界には空隙を有し、しかも導体間の所々に設
置した製造過程で必要な導体間隔を所定の値に保つため
のスペーサーをそのまま有するか又は有しないことを特
徴とする。
ポリエチレンやポリオキクメチレンなどの結晶性高分子
を延伸することによシ、−軸方向に分子鎖が配向した高
分子材料を容易に得ることができる。このよりな−軸配
向高分子の延伸方向の線膨張率は延伸倍率と共に急速に
小さくなり、零から負の値へと変化しく１．Ｍ、ワード
（工。
を延伸することによシ、−軸方向に分子鎖が配向した高
分子材料を容易に得ることができる。このよりな−軸配
向高分子の延伸方向の線膨張率は延伸倍率と共に急速に
小さくなり、零から負の値へと変化しく１．Ｍ、ワード
（工。
Ｍ、Ｗａｒｄ）ｍ、デイベロツデメンツ イン オリエ
ンテッド ボリマーズ−１（ＤθＶθ１０ ｐｍｅ ｎ
ｔ ｓｔｎ ｏｒｉｅｎｔｅａ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ
−１）、アプライド サイエンス（Ａｐｐｌ、Ｓｃｉ、
）社、ロンドン（Ｌｏｎｄｏｎ）（１９８２））、延
伸方向の熱伝導率は延伸倍率と共に大きくなる（０．Ｌ
、チョイ（０，Ｌ、 ａｈｏｙ）ほか、〔ジャーナル
オプ ポリマー サイエンス ポリマー フイジクス
エデイＶヨン（Ｊ、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｅｌｃｉ、Ｐｏｌ
ｙｍ、 Ｐｈｙｓ、 Ｆｌｉｄ、 ） 第１８巻、第
１１８７頁（１９８０））。例えば、高密度ポリエチレ
ンの線膨張率（室温）は未延伸状態の１．２ Ｘ １０
−’ Ｋ−１から延伸倍率２倍で零、延伸倍率１８倍で
は−１，２ＸｌＯ’″′ｓＫ″″１となる。熱伝導率（
室温）は未延伸状態のαＯＯ５５”Ｉ／ｃｎｔ Ｋから
延伸倍率２５倍で０．１３ Ｗ／ｍＫと大幅に大きくな
る。ポリオキシメチレンでは、線膨張率（室温）は未延
伸状態のａＯＸｌｏ”Ｋ″″１ から延伸倍率８倍で零
、延伸倍率２０倍では−４，０×１０−・に−１となる
。熱伝導率（室温）は未延伸状態の（ＬＯＯ３７Ｗ／ｃ
ｙ＋ｓＫから延伸倍率８倍で１０３Ｗ ／ ｃｍ Ｋ
と大きくなる。しかし、延伸方向と直角の方向の線膨張
率は逆に延伸倍率と共に若干大きくなシ、延伸方向と直
角の方向の熱伝導率は小さくなる。
ンテッド ボリマーズ−１（ＤθＶθ１０ ｐｍｅ ｎ
ｔ ｓｔｎ ｏｒｉｅｎｔｅａ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ
−１）、アプライド サイエンス（Ａｐｐｌ、Ｓｃｉ、
）社、ロンドン（Ｌｏｎｄｏｎ）（１９８２））、延
伸方向の熱伝導率は延伸倍率と共に大きくなる（０．Ｌ
、チョイ（０，Ｌ、 ａｈｏｙ）ほか、〔ジャーナル
オプ ポリマー サイエンス ポリマー フイジクス
エデイＶヨン（Ｊ、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｅｌｃｉ、Ｐｏｌ
ｙｍ、 Ｐｈｙｓ、 Ｆｌｉｄ、 ） 第１８巻、第
１１８７頁（１９８０））。例えば、高密度ポリエチレ
ンの線膨張率（室温）は未延伸状態の１．２ Ｘ １０
−’ Ｋ−１から延伸倍率２倍で零、延伸倍率１８倍で
は−１，２ＸｌＯ’″′ｓＫ″″１となる。熱伝導率（
室温）は未延伸状態のαＯＯ５５”Ｉ／ｃｎｔ Ｋから
延伸倍率２５倍で０．１３ Ｗ／ｍＫと大幅に大きくな
る。ポリオキシメチレンでは、線膨張率（室温）は未延
伸状態のａＯＸｌｏ”Ｋ″″１ から延伸倍率８倍で零
、延伸倍率２０倍では−４，０×１０−・に−１となる
。熱伝導率（室温）は未延伸状態の（ＬＯＯ３７Ｗ／ｃ
ｙ＋ｓＫから延伸倍率８倍で１０３Ｗ ／ ｃｍ Ｋ
と大きくなる。しかし、延伸方向と直角の方向の線膨張
率は逆に延伸倍率と共に若干大きくなシ、延伸方向と直
角の方向の熱伝導率は小さくなる。
以下、本発明を図面に基づいて具体的に説明する。
第１図は本発明になる絶縁導体の断面斜視図であシ、符
号１は導体、２は垂直配向高分子結晶塊、５は空隙を意
味する。第１図に示すように、本発明の垂直配向高分子
絶縁導体では、絶Ｒ層となる高分子結晶塊中の高分子の
分子軸が導体面に対し垂直に配向していると共に該結晶
塊がそれぞれ相対する導体間にまたがってｂるため、導
体面に対し垂直方向の絶縁層の線膨張率は小さく、熱伝
導率は大きくなる。また、導体面と平行な面内の該結晶
塊の境界には空隙を有するため導体面と平行方向の絶縁
層の！ＩＩ膨張率は、個々の結晶塊の線膨張率は太きｂ
にもかかわらず、空隙によシ歪が吸収されるため、導体
の線膨張率とほぼ等しくなる。なお、絶縁層の導体面と
平行方向の熱伝導率は小さくなるが、通常導体は金属な
どの熱伝導性に６］れた材料であるため、絶縁導体の導
体面と平行方向の熱伝導性も優れている。
号１は導体、２は垂直配向高分子結晶塊、５は空隙を意
味する。第１図に示すように、本発明の垂直配向高分子
絶縁導体では、絶Ｒ層となる高分子結晶塊中の高分子の
分子軸が導体面に対し垂直に配向していると共に該結晶
塊がそれぞれ相対する導体間にまたがってｂるため、導
体面に対し垂直方向の絶縁層の線膨張率は小さく、熱伝
導率は大きくなる。また、導体面と平行な面内の該結晶
塊の境界には空隙を有するため導体面と平行方向の絶縁
層の！ＩＩ膨張率は、個々の結晶塊の線膨張率は太きｂ
にもかかわらず、空隙によシ歪が吸収されるため、導体
の線膨張率とほぼ等しくなる。なお、絶縁層の導体面と
平行方向の熱伝導率は小さくなるが、通常導体は金属な
どの熱伝導性に６］れた材料であるため、絶縁導体の導
体面と平行方向の熱伝導性も優れている。
絶縁層となる結晶性高分子を相対する導体面に対し垂直
に配向させる方法としては、本発明者の先の出願になる
特願昭６２−３０５８２０号明細書に示したような電場
を印加する方法などがある。このような電場による配向
方法では、絶縁層となる結晶性高分子がその分子軸方向
に双（ｒ子モーメントを有するか、若しくは双極子モー
メントを有しない場合はその重合前の化ツマ−が双極子
モーメントを有することが不可欠となる。
に配向させる方法としては、本発明者の先の出願になる
特願昭６２−３０５８２０号明細書に示したような電場
を印加する方法などがある。このような電場による配向
方法では、絶縁層となる結晶性高分子がその分子軸方向
に双（ｒ子モーメントを有するか、若しくは双極子モー
メントを有しない場合はその重合前の化ツマ−が双極子
モーメントを有することが不可欠となる。
分子軸方向に大きな双極子モーメントを有する結晶性高
分子の例としては、合成ポリペプチドの一つである結晶
内で分子鎖がαら旋構造をとるポリγ−ベンジルーＬ−
グルタメート（ｎ）がある。このＰＢＬＧはジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）などの極性溶媒中室温でαら旋構
造をとり分子軸方向に大きな双極子モーメントを有する
。例えば、このＰＢＬＧのＤＭＦ溶液を相対する導体間
に充てんし導体間に電場を印加すればＰＢＬＧは導体面
に対し垂直に配向する。
分子の例としては、合成ポリペプチドの一つである結晶
内で分子鎖がαら旋構造をとるポリγ−ベンジルーＬ−
グルタメート（ｎ）がある。このＰＢＬＧはジメチルホ
ルムアミド（ＤＭＦ）などの極性溶媒中室温でαら旋構
造をとり分子軸方向に大きな双極子モーメントを有する
。例えば、このＰＢＬＧのＤＭＦ溶液を相対する導体間
に充てんし導体間に電場を印加すればＰＢＬＧは導体面
に対し垂直に配向する。
この状態でＤＭＩＦを徐々に蒸発させれば、いわゆるソ
ルベントキャストフィルムが得られ、導体面に対し垂直
に配向したＰＢＬＧを絶縁層とする絶縁導体が得られる
。
ルベントキャストフィルムが得られ、導体面に対し垂直
に配向したＰＢＬＧを絶縁層とする絶縁導体が得られる
。
汎用のエンジニアリングプラスチックとして知られるポ
リオキシメチレン（ＰＯＭ）は、結晶内で分子鎖が９１
５ら旋構造をと如、双極子が互いに打消しあうため電場
により配向することはない。しかし、ＰＯＭの化ツマ−
の１つであるホルムアルデヒドは２．２７Ｄ（デバイ）
の双極子モーメントを有するため電場により配向する。
リオキシメチレン（ＰＯＭ）は、結晶内で分子鎖が９１
５ら旋構造をと如、双極子が互いに打消しあうため電場
により配向することはない。しかし、ＰＯＭの化ツマ−
の１つであるホルムアルデヒドは２．２７Ｄ（デバイ）
の双極子モーメントを有するため電場により配向する。
木発明者は液状のホルムアルデヒドを電場下で重合すれ
ば導体面に対し垂直方向に分子軸が配向し九ＰＯＭの結
晶塊の集合体が得られることを見出した。これは、導体
面に対し垂直方向に配向したホルムアルデヒド七ツマ−
の影響を受けて無極性のＰＯＭも化ツマ−の方向に配向
することによるものである。走差電子顕微鏡観察によシ
、第１図に示すように、ＰＯＭの結晶塊はそれぞれ相対
する導体間にまたがっておシ、導体面と平行な面内の結
晶塊の境界には空隙があることが分かった。この空隙は
、結晶塊の境界に未反応上ツマ−や低分子量のＰＯＭが
集まυ、これらが重合後に蒸発してできたものである。
ば導体面に対し垂直方向に分子軸が配向し九ＰＯＭの結
晶塊の集合体が得られることを見出した。これは、導体
面に対し垂直方向に配向したホルムアルデヒド七ツマ−
の影響を受けて無極性のＰＯＭも化ツマ−の方向に配向
することによるものである。走差電子顕微鏡観察によシ
、第１図に示すように、ＰＯＭの結晶塊はそれぞれ相対
する導体間にまたがっておシ、導体面と平行な面内の結
晶塊の境界には空隙があることが分かった。この空隙は
、結晶塊の境界に未反応上ツマ−や低分子量のＰＯＭが
集まυ、これらが重合後に蒸発してできたものである。
このような相対する導体間にあらかじめモノマーを充て
んした後に重合し高分子絶縁層を作製する方法では、製
造過程で導体間を所定の値に保つためのスペーサーが必
要となるが、このスペーサーにはガラス繊維や粒状の無
機材料あるいはポリイミドなどのプラスチックフィルム
や延伸配向繊維やフィルムなど種々の材料が使用できる
。また、この方法では導体表面を粗にすれば化ツマ−が
微細な空孔にも侵入するため、接着性に乏しいＰＯＭで
もいわゆるアンカー効果によす強固に接着することがで
きる。また、導体面に対し垂直方向、すなわち分子軸方
向の強庸は極めて強−ため、相対する導体が容易にはく
離することもないし、圧壊することもなく、形状安定性
に優れている。また、延伸配向試料の場合と同様に一方
向に配向しているため極低温下でもぜい性破壊をするこ
ともない。
んした後に重合し高分子絶縁層を作製する方法では、製
造過程で導体間を所定の値に保つためのスペーサーが必
要となるが、このスペーサーにはガラス繊維や粒状の無
機材料あるいはポリイミドなどのプラスチックフィルム
や延伸配向繊維やフィルムなど種々の材料が使用できる
。また、この方法では導体表面を粗にすれば化ツマ−が
微細な空孔にも侵入するため、接着性に乏しいＰＯＭで
もいわゆるアンカー効果によす強固に接着することがで
きる。また、導体面に対し垂直方向、すなわち分子軸方
向の強庸は極めて強−ため、相対する導体が容易にはく
離することもないし、圧壊することもなく、形状安定性
に優れている。また、延伸配向試料の場合と同様に一方
向に配向しているため極低温下でもぜい性破壊をするこ
ともない。
なお、重合法としては特願昭６２−３０５８２０号明細
書に示した放射線型合法以外にも、重合触媒をあらかじ
め化ツマ−に添加した後に電場下で重合する方法や、導
体表面にあらかじめ重合触媒を塗布した後に電場下でモ
ノマーを充てんし重合する方法など種々な方法があるが
いずれでもよい。
書に示した放射線型合法以外にも、重合触媒をあらかじ
め化ツマ−に添加した後に電場下で重合する方法や、導
体表面にあらかじめ重合触媒を塗布した後に電場下でモ
ノマーを充てんし重合する方法など種々な方法があるが
いずれでもよい。
以下１本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されない。
本発明はこれらの実施例に限定されない。
実施例１
市販の片面を粗にしたプリント板用の厚さ３５μｍの電
解銅箔を粗面が相対するようにし、との銅箔間にスペー
サーとして厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（カプ
トン）を設置した。
解銅箔を粗面が相対するようにし、との銅箔間にスペー
サーとして厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（カプ
トン）を設置した。
この相対する電解鋼箔の間隙に、市販の粉末状パラホル
ムアルデヒドの熱分解により生成した気相のホルムアル
デヒド七ツマ−を、食塩と氷で約−２０℃に冷却したト
ラップ中を通すことによシ脱水精製した後、−７８℃の
液体状態で充てんした。相対する銅箔間に５ ＫＶの静
電圧（電界強度α４ ＭＹ／ｃｍ ）を印加したまま、
Ｃｏ”によるｒ線重合を一７８℃の液相で行った。照射
線量率は５ｘ１ｏ５Ｒ／ｈ、照射時間は３時間としだ。
ムアルデヒドの熱分解により生成した気相のホルムアル
デヒド七ツマ−を、食塩と氷で約−２０℃に冷却したト
ラップ中を通すことによシ脱水精製した後、−７８℃の
液体状態で充てんした。相対する銅箔間に５ ＫＶの静
電圧（電界強度α４ ＭＹ／ｃｍ ）を印加したまま、
Ｃｏ”によるｒ線重合を一７８℃の液相で行った。照射
線量率は５ｘ１ｏ５Ｒ／ｈ、照射時間は３時間としだ。
重合後スペーサ一部を切除した絶縁導体について線膨張
率と熱伝導率の測定を行った。
率と熱伝導率の測定を行った。
導体面に対し垂直方向の線膨張率は零、導体面に平行な
方向の線膨張率は金属銅の＃！膨張率と同じ１．４ Ｘ
１０−に−１でちシ、導体面に対し垂直方向の熱伝導
率はＣＬ Ｏ５Ｗ／ａｎＫであった。また、相対する銅
箔は強固に接着しており、液体窒素温度（−１９６℃）
と室温間のと一トサイクルを繰返しても銅箔がはがれる
こともなく、変形などの歪は認められなかった。
方向の線膨張率は金属銅の＃！膨張率と同じ１．４ Ｘ
１０−に−１でちシ、導体面に対し垂直方向の熱伝導
率はＣＬ Ｏ５Ｗ／ａｎＫであった。また、相対する銅
箔は強固に接着しており、液体窒素温度（−１９６℃）
と室温間のと一トサイクルを繰返しても銅箔がはがれる
こともなく、変形などの歪は認められなかった。
比較例１
静電圧を零（電界強度口Ｍｙ／−）とした以外は実施例
１と全く同様にして絶縁導体を作製した。この絶縁導体
の導体面忙対し垂直方向の線膨張率はｌＸ１０−４に″
ｌと大きく、熱伝導率はα０ロ５Ｗ／６ＩＩＫと小さく
、いずれも未延伸状態の値に近い値を示した。なお、相
対する銅箔間の接着強度は弱く、液体窒素で冷却したと
ころ容易にはく離した。
１と全く同様にして絶縁導体を作製した。この絶縁導体
の導体面忙対し垂直方向の線膨張率はｌＸ１０−４に″
ｌと大きく、熱伝導率はα０ロ５Ｗ／６ＩＩＫと小さく
、いずれも未延伸状態の値に近い値を示した。なお、相
対する銅箔間の接着強度は弱く、液体窒素で冷却したと
ころ容易にはく離した。
以上説明したように、本発明の垂直配向高分子絶縁導体
は絶縁層の線膨張率が導体面に対し垂直方向では小さく
、導体面と平行方向では導体の線膨張率とほぼ等しく、
しか本導体面に対し垂直方向の絶Ｒ層の熱伝導率が大き
い絶縁導体であるという利点がある。このような絶縁導
体はｒｅチップ搭載基板内配線部や入出カケ−・プル用
の絶縁導体や超伝導応用関連の絶縁導体として使用すれ
ば効果的である。
は絶縁層の線膨張率が導体面に対し垂直方向では小さく
、導体面と平行方向では導体の線膨張率とほぼ等しく、
しか本導体面に対し垂直方向の絶Ｒ層の熱伝導率が大き
い絶縁導体であるという利点がある。このような絶縁導
体はｒｅチップ搭載基板内配線部や入出カケ−・プル用
の絶縁導体や超伝導応用関連の絶縁導体として使用すれ
ば効果的である。
第１図は本発明になる絶縁導体の断面斜視図である。
１：導体、２：垂直配向高分子結晶塊、３：空隙
Claims (1)
- １．相対する導体間に絶縁層を有し、該絶縁層は、導体
面に対し垂直に分子軸が配向した高分子結晶塊の集合体
から成り、該結晶塊はそれぞれ相対する導体間にまたが
つており、導体面と平行な面内の該結晶塊の境界には空
隙を有し、しかも導体間の所々に設置した製造過程で必
要な導体間隔を所定の値に保つためのスペーサーをその
まま有するか又は有しないことを特徴とする垂直配向高
分子絶縁導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154670A JPH025307A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 垂直配向高分子絶縁導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63154670A JPH025307A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 垂直配向高分子絶縁導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025307A true JPH025307A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15589334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63154670A Pending JPH025307A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 垂直配向高分子絶縁導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025307A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261481B1 (en) * | 1998-03-19 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd | Insulating composition |
| US7109288B2 (en) | 2001-05-18 | 2006-09-19 | Hitachi, Ltd. | Cured thermosetting resin product |
| WO2010050202A1 (ja) | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 株式会社カネカ | 高熱伝導性の熱可塑性樹脂組成物及び熱可塑性樹脂 |
| US8637630B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-01-28 | Kaneka Corporation | Thermoplastic resin with high thermal conductivity |
| US8921507B2 (en) | 2010-04-19 | 2014-12-30 | Kaneka Corporation | Thermoplastic resin with high thermal conductivity |
| US9234095B2 (en) | 2009-09-16 | 2016-01-12 | Kaneka Corporation | Thermally-conductive organic additive, resin composition, and cured product |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63154670A patent/JPH025307A/ja active Pending
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