JPH0212818A - プラズマ処理装置の洗浄方法 - Google Patents
プラズマ処理装置の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0212818A JPH0212818A JP16069488A JP16069488A JPH0212818A JP H0212818 A JPH0212818 A JP H0212818A JP 16069488 A JP16069488 A JP 16069488A JP 16069488 A JP16069488 A JP 16069488A JP H0212818 A JPH0212818 A JP H0212818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- plasma processing
- cleaning
- processing equipment
- processing apparatus
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
少なくとも一部をアルミニウム（ＡＩ）で構成したプラ
ズマ処理装置を洗浄する方法の改良に関し、 プラズマ処理装置の分解洗浄の頻度を低減させ、簡便且
つ低コストの洗浄方法を提供することを目的とし、 少なくとも一部がアルミニウムで構成されたプラズマ処
理装置で酸素を含むガスを励起して発生させたプラズマ
を用いエツチング或いは灰化などの処理を行うことで生
成される酸化物或いは堆積物などを水素が含まれるプラ
ズマを発生させて除去するよう構成する。
ズマ処理装置を洗浄する方法の改良に関し、 プラズマ処理装置の分解洗浄の頻度を低減させ、簡便且
つ低コストの洗浄方法を提供することを目的とし、 少なくとも一部がアルミニウムで構成されたプラズマ処
理装置で酸素を含むガスを励起して発生させたプラズマ
を用いエツチング或いは灰化などの処理を行うことで生
成される酸化物或いは堆積物などを水素が含まれるプラ
ズマを発生させて除去するよう構成する。
本発明は、少なくとも一部をＡｌで構成したプラズマ処
理装置を洗浄する方法の改良に関する。
理装置を洗浄する方法の改良に関する。
チェンバにＡＩからなる部品を使用しているプラズマ処
理装置で酸素（０２）を含むガスを利用してプラズマ処
理を行った場合、そのＡｎからなる部品の表面が酸化さ
れたり、また、特にプラズマに炭素が含有されている場
合には堆積膜が形成されたりする。
理装置で酸素（０２）を含むガスを利用してプラズマ処
理を行った場合、そのＡｎからなる部品の表面が酸化さ
れたり、また、特にプラズマに炭素が含有されている場
合には堆積膜が形成されたりする。
このような堆積膜が生成されると、その表面で酸素原子
などの活性種が反応したり、或いは、再結合するなどし
て活性を失い、目的とする処理の速度が低下したり、処
理の状況が変化したりする。
などの活性種が反応したり、或いは、再結合するなどし
て活性を失い、目的とする処理の速度が低下したり、処
理の状況が変化したりする。
そこで、前記のようなＡＡ酸化膜や堆積膜を除去し、目
的とする処理のプロセスを安定に再現させることが必要
である。
的とする処理のプロセスを安定に再現させることが必要
である。
一般に、前記したプラズマ処理装置に於いて、前記した
ような／ｌ酸化膜或いは堆積膜を除去する為には、該プ
ラズマ処理装置を分解してアンモニア（ＮＩ１３）水な
どのアルカリ溶液やアセトン或いはトリクロルエチレン
などの有機溶剤で洗浄している。
ような／ｌ酸化膜或いは堆積膜を除去する為には、該プ
ラズマ処理装置を分解してアンモニア（ＮＩ１３）水な
どのアルカリ溶液やアセトン或いはトリクロルエチレン
などの有機溶剤で洗浄している。
前記したようにプラズマ処理装置を分解して洗浄するに
は、かなり時間を要する為、度々実施するわけにはゆか
ず、また、分解する際に必ず塵が出て半導体製造工場内
の清浄度を低下させる虞があり、更にまた、プラズマ処
理装置の分解、洗浄、組み立ては結構複雑な作業であっ
て、作業の誤りが発生し易いものである。
は、かなり時間を要する為、度々実施するわけにはゆか
ず、また、分解する際に必ず塵が出て半導体製造工場内
の清浄度を低下させる虞があり、更にまた、プラズマ処
理装置の分解、洗浄、組み立ては結構複雑な作業であっ
て、作業の誤りが発生し易いものである。
従って、分解洗浄は、半導体装置を量産する場合、時間
的及びコスト的な問題を発生する。
的及びコスト的な問題を発生する。
本発明は、プラズマ処理装置の分解洗浄の頻度を低減さ
せ、簡便且つ低コストの洗浄方法を提供しようとする。
せ、簡便且つ低コストの洗浄方法を提供しようとする。
本発明に依るプラズマ処理装置の洗浄方法に於いては、
少なくとも一部がＡｌで構成されたプラズマ処理装置で
酸素を含むガスを励起して発生させたプラズマを用いエ
ツチング或いは灰化などの処理を行うことで生成される
酸化物或いは堆積物などを水素が含まれるプラズマを発
生させて除去するようにしている。
少なくとも一部がＡｌで構成されたプラズマ処理装置で
酸素を含むガスを励起して発生させたプラズマを用いエ
ツチング或いは灰化などの処理を行うことで生成される
酸化物或いは堆積物などを水素が含まれるプラズマを発
生させて除去するようにしている。
前記手段を採ることに依り、Ａ１表面の酸化物に関して
は水素原子がもつ還元作用で改質し、また、堆積物につ
いてはエツチング・レートは低いが、水素は室温でＳｔ
、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｂ、 Ｆ、 Ｃ１゜Ｃなどと揮発
性の化合物を作るのでエツチングが可能であり、従って
、プラズマ処理装置内に生成される不要な物質のあらか
たは有効に洗浄することができる。
は水素原子がもつ還元作用で改質し、また、堆積物につ
いてはエツチング・レートは低いが、水素は室温でＳｔ
、 Ｐ、 Ａｓ、 Ｂ、 Ｆ、 Ｃ１゜Ｃなどと揮発
性の化合物を作るのでエツチングが可能であり、従って
、プラズマ処理装置内に生成される不要な物質のあらか
たは有効に洗浄することができる。
図は本発明を実施するプラズマ処理装置の一例であるプ
ラズマ・ダウン・フロー・エツチング装置（或いはアッ
シング装置）の要部説明図を表している。
ラズマ・ダウン・フロー・エツチング装置（或いはアッ
シング装置）の要部説明図を表している。
図に於いて、１はプラズマ発生室、２はガス送入管、３
はマイクロ波透過窓、４はシャワー・ヘッド、５は処理
室、６はステージ、７はマイクロ波、８はプラズマ、９
はウェハをそれぞれ示している。尚、本装置の内壁は全
て高純度のＡＩで構成されている。
はマイクロ波透過窓、４はシャワー・ヘッド、５は処理
室、６はステージ、７はマイクロ波、８はプラズマ、９
はウェハをそれぞれ示している。尚、本装置の内壁は全
て高純度のＡＩで構成されている。
（１） 第一実施例
図示の装置を用い、
ＣＦ４：４００ （。。／分〕
０２：１３０（ｃｃ／分〕
として混合したガスを１（Ｔｏｒｒ）の圧力下で、２．
４５ （ＧＨｚ） 、１． ５ （ＫＷ）のマイクロ
波で励起してプラズマ発生室１内にプラズマ８を発生さ
せる。このプラズマ８はシャワー・ヘッド４で遮蔽され
ているので、中性の活性粒子のみが処理室５内に入るこ
とができ、そこで多結晶シリコンや二酸化シリコン（Ｓ
ｉ０２）をエツチングする。
４５ （ＧＨｚ） 、１． ５ （ＫＷ）のマイクロ
波で励起してプラズマ発生室１内にプラズマ８を発生さ
せる。このプラズマ８はシャワー・ヘッド４で遮蔽され
ているので、中性の活性粒子のみが処理室５内に入るこ
とができ、そこで多結晶シリコンや二酸化シリコン（Ｓ
ｉ０２）をエツチングする。
このようにして、例えば厚さ４０００ （人〕の多結晶
シリコン膜をエツチングする工程を実施した場合、５０
０ ［枚〕程度のウェハを処理した段階でエツチング・
レートが低下し始め、５０００ （枚〕程度のウェハを
処理すると、当初、６０００ （人／分〕程度であった
エツチング・レートは約４５００ （人／分〕程度に
まで低下する。
シリコン膜をエツチングする工程を実施した場合、５０
０ ［枚〕程度のウェハを処理した段階でエツチング・
レートが低下し始め、５０００ （枚〕程度のウェハを
処理すると、当初、６０００ （人／分〕程度であった
エツチング・レートは約４５００ （人／分〕程度に
まで低下する。
この際、プラズマ発生室ｌ内、マイクロ波透過窓３、シ
ャワー・ヘッド４の何れにも黒い煤状粒子の付着が観察
される。
ャワー・ヘッド４の何れにも黒い煤状粒子の付着が観察
される。
そこで、
Ｈ２：３００（ＣＣ／分〕
Ｎ２ ： ７００ （ｃｃ／分）
として混合したガスを１（Ｔｏｒｒ）の圧力下で、２．
４５ （Ｇｌｌｚ） 、１． ５ （ＫＷ）のマイク
ロ波で励起することに依ってプラズマを発生させ、１
〔分〕間ずつ、断続的に合計１ 〔時間〕の洗浄を行っ
た。
４５ （Ｇｌｌｚ） 、１． ５ （ＫＷ）のマイク
ロ波で励起することに依ってプラズマを発生させ、１
〔分〕間ずつ、断続的に合計１ 〔時間〕の洗浄を行っ
た。
その結果、多結晶シリコンのエツチング・レートは５７
００ （人／分〕まで回復した。
００ （人／分〕まで回復した。
（２）第二実施例
図示の装置を用い、
Ｏｚ：２（７１／分〕
ＣＦ４ ： １００ （ｃｃ／分〕
として混合したガスを１（Ｔｏｒｒ）の圧力下で、２．
４５ （Ｇｌｌｚ） 、１．５ （ＫＷ）のマイクロ
波で励起してプラズマ発生室１内にプラズマ８を発生さ
せ、処理室５内でフォト・レジスト膜の灰化を行った。
４５ （Ｇｌｌｚ） 、１．５ （ＫＷ）のマイクロ
波で励起してプラズマ発生室１内にプラズマ８を発生さ
せ、処理室５内でフォト・レジスト膜の灰化を行った。
この場合、厚さｌ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜除去
を行った。最初の一枚目の処理速度は１、 ５ Ｃ１１
ｍ１分〕であったが、５００〔枚〕程度のウェハを処理
した段階で灰化速度は低下し始め、やはり５０００ （
枚〕程度のウェハを処理すると、６０００ （人／分〕
程度にまで急激に低下した。
を行った。最初の一枚目の処理速度は１、 ５ Ｃ１１
ｍ１分〕であったが、５００〔枚〕程度のウェハを処理
した段階で灰化速度は低下し始め、やはり５０００ （
枚〕程度のウェハを処理すると、６０００ （人／分〕
程度にまで急激に低下した。
そこで、第一実施例と同じ洗浄を実施したところ、灰化
速度は１．１ 〔μｍ／分〕まで回復した。
速度は１．１ 〔μｍ／分〕まで回復した。
現在、多結晶シリコンのエツチングやフォト・レジスト
の灰化を行う場合には、５００枚のウェハを処理するご
とに前記Ｈ２を含むプラズマに依って処理装置の洗浄を
実施しているのであるが、５０００枚のウェハを処理し
た段階で、多結晶シリコンのエツチング・レートは５３
００ （人／分〕程度を、また、フォト・レジストの灰
化レートは９０００ （人／分〕程度を維持することが
可能である。
の灰化を行う場合には、５００枚のウェハを処理するご
とに前記Ｈ２を含むプラズマに依って処理装置の洗浄を
実施しているのであるが、５０００枚のウェハを処理し
た段階で、多結晶シリコンのエツチング・レートは５３
００ （人／分〕程度を、また、フォト・レジストの灰
化レートは９０００ （人／分〕程度を維持することが
可能である。
本発明は、加工処理に用いるプラズマが０２単独の場合
は勿論のこと、０２にＮ２．Ｎ２０．ＣＦ４．ＣＨＦ３
．Ｃ２Ｆ８．Ｃ３Ｆ８．ＮＦ３゜ＳＦ６．Ｎ２．Ｎ２０
．Ｃ１２，ＣＣｌＦ３．ＣＣｌ２Ｆ２．Ｃ２Ｃｌ１Ｆ３
などの一種或いは複数種が含まれている場合に実施して
有効である。また、洗浄処理に用いるプラズマはＮ２単
独の場合は勿論のこと、Ｎ２にＮ２．Ａｒ、ｌ（ｅ、
Ｘｅ。
は勿論のこと、０２にＮ２．Ｎ２０．ＣＦ４．ＣＨＦ３
．Ｃ２Ｆ８．Ｃ３Ｆ８．ＮＦ３゜ＳＦ６．Ｎ２．Ｎ２０
．Ｃ１２，ＣＣｌＦ３．ＣＣｌ２Ｆ２．Ｃ２Ｃｌ１Ｆ３
などの一種或いは複数種が含まれている場合に実施して
有効である。また、洗浄処理に用いるプラズマはＮ２単
独の場合は勿論のこと、Ｎ２にＮ２．Ａｒ、ｌ（ｅ、
Ｘｅ。
Ｋｒなどの一種或いは複数が含まれていて良く、このよ
うに、Ｈ２に不活性ガスを混入すると安全性が増し、取
り扱いが容易になる。尚、洗浄効果についてはＮ２単独
の場合と変わりない。
うに、Ｈ２に不活性ガスを混入すると安全性が増し、取
り扱いが容易になる。尚、洗浄効果についてはＮ２単独
の場合と変わりない。
本発明のプラズマ処理装置の洗浄方法に於いては、少な
くとも一部がＡＩで構成されているプラズマ処理装置を
Ｎ２を含むプラズマで洗浄するようにしている。
くとも一部がＡＩで構成されているプラズマ処理装置を
Ｎ２を含むプラズマで洗浄するようにしている。
このような構成を採ることに依り、従来、プラズマ処理
装置の分解洗浄は、多結晶シリコンをエツチングする場
合、ウェハ１０００ （枚〕処理毎に実施していたが、
本発明では１００００ （枚〕処理毎に、また、フォト
・レジストを灰化する場合、従来はウェハ５００〔枚〕
処理毎に実施していたが、本発明では２０００ （枚）
毎に行えば良いなど、大幅にその頬度を低減させること
ができる。尚、これは本発明に依る洗浄をウェハ１００
〔枚〕の処理毎に実施した場合のことである。
装置の分解洗浄は、多結晶シリコンをエツチングする場
合、ウェハ１０００ （枚〕処理毎に実施していたが、
本発明では１００００ （枚〕処理毎に、また、フォト
・レジストを灰化する場合、従来はウェハ５００〔枚〕
処理毎に実施していたが、本発明では２０００ （枚）
毎に行えば良いなど、大幅にその頬度を低減させること
ができる。尚、これは本発明に依る洗浄をウェハ１００
〔枚〕の処理毎に実施した場合のことである。
図は本発明を実施するプラズマ処理装置の一例であるプ
ラズマ・ダウン・フロー・エツチング装置（或いはアッ
シング装置）の要部説明図を表している。 図に於いて、１はプラズマ発生室、２はガス送入管、３
はマイクロ波透過窓、４はシャツ、−・ヘッド、５は処
理室、６はステージ、７はマイクロ波、８はプラズマ、
９はウェハをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − ９６一
ラズマ・ダウン・フロー・エツチング装置（或いはアッ
シング装置）の要部説明図を表している。 図に於いて、１はプラズマ発生室、２はガス送入管、３
はマイクロ波透過窓、４はシャツ、−・ヘッド、５は処
理室、６はステージ、７はマイクロ波、８はプラズマ、
９はウェハをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − ９６一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一部がアルミニウムで構成されたプラズマ処
理装置で 酸素を含むガスを励起して発生させたプラズマを用い エッチング或いは灰化などの処理を行うことで生成され
る酸化物或いは堆積物などを 水素が含まれるプラズマを発生させて除去すること を特徴とするプラズマ処理装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16069488A JPH0212818A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | プラズマ処理装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16069488A JPH0212818A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | プラズマ処理装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212818A true JPH0212818A (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15720448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16069488A Pending JPH0212818A (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | プラズマ処理装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0212818A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0630086U (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-19 | エレコム販売株式会社 | ディスク等収納ケースの仕切り構造 |
| US5499915A (en) * | 1992-11-06 | 1996-03-19 | Sodick Co., Ltd. | Pre-plasticizing injection molding machine |
| US5679204A (en) * | 1995-09-22 | 1997-10-21 | Shikoku Instrumentation Co., Ltd. | Plasma apparatus |
| US6232237B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| KR100560952B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2006-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 표면 처리 방법 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP16069488A patent/JPH0212818A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0630086U (ja) * | 1992-09-25 | 1994-04-19 | エレコム販売株式会社 | ディスク等収納ケースの仕切り構造 |
| US5499915A (en) * | 1992-11-06 | 1996-03-19 | Sodick Co., Ltd. | Pre-plasticizing injection molding machine |
| US5679204A (en) * | 1995-09-22 | 1997-10-21 | Shikoku Instrumentation Co., Ltd. | Plasma apparatus |
| DE19614524C2 (de) * | 1995-09-22 | 2001-09-13 | Shikoku Instrumentation Co | Plasmaätzvorrichtung |
| US6232237B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| KR100560952B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2006-03-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 표면 처리 방법 |
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