JPS6373524A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS6373524A JPS6373524A JP21746386A JP21746386A JPS6373524A JP S6373524 A JPS6373524 A JP S6373524A JP 21746386 A JP21746386 A JP 21746386A JP 21746386 A JP21746386 A JP 21746386A JP S6373524 A JPS6373524 A JP S6373524A
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- JP
- Japan
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- pressure
- stage
- discharge
- glow discharge
- plasma
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プラズマを用いて半導体基板の食刻、洗浄も
しくは同基板上への薄膜の形成を行うプラズマ処理の方
法、特に、上記処理の最適ガス圧力条件でのプラズマ放
電の起動が困難な場合のプラズマ処理方法に関するもの
である。
しくは同基板上への薄膜の形成を行うプラズマ処理の方
法、特に、上記処理の最適ガス圧力条件でのプラズマ放
電の起動が困難な場合のプラズマ処理方法に関するもの
である。
従来の技術
プラズマエツチング装置あるいはプラズマデボジシ璽ン
装置では、片側の電極上に半導体基板を設置し、反応室
内を真空排気しつつ、所望のガスを導入し、両電極間に
高周波電力を印加してガスをプラズマ状態とし、このプ
ラズマ放電によりエツチングやデポジション等を行って
いる。（例えば小林高洋他著「ドライプロセス応用技術
−超微細素子の製作−」（昭、５９．７．２０）、日刊
工業新聞社、Ｐ７９ ） 発明が解決しようとする問題点 しかし、このようなプラズマ処理装置では、プラズマを
発生するだめのグロー放電の起動時に、インピーダンス
の関係から圧力設定に制限を受けるため、最適の処理条
件に設定することが困難であるという問題があった。
装置では、片側の電極上に半導体基板を設置し、反応室
内を真空排気しつつ、所望のガスを導入し、両電極間に
高周波電力を印加してガスをプラズマ状態とし、このプ
ラズマ放電によりエツチングやデポジション等を行って
いる。（例えば小林高洋他著「ドライプロセス応用技術
−超微細素子の製作−」（昭、５９．７．２０）、日刊
工業新聞社、Ｐ７９ ） 発明が解決しようとする問題点 しかし、このようなプラズマ処理装置では、プラズマを
発生するだめのグロー放電の起動時に、インピーダンス
の関係から圧力設定に制限を受けるため、最適の処理条
件に設定することが困難であるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、グロー放
電起動のための圧力制限を小さくして、最適の圧力条件
でプラズマ処理を行うだめのものである。
電起動のための圧力制限を小さくして、最適の圧力条件
でプラズマ処理を行うだめのものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、プラズマ処理の
圧力条件を２段階以上に分け、第１段階では、グロー放
電の起動が容易な圧力に設定し、グロー放電を印加した
まま第２段階以後の最適処理の条件の圧力に移行する。
圧力条件を２段階以上に分け、第１段階では、グロー放
電の起動が容易な圧力に設定し、グロー放電を印加した
まま第２段階以後の最適処理の条件の圧力に移行する。
この場合、第１段階でグロー放電が開始されているため
放電インピーダンスが減少し、第２段階以後での圧力条
件でもグロー放電が継続する。
放電インピーダンスが減少し、第２段階以後での圧力条
件でもグロー放電が継続する。
作 用
この構成によシ、第２段階以後の圧力設定の制限は、グ
ロー放電の維持が可能であるか否がだけとなり、従来の
方法に比べて設定圧力条件の範囲が大幅に拡大する。
ロー放電の維持が可能であるか否がだけとなり、従来の
方法に比べて設定圧力条件の範囲が大幅に拡大する。
実施例
シリコン窒化膜のエツチングに関しての一実施例を述べ
る。ＣＦ４＋０２（１０チ）ガス系で行う場合、エツチ
ング圧力は、１．５〜２．５ Ｔｏｒｒが工；ツチング
速度、対レジスト選択比の点で望ましい。
る。ＣＦ４＋０２（１０チ）ガス系で行う場合、エツチ
ング圧力は、１．５〜２．５ Ｔｏｒｒが工；ツチング
速度、対レジスト選択比の点で望ましい。
しかしながら、ＲＦ放電の起動は通常の電源では困難な
ため、第１段階のプラズマ放電の起動を圧力１ 、ＯＴ
ｏｒｒで行い、２秒後に第２段階の２．０ Ｔｅ１ｍに
移行する。第１段階の圧力でのプラズマ放電の印加時間
は短時間であり、エツチング特性は、第２段階の条件で
ほぼ決定される。処理条件により、第２段階に引きつづ
き第３段階以降を行なうこともできる。
ため、第１段階のプラズマ放電の起動を圧力１ 、ＯＴ
ｏｒｒで行い、２秒後に第２段階の２．０ Ｔｅ１ｍに
移行する。第１段階の圧力でのプラズマ放電の印加時間
は短時間であり、エツチング特性は、第２段階の条件で
ほぼ決定される。処理条件により、第２段階に引きつづ
き第３段階以降を行なうこともできる。
発明の効果
プラズマ放電の起動が困難な圧力条件においても、本発
明の方法によれば、問題なく使用することができ、最適
の圧力条件を選ぶことができる。
明の方法によれば、問題なく使用することができ、最適
の圧力条件を選ぶことができる。
また、第１段階のプラズマ起動の条件は短時間でよいた
め、プラズマ処理特性は、第２段階の特性でほぼ決定さ
れるため、最適のプラズマ処理の圧力条件の範囲が拡大
する。
め、プラズマ処理特性は、第２段階の特性でほぼ決定さ
れるため、最適のプラズマ処理の圧力条件の範囲が拡大
する。
Claims (2)
- （１）プラズマを発生させるためのグロー放電の印加に
際し、放電圧力条件において２段階以上の圧力設定値を
有し、第１段階の圧力条件設定をグロー放電起動の容易
な領域で行い、グロー放電を維持したまま第２段階以後
の最適処理条件の圧力で行うことを特徴とするプラズマ
処理方法。 - （２）第２段階以後の処理条件設定において、ガスの種
類、組成比、印加電力を第１段階の条件と異なる設定値
で行う特許請求の範囲第１項に記載のプラズマ処理方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21746386A JPS6373524A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21746386A JPS6373524A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373524A true JPS6373524A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16704626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21746386A Pending JPS6373524A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373524A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02216823A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH04132221A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| US6417013B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-07-09 | Plasma-Therm, Inc. | Morphed processing of semiconductor devices |
| JP2011068288A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Aisin Seiki Co Ltd | ハイブリッド車両の駆動装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128620A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Toshiba Corp | プラズマ装置の制御方法 |
| JPS61114530A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング方法及びその装置 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP21746386A patent/JPS6373524A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128620A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Toshiba Corp | プラズマ装置の制御方法 |
| JPS61114530A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング方法及びその装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02216823A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| JPH04132221A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-06 | Nec Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| US6417013B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-07-09 | Plasma-Therm, Inc. | Morphed processing of semiconductor devices |
| JP2011068288A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Aisin Seiki Co Ltd | ハイブリッド車両の駆動装置 |
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