JPH0212931A - 回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体チップを含む回路装置の製造方法に関
する。

［従来の技術］ 従来の代表的な混成集積回路は次の（１）〜（１１）の
工程で製造される。

（１）　分割消が形成された多数個取り用の集合基板の
表面にｔ極ペーストを印刷し、焼き付は処理して配線導
体を形成する工程。

（２）　配線導体に接続されるように金ペーストを印刷
し、焼き付は処理してボンディングランドを形成する工
程。

（３）　配線導体に接続されるように抵抗ペーストを印
刷し、焼き付は処理して厚膜抵抗体を形成する工程。

（４）　配線導体の部品実装用ランド、リードランド及
びボンディングランドを除いた回路基板の表面に保護ガ
ラスを印刷し、焼き付ける工程。

（５）　厚膜抵抗体をレーザートリミングする工程。

（６）　部品実装用ランド上に半田ペーストを印刷し、
チップ部品を搭載した後、リフロー法で半田付けする工
程。

（７）　回路基板に導電性接着剤を塗布し、半導体チッ
プを載置し、焼き付は処理してＩＣチップ、トランジス
タチップ等の半導体チップを固着する工程。

（８）　半導体チップと回路基板上のボンディングラン
ドとをワイヤにより接続する工程。

（９）　半導体チップ及びワイヤの上に絶縁性樹脂を塗
布し、焼き付は処理して樹脂被覆層（チップコート）を
形成する工程。

（１０）　回路基板を分割溝に沿って複数に分割した後
、得られたそれぞれの基板のリードランド部分にそれぞ
れクリップリードのクリップ部を嵌合させ、この嵌合部
を半田槽内に浸漬して半田付けを行う工程。

（１１）　回路基板の外周面にデイツプ塗装により絶縁
性塗料を塗布し、焼き付は処理して外装被膜を形成する
工程。

ところで、小型化が要求されるために分割溝に接近させ
て半導体チップを配置すると、これを被覆するための樹
脂が分割溝内に侵入し、分割溝に沿って分割することが
困難になるという問題があった。また、被覆樹脂がリー
ドランド部分まではみ出すと、リードランド部にクリッ
プリードのクリップ部を嵌合させることが不可能になっ
たり、あるいは半田付けが不十分になるという問題があ
った。

この問題を解決するために、第４図に示すように、回路
基板１上に半導体チップ２を固着し、これとボンディン
グランド３とをワイヤ４で接続し、環状ダム（阻止壁形
成用樹脂リング）６で樹脂の流れを阻止して樹脂被覆層
５を限定的に形成することがある。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、ダム６をワイヤ４に接近配置しなければ
ならないために、ワイヤ６又はこのボンディング部分に
ダム６が接触し、ワイヤ４の切断又はボンディング部分
の接続不良が発生することがあった。

そこで、本発明の目的はワイヤを損傷することなしに限
定された領域に樹脂被覆層を形成することが可能な回路
装置の製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明は、回路基板上に半導
体チップを装着する工程と、前記半導体チップと前記回
路基板上のボンディングランドとをワイヤで接続する工
程と、前記半導体チップと前記ワイヤを覆うように光硬
化型樹脂を塗布する工程と、前記光硬化型樹脂の少なく
とも前記半導体チップと前記ワイヤとを含む限定された
領域に光を照射してこの領域を硬化させる工程と、前記
光硬化型樹脂の未硬化部分を除去する工程とを有する回
路装置の製造方法に係わるものである。なお、本発明に
おける光は可視光のみならず紫外線等の非可視光も意味
するものとする。

［作用］ 上記発明においては、樹脂被覆層を限定的に形成する時
にダム等の樹脂流れ止め部材を使用する必要がないので
、ワイヤ及びボンディング部分（こ外力が不要に加わる
恐れが少なくなる。

［実施例コ 第１図〜第３図を参照して本発明の実施例に係わる混成
集積回路の製造方法を説明する。

まず、第２図に示すように分割溝７を有するアルミナ基
板から成る集合回路基板１を用意する。

次に、回路基板１の表面にスクリーン印刷によりＡ（１
−Ｐｄペーストを塗布し、１５０℃で１０分間乾燥した
のち８５０℃で１０分焼き付け、配線導体（図示せず）
を形成する。

次に、配線導体に接続されるようにスクリーン印刷によ
りＡＩＪペーストを印刷し、１５０℃で１０分間乾燥し
たのち８５０℃で１０分焼き付け、ボンディングランド
３を形成する。

次に、配線導体に接続されるようにスクリーン印刷によ
りＲｕ　０２ペーストを印刷し、１５０℃で１０分間乾
燥したのち８５０℃で１０分焼き付け、厚膜抵抗体（図
示せず）を形成する。

次に、配線導体の部品実装用ランド、リードランドおよ
び前記ボンディングランドを除いた前記厚膜印刷基板の
表面に、スクリーン印刷によりガガラスペーストを塗布
し、１５０℃で１０分間乾燥したのち５００℃で１０分
間焼き付は処理して保護ガラス層（図示せず）を形成す
る。

次に、所定の抵抗値が得られるように厚膜抵抗体をレー
ザートリミングする。

次に、部品実装用ランド上にそれぞれ半田ベーストを印
刷し、チップ部品８を載置した後、２３５℃で５秒間の
りフローで半田付けする。

次に、回路基板１の所定の箇所に導電性接着剤を塗布し
たのち、半導体チップ２を載置し、１５０℃で６０分間
焼き付は処理して半導体チップ２を回路基板１に固着す
る。

次に、第１図（Ａ）に示すように半導体チップ２とボン
ディングランド３とのＡｔｌ線から成るワイヤ４によっ
て接続する。なお、半導体チップ２に対してはワイヤ４
をポールボンディングで接続し、ボンディングランド３
に対してはワイヤ４をステッチボンディングで接続する
。

次に、第１図（Ａ）に示すように、半導体チップ２及び
ワイヤ４を覆うようにエポキシ系紫外線硬化型樹脂９（
松下電工製ＣＶ’７０２３　）をデイスペンサーにより
塗布する。

次に、第１図（Ｂ）に示すように、マスク１０を使用し
て紫外線１３を樹脂９の半導体チップ２及びワイヤ４の
被覆領域に照射し、この領域を硬化させる。

次に、樹脂９の未硬化部分をキシレンによって溶解除去
し、さらに、１２０℃で６０分間熱処理して第１図（Ｃ
）に示すように硬化樹脂から成る樹脂被覆ＩＮ　９　ａ
を得る。

次に、回路基板１を分割溝７に沿って分割し、第３図に
示すようにリードランド１１にクリップリード１２を嵌
合させ、嵌合部を半田槽に浸漬して半田付けする。

上記方法で混成集積回路を製造すると、ダム等を設けて
樹脂の流れ止めを行う必要がないので、ワイヤ４にダム
等が接触することによるワイヤ４の切断やワイヤ４のポ
ンデイグ部分の剥離が発生しない。

また、分割溝７に半導体チップ２を近接配置しても、分
割溝７に硬化した樹脂が残存しない、従って、回路基板
１の分割を確実に達成することができる。

また、半導体チップ２がリードランド１１に近接配置さ
れていても、リードランド１１が樹脂で被覆されるとい
う問題が生じない。

［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定するものでなく、変形可能
なものである。例えば、紫外線硬化型樹脂としてシリコ
ン系紫外線硬化型樹脂等を使用することができる。なお
、エポキシ系及びシリコン系の紫外線硬化型樹脂を使用
する場合、樹脂中の＋　　　＋ Ｋ　　、Ｎａ　　、ＣＩ　　　　（ＳＯ２）２−等のイ
オン濃度がｉ　ｏ　ｏ　ｐｐｉ以下であることが望まし
い。

また、光照射のみにより樹脂の硬化を確実に行なえる場
合は、その後の熱処理の工程を省略することもできる。

［発明の効果］ 上述のように本発明によれば、ワイヤ等を損傷すること
なしに樹脂被覆層を限定された領域に形成することが可
能な回路装置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明の実施例に係わる混
成集積回路における樹脂被覆層の形成方法を示す断面図
、 第２Ｕ５！Ｊは実施例の混成集積回路を樹脂被覆層形成
前の集合回路基板の状態で示す平面図、第３図は樹脂被
覆層を形成して分割した後の状態を示す平面図、 第４図は従来の樹脂被覆層の形成方法を説明するための
断面図である。 １・・・回路基板、２・・・半導体チップ、３・・・ボ
ンディングランド、４・・・ワイヤ、７・・・分割溝、
９・・・紫外線硬化型樹脂、９ａ・・・樹脂被覆層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］回路基板上に半導体チップを装着する工程と、 前記半導体チップと前記回路基板上のボンディングラン
   ドとをワイヤで接続する工程と、 前記半導体チップと前記ワイヤを覆うように光硬化型樹
   脂を塗布する工程と、 前記光硬化型樹脂の少なくとも前記半導体チップと前記
   ワイヤとを含む限定された領域に光を照射してこの領域
   を硬化させる工程と、 前記光硬化型樹脂の未硬化部分を除去する工程と を有することを特徴とする回路装置の製造方法。