JPH02129912A - Resist coater - Google Patents
Resist coaterInfo
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- JPH02129912A JPH02129912A JP63284406A JP28440688A JPH02129912A JP H02129912 A JPH02129912 A JP H02129912A JP 63284406 A JP63284406 A JP 63284406A JP 28440688 A JP28440688 A JP 28440688A JP H02129912 A JPH02129912 A JP H02129912A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- resist
- photoresist
- resist coating
- chuck
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用して好適なレジス
ト塗布装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resist coating apparatus suitable for use in semiconductor manufacturing processes.
従来、この種のレジスト塗布装置は、カップ内に回転自
在に設けられ半導体ウェハを吸着する真空チャックを備
えたものが採用されている。Conventionally, this type of resist coating apparatus has been equipped with a vacuum chuck that is rotatably provided in a cup and that sucks a semiconductor wafer.
このように構成されたレジスト塗布装置を用いるレジス
ト塗布は、予めアライメントマーク用の凸部が設けられ
た半導体ウェハの中央部にフォトレジスト液を滴下する
ことにより行われる。Resist coating using the resist coating apparatus configured as described above is performed by dropping a photoresist liquid onto the center of the semiconductor wafer, on which a convex portion for an alignment mark is provided in advance.
このようにして、半導体ウェハの面全体にフォトレジス
ト膜が形成される。In this way, a photoresist film is formed over the entire surface of the semiconductor wafer.
なお、半導体ウェハは、レジスト塗布時に真空チャック
によって高速回転される。Note that the semiconductor wafer is rotated at high speed by a vacuum chuck during resist coating.
ところで、従来のレジスト塗布装置によって得られたフ
ォトレジスト膜は、第6図(alに矢印で示す方向に回
転する半導体ウェハ1の中央部にフォトレジスト液2を
滴下し、このとき作用する遠心力によってウェハ全体に
塗布されるものであるため、同図(′b)および(C)
に示すようにアライメントマーク用の凸部3の位置によ
ってレジスト塗布後の断面形状が大きく異なる。すなわ
ち、ウェハ中央部のフォトレジスト液2に作用する遠心
力は小さいものであるため、同図(b)に示すようにフ
ォトレジスト膜4の断面形状は左右略対称となるものの
。By the way, a photoresist film obtained by a conventional resist coating apparatus is produced by dropping a photoresist solution 2 onto the center of a semiconductor wafer 1 rotating in the direction shown by the arrow in FIG. ('b) and (C).
As shown in FIG. 2, the cross-sectional shape after resist application differs greatly depending on the position of the alignment mark convex portion 3. That is, since the centrifugal force acting on the photoresist liquid 2 at the center of the wafer is small, the cross-sectional shape of the photoresist film 4 is approximately symmetrical as shown in FIG. 2B.
ウェハ周縁部のフォトレジスト液2に作用する遠心力は
大きいものであるため、同図(C)に示すようにフォト
レジスト膜4の断面形状は左右非対称であった。この結
果、レジスト塗布後にステフパーによってアライメント
処理を施すと、アライメント誤差分布がウェハ中心から
周縁部に向かって放射状に拡がり、かつアライメント誤
差が同図(d)に矢印で示す方向に沿って大きくなり、
スケーリングエラーが発生してマスク重ね合わせ精度が
低下するという問題があった。Since the centrifugal force acting on the photoresist liquid 2 at the periphery of the wafer was large, the cross-sectional shape of the photoresist film 4 was asymmetrical, as shown in FIG. As a result, when alignment processing is performed using a stepper after resist coating, the alignment error distribution spreads radially from the center of the wafer toward the periphery, and the alignment error increases along the direction shown by the arrow in FIG.
There is a problem in that scaling errors occur and mask overlay accuracy decreases.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、スケ
ーリングエラーの発生を抑制することができ、もってマ
スク重ね合わせ精度を向上させることができるレジスト
塗布装置を提供するものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a resist coating apparatus that can suppress the occurrence of scaling errors and thereby improve mask overlay accuracy.
本発明に係るレジスト塗布装置は、レジスト液が塗布さ
れる半導体ウェハを吸着保持するチャックと、このチャ
ックに連結され半導体ウェハ上におけるレジスト液の各
質点に対して振動力を放射状に付与する駆動体とを備え
たものである。A resist coating apparatus according to the present invention includes a chuck that attracts and holds a semiconductor wafer to which a resist solution is applied, and a driver that is connected to the chuck and applies a vibration force radially to each mass point of the resist solution on the semiconductor wafer. It is equipped with the following.
本発明においては、レジスト塗布時にウェハ上に滴下さ
れたレジトス液の各質点に作用する振動力によって均一
な膜厚をもつレジスト膜を得ることができる。In the present invention, a resist film having a uniform thickness can be obtained by the vibration force acting on each mass point of the resist liquid dropped onto the wafer during resist coating.
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the structure etc. of this invention will be explained in detail by the Example shown in the figure.
第1図(a)および(b)は本発明に係るレジスト塗布
装置を示す平面図と断面図で、同図以下において第6図
(al〜(d)と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号itで
示すものは駆動モータ12によって高速回転する回転デ
ィスクで、周縁にはフォトレジスト液2が塗布される半
導体ウェハ1を吸着する真空チャック13が空転自在に
保持されている。この回転ディスク11は、外径が約3
0cmの寸法に設定され、かつレジスト塗布時の回転数
が3000〜7000rpmの回転数に設定されている
。14は前記回転ディスク11と共に駆動体Aを構成す
る連結棒で、前記真空チャック13に連結されており、
半導体ウェハ1の平面内で回動かつ進退するように構成
されている。1(a) and 1(b) are a plan view and a sectional view showing a resist coating apparatus according to the present invention, and in the following figures, the same members as in FIGS. 6 (al to d) are designated by the same reference numerals. A detailed explanation will be omitted. In the figure, what is indicated by the symbol "it" is a rotating disk that is rotated at high speed by a drive motor 12, and a vacuum chuck on the periphery that attracts the semiconductor wafer 1 to which the photoresist solution 2 is applied. 13 is held so as to freely rotate.This rotating disk 11 has an outer diameter of about 3 mm.
The dimension is set to 0 cm, and the rotation speed during resist application is set to 3000 to 7000 rpm. 14 is a connecting rod that constitutes the driving body A together with the rotating disk 11, and is connected to the vacuum chuck 13;
It is configured to rotate and move forward and backward within the plane of the semiconductor wafer 1.
この連結棒14の回動、進退動作によって前記真空チャ
ック13上の半導体ウェハ1は第2図に示すように一方
側を向いた状態で高速回転する。また、前記駆動体Aに
よって、半導体ウェハ1上におけるフォトレジスト液2
の各質点に振動力が放射状に付与される。15は前記連
結棒13を回動自在に保持する摺動子16を有するスラ
イド式の継手で、前記回転ディスク11の外径方向に設
けられている。As a result of the rotation and forward/backward movement of the connecting rod 14, the semiconductor wafer 1 on the vacuum chuck 13 rotates at high speed while facing to one side as shown in FIG. Further, the photoresist liquid 2 on the semiconductor wafer 1 is moved by the driver A.
A vibration force is applied radially to each mass point. Reference numeral 15 denotes a sliding joint having a slider 16 that rotatably holds the connecting rod 13, and is provided in the outer diameter direction of the rotary disk 11.
また、17は半導体ウェハ1と同一重量のウェイトで、
ウェハ吸着位置と周方向に180@間隔を隔てた位置に
設けられ、かつ前記回転ディスク11上に保持されてい
る。Further, 17 is a weight having the same weight as the semiconductor wafer 1,
It is provided at a position spaced apart from the wafer suction position by 180@ in the circumferential direction, and is held on the rotating disk 11.
このように構成されたレジスト塗布装置においては、回
転ディスク11によって高速回転する半導体ウェハ1の
中央部にフォトレジスト液2を滴下すると、第3図(a
)に示すように半導体ウェハ1の凸部3上に塗布された
フォトレジスト液2の各質点に均一な振動力が放射状に
付与される。このとき、凸部3以外の半導体ウェハ1上
に塗布されたフォトレジトス液2の各質点にも前記同様
に振動力が付与される。In the resist coating apparatus configured as described above, when the photoresist liquid 2 is dropped onto the center of the semiconductor wafer 1 which is rotated at high speed by the rotating disk 11, the photoresist liquid 2 is dropped onto the central part of the semiconductor wafer 1 as shown in FIG.
), a uniform vibration force is applied radially to each mass point of the photoresist liquid 2 applied on the convex portion 3 of the semiconductor wafer 1. At this time, vibration force is applied to each mass point of the photoresist liquid 2 applied on the semiconductor wafer 1 other than the convex portion 3 in the same manner as described above.
したがって、本発明においては、同図(blに示すよう
に凸部3を含む半導体ウェハ1の表面をレジスト塗布時
に被覆するフォトレジスト膜4の断面形状が左右略対称
となり、均一な膜厚をもつフォトレジスト膜4を得るこ
とができる。Therefore, in the present invention, as shown in FIG. A photoresist film 4 can be obtained.
このことは、同図TC)に示すスケーリングエラーがな
いアライメントマツプからも理解することができよう。This can be understood from the alignment map with no scaling error shown in Figure TC).
ここで、図中矢印はレジスト塗布時に半導体ウェハ1上
におけるフォトレジスト液2の各質点に付与される作用
力である。Here, the arrows in the figure indicate the acting force applied to each mass point of the photoresist liquid 2 on the semiconductor wafer 1 during resist application.
なお、本実施例においては、回転ディスク11の回転力
が駆動モータ12によって得られる例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、第4図に示すよう
に駆動用のシリンダ21によって得られるものであって
も実施例と同様の効果を奏する。この場合、ピストン2
2には連結棒13が回転自在に接続されている。ここで
、23はシリンダ21に供給するエアである。In addition, in this embodiment, an example was shown in which the rotational force of the rotating disk 11 is obtained by the drive motor 12, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. Even if it is obtained by No. 21, the same effect as in the example is achieved. In this case, piston 2
A connecting rod 13 is rotatably connected to 2. Here, 23 is air supplied to the cylinder 21.
また、本実施例においては、駆動体Aとして連結線I3
と回転ディスク11からなる例を示したが、本発明は第
5図に示すようにスピン軸31と組立回転体32からな
るものでも実施例と同様の効果を奏する。この場合、組
立回転体32は、スピン軸31に連結されたカム33a
を有し半導体ウェハ1の面方向に移動可能な第1の回転
体33と、この回転体33に連結されたカム34aを有
する第2の回転体34からなり、スピン軸31の回転に
よって高速回転する真空チャック14上の半導体ウェハ
1を同図に矢印X、Yで示す方向に進退させるように構
成されている。In addition, in this embodiment, the connecting line I3 is used as the driving body A.
Although an example consisting of a rotating disk 11 has been shown, the present invention can produce the same effects as in the embodiment even with an apparatus consisting of a spin shaft 31 and an assembled rotating body 32 as shown in FIG. In this case, the rotating assembly 32 includes a cam 33a connected to the spin shaft 31.
It consists of a first rotating body 33 that is movable in the plane direction of the semiconductor wafer 1 and a second rotating body 34 that has a cam 34a connected to this rotating body 33. The semiconductor wafer 1 on the vacuum chuck 14 is moved forward and backward in the directions shown by arrows X and Y in the figure.
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハを吸
着保持するチャックと、このチャンクに連結され半導体
ウェハ上におけるレジスト液の各質点に対して振動力を
放射状に付与する駆動体とを備えたので、レジスト塗布
時にレジスト液の各質点に作用する振動力によって均一
な膜厚をもつレジスト膜を得ることができる。したがっ
て、スケーリングエラーの発生を抑制することができる
から、マスク重ね合わせ精度を向上させることができ、
ハーフミクロンレベル以下のLSIの製造に適用してき
わめて有効である。As explained above, according to the present invention, the chuck includes a chuck that holds a semiconductor wafer by suction, and a drive body that is connected to the chuck and applies a vibration force radially to each mass point of the resist solution on the semiconductor wafer. Therefore, a resist film having a uniform thickness can be obtained by the vibration force acting on each mass point of the resist solution during resist coating. Therefore, since the occurrence of scaling errors can be suppressed, mask overlay accuracy can be improved.
It is extremely effective when applied to the production of LSIs of half micron level or less.
第1図18)および(b)は本発明に係るレジスト塗布
装置を示す平面図と断面図、第2図は同じく本発明にお
けるレジスト塗布時の半導体ウェハの向きを示す平面図
、第3図(a)〜(C)は同じく本発明におけるレジス
ト塗布状態を示し、各々レジスト塗布後のアライメント
マーク上のフォトレジトス液に付与される作用力を示す
図、アライメントマーク上のフォトレジストカバレッジ
を示す断面図、フォトレジスト塗布後のアライメント精
度を説明するための図、第4図および第5図は他の実施
例を示す平面図、第6図(al〜(d)は従来のレジス
ト塗布装置におけるレジスト塗布状態を示し、各々レジ
スト塗布時にフォトレジスト液に付与される作用力を示
す図、ウェハ中央部のアライメントマーク上のフォトレ
ジストカバレッジを示す断面図、ウェハ周縁部のアライ
メントマーク上のフォトレジストカバレッジを示す断面
図、フォトレジスト塗布後のアライメント精度を説明す
るための図である。
1・・・・半導体ウェハ、11・・・・回転ディスク、
12・・・・駆動モータ、13・・・・真空チャック、
14・・・・連結棒、15・・・・継手、A・・・・駆
動体。
第2図
代 理 人 大岩増雄
第3図
(G)
(b)
(C)
第6図
(G)
(b)
(C)
(d)18) and (b) are a plan view and a sectional view showing a resist coating apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing the orientation of a semiconductor wafer during resist coating according to the present invention, and FIG. a) to (C) also show the resist application state in the present invention, and each shows the acting force applied to the photoresist liquid on the alignment mark after resist application, and a cross section showing the photoresist coverage on the alignment mark. 4 and 5 are plan views showing other embodiments. FIGS. A diagram showing the application state and the acting force applied to the photoresist solution during resist application, a cross-sectional diagram showing the photoresist coverage on the alignment mark at the center of the wafer, and a diagram showing the photoresist coverage on the alignment mark at the periphery of the wafer. 1 is a cross-sectional view for explaining the alignment accuracy after photoresist coating. 1... Semiconductor wafer, 11... Rotating disk,
12... Drive motor, 13... Vacuum chuck,
14...Connecting rod, 15...Joint, A...Driver. Figure 2 Agent Masuo Oiwa Figure 3 (G) (b) (C) Figure 6 (G) (b) (C) (d)
Claims (1)
ャックと、このチャックに連結され半導体ウェハ上にお
けるレジスト液の各質点に振動力を放射状に付与する駆
動体とを備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。A resist coating system comprising: a chuck that attracts and holds a semiconductor wafer to which a resist solution is applied; and a driver connected to the chuck that applies vibrational force radially to each mass point of the resist solution on the semiconductor wafer. Device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284406A JPH02129912A (en) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Resist coater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284406A JPH02129912A (en) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Resist coater |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129912A true JPH02129912A (en) | 1990-05-18 |
Family
ID=17678156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284406A Pending JPH02129912A (en) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | Resist coater |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129912A (en) |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63284406A patent/JPH02129912A/en active Pending
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