JPH02129912A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH02129912A JPH02129912A JP63284406A JP28440688A JPH02129912A JP H02129912 A JPH02129912 A JP H02129912A JP 63284406 A JP63284406 A JP 63284406A JP 28440688 A JP28440688 A JP 28440688A JP H02129912 A JPH02129912 A JP H02129912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- resist
- photoresist
- resist coating
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスで使用して好適なレジス
ト塗布装置に関する。
ト塗布装置に関する。
従来、この種のレジスト塗布装置は、カップ内に回転自
在に設けられ半導体ウェハを吸着する真空チャックを備
えたものが採用されている。
在に設けられ半導体ウェハを吸着する真空チャックを備
えたものが採用されている。
このように構成されたレジスト塗布装置を用いるレジス
ト塗布は、予めアライメントマーク用の凸部が設けられ
た半導体ウェハの中央部にフォトレジスト液を滴下する
ことにより行われる。
ト塗布は、予めアライメントマーク用の凸部が設けられ
た半導体ウェハの中央部にフォトレジスト液を滴下する
ことにより行われる。
このようにして、半導体ウェハの面全体にフォトレジス
ト膜が形成される。
ト膜が形成される。
なお、半導体ウェハは、レジスト塗布時に真空チャック
によって高速回転される。
によって高速回転される。
ところで、従来のレジスト塗布装置によって得られたフ
ォトレジスト膜は、第６図（ａｌに矢印で示す方向に回
転する半導体ウェハ１の中央部にフォトレジスト液２を
滴下し、このとき作用する遠心力によってウェハ全体に
塗布されるものであるため、同図（′ｂ）および（Ｃ）
に示すようにアライメントマーク用の凸部３の位置によ
ってレジスト塗布後の断面形状が大きく異なる。すなわ
ち、ウェハ中央部のフォトレジスト液２に作用する遠心
力は小さいものであるため、同図（ｂ）に示すようにフ
ォトレジスト膜４の断面形状は左右略対称となるものの
。
ォトレジスト膜は、第６図（ａｌに矢印で示す方向に回
転する半導体ウェハ１の中央部にフォトレジスト液２を
滴下し、このとき作用する遠心力によってウェハ全体に
塗布されるものであるため、同図（′ｂ）および（Ｃ）
に示すようにアライメントマーク用の凸部３の位置によ
ってレジスト塗布後の断面形状が大きく異なる。すなわ
ち、ウェハ中央部のフォトレジスト液２に作用する遠心
力は小さいものであるため、同図（ｂ）に示すようにフ
ォトレジスト膜４の断面形状は左右略対称となるものの
。
ウェハ周縁部のフォトレジスト液２に作用する遠心力は
大きいものであるため、同図（Ｃ）に示すようにフォト
レジスト膜４の断面形状は左右非対称であった。この結
果、レジスト塗布後にステフパーによってアライメント
処理を施すと、アライメント誤差分布がウェハ中心から
周縁部に向かって放射状に拡がり、かつアライメント誤
差が同図（ｄ）に矢印で示す方向に沿って大きくなり、
スケーリングエラーが発生してマスク重ね合わせ精度が
低下するという問題があった。
大きいものであるため、同図（Ｃ）に示すようにフォト
レジスト膜４の断面形状は左右非対称であった。この結
果、レジスト塗布後にステフパーによってアライメント
処理を施すと、アライメント誤差分布がウェハ中心から
周縁部に向かって放射状に拡がり、かつアライメント誤
差が同図（ｄ）に矢印で示す方向に沿って大きくなり、
スケーリングエラーが発生してマスク重ね合わせ精度が
低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、スケ
ーリングエラーの発生を抑制することができ、もってマ
スク重ね合わせ精度を向上させることができるレジスト
塗布装置を提供するものである。
ーリングエラーの発生を抑制することができ、もってマ
スク重ね合わせ精度を向上させることができるレジスト
塗布装置を提供するものである。
本発明に係るレジスト塗布装置は、レジスト液が塗布さ
れる半導体ウェハを吸着保持するチャックと、このチャ
ックに連結され半導体ウェハ上におけるレジスト液の各
質点に対して振動力を放射状に付与する駆動体とを備え
たものである。
れる半導体ウェハを吸着保持するチャックと、このチャ
ックに連結され半導体ウェハ上におけるレジスト液の各
質点に対して振動力を放射状に付与する駆動体とを備え
たものである。
本発明においては、レジスト塗布時にウェハ上に滴下さ
れたレジトス液の各質点に作用する振動力によって均一
な膜厚をもつレジスト膜を得ることができる。
れたレジトス液の各質点に作用する振動力によって均一
な膜厚をもつレジスト膜を得ることができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明に係るレジスト塗布
装置を示す平面図と断面図で、同図以下において第６図
（ａｌ〜（ｄ）と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号ｉｔで
示すものは駆動モータ１２によって高速回転する回転デ
ィスクで、周縁にはフォトレジスト液２が塗布される半
導体ウェハ１を吸着する真空チャック１３が空転自在に
保持されている。この回転ディスク１１は、外径が約３
０ｃｍの寸法に設定され、かつレジスト塗布時の回転数
が３０００〜７０００ｒｐｍの回転数に設定されている
。１４は前記回転ディスク１１と共に駆動体Ａを構成す
る連結棒で、前記真空チャック１３に連結されており、
半導体ウェハ１の平面内で回動かつ進退するように構成
されている。
装置を示す平面図と断面図で、同図以下において第６図
（ａｌ〜（ｄ）と同一の部材については同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。同図において、符号ｉｔで
示すものは駆動モータ１２によって高速回転する回転デ
ィスクで、周縁にはフォトレジスト液２が塗布される半
導体ウェハ１を吸着する真空チャック１３が空転自在に
保持されている。この回転ディスク１１は、外径が約３
０ｃｍの寸法に設定され、かつレジスト塗布時の回転数
が３０００〜７０００ｒｐｍの回転数に設定されている
。１４は前記回転ディスク１１と共に駆動体Ａを構成す
る連結棒で、前記真空チャック１３に連結されており、
半導体ウェハ１の平面内で回動かつ進退するように構成
されている。
この連結棒１４の回動、進退動作によって前記真空チャ
ック１３上の半導体ウェハ１は第２図に示すように一方
側を向いた状態で高速回転する。また、前記駆動体Ａに
よって、半導体ウェハ１上におけるフォトレジスト液２
の各質点に振動力が放射状に付与される。１５は前記連
結棒１３を回動自在に保持する摺動子１６を有するスラ
イド式の継手で、前記回転ディスク１１の外径方向に設
けられている。
ック１３上の半導体ウェハ１は第２図に示すように一方
側を向いた状態で高速回転する。また、前記駆動体Ａに
よって、半導体ウェハ１上におけるフォトレジスト液２
の各質点に振動力が放射状に付与される。１５は前記連
結棒１３を回動自在に保持する摺動子１６を有するスラ
イド式の継手で、前記回転ディスク１１の外径方向に設
けられている。
また、１７は半導体ウェハ１と同一重量のウェイトで、
ウェハ吸着位置と周方向に１８０＠間隔を隔てた位置に
設けられ、かつ前記回転ディスク１１上に保持されてい
る。
ウェハ吸着位置と周方向に１８０＠間隔を隔てた位置に
設けられ、かつ前記回転ディスク１１上に保持されてい
る。
このように構成されたレジスト塗布装置においては、回
転ディスク１１によって高速回転する半導体ウェハ１の
中央部にフォトレジスト液２を滴下すると、第３図（ａ
）に示すように半導体ウェハ１の凸部３上に塗布された
フォトレジスト液２の各質点に均一な振動力が放射状に
付与される。このとき、凸部３以外の半導体ウェハ１上
に塗布されたフォトレジトス液２の各質点にも前記同様
に振動力が付与される。
転ディスク１１によって高速回転する半導体ウェハ１の
中央部にフォトレジスト液２を滴下すると、第３図（ａ
）に示すように半導体ウェハ１の凸部３上に塗布された
フォトレジスト液２の各質点に均一な振動力が放射状に
付与される。このとき、凸部３以外の半導体ウェハ１上
に塗布されたフォトレジトス液２の各質点にも前記同様
に振動力が付与される。
したがって、本発明においては、同図（ｂｌに示すよう
に凸部３を含む半導体ウェハ１の表面をレジスト塗布時
に被覆するフォトレジスト膜４の断面形状が左右略対称
となり、均一な膜厚をもつフォトレジスト膜４を得るこ
とができる。
に凸部３を含む半導体ウェハ１の表面をレジスト塗布時
に被覆するフォトレジスト膜４の断面形状が左右略対称
となり、均一な膜厚をもつフォトレジスト膜４を得るこ
とができる。
このことは、同図ＴＣ）に示すスケーリングエラーがな
いアライメントマツプからも理解することができよう。
いアライメントマツプからも理解することができよう。
ここで、図中矢印はレジスト塗布時に半導体ウェハ１上
におけるフォトレジスト液２の各質点に付与される作用
力である。
におけるフォトレジスト液２の各質点に付与される作用
力である。
なお、本実施例においては、回転ディスク１１の回転力
が駆動モータ１２によって得られる例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、第４図に示すよう
に駆動用のシリンダ２１によって得られるものであって
も実施例と同様の効果を奏する。この場合、ピストン２
２には連結棒１３が回転自在に接続されている。ここで
、２３はシリンダ２１に供給するエアである。
が駆動モータ１２によって得られる例を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、第４図に示すよう
に駆動用のシリンダ２１によって得られるものであって
も実施例と同様の効果を奏する。この場合、ピストン２
２には連結棒１３が回転自在に接続されている。ここで
、２３はシリンダ２１に供給するエアである。
また、本実施例においては、駆動体Ａとして連結線Ｉ３
と回転ディスク１１からなる例を示したが、本発明は第
５図に示すようにスピン軸３１と組立回転体３２からな
るものでも実施例と同様の効果を奏する。この場合、組
立回転体３２は、スピン軸３１に連結されたカム３３ａ
を有し半導体ウェハ１の面方向に移動可能な第１の回転
体３３と、この回転体３３に連結されたカム３４ａを有
する第２の回転体３４からなり、スピン軸３１の回転に
よって高速回転する真空チャック１４上の半導体ウェハ
１を同図に矢印Ｘ、Ｙで示す方向に進退させるように構
成されている。
と回転ディスク１１からなる例を示したが、本発明は第
５図に示すようにスピン軸３１と組立回転体３２からな
るものでも実施例と同様の効果を奏する。この場合、組
立回転体３２は、スピン軸３１に連結されたカム３３ａ
を有し半導体ウェハ１の面方向に移動可能な第１の回転
体３３と、この回転体３３に連結されたカム３４ａを有
する第２の回転体３４からなり、スピン軸３１の回転に
よって高速回転する真空チャック１４上の半導体ウェハ
１を同図に矢印Ｘ、Ｙで示す方向に進退させるように構
成されている。
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハを吸
着保持するチャックと、このチャンクに連結され半導体
ウェハ上におけるレジスト液の各質点に対して振動力を
放射状に付与する駆動体とを備えたので、レジスト塗布
時にレジスト液の各質点に作用する振動力によって均一
な膜厚をもつレジスト膜を得ることができる。したがっ
て、スケーリングエラーの発生を抑制することができる
から、マスク重ね合わせ精度を向上させることができ、
ハーフミクロンレベル以下のＬＳＩの製造に適用してき
わめて有効である。
着保持するチャックと、このチャンクに連結され半導体
ウェハ上におけるレジスト液の各質点に対して振動力を
放射状に付与する駆動体とを備えたので、レジスト塗布
時にレジスト液の各質点に作用する振動力によって均一
な膜厚をもつレジスト膜を得ることができる。したがっ
て、スケーリングエラーの発生を抑制することができる
から、マスク重ね合わせ精度を向上させることができ、
ハーフミクロンレベル以下のＬＳＩの製造に適用してき
わめて有効である。
第１図１８）および（ｂ）は本発明に係るレジスト塗布
装置を示す平面図と断面図、第２図は同じく本発明にお
けるレジスト塗布時の半導体ウェハの向きを示す平面図
、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同じく本発明におけるレジス
ト塗布状態を示し、各々レジスト塗布後のアライメント
マーク上のフォトレジトス液に付与される作用力を示す
図、アライメントマーク上のフォトレジストカバレッジ
を示す断面図、フォトレジスト塗布後のアライメント精
度を説明するための図、第４図および第５図は他の実施
例を示す平面図、第６図（ａｌ〜（ｄ）は従来のレジス
ト塗布装置におけるレジスト塗布状態を示し、各々レジ
スト塗布時にフォトレジスト液に付与される作用力を示
す図、ウェハ中央部のアライメントマーク上のフォトレ
ジストカバレッジを示す断面図、ウェハ周縁部のアライ
メントマーク上のフォトレジストカバレッジを示す断面
図、フォトレジスト塗布後のアライメント精度を説明す
るための図である。 １・・・・半導体ウェハ、１１・・・・回転ディスク、
１２・・・・駆動モータ、１３・・・・真空チャック、
１４・・・・連結棒、１５・・・・継手、Ａ・・・・駆
動体。 第２図 代 理 人 大岩増雄 第３図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第６図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
装置を示す平面図と断面図、第２図は同じく本発明にお
けるレジスト塗布時の半導体ウェハの向きを示す平面図
、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同じく本発明におけるレジス
ト塗布状態を示し、各々レジスト塗布後のアライメント
マーク上のフォトレジトス液に付与される作用力を示す
図、アライメントマーク上のフォトレジストカバレッジ
を示す断面図、フォトレジスト塗布後のアライメント精
度を説明するための図、第４図および第５図は他の実施
例を示す平面図、第６図（ａｌ〜（ｄ）は従来のレジス
ト塗布装置におけるレジスト塗布状態を示し、各々レジ
スト塗布時にフォトレジスト液に付与される作用力を示
す図、ウェハ中央部のアライメントマーク上のフォトレ
ジストカバレッジを示す断面図、ウェハ周縁部のアライ
メントマーク上のフォトレジストカバレッジを示す断面
図、フォトレジスト塗布後のアライメント精度を説明す
るための図である。 １・・・・半導体ウェハ、１１・・・・回転ディスク、
１２・・・・駆動モータ、１３・・・・真空チャック、
１４・・・・連結棒、１５・・・・継手、Ａ・・・・駆
動体。 第２図 代 理 人 大岩増雄 第３図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） 第６図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- レジスト液が塗布される半導体ウェハを吸着保持するチ
ャックと、このチャックに連結され半導体ウェハ上にお
けるレジスト液の各質点に振動力を放射状に付与する駆
動体とを備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284406A JPH02129912A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284406A JPH02129912A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129912A true JPH02129912A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17678156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284406A Pending JPH02129912A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129912A (ja) |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63284406A patent/JPH02129912A/ja active Pending
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