JPH02129951A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 零発叩は、半導体装置の製造技術、特に、ペレットの放
熱性能の向上技術に関するもので、例えば、多ビン−低
熱抵抗で、小型かつ低価格化が要求される半導体集積回
路装置（以下、ＩＣという。

）に利用して有効なものに関する。

〔従来の技術〕

一般に、所謂パワーＩＣ等のような消費電力が大きいＩ
Ｃにおいては、樹脂封止パッケージにヒートシンクを内
蔵することが行われている。ヒートシンクがパッケージ
に内蔵される場合、通常、ヒートシンクはペレットがボ
ンディングされているタブの裏面に機械的かつ熱的に結
合されることになる。

なお、ヒートシンクが内蔵されているパワーＩＣを述べ
である例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マイ
クロデバイセズに２」昭和５９年６月１１日発行　Ｐ１
３５．がある。

また、コンピュータに使用される高密度、高速ＩＣにお
いて沫、高い放熱性能が要求されるため、例えば、特開
昭’５３−１１０３７１号公報に記載されているように
、半導体ペレットをボンディングされた金属板にヒート
シンクが外付けされているセラミックパッケージ型半導
体装置が使用されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述したような樹脂封止パッケージを備えているＩＣの
パッケージにヒートシンクを内蔵する技術は、パッケー
ジの外形的制限を受けるため、パッケージの外形につい
ての設計に自由度のあるピン（リード）数の少ないＩＣ
（品種）にのみ適用されているのが現状である。

また、ヒートシンクが外付けされたセラミックパッケー
ジ型半導体装置においては、量産しにくいため、コスト
の低減が困難である。

しかし７、ＩＣの多ｍｔａ化、高集積化、高速化が進む
最近、ビン数の多い表面実装形のＩＣについても、熱放
散性の良好なヒートシンク内蔵形の樹脂封止パッケージ
を備えているＩｃの開発が要望されている。

本発明の第１の目的は、高い放熱性能を有する樹脂封止
パッケージを備えている半導体装置を提供することにあ
る。

本発明の第２の目的は、生産性および実装性が良好で、
かつ低価格にして、小型化および多ビン化を促進するこ
とができるとともに、高い放熱性能を有する半導体装置
を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、半導体ペレットに電気的に接続された複数本
のリードが、平面形状略四角形に形成されている樹脂封
止パッケージの４側面から突設されている半導体装置に
おいて、前記樹脂封止パッケージの内部にヒートシンク
を埋没するとともに、このヒートシンクには前記半導体
ペレットをボンディングし、また、このヒートシンクは
組立時にリードフレームとの結合に使用された少なくと
も２箇所の結合部が前記樹脂封止パッケージのコーナ部
にそれぞれ配設されるように構成したものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、ペレットにヒートシンクがタブ
を介さずに直接的に接触されているため、ペレットの発
熱はこのヒートシンクを経て外部に直接的に放出される
ことになり、充分な放熱性能が確保される。

ヒートシンクのリードフレームとの結合部は、四角形の
樹脂封止パッケージにおいてスペースに余裕があるコー
ナ部に配設されているため、ヒートシンク内蔵形であっ
ても樹脂封止パッケージの大形化を回避することができ
る。

また、ペレット、リード群およびヒートシンクは樹脂封
止パッケージにより樹脂封止されているため、この半導
体装置がプリント配線基板に実装される時や、実装され
た後において、移送中の振動等による外力がこの半導体
装置に加わった場合においても、リード曲がり等のよう
な事故が起きるのを防止することができ、その結果、短
絡不良や、ｆ７腺不良の発生のを未然に回避することが
できる。さらに、樹脂封止パッケージは量産に適するた
め、コストを低減させることができる。

〔実施例） 第１図（ａ）、（ロ）は・本発明の一実施例である樹脂
封止形ＭＳＰ−ＩＣを示す正面断面図および対角線に沿
う断面端面図、第２図〜第８図は本発明の一実施例であ
るそのＭＳＰ・ＩＣの製造方法を示す各説明図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置は、高密度
実装を実現するための半導体Ｓ積回路装置（以下、ＩＣ
という、）である樹脂封止形ミニ・スクエア・パッケー
ジを備えているＩＣ（以下、ＭＳＰ−ＩＣ１または、単
に、ＩＣということがある。）として構成されている。

この樹脂封止形ＭＳＰ・ＩＣ２５はシリコン半導体ペレ
ット（以下、ペレットという、）２１と、ペレットの四
、方に配設されている複数本のり一ド９と、ペレットの
各電極パッド２１ａおよび各リード９にその両端部をそ
れぞれボンディングされて橋絡されているポンディング
ワイヤ２３と、ペレットがボンディングされているヒー
トシンク１１と、これらを樹脂封止するパッケージ２４
とを備えており、このＭＳＰ−ＩＣは次のような製造方
法により製造されている。

以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形ＭＳＰ−
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記ＭＳ
Ｐ・ＩＣについての構成の詳細が共に明らかにされる。

本実施例において、樹脂封止形ＭＳＰ−ＩＣの製造方法
には、第２図に示されている多連リードフレーム１が使
用されている。この多連リードフレーム１は、鉄−ニッ
ケル合金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を
有するばね材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス
加工またはエツチング加工等のような適当な手段により
一体成形されており、この多連リー　ドフレーム１の表
面には銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワ
イヤポンディングが適正ζこ実施されるように施されて
いる（図示せず）。この多連リードフレーム１には複数
の単位リードフレーム２が横方向に１列に並設されてい
る。

単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されてい
る外枠３を一対備えており、両久枠３は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている
。ｌｌＪ！ｉり合う単位リー　ドフレーム２．２間には
一対のセクション枠４が両外枠３．３間に互いに平行に
配されて一体的に架設されており、これら外枠、セクシ
ョン枠により形成される略正方形の枠体内に単位リード
フレーム２が構成されている。

各単位リードフレーム２において、外枠３およびセクシ
ョンパー４の接続部にはダム吊り部材５が略直角方向に
それぞれ配されて一体的に突設されており、ダム吊り部
材５には４本のダム部材６が略正方形の枠形状になるよ
うに配されて、一体的に吊持されている。セクション枠
４側の各ダム部材６にはヒートシンク結合部材７が４箇
所のコーナ部にそれぞれ配されて、略弓形形状に一体的
に架設されており、各ヒートシンク結合部材７には結合
孔７ａが略中央部に配されて開設されている。

また、ダム部材６には複数本のり一ド９が長平方向に等
間隔に配されて、互いに平行で、ダム部材６と直交する
ように一体的に突設されており、各リード９の内側端部
は先端が後記するペレットを収容するだめの空所８を取
り囲むように配されることにより、インナ部９ａをそれ
ぞれ構成している。他方、各リード９の外側延長部分は
、その先端が外枠３およびセクション枠４から離間して
切り離され、アウタ部９ｂをそれぞれ構成している。そ
して、ダム部材６における隣り合うリード９．９間の部
分は、後述するパッケージ成形時にレジンの流れをせき
止めるダム９ａを実質的に構成している。そして、この
単位リードフレーム２には通常のリードフレームにおい
て設けられるタブ、および、このタブを外枠等に吊持さ
せるためのタブ吊りリードが設けられていない。すなわ
ち、この単位リードフレーム２の中央部にはタブの代わ
りに空所８が形成されている。

本実施例において、ＭＳＰ−ＩＣの製造方法には、第３
図に示されているヒートシンク１１が使用されている。

ヒートシンク１１は銅等のような熱伝導性の良好な材料
を用いて、ベレ・ントの平面形状に対して大きめの略正
方形状に形成されており、ヒートシンク１１のペレット
取付面には環状溝工２が複数条（本実施例においては、
２条）、ペレットの外方において同心的に配されるとと
もに、ペレットを取り囲むように形成されてそれぞれ没
設されている。そして、これら環状溝１２は後述する樹
脂封止パッケージ成形後において、リークバスを延長さ
せるとともに、樹脂と形状結合することにより、この樹
脂封止パッケージを備えているＩＣの耐湿性を高めるこ
とになる。

また、ヒートシンクＩＬには結合部片１３が４本、正方
形の４隅に配されて略対角線方向に放射状にそれぞれ突
設されており、各結合部片１３の先端部には結合孔１３
ａが前記リードフレームの結合孔７ａに対応するように
開設されている。各結合部片１３は結合孔１３ａまでの
途中においてクランク形状に屈曲されており、この結合
部片１３の屈曲により、後述するように、ヒートシンク
１１の上面はリード９群の平面から所定の寸法離間され
るようになっている。

前記構成にかかる電気的接続リード用の多連リードフレ
ームｌとヒートシンク１１とは、第４図に示されている
ように、リードフレーム側結合部材７の結合孔７ａと、
ヒートシンク側結合部片１３の結合孔Ｌ３ａとが整合さ
れた状態でそれぞれ上下に配されて重ね合わされるとと
もに、再結合孔７ａと１３ａとにリベット１４を挿通さ
れて、かしめ加工されることにより固定的に結合される
。

このようにして各ヒートシンク１１が結合された多連リ
ードフレーム重合体２０において、下側のヒートシンク
１１は上側の多連リードフレーム１における空所８に対
向されるとともに、前記結合部片ＩＪの屈曲によりリー
ド９群に接触ないしは干渉しない状態になっている。

この多連リードフレーム重合体２０には各単位リードフ
レーム２毎にペレット・ボンディング作業、続いて、ワ
イヤ・ボンディング作業が実施される。これらボンディ
ング作業は多連リードフレーム重合体２０が横方向にピ
ッチ送りされることにより、各単位リードフレーム２毎
に順次実施される。

そして、ペレット・ボンディング作業により、第５図お
よび第６図に示されているように、半導体装置の製造工
程における所謂前工程において集積回路を作り込まれた
半導体集積回路構造物としてのペレット２１が、各単位
リードフレーム２におけるヒートシンク１１上の略中央
部に配されて、ヒートシンク１１とペレット２１との間
に形成されたボンディングＪｉ２２によって機械的に固
着されることによりボンディングされる。ペレットボン
ディング層の形成手段としては、金−シリコン共晶層、
はんだ付は層および銀ペースト接着層等々によるボンデ
、イング法を用いることが可能である。但し、必要゛に
応じて、ペレットからヒートシンクへの熱伝達の障壁と
ならないように、ボンディング層を形成することが望ま
しい。

続いて、ワイヤボンディング作業により、第５図および
第６図に示されているように、ヒートシンク１１上にボ
ンディングされたペレット２１の電極パッド２１ａと、
各単位リードフレーム２におけるリード９のインナ部９
ａとの間に、ボンディングワイヤ２３が超音波熱圧着式
ワイヤボンディング装置等のような適当なワイヤボンデ
ィング装置（図示せず）が使用されることにより、その
両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。

これにより、ペレット２１に作り込まれている集積回路
は、電極パッド２Ｌａ、ボンディングワイヤ２３、リー
ド９のインナ部９ａおよびアウタ部９ｂを介して電気的
に外部に引き出されることになる。

このようにしてペレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れたリードフレーム重合体２０には、各単位リードフレ
ーム毎に樹脂封止するパッケージ群が、第７図に示され
ているようなトランスファ成形装置３０を使用されて単
位リードフレーム群について同時成形される。

第７図に示されているトランスファ成形装置はシリンダ
装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一対の
上型３１と下型３２とを備えており、上型３１と下型３
２との合わせ面には上型キャビティー凹部３３ａと下型
キャビティー凹部３３ｂとが互いに協働してキャビティ
ー３３を形成するようにそれぞれ複数組没設されている
。上型３１の合わせ面にはボット３４が開設されており
、ボット３４にはシリンダ装置（図示せず）により進退
されるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以下、
レジンという、）を送給し得るように挿入されている。

下型３２の合わせ面にはカル３６がボット３４との対向
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ３７がポット３４にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ３７の他端部は下側
キャビティー凹部３，３ｂにそれぞれ接続されており、
その接続部にはゲート３８がレジンをキャビティー３３
内に注入し得るように形成されている。

また、下型３２の合わせ面には逃げ凹所３９がリードフ
レーム重合体２０の厚みを逃げ得るように、その外形よ
りも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の
一定深さに没設されている。

さらに、下型３２のキャビティー凹部３３ｂの底面には
逃げ凹部３３ｃがヒートシンク１１の底部の厚みを若干
逃げ得るように、その外形と略等しい正方形で、若干寸
法の一定深さに没設されている。

前記構成に係る多連リードフレーム重合体２０を用いて
樹脂封止パッケージをトランスフプ成形する場合、上型
３１および下型３２における各キャビティー３３は各単
位リードフレーム２における４本のダム部材６間の空間
にそれぞれ対応される。

トランスファ成形時において、前記構成に係る多連リー
ドフレーム重合体２０は下型３２に没設されている逃げ
凹所３９内に、各単位リードフレーム２におけるペレッ
ト２１が各キャビティー３３内にそれぞれ収容されるよ
うに配されてセットされる。このとき、ヒートシンク１
１の底部は下型キャビティー凹部３３ｂに没設されてい
る逃げ凹部３３ｃに没入され、ペレット２１はヒートシ
ンク１１にボンディングされた状態でキャビティー３３
内において保持されている。

続いて、上型３１と下型３２とが型締めされ、ポット３
４からプランジャ３５により成形材料としてのレジン４
０がランナ３７およびゲート３８を通じて各キャビティ
ー３３に送給されて圧入される。

注入後、レジン４０が熱硬化されて樹脂封止形パッケー
ジ２４が成形されると、上型３１および下型３２は型開
きされるとともに、エジェクタ・ビン（図示せず）によ
りパッケージ２４群が離型される。このようにして〜第
８図に示されているように、パッケージ２４群を成形さ
れた多連り一部フレーム重合体２０はトランスファ成形
装置３０から脱装される。

そして、このように樹脂成形されたパッケージ２４の内
部には、ペレット２１、リード９のインナ部９ａ、ボン
ディングワイヤ２３およびヒートシンク１１の一部が樹
脂封止されることになる。

この状態において、ヒートシンク１１の一端面は樹脂封
止パッケージ２４の一端面から、逃げ凹部３３ｃに没入
された分だけ突出されて露出されている状態になってい
る。また、ヒートシンク１１の各コーナ部に配設された
結合部片１３およびリベット１４は樹脂封止パッケージ
２４の内部に埋め込まれた状態になっており、結合部材
７における一対の基端部側がパッケージ２４のコーナ部
からそれぞれ突出されてダム部材６に吊持された状態に
なっている。

その後、多連リードフレーム重合体２０はリード切断成
形工程において、各単位リードフレーム２毎に順次、リ
ード切断装置（図示せず）により、外枠、セフシラン枠
、ヒートシンク部材７の基端部、および各ダム６ａを切
り落された後、リード成形装置（図示せず）により、リ
ード９のアウタ部９ｂをアイＣＩ）リード形状に屈曲成
形される。

このとき、ヒートシンク結合部材７の切り口はパッケー
ジのコーナ部に一対宛形成されることになる。

以上のようにして製造された樹脂封止形ＭＳＰ・ＩＣ２
５は第９図および第１０図に示されているようにプリン
ト配線基板に実装される。

第９図および第１０図において、プリント配線基板２６
にはランド２７が複数個、実装対象物となる樹脂封止形
ＭＳＰ−ＩＣ２５における各り一部９に対応するように
配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄板形状に形
成されており、このランド２７にこのＩＣ２５のリード
９群が整合されて当接されているとともに、各リード９
とランド２７とがリフローはんだ処理により形成された
はんだ盛り層２８によって電気的かつ機械的に接続され
ている。

そして、必要に応じて、このＩＣ２５にはヒートシンク
１１に放熱フィン（図示せず）が取り付けられたり、ヒ
＝　１−シンク１１が押さえ具（図示せず）によりプリ
ント配線基＃Ｈ，２６に押さえられて固定されたりする
。

この実装状態で、ＩＣ２５が稼働されてペレット２１が
発熱した場合、その熱はペレット２１からヒートシンク
１１に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク１
１の広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にペ
レット２１は充分に冷却される。また、ヒートシンク１
１に放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合に
は、ヒートシンク１１の熱が放熱フィンや、押さえ具等
を通じてさらに広い範囲に熱伝導されるため、放熱効果
はより一層高くなる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）　　ペレットにヒートシンクをタブを介さずに直
接的にボンディングすることにより、ペレットの発熱を
ヒートシンクに直接的に伝えてパッケージの外部に効果
的に放出させることができるため、高い放熱性能を確保
することができる。

（２）　　ヒートシンクのリードフレームとの結合をミ
ニ・スクエア・パッケージにおいて正方形のコーナ部に
配設することにより、当該コーナ部には比較的スペース
に余裕があるため、ヒートシンク内蔵形であっても樹脂
封止パッケージの大形化を回避することができ、小型化
および高密度化並びに低コスト化を促進することができ
る。

臼）　電気的接続用のリードとは別に、熱伝導性の良好
な材料を用いて形成されたヒートシンクにペレットをボ
ンディングすることにより、前記（１）の放熱性能をよ
り一層高めることができる。

（４）他方、電気的接続用のリードはヒートシンクとは
別に機械的強度の高い材料を用いて形成することにより
、リード群の曲がりや破損等を防止することができると
ともに、前記（１）および（３）により、高い放熱性能
を確保することができる。

（４）　　ペレット、リード群およびヒートシンクの一
部を樹脂封止パッケージによって樹脂封止することによ
り、リード曲がり等のような事故が起きるのを防止する
ことができるため、短絡不良や、断線不良の発生を未然
に回避することができる。

（５）　　ペレット周囲に配設される複数本のリードの
面とは異なる面でヒートシンクを支持することにより、
ペレットがボンディングされたヒートシンクと各リード
との短絡事故の発生を確実に防止することができるため
、半導体装置の品質および信頬性を高めることができる
。

（６）　　ヒートシンクの一部を樹脂封止パッケージの
一端面から若干突出されるように露出させることにより
、封止樹脂がパッケージの一端面に樹脂ばりとして付着
されるのを防止することができるとともに、ヒートシン
クへの放熱フィンの取付性や、ヒートシンクの基板等へ
の接着性を良化することができる。

ところで、ヒートシンク内蔵形の樹脂封止パッケージを
備えているＩＣとして、第１１図に示されているように
、樹脂封止パッケージ２４′の内部においてヒートシン
ク１１′がリード９のインナ部９ａ群における裏面に絶
縁層１５′および接着層１６′を介して固定的に接合さ
れて成るもの、が考えられる。しかし、リード群恵面に
ヒーＩ・シンクが絶縁層を介して接着されるヒートシン
ク内蔵形のＩＣにおいては、次のような不具合がある。

（１）　　リード裏面に絶縁層を介して接着されたヒー
トシンクにより、リード相互間の静電容量が増加され、
また、絶縁抵抗が低下されるため、電気的特性が低下し
、高周波信号を取り扱う半導体装置には不適当である。

（２）　　ＩＩＩＡ縁層および接着層が樹脂封止パッケ
ージの内部において全体的に横断しているため、また、
接着層のイオンがペレットの近傍にあるため、耐湿性が
低下する。

しかし、本実施例においては、樹脂封止パッケージ２４
の内部においてヒートシンク１１はリード９のインナ部
９ｂから電気的に完全に離隔されているため、このよう
な問題点の発生を回避することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、ヒートシンクを打ち抜き成形する場合−第１２
図に示されているように、各ヒートシンクをジグザグに
配置するとともに、外枠によって多連に構成しておくと
、取り扱い性を高めることができる。

電気的接続用のリードフレームのヒートシンクとの結合
部の形状は、第１３図に示されているように、対角線上
に延びるように突設してもよい。

この場合、結合部の切り口は樹脂封止パッケージの４隅
に１個宛露出されることになる。

リードフレームとヒートシンクとの結合部は樹脂封止パ
ッケージの４隅に全て配設するに限らず、少なくとも２
箇所に配設すればよい。

ヒートシンクと電気的接続用リードフレームとの結合手
段としては、リベットによる締結構造を使用するに限ら
ず、接着剤による接着構造や、はんだ材料による溶着構
造等を使用してもよい、これらの場合、結合孔は省略す
ることができる。

ヒートシンクは樹脂封止パッケージから若干突出するよ
うに構成するに限らず、樹脂封止パッケージの一端面と
略同−平面（所謂面いち）になるように構成してもよい
。

ヒートシンクの形状、大きさ、構造等は、要求される放
熱性能、実装形態（例えば、押さえ具や締結ボルトの使
用の有無等）、ペレットの性能、大きさ、形状、構造等
々の諸条件に対応して選定することが望ましく、必要に
応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設け
ることができる。

また、ヒートシンクを形成する材料としては銅系材料を
使用するに限らず、アルミニューｌ、系等のような熱伝
導性の良好な他の金属材料を使用することができる。特
に、炭化シリコン（ＳｉＣ）等のように熱伝導性に優れ
、かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそ
れと略等しい材料を使用することが望ましい。

ペレットのヒートシンクへのポンディング作業は、ヒー
トシンクがリードフレームに結合される以前に実施して
もよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である表面実装形樹脂封止
パッケージを備えたＩＣに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、樹脂封止型パワ
ートランジスタや、その他の電子装置全般に適用するこ
とができる。

特に、小型軽量、多ビンで、しかも、低価格であり、高
い放熱性能が要求される半導体装置に利用して優れた効
果が得られる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

ペレットの裏面にヒートシンクを付設することにより、
ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝導させるこ
とができるため、小型の樹脂封止パッケージを備えてい
るＩＣであっても放熱性能を高めることができ、高密度
、高速性能が要求される［Ｃ等においても低熱抵抗化を
実現させることができる。その結果、この種のＩＣ等に
おいても樹脂封止パッケージ化を実現させることにより
、コストを大幅に低減させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例である樹脂封
止形ＭＳＰ−ＩＣを示す正面断面図および対角線に沿う
断面端面図、 第２図〜第８図はその製造方法を説明するものであり、
第２図は多連リードフレームを示す一部省略平面図、 第３図はヒートシンクを示す斜視図、 第４図はヒートシンクのリードフレームへの結合工程を
示す拡大部分斜視図〜 第５図はペレットおよびワイヤポンディング後を示す拡
大部分平面図、 第６図は第５図のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図、第７図は
樹脂封止パッケージ成形作業を示す部分縦断面図、 第８図はパッケージ成形後を示す部分底面図、第９図は
そのＭＳＰ−ＩＣの実装状態を示す斜視図、 第１０図は同じく一部切断正面図である。 第１１図はその作用を説明するための他のＩＣを示す部
分正面断面図である。 第１２図はヒートシンクの製造の一実施例を示す一部省
略平面図、 第１３図はヒートシンクとリードフレームとの結合構造
の変形例を示す一部省略平面図である。 １・・・多連リードフレーム、２・・・栄位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクシゴン枠、５・・・
ダム吊り部材、６・・・ダム部材、６ａ・・・ダム、７
・・・ヒートシンク結合部材、８・・・空所、９・・・
電気的接続用リード、１１・・・ヒートシンク、１２・
・・環状溝、１３・・・リードフレーム結合部片、１４
・・・リベット、２０・・・多連リードフレーム重合体
、２１・・・ペレット、２２・・・ポンディング層、２
３・・・ボンディングワイヤ、２４・・・樹脂封止パッ
ケージ、２５・・・ＭＳＰ・ＩＣ（半導体装！）、２６
・・・プリント配線基板、２７・・・ランドパッド、３
０・・・トランスファ成形装置、３１・・・上型、３２
・・・下型、３３・・・キャビティ３４・・・ポット、
３５・・・プランジャ、３６・・・カル、３７・・・ラ
ンナ、３８・・・ゲート、３９・・・凹所、４０・・・
レジン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ペレットに電気的に接続された複数本のリー
   ドが、平面形状略四角形に形成されている樹脂封止パッ
   ケージの４側面から突設されている半導体装置であって
   、前記樹脂封止パッケージの内部にヒートシンクが埋没
   されているとともに、このヒートシンクには前記半導体
   ペレットがボンディングされており、また、このヒート
   シンクは組立時にリードフレームとの結合に使用された
   少なくとも２箇所の結合部が前記樹脂封止パッケージの
   コーナ部にそれぞれ配設されていることを特徴とする半
   導体装置。 ２、前記ヒートシンクが前記リード群の平面から離間す
   るように構成されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の半導体装置。 ３、前記ヒートシンクが一端面から若干突出された状態
   で前記樹脂封止パッケージに植設されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。