JPH02129954A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止パッ
ケージを備えている半導体装置における樹脂ぼりによる
障害の発生を防止する技術に関し、例えば、樹脂封止形
のミニ・スクエア・パッケージを備えているパイ・ポー
ラ形半導体集積回路装置（以下、ＭＳＰ−ＩＣというこ
とがある。）の製造に利用して有効な半導体装置の製造
方法に関する。

〔従来の技術〕

一般に、ＭＳＰ・ＩＣを製造する場合、隣合うリード間
に一体的に架設されて樹脂をせき止めるダムを備えた単
位リードフレームが複数並設されているリードフレーム
（以下、多連リードフレームという、）が使用されてお
１、この多連リードフレームにはトランスファ成形装置
により樹脂封止パッケージが複数の単位リードフレーム
について同時に成形される。

すなわち、−船釣なトランスファ成形装置は互いに型合
わせされる上型および下型からなる成形型を備えてお１
、上型および下型の合わせ面には樹脂封止パッケージを
成形するだめのキャビティーが複数、前記多連リードフ
レームの各単位リードフレームに対応するように整列さ
れてそれぞれ没設されている。また、上型または下型の
いずれか一方の合わせ面にはランナを介してボンドに連
通されたゲートが、多連リードフレームの外枠を横切る
ように配されて、各キャビティーに成形材料としての樹
脂を充填し得るように没設されている。

そして、上型と下型との合わせ面間に多連り一ドフレー
ムが、各単位リードフレームが各キャビティーにそれぞ
れ整合するように、かつ、ダム群がキャビティーの外側
縁辺を取り囲むように配されて挟み込まれた後、樹脂が
ランナおよびゲートを通じて各キャビティーに送給され
ることによ１、樹脂封止パッケージが成形される。

このようなトランスファ成形装置により樹脂封止パンケ
ージが成形される際、多連リードフレームと上型および
下型との接合面間から成形材料としての樹脂が、隣合う
リードとダムとにより画成された空間に漏洩するため、
この空間内に樹脂ばりが発生する６ そこで、従来、接合面間からの樹脂の漏洩による樹脂ば
りの発生を防止する技術として、例えば、特開昭６３−
７０５４８号公報に記載されている半導体装置用リード
フレームを使用する技術、が提案されている。

この半導体装置用リードフレームは、封止樹脂より九個
のアウタリード間をつなぐタイバ（ダムに相当する。）
を備え、このタイバの内側を封止樹脂側面に接近させ、
アウタリード近傍のタイバ内に２個の穴を設け、この穴
と封止樹脂側面との間の最終的にタイバを切り離す位置
にシャーカットを設けたことを特徴としたものであ１、
このことによ１、ダムぼり残りがなくなるので、実際の
使用時にダムばりの落下によるトラブルを防ぐことがで
き、ダムばりを切断しないので、ダムばりの飛散による
曲げ時の噛み込みがなく、外観不良がなくな１、また、
樹脂ばりの噛み込みによる接触不良が発生しないという
効果がある。また、タイバカットの刃は金属部のみ打ち
抜くため、刃の寿命を延ばす効果がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、この半導体装置用リードフレームを使用した半
導体装置の製造方法においては、次のような問題点が発
生すると、考えられる。

（１）　　シャーカットをきわめて小さいタイバに、し
かも、きわめて小さい穴にかけて形成する作業は不能、
ないしはきわめて困難である。

（２）万−仮に、シャーカットが形成された場合、その
シャーカット部によりリードフレーム全体に歪が発生す
るため、樹脂ぼりがリードフレーム全体にわたって不規
則的に形成されてしまう。

本発明の目的は、前記問題点を回避して樹脂ばりによる
障害の発生を防止することができる半導体装置の製造方
法を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。

すなわち、少なくとも以下の工程を備えたものである。

（１）互いに隣合うリード同士がダムによりそれぞれ一
体的に連結されてお１、このダムには一対の切断予備孔
が前記両リードにおける各対向辺の仮想線にそれぞれ配
されて、各切り口の一部がこの仮ｌｔ！線に略沿うよう
にそれぞれ形成されているとともに、このダムにおける
両切断予備孔の前記リードのインナ部寄り位置には各引
き裂かれ部が前記仮想線に沿うようにそれぞれ形成され
てお１、また、このダムにおける両切断予備孔間には引
き裂き力受は部が形成されているリードフレームが準備
されるリードフレーム準備工程。

（２）半導体ペレットを搭載されるとともに、この半導
体ペレットと前記リードとを電気的に接続された前記リ
ードフレームが成形型に、前記ダムにおけるリードイン
ナ部側の端辺がこの成形型におけるキャビティーの外側
縁辺にきわめて近接するように配されてセントされ、そ
の後、このキャビティーに成形材料が注入されることに
よ１、前記半導体ペレットおよびリードの一部を封止す
るパッケージが成形される樹脂封止パッケージ成形工程
。

（３）樹脂封止パッケージを成形された前記リードフレ
ームにおける前記ダムが、このダムにおける前記各切断
予備孔のリードアウタ部側寄り部分が前記仮想線に略沿
ってそれぞれ切断されるとともに、前記引き裂かれ部が
前記引き裂き力受は部に加えられる力により引き裂かれ
るダム切断工程。

〔作用〕

前記した手段によれば、樹脂封止パッケージの成形工程
において、ダムが成形型のキャビティーにきわめて近接
されることによ１、隣合うリードとダムとによって画成
された空間に形成される樹脂ぼりはきわめて小さく抑制
されるため、成形後の樹脂封止パッケージにおいて、当
該樹脂ぼりは何らの障害を発生しない。

また、ダムの切断工程において、ダムは切断予備孔の外
側部分を切断刃により切断されるが、切断予備孔の内側
部分の引き裂かれ部は引き裂き力受は部に加えられた力
により引き裂かれる。したがって、ダムの内側空間に形
成された微細な樹脂ぼりには打ち落とし力が加わらない
ため、樹脂ばりが微細なために曙性が大きいこととあい
まって、樹脂ばりが不慮に脱落することはない。

そして、ダムにはシャーカットが施されないため、リー
ドフレームの製作は再現性良く、かつ、簡単に実施され
ることになるとともに、リードフレームにシャーカット
による歪が発生することもなくなる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
におけるダム切断工程を示す拡大部分斜視図、第２図は
本発明の一実施例である半導体装置の製造方法に使用さ
れているリードフレームを示す一部省略平面図、第３図
は第２図の■部を示す拡大部分斜視図、第４図〜第１２
図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法の各
工程を示す各説明図である。

本実施例において、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、高密度実装を実現するための半導体集積回路装置（
以下、ＩＣという、）である樹脂封止のミニ・スクエア
・パッケージを備えているＩＣ（以下、ＭＳＰ−ＩＣ１
または、単に、ＩＣということがある。）を製造するの
に使用されている。

以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止のＭＳＰｉ
Ｃの製造方法を説明する。この説明によ１、ＭＳＰ・Ｉ
Ｃについての構成の詳細が共に明らかにされる。

本実施例において、本発明に係るＭＳＰ−ＩＣの製造方
法には、第２図に示されている多連リ一ドフレーム１が
使用されている。この多連リードフレーム１は銅系（銅
、またはその合金）材料からなる薄板を用いて、打ち抜
きプレス加工またはエツチング加工等のような適当な手
段により一体成形されている。この多連リードフレーム
を形成する銅系材料としては、析出硬化型銅系材料、例
えば、０，０５〜０．１５％のジルコニウム（Ｚｒ）を
含有する（残りは銅）析出硬化型銅系材料や、０．５０
〜０．６０％程度のジルコニウム、および、０．２０〜
０，３０％程度のクロム（Ｃｒ）を含有する析出硬化型
銅系材料、が使用されている。析出硬化型銅系材料は、
導電率、および引張強度が高１、銅、アルミニウム、金
等のような金属に対する機械的接続性が優れてお１、そ
の結果、これらの金属が使用されているワイヤがボンデ
ィングされる際におけるボンダビリティ−がきわめて良
好になる。

この多連リードフレーム１には複数の単位リードフレー
ム２が横方向に１列に並設されている。

単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されてい
る外枠３を一対備えてお１、両外枠３は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている
。隣り合う単位リードフレーム２．２間には一対のセク
ション枠４が両外枠３．３間に互いに平行に配されて一
体的に架設されてお１、これら外枠、セクション枠によ
り形成される略正方形の枠体内に単位リードフレーム２
が構成されている。

各単位リードフレーム２において、外枠３およびセクシ
ョンパー４の接続部にはダム吊り部材５が略直角方向に
それぞれ配されて一体的に突設されてお１、ダム吊り部
材５には４本のダム部材６が略正方形の枠形状になるよ
うに配されて、一体的に吊持されている。セクション枠
４例の各ダム部材６にはタブ吊りリード７が両端に配さ
れて、略４５度方向に一体的に突設されてお１、各タブ
吊りリード７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ８が、ダム部材６群の枠形状と略同心的に配され
て一体的に吊持されている。ダム部材６には複数本のり
一部９が長手方向に等間隔に配されて、互いに平行で、
ダム部材６と直交するように一体的に突設されてお１、
各リード９の内側端部は先端がタブ８に近接されてこれ
を取り囲むように配されることによ１、インチ部９ａを
それぞれ構成している。他方、各リード９の外側延長部
分は、その先端が外枠３およびセクション枠４から離間
して切り離され、アウタ部９ｂをそれぞれ構成している
。ちなみに、本実施例において、タブ８はリード９群の
面よりも半導体ペレットの厚み分程裏面方向に下げられ
ている（所謂タブ下げ）。

ダム部材６における隣り合うリード９．９におけるアウ
タ部９ｂ、９ｂ間には、後述するパッケージ成形時にレ
ジンの流れをせき止めるためのダム１０が実質的に構成
されている。

そして、第３図に示されているように、各ダム１０は従
来のダムに比較して若干幅広に形成されてお１、各ダム
１０には略直角三角形形状に形成されている切断予備孔
１１が一対、隣合う両リード９のアウタ部９ｂ、９ｂに
おける各対向辺の仮想線にそれぞれ配されて開設されて
いる。各切断予備孔１１はその切り口の一部に相当する
一底辺がこの仮想線に略沿うように、かつ、その開口幅
がインナ部９ａ側からアウタ部９ｂ側へ行くにしたがっ
て次第に広くなるように形成されている。

この一対の切断予備孔１１によって実質的に、ダム１０
には引き裂かれ部１２が一対、ダム１０における両方の
切断予備孔１１．１１の前記インナ部９ａ寄り位置にお
いて、前記仮想線に沿うようにそれぞれ配されて形成さ
れている。また、ダムＬＯにおける両側の切断予備孔１
１．１１の間には引き裂き力受は部１３が実質的に形成
されてお１、この引き裂き力受は部１３によりダム１０
はその中央部においてインナ部９ａ側とアウタ部９ｂ側
とを一体的に連結されている。

このように構成されて＄備された多連リードフレーム１
には、各単位リードフレーム２毎にペレット・ボンディ
ング作業、続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施さ
れ、これら作業によ１、第４図および第５図に示されて
いるような組立体が製造されることになる。これらのボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることによ１、各単位リードフレーム２毎に順
次実施される。

まず、ペレットボンディング作業によ１、前工程におい
てバイポーラ形の集積回路素子（図示せず）を作り込ま
れた半導体集積回路構造体としてのペレット１７が、各
単位リードフレーム２におけるタブ８上の略中央部に配
されて、銀ペースト等のような適当な材料を用いられて
形成されるボンディング層１６を介して固着される。１
１ペーストは、エポキシ系樹脂接着剤、硬化促進剤、お
よび溶剤に銀粉が混入されて構成されているものであ１
、リードフレーム上に塗布された銀ペーストにペレット
が押接された後、適当な温度により硬化（キュア）され
ることによ１、ボンディング層１６を形成するようにな
っている。

そして、タブ８に固定的にボンディングされたペレット
１７のボンディングバンドＬ７ａと、単位リードフレー
ム２における各リード９のインチ部９ａとの間に、銅系
材料（銅または銅合金）を使用されて形成されているワ
イヤ１８が、超音波熱圧着式のような適当なワイヤボン
ディング装置が使用されることによ１、その両端部をそ
れぞれボンディングされて橋絡される。これによ１、ペ
レット１７に作り込まれている集積回路は、ポンディン
グパッド１７ａ、ワイヤ１日、リード９のインナ部９ａ
およびアウタ部９ｂを介して電気的に外部に引き出され
ることになる。

その後、ペレットおよびワイヤ・ボンディングされた多
連リードフレームには、各単位リードフレーム毎に樹脂
封止するパンケージ群が、第６図および７図に示されて
いるようなトランスファ成形装置を使用されて単位リー
ドフレーム群について同時成形される。

第６図および第７図に示されているトランスファ成形装
置２９はシリンダ装置等（図示せず）によって互いに型
締めされる一対の上型３１と下型３２とを備えてお１、
上型３１と下型３２との合わせ面には上型キャビティー
凹部２３ａと下型キャビティー凹部２３ｂとが、互いに
協働してキャビティー３３を形成するようにそれぞれ複
数組没設されている。上型３１の合わせ面にはボット３
４が開設されてお１、ボット３４にはシリンダ装置（図
示せず）により進退されるプランジャ３５が成形材料と
しての樹脂から成るタブレットが投入され、このタブレ
ットが溶融されて成る樹脂（以下、レジンという、）を
送給し得るようになっている。下型３２の合わせ面には
カル３６がボット３４との対向位置に配されて没設され
ているとともに、複数条のランナ３７がボット３４にそ
れぞれ接続するように放射状に配されて没設されている
。各ランナ３７の他端部は下側キャビティー凹部３３ｂ
にそれぞれ接続されてお１、その接続部にはゲート３８
がレジンをキャビティー３３内に注入し得るように形成
されている。また、下型３２の合わせ面には逃げ凹所３
９がリードフレームの厚みを逃げ得るように、多連リー
ドフレーム１の外形よりも若干大きめの長方形で、その
厚さと略等しい寸法の一定深さに没設されている。

前記構成にかかる多連リードフレーム１を用いて樹脂封
止パッケージをトランスファ成形する場合〜上型３１お
よび下型３２における各キャビティー３３は各単位リー
ドフレーム２における４本のダム部材６によって囲まれ
た空間にそれぞれ対応される。

トランスファ成形に際し、前記構成にかかる多連リード
フレーム１は下型３２に没設されている逃げ凹所３９内
において、各単位リードフレーム２におけるペレット１
７が各キャビティー３３内にそれぞれ収容されるように
配されてセントされる。

この状態において、第７図に示されているように、単位
リードフレーム２におけるダム１０群のインナ部側端辺
（以下、内側端辺という、）１０ａは下型キャビティー
凹部３３ｂ、すなわち、キャビティー３３の外周辺にき
わめて近接された状態になる。つま１、ダム１０群とキ
ャビティー３３との相関関係は、樹脂封止パッケージの
成形時においてダム１０の内側端辺１０ａがキャビテイ
−３３の外周辺にきわめて接近する状態になるようにそ
れぞれ設定されている。そして、ダム１０の内側端辺ｔ
Ｏａとキャビティー３３の外周辺との隙間１４０寸法と
しては、多連リードフレーム１の寸法公差等により発生
される成形型に対する位置ずれによってダム１０がキャ
ビティー３３の中へ侵入してしまうのを防止することが
できる最小限度の寸法であって、この隙間１４内に形成
される樹脂ばり１５が何らの障害を発生しない程度の寸
法が設定されてお１、具体的には、０．　１ａｍ程度以
下とされる。

続いて、上型３１と下型３２とが型締めされ、ボット３
４からプランジャ３５により成形材料としてのレジン３
０がランナ３７およびゲート３８を通じて各キャビティ
ー３３に送給されてそれぞれ圧入される。

キャビティー３３内に圧入されたレジン３０はその充填
に伴って、上型３１と下型３３との合わせ面間において
隣合うリード９．９の間からキャビティー３３の外部に
漏洩するが、キャビティー３３は隣合うリード９．９間
においてダム１０群により包囲されているため、キャビ
ティー３３から漏洩したレジン３０がダム１０を越えて
さらに外方へ流出することはない。

そして、キャビティー３３から隣合うリード９．９およ
びダム１０によって取り囲まれた隙間１４内に漏洩した
レジン３０によ１、樹脂ばり１５が形成されることにな
るが、本実施例においては、ダム１０の内側端辺ＬＯａ
がキャビティー３３の外周縁に近接されているため、こ
の樹脂ばり１５は０．１ｍｍ幅以下のきわめて微細なも
のになる。

また、ダム１０の内側端辺１０ａにはシャーカットが施
されていないため、当該シャーカットの隙間にレジンが
侵入する可能性もない。そして、シャーカットが施され
ていないため、ダム１０の内側端辺１０ａの形状は平坦
にな１、そこに形成される樹脂ばり１５は微細で、しか
も、規則的に制御された形状を呈することになる。

注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止パッケージ１９
が成形されると、上型３１および下型３２は型開きされ
るとともに、エジェクタ・ビン（図示せず）によりパッ
ケージ１９群が離型される。このようにして、第８図に
示されているように、パッケージ１９群を成形された多
連リードフレーム１はトランスファ成形製Ｗ２９から脱
装される。

そして、このように樹脂成形されたパッケージ１９の内
部には、ペレット１７、リード９のインナ部９ａおよび
ワイヤ１８が樹脂封止されることになる。この状態にお
いて、めっきレスの銅系リードフレームはパッケージ１
９のレジン３０に対してきわめて良好な接着性を示すた
め、各リード９のインナ部９ａはパッケージ１９ときわ
めて効果的に一体化される。また、パッケージ１９にお
ける隣合うリード９．９のアウタ部９ｂ、９ｂとダム１
０の内側端辺１０ａとの空間内に形成された樹脂ばり１
５はきわめて微細であるため、パッケージ１９に殆ど一
体化されてお１、しかも、微細であるため、外観上も樹
脂ばり１５と認識され得ない程度のものになっている。

多連リードフレーム１はリード切断成形工程において、
各単位リードフレーム毎に順次、リード切断装置によ１
、外枠３およびダム１０を切り落された後、リード成形
装置によりリード９のアウタ部９ｂを下向きに屈曲成形
される。

この工程で使用されるリード切断成形装置４０は第９図
に示されているようにフィーダ４１を備えてお１、フィ
ーダ４１は間欠送り装置（図示せず）によ１、被処理物
としての多連リードフレーム１を単位リードフレーム２
に対応するピッチをもって一方向に歩進送りするように
構成されている。フィーダ４１の一端部（以下、前端部
とする。

）にはローダ４２が設備されてお１、ローダ４２はラッ
ク等に収容された多連リードフレーム１をフィーダ４１
上に１枚宛払い出すように構成されている。フィーダ４
１の中間部にはリード切断装置４３が設備されている。

フィーダ４１におけるリード切断装置４３の片脇には、
リード成形装置４４がリード切断装置４３と並ぶように
配されて設備されてお１、両装置４３と４４との間には
ハンドラ４５が、リード切断装置４３において多連リー
ドフレーム１の外枠から切り離された中間製品としての
ＭＳＰ−１ｃ部４７を保持してリード成形装置４４に移
載し得るように設備されている。フィーダ４１の後端部
にはアンローダ４６が設備されてお１、このアンローダ
４６はリード切断装置４３においてＭＳＰ・ＩＣＣ部子
７切り抜かれた多連リードフレーム１の残渣部品として
の外枠部４８をフィーダ４１から順次下して排出するよ
うに構成されている。

第１０図に示されているように、リード切断装置４３は
上側取付板５０および下側取付板６０を備えてお１、上
側取付板５０はシリンダ装置（図示せず）によって上下
動されることによ１、機台上に固設されている下側取付
板６０に対して接近および離反するように構成されてい
る０両取付板５０および６０にはホルダ５１および６１
がそれぞれ固定的に取り付けられてお１、両ホルダ５１
および６１には上側押さえ型５２および下側押さえ型６
２（以下、上型５２および下型６２ということがある。

）が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型５２および下型６２は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されてお１、上型５２
と下型６２とは左右の押さえ部５３と６３とによってリ
ード９の根元部を上下から押さえるように構成されてい
る。

また、上型５２は後記する外枠押さえと同様に、ガイド
５８およびスプリング５９により独立懸架されるように
構成されている。

上側ホルダ５１には略くし歯形状（図示せず）に形成さ
れたバンチ５４が一対、上型５２の左右両脇においてリ
ード９群のピッチに対応するように配されて、垂直下向
きに固設されてお１、バンチ５４には剪断刃５６が＜シ
歯におけるエツジに配されて、後記する剪断ダイと協働
して外枠３およびダム１０を切り落とすように構成され
ている。

ここで、第１１図に示されているように、バンチ５４は
剪断時に剪断刃５６がダム１０における引き裂かれ部１
２よりもリードアウタ部９ｂ寄りの位置から接触するよ
うに形成されているとともに、引き裂かれ部１２側から
先に接触するように、パッケージ側から外方向へ上向き
になる傾斜面が与えられている。

上側ホルダ５１には外枠押さえ５７が、ガイド５８に摺
動自在に嵌合されて上下動自在に支持されてお１、外枠
押さえ５７はスプリング５９により常時下方に付勢され
た状態で独立懸架されるように構成されている。このス
プリング５９によ１、外枠押さえ５７はリードフレーム
の外枠３を後記する剪断ダイ上面との間で挟圧して押さ
えるようになっている。

他方、下型６２には一対の剪断グイ６６が押さえ部６３
の左右両脇に配されて、リード９の下面に沿う形状に形
成されてお１、剪断ダイ６６は前記バンチ５４の剪断刃
５６と協働して外枠３およびダム１０を切り落とすよう
に形成されている。

次に、第１２図に示されているように、リード成形装置
４４は下側取付板７０および下側取付板８０を備えてお
１、上側取付板７０はシリンダ装置（図示せず）によっ
て上下動されることによ１、機台上に固設されている下
側取付板８０に対して接近および離反するように構成さ
れている０両取付板７０および８０にはホルダ７１およ
び８１がそれぞれ固定的に取り付けられてお１、両ホル
ダ７１および８１には上側押さえ型７２および下側押さ
え型８２〔以下、上型７２および下型８２ということが
ある。）が互いに心合わせされてそれぞれ保持されてい
る。上型７２および下型８２は互いにもなか合わせにな
る略チャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されてお１、上
型７２と下型８２とは左右の押さえ部７３と８３とによ
ってリード９の根元部を上下から押さえるように構成さ
れている。また、上型７２はガイド７８およびスプリン
グ７９により独立懸架されるように構成されている。

上側ホルダ７１には成形パンチ７４が一対、上型７２の
左右両脇においてリード９群のピッチに対応するように
配されて、垂直下向きに固設されてお１、このバンチ７
４は後記する成形グイと協働してリード９を略垂直下向
きに屈曲成形し得るように構成されている。パンチ７４
のアウタリード９に摺接する内側肩部には弯曲面形状部
７５が適当な曲率をもって形成されている。他方、下型
８２には一対の成形ダイ８４が押さえ部８３の左右両脇
に配されて、成形後におけるリードアウタ部９ｂの下面
に沿う形状に形成されている。

次に作用を説明する。

前述したように、樹脂封止パッケージ１９を成形された
多連リードフレームは複数枚宛、ラック等に収容されて
、リード切断成形装置４０のローダ４２に供給される。

ローダ４２に送給された多連リードフレーム１はローダ
４２によりラック等から１枚宛、フィーダ４１上にｔｌ
ｉ次払い出されて行く、フィーダ４１に払い出された多
連リードフレーム１はフィーダ４１により単位リードフ
レーム２．２間の間隔をもって１ピッチ宛歩進送りされ
る。

そして、フィーダ４１上を歩道送りされる多連リードフ
レーム１は単位リードフレーム２をリード切断装置４３
に順次供給されて行く。

ここで、リード切断装置４３についての作用を説明する
。

第１０図に示されているように、多連リードフレーム１
についての歩道送りにより下型６２に単位リードフレー
ム２が凹部にパッケージ１９を落とし込まれるようにし
てセントされる。これによ１、リード９の根本部が下型
６２の押さえ部６３に当接する。

次ぎに、シリンダ装置により上側取付板５０が下降され
、上型５２および外枠押さえ５７が下型６２にスプリン
グ５９の付勢力により合わせられる。これによ１、上型
５２の押さえ部５３と下型６２の押さえ部６３との間で
リード９の根本部が挟圧されて固定される。また、外枠
押さえ５７と剪断ダイ６６上面との間で外枠３が挟圧さ
れて固定される。

その後、上側取付板５０がさらに下降されて行くと、パ
ンチ５４が下降されて行く。このとき、上型５２および
外枠押さえ５７はスプリング５９が圧縮変形されるため
、下型６２および剪断ダイ６６に押圧される。パンチ５
４の下降に伴って、パンチ５４の剪断刃５６と剪断ダイ
６６との協働による剪断により外枠３およびダム１０が
リード９群から切り落とされる。

ここで、パンチ５４がダム１０の内側に形成された微細
な樹脂ばり１５に接触すると、微細な樹脂ばり１５がパ
ンチ５４の打撃により破損される危険性がある。樹脂ば
り１５が破損されると、パッケージの損傷による外観低
下環のような１次障害の発生ばかりでなく、その破片が
この切断装置やリード成形装置における上型および下型
に付着することによ１、製品としてのＭＳＰ−ＩＣのリ
ードやパッケージに圧痕を形成させる等のような２次障
害発生の原因になる。

しかし、本実施例においては、第１図および第１１図に
示されているように、パンチ５４はダム１０にその内側
端辺１０ａよりも外側位置においてのみ接触するように
形成されているため、その内側に形成された樹脂ばり１
５がパンチ５４によって打撃されることはない、したが
って、樹脂ばり１５がパンチ５４により破損されること
はな（、その結果、樹脂ばりの破損により派生する障害
が未然に回避されることになる。

すなわち、パンチ５４はその下降に伴って、ダム１０に
その内側端辺１０ａよりも外側位置に接触される。この
とき、パンチ５４は内側から外側に向けて上向きになる
ように傾斜されているため、パンチ５４の内側端辺がダ
ム１０の内側端辺１０ａ側から接触して行くことになる
。

パンチ５４の切先がダムｌＯの内側端辺１０ａ付近に接
触されてから、パンチ５４がさらに下降されて行くと、
ダム１０にはその内側端辺部１０ａが押し下げられるよ
うに、外側部分を中心に回される力が作用されることに
なる。そして、ダム１０には切断予備孔１１．１１を開
設されることによ１、内側端辺１０ａ付近に引き裂かれ
部１２．１２が形成されているため、ダム１０はこの引
き裂かれ部１２．１２において引き裂かれることになる
。このとき、切断予備孔１１が直角三角形形状に形成さ
れ、かつ、三角形の頂角が内側を向くように配されてい
るため、引き裂かれ作用はきわめて有効に実行される。

また、バンチ５４はその下降に伴って、引き裂き力受は
部１３に引き裂き力を強く及ぼして行く状態になるため
、引き裂き力は引き裂かれ部１２にきわめて有効に作用
される。その結果、引き裂かれ部１２の切り口は切断予
備孔１［の−辺、すなわち、リード９のアウタ部９ｂに
おける外形線に一致されるとともに、綺麗な状態になる
。

バンチ５４の下降が所定のストロークまで進むと、ダム
１０はその切断予備孔１１の外側における実体部分をバ
ンチ５４の剪断刃５６と剪断ダイ６６との協働による剪
断により切り落とされる。

この剪断による切り口は切断予備孔１１の一辺に可及的
に一致される。

このようにして、バンチ５４および剪断ダイ６６により
樹脂ばり１５が打撃されることな（、ダム１０は切り落
とされる。

バンチ５４が所定のストロークを終了すると、バンチ５
４は上側取付板５０により上昇され、元の待機状態まで
戻される。

リード切断袋［４３において、切断が終了し、上側取付
板５０が上昇すると、多連リードフレーム１の外枠３か
ら切り離された中間製品であるＭＳＰ−１０部４７は、
下型６２上からリード成形装置４４における下型８２上
へハンドラ４５により移載される。

ＭＳＰ・１０部４７がリード成形装置４４に移載される
と、フィーダ４１により多連リードフレーム１が単位リ
ードフレーム２の１ピッチ分だけ歩進送りされ、次段の
単位リードフレーム２について前記した切断作業が実施
される。以降、各単位リードフレーム２について切断作
業が繰り返されて行（。

そして、全ての単位リードフレーム２についての切断作
業が終了した多連リードフレーム１の残渣としての外枠
部４８は、アンローダ４６においてフィーダ４１上から
下ろされ所定の場合に回収される。

一方、リード成形装置４４に供給されたＭＳＰＬＣ部４
７はこの装置によりリード成形作業を実施される。

ここで、リード成形装置ｔ４４についての作用を説明す
る。

、第１２図に示されているように、下型８２にＭＳＰ・
１０部４７がその凹部にパッケージ１９を落とし込まれ
るようにしてセントされる。これによ１、リード９の根
本部が下型８２の押さえ部８３に当接する。

次ぎに、シリンダ装置により上側取付板７０が下降され
、上型７２が下型８２にスプリング７９の付勢力により
合わせられる。これによ１、上型７２の押さえ部７３と
下型８２の押さえ部８３との間で被屈曲部としてのり−
ド９の根本部が挟圧されて固定される。

その後、上側取付板７０がさらに下降されて行くと、バ
ンチ７４が下降されて行く、このとき、上型７２はスプ
リング７９が圧縮変形されるため、下型８２に押圧され
る。

さらに、バンチ７４が成形ダイ８４に対して下降される
と、リード９はバンチ７４の下降に伴って成形ダイ８４
に押しつけられることによ１、この成形ダイ８４に倣う
ように屈曲されて所望の形状に成形される。

バンチ７４が所定のストロークを終了すると、バンチ７
４は上昇され、元の待機状態まで戻される。その後、成
形済のＩＣは下型８２から取り外され、次工程に送給さ
れて行く。

また、多連リードフレーム１はリード切断成形以前また
は以後に、はんだめっき処理、または、はんだデイツプ
処理によるはんだＩｌｌ被着処理工程においてリードの
アウタ部９ｂに、はんだ被膜を被着される。

以上のようにして製造された樹脂封止のＭＳＰ・ＩＣ９
０は第１３図および第１４図に示されているようにプリ
ント配線基板に実装される。

第１３図および第１４図において、プリント配線基板９
１にはランド９２が複数個、実装対象物となる樹脂封止
のＭＳＰ・ＩＣ９０における各リード９に対応するよう
に配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄板形状に
形成されてお１、このランド９２にこのＩＣ９０のリー
ド９のアウタ部９ｂ群がそこに整合されて当接されてい
るとともに、各リード９のアウタ部９ｂとランド９２と
がリフローはんだ処理により形成されたはんだ盛り層９
３によって電気的かつ機械的に接続されている。このと
き、リードのアウタ部９ｂにははんだめっき被膜が全体
にわたって予め被着されているため、ランド９２のはん
だ材料が効果的に吸い上が１、はんだ盛りＦＪ９３はき
わめて適正に形成されることになる。

前記実施例によれば次の効果が得られる。

（１）樹脂封止パッケージの成形工程においてダムの内
側端辺がキャビティーの外側周辺にきわめて近接するよ
うにダムを予め形成しておくことによ１、成形後の樹脂
封止パッケージにダム内側空間により形成される樹脂ば
りをきわめて微細化させることができるため、樹脂ぼり
による障害の発生を防止することができる。

（２）　　ダムに切断予備孔、引き裂かれ部および引き
裂き力受は部を予め形成しておくことによ１、そのダム
の切断工程において、ダムの内側空間に形成される樹脂
ぼりに切断工具による打撃を作用させずにダムを適正に
切り落とすことができるため、樹脂ぼり打撃による樹脂
ばりの破損、および樹脂封止パッケージの損傷等のよう
な１次的障害の発生、並びに、樹脂ばりの破片による製
品や、製造装置に対する損傷の派生等を未然に防止する
ことができる。

（３）　　ダムの内側端辺にシャーカットを切設しない
ことによ１、シャーカットの隙間内への樹脂の侵入を回
避することができるとともに、シャーカットによるリー
ドフレームの歪の発生を防止することができ、その結果
、樹脂ばりの不規則な形成の発生を防止することができ
る。

（４）　　ダムにおける切断予備孔を直角三角形形状に
形成するとともに、三角形の直角がリードのアウタ部側
に位置するように配設することによ１、引き裂かれ部に
おいて引き裂き作用をきわめて有効に働かせることがで
きるため、ダムを確実に切り落とすことができるととも
に、その引き裂かれ部の切り口を綺麗にさせることがで
きる。

（５）　　ダムを切り落とすだめの切断工具がダムの内
側に形成された樹脂ぼりに接触しないように、ダムおよ
び切断工具の関係を構成することによ１、切断工具はリ
ードフレームの金属のみを切断することになるため、切
断工具の寿命を延ばすことができる。

（６）パッケージ外周におけるリード間に形成される樹
脂ばりを微細化することによ１、機能上はいうまでもな
（、外観上の問題にならないので、樹脂ばりの除去工程
を省略化することができ１．生産性を大幅に高めること
ができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、ダムは第１５図および第１６図に示されている
ような構造等に構成してもよい。

第１５図に示されているダムＬＯＡは、切断予備孔１１
Ａ、ＩＩＡが略長方形形状に形成され、その長辺の一方
がアウタ部９ｂの仮想線に一致するように配設されてい
る。

第１６図に示されているダムＩＯＢは、引き裂き力受は
部１３Ｂが空隙１３ａを介設されることによりダムＩＯ
Ｂの外側端辺部１０ｂ側から切り離されている。このダ
ムＩＯＢによれば、このダムＩＯＢがプレス加工により
打ち抜かれる場合に、打ち抜き型９４に空隙１３ａを打
ち抜くための架橋部分９４ａを形成することができるた
め、打ち抜き型９４の強度を高めることができるという
効果が得られる。

また、ダム切断工程において、ダムをパンチにより打ち
抜くように切断装置を構成するに限らず、第１７図およ
び第１８図に示されているように、パンチ５４に対向し
てこれと共に下降する押さえ具６５を設け、ダムを切り
落とす際に、パンチ５４と押さえ具６５とによってダム
１０の引き裂き力受は部１３を挟持し、引き裂かれ部１
２を強制的に引き裂くように構成してもよい。

リード群の銅系材料およびワイヤの銅系材料の材料組成
は前記したものに限定されるのではなく、他の様々な組
成のものを用いることができる。

また、ワイヤボンディング装置およびトランスファ成形
装置、ダム切断装置、リード成形装置等の具体的構成は
前記実施例の構成を使用するに限られない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止ＭＳＰ・Ｉ
Ｃの製造方法に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備え
てお１、パッケージ成形時にダムが使用されるＩＣ等の
ような半導体装置の製造方法全般に適用することができ
る。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。

樹脂封止パッケージの成形工程においてダムの内側端辺
がキャビティーの外側周辺にきわめて近接するようにダ
ムを予め形成してお（ことによ１、成形後の樹脂封止パ
ッケージにダム内側空間により形成される樹脂ばりをき
わめて微細化させることができるため、樹脂ぼりによる
障害の発生を防止することができる。

かつまた、ダムに切断予備孔、引き裂かれ部および引き
裂き力受は部を予め形成しておくことによ１、そのダム
の切断工程において、ダムの内側空間に形成される樹脂
ぼりに切断工具による打撃を作用させずにダムを適正に
切り落とすことができるため、樹脂ぼり打撃による樹脂
ばりの破損、および樹脂封止パッケージの損傷等のよう
な１次的障害の発生、並びに、樹脂ばりの破片による製
品や、製造装置に対する損害の派生等を未然に防止する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
におけるダム切断工程を示す拡大部分斜視図、 第２図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方法
に使用されているリードフレームを示す一部省略平面図
、 第３図は第２図の■部を示す拡大部分斜視図、第４図は
ペレットおよびワイヤボンディング後を示す一部省略拡
大部分平面図、 第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う正面断面図、第６図は
樹脂封止パッケージの成形工程を示す縦断面図、 第７図は同じく一部省略平面図、 第８図は樹脂封止パッケージ成形後の多連り一部フレー
ムを示す一部省略平面図、 第９図はリード切断成形工程を示す概略平面歇第１０図
はダム切断工程を示す縦断面図、第１１図は同じく拡大
部分断面図、 第１２図はリード成形工程を示す縦断面図、第１３図は
この樹脂封止ＭＳＰ・ＩＣの実装状態を示す一部省略一
部切断斜視図、 第１４図はその−・部省略拡大縦断面図である。 第１５図はダムの他の実施例杏示す拡大部分斜視図であ
る。 第１６図はダムについての別の他の実施例を示す拡大部
分斜視図である。 第１７図および第１８図はダム切断工程の他の実施例を
示す拡大部分縦断面図および一部省略斜視図である。 １・・・多連リードフレーム、２・・・単位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクション枠、５・・・
ダム吊り部材、６・・・ダム部材、７・・・タブ吊りリ
ード、８・・・タブ、９・・・リード、９ａ・・・イン
ナ部、９ｂ・・・アウタ部、１０．・・・ダム、１１・
・・切断予備孔、１２・・・引き裂かれ部、１３・・・
引き裂き力受は部、１４・・・隙間、１５・・・樹脂ぼ
１、１６・・・ボンディング層、１７・・・ペレット、
１８・・・ボンディングワイヤ、１９・・・樹脂封止パ
ッケージ、２９・・・トランスファ成形装置、３０・・
・レジン（成形材料）、３１＝・上型、３２・・・下型
、３３・・・キャビティー、３４・・・ポット、３５・
・・プランジ中、３６・・・カル、３７・・・ランナ、
３８・・・ゲート、３９・・・リードフレーム逃げ凹所
、４０・・・リード切断成形装置、４１・・・フィーダ
、４２・・・ローダ、４３・・・リード切断装置、４４
・・・リード成形製置、４５・・・ハンドラ、４６・・
・アンローダ、４７・・・ＭＳＰ・ｔＣ部（中間製品）
、４８・・・外枠部（残渣部）、５０，６０．７０．８
０・・・取付板、５１．６１．７１．８１・・・ホルダ
、５２．６２．７２．８２・・・押さえ型、５３．６３
．７３．８３・・・押さえ部、５４．７４・・・パンチ
、５６・・・剪断刃、５７・・・外枠押さえ、５８．７
８・・・ガイド、５９．７９・・・スプリング、６Ｇ・
・・剪断グイ、８４・・・成形ダイ、９０・・・樹脂封
止形ＭＳＰ−ＩＣ（半導体装置）、９１・・・プリント
配線基板、９２・・・ランド、９３・・・はんだ盛り暦
。 代理人　弁理士　梶　　原　　辰　　也第１４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも以下の工程を備えていることを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。 （１）互いに隣合うリード同士がダムによりそれぞれ一
   体的に連結されており、このダムには一対の切断予備孔
   が前記両リードにおける各対向辺の仮想線にそれぞれ配
   されて、各切り口の一部がこの仮想線に略沿うようにそ
   れぞれ形成されているとともに、このダムにおける両切
   断予備孔の前記リードのインナ部寄り位置には各引き裂
   かれ部が前記仮想線に沿うようにそれぞれ形成されてお
   り、また、このダムにおける両切断予備孔間には引き裂
   き力受け部が形成されているリードフレームが準備され
   るリードフレーム準備工程。 （２）半導体ペレットを搭載されるとともに、この半導
   体ペレットと前記リードとを電気的に接続された前記リ
   ードフレームが成形型に、前記ダムにおけるリードイン
   ナ部側の端辺がこの成形型におけるキャビティーの外側
   縁辺にきわめて近接するように配されてセントされ、そ
   の後、このキャビティーに成形材料が注入されることに
   より、前記半導体ペレットおよびリードの一部を封止す
   るパッケージが成形される樹脂封止パッケージ成形工程
   。 （３）樹脂封止パッケージを成形された前記リードフレ
   ームにおける前記ダムが、このダムにおける前記各切断
   予備孔のリードアウタ部側寄り部分が前記仮想線に略沿
   ってそれぞれ切断されるとともに、前記引き裂かれ部が
   前記引き裂き力受け部に加えられる力により引き裂かれ
   るダム切断工程。 ２、前記ダムにおける前記各切断予備孔が略直角三角形
   形状に形成されているとともに、三角形の直角がリード
   のアウタ部側に位置するように配されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
   法。 ３、前記ダムにおける前記引き裂き力受け部の一端部が
   切り離されて、前記両方の切断予備孔が連絡されている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
   置の製造方法。