JPH01183840A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01183840A
JPH01183840A JP63008745A JP874588A JPH01183840A JP H01183840 A JPH01183840 A JP H01183840A JP 63008745 A JP63008745 A JP 63008745A JP 874588 A JP874588 A JP 874588A JP H01183840 A JPH01183840 A JP H01183840A
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JP
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resin
lead
lead frame
mold
prevention layer
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JP63008745A
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Kazunao Fujioka
藤岡 一尚
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止形パ
ッケージを備えている半導体装置における樹脂ぼりによ
る障害を防止する技術に関し、例えば、樹脂封止形のデ
ュアル・イン・ライン・パッケージを備えているパイ・
ポーラ形半導体集積回路装置(以下、樹脂封止形D[P
−ICということがある。)の製造に利用して有効なも
のに関する。
〔従来の技術〕
−iに、樹脂封止形DIP−1cを製造する場合、複数
本のリードを備えた単位リードフレームが複数並設され
ているリードフレーム(以下、多連リードフレームとい
う。)が使用されており、この多連リードフレームには
トランスファ成形装置により樹脂封止形パッケージが複
数の単位リードフレームについて同時に成形されている
すなわち、−船釣なトランスファ成形装置は互いに型合
わせされる上型および下型からなる成形型を備えており
、上型および下型の合わせ面には樹脂封止形パンケージ
を成形するためのキャビティーが複数、前記多連リード
フレームの各単位リードフレームに対応するように整列
されてそれぞれ没設されている。また、上型または下型
のいずれか一方の合わせ面にはランナを介してポットに
連通されたゲートが多連リードフレームの外枠を横切る
ように配されて、各キャビティーに成形材料としての樹
脂を充填し得るように没設されている。そして、上型と
下型との合わせ面間に多連リードフレームが、各単位リ
ードフレームが各キャビティーにそれぞれ整合するよう
に配されて挟み込まれた後、樹脂がランナおよびゲート
を通じて各キャビティーに送給されることにより樹脂封
止形パッケージが成形される。
このようなトランスファ成形装置により樹脂封止形パッ
ケージを成形する際、多連リードフレームと成形型との
接合面間から成形材料としての樹脂が漏洩し、パッケー
ジ外部の基端部におけるリードの表面に樹脂ばりが発生
する。
そこで、従来、接合面間からの樹脂の漏洩による樹脂ば
りの発生を防止するように構成したトランスファ成形装
置として、例えば、特公昭59−42455号公報に記
載されている電子部品の樹脂モールド装置がある。
これは、リードフレームを用いた電子部品の組立てに使
用される電子部品の樹脂モールド装置であって、上型、
下型を有し、その上型、下型によってリードフレームの
タブにそれぞれ位置するところにキャビティーを構成し
、かつその上型、下型によってリードフレームに設けら
れた複数のダムを押さえるように構成し、さらに、その
上型、下型によってそれらダム間に位置するところに前
記キャビティーとは異なる他の一つのキャビティーを構
成したことを特徴とする電子部品の樹脂モールド装置で
ある。この装置によれば、外部リード部に対応したキャ
ビティーを設けたことにより、以前、リード部に加わっ
ていた上型、下型の締付力はダム部に集中するため、そ
れだけ樹脂ばりが発生しにくくなる。
〔発明が解決しようとする課題] ダミーキャビティーにより樹脂ばりの発生を防止するよ
うに構成されたトランスファ成形装置が使用される樹脂
封止形DIP−ICの製造方法においては、型締め面圧
が150〜200tにも達すると、上型と下型との合わ
せ面の平坦度が摩耗等により低下するため、キャビティ
ーの内外を貫通するリードのパッケージ外基端部におけ
る表面に薄い樹脂ばりが発生し、その結果、当該リード
の基端部に対するはんだ被膜被着処理工程において、は
んだ被膜の被着不良が発生するという問題点があること
が、本発明者によって明らかにされこのようなはんだ被
膜の被着不良の発生を防止する手段として、リードのパ
ッケージ基端部に硬化付着した樹脂被膜(所謂、薄い樹
脂ぼり)に、高圧水や研磨材入りの高圧水、あるいは、
くるみ粉、ビーチ粉等のような研磨材を吹き付けて除去
する方法を使用することが考えられる。しかし、このよ
うな除去方法を使用すると、作業工程数が増加するばか
りでなく、事後処理であるため、除去不足やリードの損
傷等の2次的弊害が発生する。
本発明の目的は、リード表面のパッケージ基端部への樹
脂付着を防止することができる半導体装置の製造技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、複数本のリードを備えたリードフレ−ムが成
形型にそのキャビティーに対応するように配されて挟み
込まれた後、その成形型のキャビティーに樹脂が送給さ
れることにより、樹脂封止形パンケージが成形されてい
る半導体装置において、前記リード群の前記成形型に接
合する表面に軟金属からなる樹脂洩れ止め層を前記樹脂
封止パッケージの境界面を内外に貫通するように配して
形成したものである。
〔作用〕
前記した手段によれば、リード群が成形型の上型と下型
との合わせ面間に挟み込まれると、リードの表面におい
てキャビティーを内外に貫通するように被着された軟金
属からなる樹脂洩れ止め層が上下型に押し潰されてそこ
を完全に目張りする状態になる。この状態で、樹脂封止
形パッケージの成形時に、成形材料としての樹脂がリー
ドと上型および下型との合わせ面間からキャビティーの
外部に流出しようとしたとしても、当該箇所のリード表
面は軟金属からなる樹脂洩れ止め層によって完全に目張
りされることにより漏洩を阻止されるため、樹脂がリー
ドの表面に沿ってキャビティーの外部に流出することに
より、薄い樹脂ばりを形成することはない。
したがって、リードのパッケージ基端部に薄い樹脂ばり
が発生することはないため、当該リードに対するはんだ
被膜被着処理工程において、リード基端部におけるはん
だ被°膜の被着不良が発生することは必然的に回避され
ることになる。また、リードのパッケージ基端部に薄い
樹脂ばりが付着するのを未然に防止されるため、事後的
に当該樹脂ばりを除去する作業も必然的に省略すること
ができる。
(実施例〕 第1図は本発明の一実施例である樹脂封止形DIP−I
Cを示す正面断面図、第2図〜第15図はその製造方法
を説明するための各説明図である。
本実施例において、半導体装置としての樹脂封止形DI
P−IC80は、複数本のり一ド6を備えたリードフレ
ームが成形型にそのキャビティーに対応するように配さ
れて挟み込まれた後、そのキャビティーに樹脂が送給さ
れることにより、成形されてなる樹脂封止形パッケージ
14を備えており、前記リード6群の前記成形型に押接
する表面には軟金属からなる樹脂洩れ止め層10が前記
樹脂封止パンケージ14の境界面を内外に貫通するよう
に形成されている。また、パッケージ14の外部におい
て、リード群はデュアル・イン・ラインの挿入型形状に
屈曲成形されている。このように構成されている樹脂封
止形DIP−1cは、次のような製造方法により製造さ
れている。
以下、本発明の一実施例である樹脂封止形DIP−1c
についての製造方法を説明する。この説明により、前記
樹脂封止形DIP−ICについての構成の詳細が明らか
にされる。
本実施例において、この樹脂封止形DIP−ICを製造
する半導体装置の製造方法には、第1図に示されている
多連リードフレーム1が使用されている。
この多連リードフレーム1は導電性材料としての銅系(
liまたはその合金)材料からなる薄板を用いて、打ち
抜きプレス加工またはエツチング加工等のような適当な
手段により一体成形されており、この多連リードフレー
ム1には複数の単位リードフレーム2が横方向に1列に
並設されている。
単位リードフレーム2は位置決め孔3aが開設されてい
る外枠3を一対備えており、両外枠3は所定の間隔で平
行に一連にそれぞれ延設されている。各単位リードフレ
ーム2において、両外枠3にはタブ吊りリード4が直角
に突設されており、このリード4の先端部にはタブ5が
略正方形形状に形成されている。両外枠3.3間には複
数本のリード6が、その一端部群がタブ5をこれに近接
して取り囲むように、かつ、他端部が外枠方向と平行に
延在するようにそれぞれ配されており、各リード6は相
隣り合うリード6.6間に架設されて両外枠3.3に一
体的に連設されたダム7群により支持されている。各リ
ード6のタブ5側端部は先端をタブ5に近接してこれを
取り囲むように配されることにより、インナ部6aをそ
れぞれ構成している。ワイヤボンディング作業における
ボンダビリティーを高めるために、リードのインナ部6
aの先端部表面にはワイヤボンディング床9が恨めつき
被膜を被着されることによって形成されている。
他方、各リード6の外枠方向と平行に延設された反タブ
側延長部分は、その先端が相隣り合う単位リードフレー
ム2との境界において外枠3.3間において直交するよ
うに配されて一体的に架設されているセクション枠8に
一体的に接続されており、アウタ部6bをそれぞれ構成
している。リード6のアウタ部6bはダム7の付近にお
いて幅広に、また、ダム7から反タブ方向に離れた部分
において幅狭になるように形成されており、幅広部と幅
狭部との境界部にはテーパ部6cがタブと反対方向に行
くにしたがって次第に幅狭になるように形成されている
。また、アウタ部6bのダム7との接続部にもテーバ部
6dが接続方向に行くにしたがって次第に幅狭になるよ
うに形成されている。
本実施例において、多連リードフレーム1の各単位リー
ドフレーム2には軟金属からなる樹脂洩れ止め層10が
、後記するトランスファ成形装置におけるキャビティー
の境界線に跨がるように、かつ、各リード6に対して直
交するように略一定幅の帯状に配されて、5〜30μm
の厚さをもって可及的に均一に形成されている。すなわ
ち、この帯状の樹脂洩れ止め層10の内側縁辺はダム7
の内側縁辺よりも内寄りで、前記ワイヤボンディング床
9よりも外寄りに位置されており、また、その外側縁辺
はダム7の略中央部に位置されている。
樹脂洩れ止め層を構成する材料としては、次のような条
件を満足するものが選定されている。すなわち、このリ
ードフレームの構成材料である銅、および後記するパッ
ケージの構成材料であるエポキシ樹脂の双方に良好な接
着性を示すこと、その硬度が銅(ロックウェル硬さで、
40HえB)よりも軟いこと、軟化温度が後述するボン
ディング工程、および樹脂成形工程等における加熱温度
よりも高いこと、の条件を少なくとも満足する材料であ
る。
本実施例においては、鉛(Pb)が38.1%、錫(S
n)が61.9%の組成を有するはんだ材料が使用され
ており、そのはんだ材料の硬度は、Pbがビッカース硬
さで37Hv、Snがブリネル硬さで5.3H1である
ため、銅の硬さよりも軟らかい。また、このはんだ材料
の融解区域温度は、開始点および終了点とも、183°
C1である。
そして、本実施例においては、図示しないが、このはん
だ材料からなる樹脂洩れ止め層10が前記した単位リー
ドフレーム2の領域において、約20μm程度の厚さを
もってはんんだめつき処理により被着されている。
すなわち、前記多連リードフレームにはめっき処理用レ
ジストが樹脂洩れ止め層を被着すべき領域を残して予め
被着された後、この多連リードフレームについてはんだ
めっき処理が施されると、多連リードフレームには樹脂
洩れ止め層が前記の条件を満足するように被着される。
その後、多連リードフレームに予め被着されたレジスト
は溶解処理等のような適当な手段により除去される。
前記構成にかかる多連リードフレームには各単位リード
フレーム2毎にベレット・ボンディング作業、続いて、
ワイヤ・ボンディング作業が実施される。このボンディ
ング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ送りさ
れることにより、各単位リードフレーム2毎に順次実施
される。この両ボンディング作業中、前記はんだ材料か
らなる樹脂洩れ止め層10の溶融を防止するため、樹脂
洩れ止め層10の温度上昇を可及的に抑制することが望
ましい。
このボンディング作業により、第4図および第5図に示
されているように、前工程においてバイポーラ形の集積
回路を作り込まれた半導体集積回路素子(以下、ペレッ
トという。)12が各単位リードフレーム2におけるタ
ブ5上の略中央部に配されて、銀(Ag)ペースト等の
接着材層により形成されるボンディング層11を介して
固着される。
そして、タブ5に固定的に搭載されたペレット12の電
極パッド12aと、各単位リードフレーム2におけるリ
ード6のワイヤポンディング床9との間にはワイヤ13
が、その両端部をそれぞれポンディングされてそれぞれ
橋絡される。これにより、ペレット12に作り込まれて
いる集積回路は、電極パッド12a、ワイヤ13、リー
ド6のインナ部6aおよびアウタ部6bを介して電気的
に外部に引き出されることになる。
このようにしてペレットおよびワイヤ・ポンディングさ
れた多連リードフレームには、各単位リードフレーム毎
に樹脂封止するパンケージ群が、第6図、第7図および
第8図に示されているようなトランスファ成形装置を使
用されて単位リードフレーム群について同時成形される
第6図、第7図および第8図に示されているトランスフ
ァ成形装置20はシリンダ装置等(図示せず)によって
互いに型締めされる一対の上型21と下型22とを備え
ており、上型21と下型22との合わせ面には上型キャ
ビティー凹部23aと下型キャビティー凹部23bとが
互いに協働してキャビティー23を形成するように複数
組没設されている。上型21の合わせ面にはボット24
が開設されており、ボット24にはシリンダ装置(図示
せず)により進退されるプランジャ25が成形材料とし
ての樹脂(以下、レジンという。)を送給し得るように
挿入されている。下型22の合わせ面にはカル26がボ
ット24との対向位置に配されて没設されているととも
に、複数条のランナ27がボット24にそれぞれ接続す
るように放射状に配されて没設されている。各ランナ2
7の他端部は下側キャビティー四部23bにそれぞれ接
続されており、その接続部にはゲート28がレジンをキ
ャビティー23内に注入し得るように形成されている。
また、下型22の合わせ面には逃げ凹所29がリードフ
レームの厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム1
の外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等し
い寸法の一定深さに没設されている。前記構成にかかる
多連リードフレーム1を用いて樹脂封止形パンケージを
トランスファ成形する場合、上型21および下型22に
おける各キャビティー23は各単位リードフレーム2に
おける一対のダム7.7間の空間にそれぞれ対応される
トランスファ成形時において、前記構成にかかる多連リ
ードフレーム1は下型22に没設されている逃げ凹所2
9内に、各単位リードフレーム2におけるペレット12
が各キャビティー23内にそれぞれ収容されるように配
されてセットされる。
続いて、上型21と下型22とが型締めされ、ボット2
4からプランジャ25によりレジン31がランナ27お
よびゲート28を通じて各キャビティー23に送給され
て圧入される。
注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ1
4が成形されると、上型21および下型22は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)によりパ
ッケージ14群が離型される。このようにして、第9図
に示されているように、パッケージ14群を成形された
多連リードフレーム1はトランスファ成形装置20から
脱装されて次工程へ送られる。第9図中、30はダム7
、パンケージ14およびリード6が囲む空間内に形成さ
れた厚い樹脂ぼりである。
ところで、多連リードフレームのリード群に軟金属から
なる樹脂洩れ止め層が形成されていない従来例の場合、
上型下型の摩耗等の原因により、リードと上型および下
型との押接面間に形成されてしまう極微細な隙間を通っ
て、レジン31が各単位リードフレームのり一ド6にお
けるパッケージに対する基端部に第10図に点で示され
ているように、漏洩してしまう、リードのパッケージ基
端部に流出したレジンは熱硬化してそこに固着すること
により、薄い樹脂ばり32を形成してしまうため、はん
だ被膜被着処理工程において被着不良発生の原因になる
しかし、本実施例においては、各単位リードフレーム2
のリード6群に樹脂洩れ止め層10が形成されているた
め、キャビティー23内のレジン31がリードと上型お
よび下型との押接面を通ってリード6表面におけるキャ
ビティ−23外部に漏洩することは防止される。
すなわち、第11図に示されているように、リード6の
上型21および下型22との押接面にははんだ材料から
なる樹脂洩れ止め層10がキャビティー23の境界に跨
がって形成されている。多連リードフレームlが挟み込
まれて上型21と下型22とが150〜200Lの型締
め面圧をもって型締めされると、樹脂洩れ止め層10は
軟金属により形成されているため、これら上型および下
型に押接する樹脂洩れ止め層10は型締め面圧をもって
圧縮され望性変形された状態になる。このように樹脂洩
れ止め層lOが圧縮されて塑性変形された状態は、樹脂
洩れ止め層lOが上型21および下型22との押接面に
完全に接着した状態であり、上型および下型の摩耗等の
原因によってリード表面との間に形成された極微細な隙
間を完全に目張りした状態になることを意味する。この
ように樹脂洩れ止め層10により上型および下型による
キャビティー23の周囲が完全に目張りされるため、キ
ャビティー23内のレジン31がキャビティー外部に漏
洩する現象は完全に防止されることになる。そして、樹
脂洩れ止め層10は多連リードフレームlに形成されて
いるため、上型および下型の摩耗が進行すること等によ
り、前記隙間に変動したとしても、各多連リードフレー
ム毎に対応することができ、その都度、レジン31がキ
ャビティー外部に漏洩する現象が防止されることになる
このようにして本実施例によれば、キャビティ−23内
部のレジン31が漏洩する現象は完全に防止されるため
、リード6のパッケージ14の基端部に薄い樹脂ばりが
形成されることはない。したがって、リード6基端部に
おけるはんだ被膜被着不良の発生は回避されることにな
る。そして、当然のことながら、薄い樹脂ばりを除去す
る工程は省略することができる。
樹脂封止形パッケージ14を成形された多連リードフレ
ームlは、ダム7、パッケージ14およびリード6.6
の間に形成された厚い樹脂ぼり30を、この空間にパン
チが挿通される打ち抜き処理(図示せず)により、除去
される。この打ち抜き処理はリード表面に何ら接触しな
いため、リード表面を損傷することはない。
その後、多連リードフレームははんだめっき処理工程に
おいて、リードにはんだ被膜を被着される。はんだ被膜
はリードの酸化を防止するとともに、この樹脂封止形D
IP・ICが使用者等においてプリント配線基板に実装
される際におけるソルダビリティ−を高めるために被着
される。
図示しないが、はんだめっき処理装置ははんだめっき液
を貯留するためのはんだ槽と、めっき電源とを備えてお
り、被めっき物としての多連リードフレームはめっき液
中に浸漬された状態で、電源によってめっき液との間に
通電されることにより、金属露出面全体にわたって電解
めっき被膜が形成される。このとき、多連リードフレー
ムのり−ド6のパッケージ14基端部には薄い樹脂ばり
が被着されていないため、めっき被膜が基端部まで完全
に被着されることになる。また、樹脂洩れ止め層IOの
一部がリード6の表面に露出しているが、この樹脂洩れ
止め層10ははんだ材料により形成されているため、は
んだ被膜はこの樹脂洩れ止め層lOにも完全に被着され
る。
めっき被膜を被着された多連リードフレーム1は、第1
2図に示されているようにリード切断成形工程において
各単位リードフレーム毎に順次、第13図に示されてい
るリード切断装置により、外枠3およびダム7を切り落
された後、第14図に示されているリード成形装置によ
り、リード6のアウタ部6bを第15図に示されている
ように下向きに屈曲成形される。
この工程で使用されるリード切断成形装置33は第11
図に示されているようにフィーダ34を備えており、フ
ィーダ34は間欠送り装置(図示せず)により、被処理
物としての多連リードフレーム1を単位リードフレーム
2に対応するピッチをもって一方向に歩進送りするよう
に構成されている。フィーダ34の一端部(以下、前端
部とする。)にはローダ35が設備されており、ローダ
35はラック等に収容された多連リードフレームlをフ
ィーダ34上に1枚宛法い出すように構成されている。
フィーダ34の中間部にはリード切断装置36が設備さ
れており、この装置は第13図に示されているように構
成されている。フィーダ34におけるリード切断装置3
6の片脇には、第14図に示されているように構成され
ているリード成形装置37がリード切断装置36と並ぶ
ように配されて設備されており、再装置36と37との
間にはハンドラ38が、リード切断装置36において多
連リードフレーム1の外枠から切り離された中間製品と
してのDIP・IC部40Aを保持してリード成形装置
37に移載し得るように設備されている。フィーダ34
の後端部にはアンローダ39が設備されており、このア
ンローダ39はリード切断装置36においてDIP−1
c部40Aを切り抜かれた多連リードフレーム1の残渣
部品としての外枠部40Bをフィーダ34から順次下し
て排出するように構成されている。
第13図に示されているリード切断装置36は上側取付
板41Aおよび下側取付板51Aを備えており、上側取
付板41Aはシリンダ装置(図示せず)によって上下動
されることにより、機台上に固設されている下側取付板
51Aに対して接近、離反するように構成されている0
両取付板41Aおよび51Aにはホルダ41および51
がそれぞれ固定的に取り付けられており、両ホルダ41
および51には上側押さえ型42および下側押さえ型5
2(以下、上型42および下型52ということがある。
)が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型42および下型52は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型42
と下型52とは左右の押さえ部43と53とによってリ
ード6の基端部を上下から押さえるように構成されてい
る。
また、上型42は後記する外枠押さえと同様に、ガイド
48およびスプリング49により独立懸架されるように
構成されている。
上側ホルダ41には略くし歯形状(図示せず)に形成さ
れたパンチ44が一対、上型42の左右両脇においてリ
ード6群のピッチに対応するように配されて、垂直下向
きに固設されており、パンチ44には剪断刃46がくし
歯におけるエツジに配されて、後記する剪断ダイと協働
して外枠3およびダム7を切り落とすように構成されて
いる。
上側ホルダ41には外枠押さえ47がガイド48に摺動
自在に嵌合されて上下動自在に支持されており、外枠押
さえ47はスプリング49により常時下方に付勢された
状態で独立懸架されるように構成されている。このスプ
リング49により、外枠押さえ47はリードフレームの
外枠3を後記する剪断グイ上面との間で挟圧して押さえ
るようになっている。
他方、下型52には一対の剪断グイ56が押さえ部53
の左右両脇に配されて、リード形状の下面に沿う形状に
形成されており、剪断ダイ56は前記パンチ44の剪断
刃46と協働して外枠3およびダム7を切り落とすよう
に形成されている。
第14図に示されているリード成形装置37は上側取付
板60および下側取付板70を備えており、上側取付板
60はシリンダ装置(図示せず)によって上下動される
ことにより、機台上に固設されている下側取付板70に
対して接近、離反するように構成されている0両取付板
60および70にはホルダ61および71がそれぞれ固
定的に取り付けられており、両ホルダ61および71に
は上側押さえ型62および下側押さえ型72(以下、上
型62および下型72ということがある。
)が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上
型62および下型72は互いにもなか合わせになる略チ
ャンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型62
と下型72とは左右の押さえ部63と73とによってリ
ード6の基端部を上下から押さえるように構成されてい
る。また、上型62はガイド68およびスプリング69
により独立懸架されるように構成されている。
上側ホルダ61には成形ロール64が一対、上型62の
左右両脇においてリード6群のピンチに対応するように
垂直下向きに配されて、回転自在に支持されており、こ
のロール64は後記する成形グイと協働してリード6を
略垂直下向きに屈曲成形し得るように構成されている。
他方、下型72には一対の成形ダイア4が押さえ部73
の左右両脇に配されて、成形後におけるリードアウタ部
6の下面に沿う形状に形成されている。
次に作用を説明する。
前述したように、はんだめっき処理された多連リードフ
レームは複数枚宛、ラック等に収容されてリード切断成
形装置33のローダ35に供給される。ローダ35に送
給された多連リードフレームIはローダ35によりラッ
ク等から1枚宛、フィーダ34上に順次払い出されて行
く。フィーダ34に払い出された多連リードフレーム1
はフィーダ34により単位リードフレーム2.2間の間
隔をもって1ピッチ宛歩進送りされる。
そして、フィーダ34上を歩進送りされる多連リードフ
レーム1は単位リードフレーム2をリード切断装置36
に順次供給されて行く。
ここで、リード切断装置についての作用を説明する。
第13図に示されているように、多連リードフレーム1
についての歩進送りにより下型52に単位リードフレー
ム2が凹部にパンケージ14を落とし込むようにしてセ
ットされる。これにより、リード6の基端部が下型52
の押さえ部53に当接する。
次ぎに、シリンダ装置により上側取付板41Aが下降さ
れ、上型42および外枠押さえ47が下型52にスプリ
ング49の付勢力により合わせられる。これにより、上
型42の押さえ部43と下型52の押さえ部53との間
でリード60基端部が挟圧されて固定される。また、外
枠押さえ47と剪断ダイ56上面との間で外枠3が挟圧
されて固定される。
その後、上側取付板41Aがさらに下降されて行くと、
パンチ44が下降されて行く。このとき、上型42およ
び外枠押さえ47はスプリング49が圧縮変形されるた
め、下型52および剪断ダイ56に押圧される。パンチ
44の下降に伴って、パンチ44の剪断刃46と剪断ダ
イ56との協働による剪断により外枠3およびダム7が
リード6群から切り落とされる。
パンチ44が所定のストロークを終了すると、パンチ4
4は上側取付+N41Aにより上昇され、元の待機状態
まで戻される。
このとき、リード6のアウタ部6bはセクション枠8と
の接続において切り離されるが、第15図に示されてい
るように、先端テーバ部6dのテーパ形状を適正に残し
た状態で切断することができる。したがって、後述する
ように、この樹脂封止形DIP−IC80のプリント配
線基板への実装作業において、リードの挿入作業を実行
し易(させることができる。
リード切断装置36において、切断が終了し、上側取付
板41Aが上昇すると、多連リードフレームlの外枠3
から切り離された中間製品であるDIP−1c部40A
は、下型52上からリード成形装置37における下型7
2上へハンドラ3日により移載される。
DIP・IC部40Aがリード成形装置37に移載され
ると、フィーダ34により多連リードフレーム1が単位
リードフレーム2の1ピッチ分だけ歩進送りされ、次段
の単位リードフレーム2について前記した切断作業が実
施される。以降、各単位リードフレーム2について切断
作業が繰り返されて行く。
そして、全ての単位リードフレーム2についての切断作
業が終了した多連リードフレームlの残渣としての外枠
部40Bは、アンローダ39においてフィーダ34上か
ら下ろされ所定の場合に回収される。
一方、リード成形装置37に供給されたDIP・IC部
40Aはこの装置によりリード成形作業を実施される。
ここで、リード成形装置37についての作用を説明する
第14図に示されているように、下型72にDIP−I
C部40Aが凹部にパンケージ14を落とし込むように
してセントされる。これにより、リード6の基端部が下
型72の押さえ部73に当接する。
次ぎに、シリンダ装置により上側取付板60が下降され
、上型62が下型72にスプリング69の付勢力により
合わせられる。これにより、上型62の押さえ部63と
下型72の押さえ部73との間で被屈曲部としてのリー
ド6の基端部が挟圧されて固定される。
その後、上側取付板60がさらに下降されて行くと、成
形ロール64が下降されて行く。このとき、上型62は
スプリング69が圧縮変形されるため、下型72に押圧
される。
さらに、成形ロール64が成形ダイア4に対して下降さ
れると、リード6は成形ロール64の下降に伴って成形
ダイア4に押しつけられることにより、この成形ダイア
4に倣うように屈曲されて所望の形状に成形される。
成形ロール64が所定のストロークを終了すると、成形
ロール64は上昇され、元の待機状態まで戻される。そ
の後、成形済のICは下型72から取り外され、次工程
に送給されて行く。
以上のようにして製造された樹脂封止形DIP・IC8
0は第16図および第17図に示されているようにプリ
ント配線基板に実装される。
第16図および第17図において、プリント配線基板8
1にはリード挿入孔82が複数個、実装対象物となる樹
脂封止形DIP−1c80における各リード6に対応す
るように配されて開設されており、この挿入孔82群に
このIC80のリード6群がそれぞれ整合されて挿入さ
れているとともに、各リード6と挿入孔82とがはんだ
盛り層83によって電気的かつ機械的に接続されている
そして、各リード6が挿入孔82に挿入される際、リー
ド6の下端部に与−パ部6dが完全な形状で残されてい
るため、リード6はテーパ部6dを案内にして挿入孔8
2に正確、かつ、容易に挿入されることになる。したが
って、この樹脂封止形DIP−IC80についての挿入
作業の自動化を促進させることができる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
(1)  リードフレームにトランスファ成形装置によ
り樹脂封止パッケージが成形される半導体装置の製造方
法において、リードフレームにおけるキャビティーの境
界に対応する位置付近に樹脂洩れ止め層を形成しておく
ことにより、樹脂封止形パッケージのトランスファ成形
時にリード表面と上型および下型との間に形成される極
微細な隙間を完全に目張りすることができるため、成形
材料としての樹脂がキャビティー内部から外部にリード
の表面に沿って流れ出るのを防止することができるため
、リードの表面に樹脂が流出し硬化付着して薄い樹脂ば
りが発生する現象を未然に回避することができる。
(2)パッケージの樹脂がパンケージの外部へ流出する
のを防止することにより、リードのパッケージ基端部へ
の樹脂の付着を防止することができるため、当該リード
に対するはんだ被膜被着処理工程において、リード基端
部にもはんだ被膜を完全に被着させることができ、その
結果、そのはんだ被膜によってリードの酸化を全体にわ
たって防止することができる。
(3)樹脂洩れ止め層を形成する軟金属として、はんだ
材料を使用することにより、パッケージの外部に露出し
た樹脂洩れ止め層の表面にもはんだめっき被膜を確実、
かつ、適正に被着することができるため、リードの外観
をきれいに整えることができる。
(4)多連リードフレームに樹脂洩れ止め層を形成する
ことにより、リードと成形型との間に発生する極微細な
隙間を被成形物であるリードフレーム側で吸収すること
ができるため、成形型の摩耗等による精度低下を許容す
ることができ、成形型の寿命を延ばすことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、樹脂洩れ止め層を形成する軟金属としては、は
んだ材料を使用するに限らず、錫、鉛、亜鉛(Zn)、
IQおよび金(Au)等を使用してもよい。
また、樹脂洩れ止め層をリードフレームに被着する手段
としては、めっき処理を使用するに限らず、クラッド処
理、スクリーン印刷処理、スプレー印刷処理およびスピ
ンナ塗布処理等を使用してもよい。
トランスファ成形装置、はんだめっき処理装置およびリ
ード切断成形装置の具体的構成は前記実施例の構成を使
用するに限られない。
また、リードにはんだ被膜を被着させる処理は、リード
切断成形処理後、はんだデイツプ処理により実施される
ようにしてもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止形DIP・
ICに適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、樹脂封止形シングル・イン・ライン
・パッケージIC等のような樹脂封止形パッケージを備
えている半導体装置全般に適用することができる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
リードフレームにトランスファ成形装置により樹脂封止
パッケージが成形される半導体装置の製造方法において
、リードフレームにおけるキャビティーの境界に対応す
る位置付近に樹脂洩れ止め層を形成しておくことにより
、樹脂封止形パッケージのトランスフッ成形時にリード
表面と上型および下型との間に形成される極微細な隙間
を完全に目張りすることができるため、成形材料として
の樹脂がキャビティー内部から外°部にリードの表面に
沿って流れ出るのを防止することができるため、リード
の表面に樹脂が流出して硬化付着して薄い樹脂ばりが発
生する現象を未然に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である樹脂封止形DIP−I
Cを示す正面断面図、 第2図〜第15図はその製造方法を示すもので、第2図
はその製造方法に使用される多連リードフレームを示す
一部省略平面図、 第3図はその拡大部分正面断面図、 第4図はベレットおよびワイヤボンディング後のタブ付
近を示す拡大部分平面図、 第5図は第4図の■−■線に沿う縦断面図、第6図は樹
脂封止形パッケージの成形工程を示す縦断面図、 第7図は第6図の■−■線に沿う部分縦断面図、第8図
は第7図の拡大部分断面図、 第9図は樹脂封止形パッケージ成形後の多連リードフレ
ームを示す一部省略平面図、 第10図および第11図は作用を説明するための各拡大
部分平面図、 第12図はリード切断成形装置を示す概略平面図、 第13図はそのリード切断装置を示す縦断面図、第14
図はそのリード成形装置を示す縦断面図、第15図はそ
のリード成形後の要部を示す拡大部分斜視図、 第16図は樹脂封止形DIP−ICの実装状態を示す一
部省略一部切断斜視図、 第17図はその拡大継断面図である。 1・・・多連リードフレーム、2・・・単位リードフレ
ーム、3・・・外枠、4・・・タブ吊りリード、5・・
・タブ、6・・・リード、6a・・・インナ部、6b・
・・アウタ部、6c・・・中間テーパ部、6d・・・先
端テーパ部、7・・・ダム、8・・・セフシロン枠、9
・・・ワイヤボンディング床、lO・・・樹脂洩れ止め
層、11・・・ペレットボンディング層、12・・・ペ
レット、13・・・ワイヤ、14・・・樹脂封止形パッ
ケージ、20・・・トランスファ成形装置、21・・・
上型、22・・・下型、23・・・キャビティー、24
・・・ポット、25・・・プランジ中、26・・・カル
、27・・・ランナ、28・・・ゲート、29・・・リ
ードフレーム逃げ凹所、30・・・厚い樹脂ぼり、31
・・・樹脂(レジン、成形材料)、32・・・薄い樹脂
ぼり、33・・・リード切断成形装置、34・・・フィ
ーダ、35・・・ローダ、36・・・リード切断装置、
37・・・リード成形装置、38・・・ハンドラ、39
・・・アンローダ、40A・・・DIP−IC部(中間
製品)、40B・・・外枠部(残渣部)、41A、60
.70・・・取付板、41.51.61.71・・・ホ
ルダ、42.52.62.72・・・押さえ型、43.
53.63.73・・・押さえ部、44・・・パンチ、
64・・・成形ロール、46・・・剪断刃、47・・・
外枠押さえ、4日、68・・・ガイド、49.69・・
・スプリング、74・・・成形グイ、56・・・剪断グ
イ、80・・・樹脂封止形DIP・IC(半導体装置)
、81・・・プリント配線基板、82・・・リード挿入
孔、83・・・はんだ盛り層。 代理人 弁理士  梶  原  辰  也第6ズ 第7図 1・ ・ンに影−トラシーツへ           
           16・・リート。 9・・・フイヤホ゛ンデ4ン7床          
                    1γ・・・
y入 33・・・リート七で#rメ(璽XI        
                      1第1
図 o10 6a  1 5 6a ; 黒土−!−L−に) j 6c 6 io 6a  C)−3aυ運   胃
コ O。 口)   C七8 0〕〔二 口〕 口〕   〔コ ロ〕    ζコ ロ〕   (コ ローh     −一11 第8図 第1211N

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数本のリードを備えたリードフレームが成形型に
    そのキャビティーに対応するように配されて挟み込まれ
    た後、その成形型のキャビティーに樹脂が送給されるこ
    とにより、樹脂封止形パッケージが成形されている半導
    体装置であって、前記リード群の前記成形型に接合する
    表面に軟金属からなる樹脂洩れ止め層が前記樹脂封止パ
    ッケージの境界面を内外に貫通するように配されて形成
    されていることを特徴とする半導体装置。 2、樹脂洩れ止め層が、リードおよびパッケージの双方
    の材料に接着性の良好であって、軟化温度が可及的に高
    い軟金属を用いて形成されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、樹脂洩れ止め層が、はんだ材料により形成されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体
    装置。 4、樹脂洩れ止め層が、5〜30μm程度の厚さに形成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の半導体装置。 5、樹脂洩れ止め層が、めっき処理またはクラッド処理
    により形成されていることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の半導体装置。
JP63008745A 1988-01-19 1988-01-19 半導体装置 Pending JPH01183840A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021158229A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

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