JPH02130431A - 焦電型赤外線センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いた焦
電型赤外線センサの改良に関するものである。この種の
赤外線センサとしては、従来から第２図に示すようなも
のが知られている。図において、１は焦電素子、２はＦ
ＥＴ、Ｒｇはゲート抵抗、３はドレインリード線、４は
ソースリード線、５はグランドリード線、６はシールド
ケース。

７は赤外透過窓である。８はドレインリード線３に接続
される電源である。ＦＥＴ２はゲート電極Ｇ、ドレイン
電極Ｄ、ソース電極Ｓを持っている。

本構成によれば、赤外透過窓７を通して焦電素子１のど
ちらかで受光された赤外線エネルギーの変化に応じて、
電荷量の変化が発生する。これによるゲート電位の変化
によりソース電流が制御され、この変化はセンサ外部に
適当なソース抵抗Ｒｓを設けることで、Ｒｓ端子間のソ
ース電圧の変化として検出することができる。

このような焦電型赤外線センサでは、シールドケース外
部のリード線３，４．５は高周波に対してインダクタン
ス成分を持っており、外来高周波電波により、誘導ノイ
ズを発生する。ＦＥＴ２には高周波領域でゲート、ドレ
イン電極間に帰還容量Ｃｆが形成され、これによる帰還
のため、例えば端子３に発生した高周波ノイズがゲート
電位に影響を与え、センサ外部のソース電圧検出回路に
対し誤信号を与えるという問題がある。

本発明は、上記のような高周波によるセンサの誤信号発
生の問題を解決するためになされたものである。第１図
は、本発明の実施例を示すものである、第２図と同一部
分には同一符号を付しである。図において、シールドケ
ース内のドレイン電極りとソース電極Ｓに抵抗ｒＤとｒ
５を各々直列に接続しである。

この構成によれば、抵抗ｒ’Ｄ＋ｒ８は高周波誘導ノイ
ズに対してはりアクタンス成分により大きいインピーダ
ンスとして作用するが、１ｍ前後の低周波赤外線検出信
号に対しては直流的な抵抗素子として作用する。従って
、センサからの誤信号の主要原因となるリード線３に誘
起され、ドレイン電極りに入力する高周波ノイズ及びソ
ース電極Ｓから出力されるＦＥＴにより増幅された高周
波ノイズに対して、抵抗ｒｏ、　ｒ’ｓは抑制効果を持
ち、センサ出力としてリード線４に現われる誤信号は著
しく低下する。抵抗値ｒＤ、ｒｓには検出出力の電圧効
果を実用的な範囲で小さく抑えるように選ばれる。

第１表は、本発明の効果を示す４３０ＭＨｚ、３Ｗ出力
及び８２５ＭＨｚ、３Ｗ出力のトランシーバによるセン
サの誤信号発生距離テスト結果である。

第１表 本テストには抵抗ｒＤ、ｒ３として抵抗ペーストを用い
、１〜４にΩとしたが、センサの構造、用途等に応じて
他の抵抗の種類、抵抗値を選択しても良い。

又、表には示していないが、ソース電極のみに抵抗ｒ、
ｇを接続した場合も、外来高周波電波の影響を低減でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す説明図、第２図は従来の
焦電型赤外線センサを示す説明図である。 １・・・焦電素子 ２・・・ＦＥＴ ドレインリード線 ソースリード線 グランドリード線 シールドケース 赤外透過窓

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 焦電素子と電界効果トランジスタを用い、これらをシー
   ルドケース内に収納した焦電型赤外線センサにおいて、
   上記電界効果トランジスタのドレイン電極とソース電極
   の両方、又はソース電極のみに抵抗を直列に接続したこ
   とを特徴とする焦電型赤外線センサ。