JPH02130943A - 収容治具 - Google Patents

収容治具

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JPH02130943A
JPH02130943A JP63284997A JP28499788A JPH02130943A JP H02130943 A JPH02130943 A JP H02130943A JP 63284997 A JP63284997 A JP 63284997A JP 28499788 A JP28499788 A JP 28499788A JP H02130943 A JPH02130943 A JP H02130943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
groove
mounting surface
boat
degrees
Prior art date
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Pending
Application number
JP63284997A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirobumi Kitayama
博文 北山
Eiichiro Takanabe
高鍋 英一郎
Masaru Kobayashi
勝 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Sagami Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Sagami Ltd filed Critical Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority to JP63284997A priority Critical patent/JPH02130943A/ja
Publication of JPH02130943A publication Critical patent/JPH02130943A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的、〕 (産業上の利用分野) この発明は、収容治具に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体製造工程において、半導体ウェハ上に絶
縁膜や化合物半導体や有機金属等の各種薄膜を形成する
ために、加熱処理炉が用いられている。このような処理
炉では、量産性を向上させるため、通常100枚以上の
ウェハを一度に処理している。又、このような処理炉に
は、炉を横方向に置く横型炉と、炉を縦方向に置く縦型
炉とがある。Ik近は、設置スペースを小さく出来る縦
型炉が注目されている。
この縦型炉で半導体ウェハを100枚以上同時にパッチ
処理するには、半導体ウェハを支持する支持体例えばボ
ートに収容して行なう、このボートは、例えば特開昭6
2−16516号、実開昭62−128633号公報等
に示されるように、耐熱性で処理ガスに対して反応しに
くい材質例えば石英製のものが使用される。ボートの構
成は、第4図に示すように、例えば4本の支柱■が夫々
垂直となるように、上端と下端が支持部■に支持されて
いる。上記各支柱α)は、夫々の中心軸が仮想円の円周
上にくるように配置されている。また、上記支柱■には
、夫々が同じ高さ位置になるように長手方向とは直角に
溝■が例えば3/16インチのピッチで設けられている
。この溝■は、断面コの字状であり、高さは1.2mか
ら1.5閣程度のもので、下面がウェハ■の載置面(ハ
)となる、このようなボートにウェハ(イ)を載置する
には、作業者又はロボットハンドで。
谷溝■にウェハQを挿入し、上記載置面■とウェハ(へ
)の裏面を断面的に面接触させて載置する。
(発明が解決しようとする1ily) しかしながら上記従来の技術では次に示すような問題点
がある。
ボートの溝は、支柱に対して直角方向に設けられている
ため、ウェハを載置すると、溝の載置面とウェハの裏面
の一部が面接触する。すると、ウェハ載置時に、溝の載
置面とウェハの裏面がこすれて、微小な塵が発生するこ
とがある。この塵が、ウェハの処理面に付着すると、ウ
ェハに悪影響を与え歩留まりの低下につながっていた。
また、ウェハの裏面の汚染の原因となり、後工程等に悪
影響を与えていた。
また、特公昭63−39483号公報には、半導体ウェ
ハを収納するストッカとして、半導体ウェハを棚状に支
承するように棚受状の突起を設け、この突起上面にテー
バを付したものが記載されている。
このようなストッカは通常、テフロン(商品名)製やS
US (ステンレススチール)IIのものが使われる。
テフロン製の場合、耐熱性がなく例えば700℃以上に
加熱をともなう処理には対応できず。
またSUS製のものは重金属汚染の問題があった。
この発明は上記点に対処してなされたもので、板状体と
収容治具との接触を最小限に押えられ。
板状体の裏面への汚染および塵の発生を低減でき。
ひいては歩留まりの向上につながる収容治具を提供する
ものである。
〔発明の構成ゴ (課題を解決するための手段) この発明は、複数の板状体を水平方向に所定の間隔をあ
けて収容する如く溝列が設けられた収容治具において上
記溝列の谷溝の上記板状体の載置面を内端が最下位置に
なるように3度から10度の角度で傾斜させたことを特
徴とする。
(作用効果) 収容治具本体に設けられた溝列の谷溝の板状体の載置面
を内端が最下位置になるように3度から10度の角度で
傾斜させたので、板状体を載置面との接触を最小限に押
えられ、板状体の裏面への汚染および接触による頭の発
生を最小限に押えられ。
ひいては歩留まりの向上を得ることができる。
(実施例) 以下本発明収容治具を熱処理装置用ボートに適用した一
実施例につき図面を参照して説明する。
板状体例えば略円板状の半導体ウェハ■を収容する熱処
理用ボート■は、第1図に示すように構成されている。
耐熱性で処理ガスに対して反応しにくい材質例えば石英
製の円柱フレーム■が複数例えば4本垂直に設けられて
いる。この円柱フレーム■は直径例えば13■で、6イ
ンチウェハの場合夫々の中心軸が直径例えば153■の
仮想円の円周上にくるように配置されている。この円柱
フレーム■の位置関係を保つように、円柱フレーム■の
上端および下端には1石英製の板状の支持体0が配設さ
れている。また、各円柱フレームのには、厚さ例えば0
.71直径例えば150■の半導体ウェハ(へ)を水平
方向に所定の間隔を設けて載置するように例えば3/1
6インチのピッチで溝(10)が設けられている。この
溝(10)は、垂直に所定の位置に配置された各円柱フ
レーム■に対して、上記仮想円と同等の大きさの円板状
のダイヤモンドカッタを水平に挿入して形成されたもの
である。このことにより各円柱フレーム■のm (10
)の高さ位置は、正確に位置合わせされている。上記の
ように形成された谷溝(10)は、第2図に示すように
構成されている。 fly(10)の下面のウェハ載置
面(11)が、ウェハ0を載置した時、ウェハ0の中心
に向けて、内端が最下位置になるように傾斜が設けられ
ている。この傾斜角度(α)は、例えば3度から10度
の範囲に設定されている。この角度(α)の傾斜により
、溝(10)の載置面(11)にウェハ■を載置した時
、載置面(11)とウェハ■との接触は、ウェハ0の裏
面と側面との連続した交点からなる梁IIA(12)の
みとなる、また、溝(lO)の高さ(Q)は、ウェハ0
の搬入、m出時に、ウェハ(へ)と円柱フレーム■との
接触を避けるために、載置面(11)の外端位置で例え
ば2.5mに設定されている。さらに、溝(lO)の奥
行は、円板状のカッターを用いるため場所によって違う
が、最長位置で例えば5.5m程度となっている。
ここで、上記傾斜角度(α)を、3度以下にすると載置
面(11)とウェハ0との接触面積が大きくなり、また
、10度以上とすると、傾斜角度が大きくなり、このこ
とにより溝間隔が狭くなりすぎ1石英製の円柱フレーム
では1強度的に耐えられなくなり適していない。
上記のようにしてボート■が構成されている。
次に上記ボート■にウェハ0を移し替える装置について
説明する。
上記移し替え装置(I3)は、キャリア(14)に収容
されているウェハ0を、−枚もしくは複数枚づつボート
■に移し替えるものである。ウェハ(へ)が水平になる
ようにキャリア0を設置する支持台(15)が設けられ
ている。この支持台(15)の周辺には。
ウェハ0の搬送を行なうハンドアーム(16)が設けら
れている。このハンドアーム(16)は、図示しない水
平駆動機構に係合されていて、前後方向にスライドでき
るようになっている。またアーム(16)先端位置で、
ウェハ0を一時的に載置できるようにウェハ(へ)サイ
ズに適合した@(図示せず)が設けられている。さらに
、ハンドアーム(16)は1図示しない昇降機構および
回転機構に係合されていて、上下方向および周方向の回
転ができる。すなわち、所望する高さ位置にハンドアー
ム(16)を設定でき、また、キャリア(14)および
ボート■に対して対向する位置にハンドアーム(16)
を設定できる。
次に、上記移し替え装置!(13)で、ボート■とキャ
リア(14)間でウェハ0を移し替える動作について説
明する。
まず、ロボットハンド又は作業者等により、ウェハ■を
収容したキャリア(14)を支持台(15)上に設定す
る6次に、キャリア(14)からウェハ0を搬出するた
めに、ハンドアーム(16)を所望の高さ位置に設定し
ながら周方向に回転する。そして、所定の位置でハンド
アーム(16)を前方向にスライドして、ボート■の最
上段に設定すべきキャリア(14)内のウェハ0の下面
に、ハンドアーム(16)を設定する。この後、ハンド
アーム(16)を所定量上昇し、ハンドアーム(16)
上にウェハ■を一時載置し、後方向にスライドしてキャ
リア(14)からウェハ0を搬出する。そして、搬出し
たウェハ0をボート■の所定の位置に移し替えるため、
ハンドアーム(16)の高さ位置を設定しながら周方向
に回転し、所定の位置にウェハ0をセットする。すなわ
ち、ハンドアーム(16)をボート■方向にスライドし
た時、ウェハ■が溝(10)の載置面(11)、側面お
よび上面に接触しない位置にセラ1−する。次にハンド
アーム(16)を前方向にスライドし、第3図(A)に
示すように溝(10)の載置面(11)側面および上面
に接触しない位置に設定する。この状態でハンドアーム
(16)を所定量例えば0.7aa下降し第3図CB)
に示すようにウェハ(へ)を溝(10)の載置面(11
)に設置する。すると、載置面(11)は、内端方向に
角度(α)で傾斜しているため、載置面(11)とウェ
ハ0との接触は、ウェハ■の梁1iA(12)のみとな
る、すなわち端辺の線接触となる。そして、連続動作で
ハンドアーム(16)を例えば0.71下降し。
第3図(C)に示すようにウェハ■と離隔する。この状
態でハンドアーム(I6)を後方向にスライドし。
次のウェハ0の移し替え動作を行なう。このようにして
、所定数のウェハ0をキャリア(14)からボート■に
移し替える。この後ボートを図示しない縦型熱処理炉の
反応管内に垂直に搬入し、上記反応管内で処理を行なう
。
上記装置での処理終了にともない、ボート■を反応管か
ら搬出し所定の位置にセットする。そして、上記キャリ
ア(14)からボート■にウェハ0を移し替えた動作と
逆の動作で、ウェハ0をボート■からキャリア(14)
に移し替えて終了する。
上記実施例ではボートの材質として石英を用いたものに
ついて説明したがこれに限定するものではな(、SiC
やポリシリコンや水晶等でも何れのものでも良い。また
、上記実施例では、収容治具を円柱フレーム4本を上下
端で支持したボートについて説明したが、これに限定す
るものではなく、上記実施例の溝形状を有するものなら
何れのものでも良い。
さらに、ボートに設けられる溝のピッチも、3716イ
ンチでなくとも良く、例えば中央部を密ピツチにし、上
下端を粗ピツチに形成したものでも何れでも良い。
さらにまた、ボートに設置する板状体は半導体ウェハで
なくとも、LCD基板やプリント基板等信れのものでも
良い。
以上説明したようにこの実施例によれば、複数の板状体
を水平方向に所定の間隔をあけて収容する如く溝列が設
けられた収容治具において、上記溝列の谷溝の上記板状
体の載置面を内端が最下位置になるように3度から10
度の角度で傾斜させたことにより、板状体と載置面との
接触を最小限に押えることができる。このことにより、
板状体の裏面への汚染を低減できる。また、接触による
塵の発生を低減することができる。さらに、歩留まりの
向上につながる。
また、傾斜角度を3度から10度とすることにより、板
状体と載置面との接触を最小限に保持でき、また、強度
的に十分な値を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明収容治具の一実施例を説明するためにウ
ェハをキャリアからボートに移し替えを行なうための構
成図、第2図は第1図ボートの溝形状を説明するための
図、第3図は第1図のボートにウェハを設置する時の動
作説明図、第4図は従来のボートを説明するための図で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の板状体を水平方向に所定の間隔をあけて収容する
    如く溝列が設けられた収容治具において、上記溝列の各
    溝の上記板状体の載置面を内端が最下位置になるように
    3度から10度の角度で傾斜させたことを特徴とする収
    容治具。
JP63284997A 1988-11-11 1988-11-11 収容治具 Pending JPH02130943A (ja)

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JP63284997A JPH02130943A (ja) 1988-11-11 1988-11-11 収容治具

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JP63284997A JPH02130943A (ja) 1988-11-11 1988-11-11 収容治具

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JP63284997A Pending JPH02130943A (ja) 1988-11-11 1988-11-11 収容治具

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004008493A3 (en) * 2002-07-15 2004-05-27 Aviza Tech Inc Method and apparatus for supporting semiconductor wafers

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