JPH02131493A - 新規なホスフィノピロリジン化合物およびそれを用いる不斉合成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なホスフィノピ口リジン化合物およびそれ
を用いる新規な不斉合成法に関する。

さらに詳しく言えば、本発明は、炭素一炭素二重結合構
造、炭素一窒索二重結合構造、および（又は）炭素一酸
素二重結合構造を接触還元することにより不斉炭素原子
を有する化合物を生成せしめる反応を行うにあたり、触
媒として使用する金属錯体化合物における配位子として
、一般式 （式中、Ｒ１は、水素原子、−ＣＯＲ’、−ＣＯＯＲ”
、−ＣＯＮ｝ＩＲ”’　　−ＳＯ２Ｒ”又は一ＰＯ（Ｒ
”２）２であり、Ｒｔ、Ｒ′”、Ｒ”′　Ｒ”およびＲ
”ゝは、それぞれアルキル基又はアリール基を表わし、
Ｒ２は、低級アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルア
ミノ基から選ばれた置換基の１〜３個を有するフェニル
基、Ｒ３はシクロヘキシル基を表わす）で表わされるホ
スフィノピ口リジジン化合物を用いることを特徴とする
接触還元による不斉合成法に関するものである。

従来、合成化学の分野において光学活性化合物を直接合
成することのできる不斉還元反応に関する幾多の研究が
なされている。その一つとして、多くのビスホスフィン
配位子が合成されて、その配位子と各種の金属との組合
せを用いて不斉還元反応が試みられているが、不斉収率
（光学収率）及び反応収率（註：反応速度に関して、そ
の反応速度が遅いと使用量が多くなるため、その関係を
示す方法の一つとして，基質と配位子のモル比で表した
もの）を同時に満足させる配位子はまだ見いだされてい
ない ［Ｂ．Ｂｏｓｎｉｃｈ著「アシンメトリック・カタリシ
ス」Ｍａｒｔｉｎｕｓ　　Ｎｉｊｈｏｆｆ　　Ｐｕｂｌ
ｉｓｈｅｒｓ　　Ｂｏｓｔｏｎ，１９８６年、１９頁〜
３ｌ頁コ。

従来、不斉ビスホスフィン化合物として、ＢＰ　Ｐ　Ｍ
［（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシ力ルボニル
−４一ジフエニルホスフイノ−２−ジフェニルホスフィ
ノメチルビロリジンコを用い、イタコン酸を不斉還元す
るにあたり、　［ロジウム（ＢＰＰＭＸ１．５−シクロ
オクタジエン）］”Ｃｌ０４一錯体を基質／Ｒｈ＝１０
０（モル比）使用し、トリエチルアミン存在下、メタノ
ール中２０気圧、２０゜Ｃ、２０時間水素化を行い、収
率９６％、不斉収率９２％で（−）ーメチルコハク酸を
得ている（特開昭５４−１２８５１１）。

又、本発明者らの追試で、基質／Ｒｈ：１０００　（モ
ル比）では、１気圧、室温、２０時間で不斉収率は約９
２％であったが、変換率は１０％以下であった（Ｃｈｅ
ｍ．　Ｌｅｔｔ．，匣，　１９２１．）。

本発明者は、ビスホスフィンーロジウム錯体の配位構造
について考察し、不斉反応を受ける官能基のシス位に配
位するホスフィン基（２位）は不斉収率を支配し、一方
、トランスに配位するホスフィン基（４位）はその官能
基の反応効率（反応速度）を支配し得ると考え、各種の
ホスフィノピロリジン化合物を合成した。

その結果Ｂ　Ｃ　Ｐ　Ｍ　［（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシ力ルボニル−４−ジシクロへキシルホス
フィノ−２−ジフエニルホスフィノメチルビロリジンコ
を合成し、［ロジウム（Ｂ　Ｃ　Ｐ　Ｍ）（Ｌ５−シク
ロオクタジエン）コ＋Ｃ１０ａ一錯体としイタコン酸の
不斉還元を基質／Ｒｉ＝　１０００　（モル比）で行い
、変換率１００％、　不斉収率９２％で（一）一メチル
コノ１ク酸を得、その還元反応が不斉収率、反応効率の
両面において工業的に実施する上において優れたもので
あることを見いだした（Ｃｈｅｍ．　Ｌｅｔｔ．，１９
８７，　１９２１．）。

本発明者は、さらに、より優れた配位子の合成を鋭意検
討した結果、前記一般式［■］又は［■′］で表わされ
る新規なホスフイノビ口リジン化合物が、その目的に適
していることを見いだした。

これについてさらに詳細に説明すれば、前記式中、Ｐ（
Ｒ”）２で表わされるホスフイン基が不斉収率を向上さ
せることに影響する部位であり、Ｐ（Ｒ３）２で表され
るホスフイン基が反応効率を向上させることに影響する
部位であることが本発明者による研究の結果、明らかと
なった。

前記一般式ＣＩ］又は［■′］で表わされるホスフィノ
ビ口リジン化合物において、式中のＲ′、Ｒ”、Ｒ”′
　Ｒ”Ｒ”２の各アルキル基の例とじては、Ｃ１〜Ｃ６
のアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロビル、イ
ソブロビル、ｎ−ブチル、ｓｅＣ−ブチル、ｔｅｒｔ−
ブチル等があげられ、アリール基の例として、フエニル
、ビリジル基があげられる。これらのアルキル基又はア
リール基は、置換基としてフッソや塩素等のハロゲン原
子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基などを有するこ
とができる。

Ｒ２は、　低級アルキル基、アルコキシ基、ジアルキル
アミノ基から選ばれた置換基の１〜３個を有するフエニ
ル基であり、例えば２−メトキシフェニル基、３−メト
キシフエニル基、４−メトキシフエニル基、４−ジメチ
ルアミノフエニル基や３，５−ジメチル−４−メトキシ
フエニル基があげられる。

Ｒ３はシクロヘキシル基である。

本発明に係る新規なホスフイノビ口リジン化合物な配位
子として用いる不斉合成法において、接触還元反応を行
う方法につき、イタコン酸より（−）一メチルコハク酸
を生成せしめる場合を例にとって説明すると、接触還元
反応を行う際の一般的溶媒、例えば、水、メタノール、
エタノール、イソブロビルアルコール等を溶媒として用
い、その中にロジウム金属錯体化合物、例えば、ロジウ
ムージノルボルナジエンー過塩素酸塩、配位子としての
ホスフイノビ口リジン化合物［１１を溶解する。　トリ
エチルアミンを基質の０．５〜３倍モルと基質を加え、
常圧で、もしくは加圧下で、好ましくは反応温度０゜Ｃ
〜１５００Ｃで水素添加反応を行う。　　基質／ロジウ
ムのモル比は２００〜１，０００，０００の範囲であり
、配位子／ロジウムのモル比は１〜３が好ましい。

反応終了後、溶媒を留去し残留物を適宜、処理すると反
応生成物として、（一）一メチルコハク酸が高収率で得
られる。

本発明に係る前記一般式［１］又は［Ｉ′］で表わされ
るホスフィノピ口リジン化合物は、たとえば実施例１〜
５に示す方法により製造することができる。

実施例１について説明すると、Ｌ−ヒドロキシプロリン
より（２５．４５）−Ｎ−メタンスルホニル−４−ジシ
クロへキシルホスフィニル−２−メタンスルホニルオキ
シメチルビロリジン［２コを製造し、これをビス（２−
メトキシフエニル）ホスフイノリチウムと反応させた後
、過酸化水素水で酸化し、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メタン
スルホニル−４−ジシクロへキシルホスフィニル−２−
ビス（２−メトキシフエニル）ホスフィニルメチルピロ
リジン［３ａ］を得る。

フェノール存在下臭化水素酸で、脱メシル化を行い、（
２Ｓ，４Ｓ）−４−ジシクロへキシルホスフイニル−２
−ビス（２−メトキシフエニル）ホスフイニルメチルピ
ロリジン［４ａ］を得る。これを単離精製し、トリクロ
ロシランで還元後、カルボン酸、スルホン酸又はホスホ
ン酸のハロゲン化物、無水物またはイソシアネートを作
用せしめることにより容易に１位に各種の置換基を付け
たホスフイノピ口リジン化合物ＣＩ］を得ることができ
る。

例えばＤｉ−Ｂｏｃと反応を行えば（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ
−（ｔｅｒｔ−ブトキシ力ルボニル）−４−ジシクロへ
キシルボスフィノ−２−ビス（２−メトキシフエニル）
ホスフィノメチルピロリジン［１ａコを得ることができ
る。

一般式［１′］で表わされる（２Ｒ，４Ｒ）一ホスフイ
ノピ口リジン化合物はＤ−ヒドロキシプロリンを出発原
料として、同様の方法で製造することができる。

以下に、本発明に係る新規なホスフイノビ口リジン化合
物の製造例及びそれを用いる不斉還元例を掲げ、本発明
をさらに説明するものであるが本発明を限定するもので
はない。

参考例１ アルゴン雰囲気下、ＴＨＦ（５ｍｌ）中へマグネシウム
（３．５７ｇ）を入れ、０−プロモアニソール（２５．
０ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（８０ｉ＋１）溶液を滴下する。

２時間攪拌後、水冷下、三塩化リン（３．０４　ｇ　）
のＴ　Ｈ　Ｆ　（７０ｍｌ）溶液を滴下する。室温で一
夜攪拌する。水冷下、５％塩酸（　２５ｍ　ｌ　）を滴
下する。結晶を炉取し、エタノールで再結晶し、トリス
（２−メトキシフエニル）ホスフイン１２．３９ｇを得
た。

融点２０３−　２０４’Ｃ アルゴン雰囲気下、脱ガスしたジオキサン（１０１）に
カリウム（９４５ｍｇ）とナトリウム（２２８ｍｇ）を
加え加熱する。　氷冷後、トリス（２−メトキシフェニ
ル）ホスフィン（４．０Ｏｇ）とジオキサン（４０ｍｌ
）を加え室温で３時間攪拌する。

水冷後、ｔｅｒｔ−ブタノール（１０ｍｌ）とメタノー
ルを加える。減圧濃縮後、ベンゼンを加え、脱気した飽
和食塩水で洗浄する。硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧
濃縮、乾固し、白色固体のビス（２−メトキシフエニル
）ホスフイン２．４０ｇ　を得た。

参考例２ ■−アニソール（２５．０ｇ）を参考例２と同様に反応
、後処理を行い、白色の固体のビス（３−メトキシフエ
ニル）ホスフィン１１．７６ｇを得た。

融点１１３　〜１１５’Ｃ 参考例３ アルゴン雰囲気下、ＴＨＦ（５ｍｌ）中へマグネシウム
（３．２２ｇ）を入れ、　ｐ−プロモアニソール（２２
．４４ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（６０ｍｌ）溶液を滴下する
。

１時問攪拌後、水冷下、ジエチルホスファイト（５．５
２ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（２０ｍｌ）溶液を滴下する。

室温で一夜攪拌する。水冷下、５％塩酸（　２５ｍ　ｌ
　）を滴下し、ベンゼンにて抽出する。

ベンゼン層を脱気した飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムにて乾燥、減圧濃縮、乾固後、ベンゼンにて再結
晶し、　ビス（４−メトキシフエニル）ホスフィンオキ
シド　１０．００ｇを得た。

これの２．８０ｇをアルゴン雰囲気下、脱ガスしたトル
エン（３６ｍｌ）に溶解する。　水冷後、トリクロロシ
ラン（５．０ｍｌ）を加え還流煮沸、５時間攪拌する，
水冷後、２Ｎ−苛性ソーダ（１６ｍｌ）を加える。トル
エン層を分離し、水層はトルエンにて抽出する。トルエ
ン層を合併し、硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧濃縮、
減圧蒸留し、ｂｐ　２００〜２１０”Ｃ（ｂｕｌｂ−ｔ
ｏ−ｂｕｌｂ）の留分　（冷却すると白色固体）のビス
（４−メトキシフェニル）ホスフィン１．４５ｇを得た
。

参考例４ アルゴン雰囲気下、テトラヒド口フラン（以下Ｔ　Ｈ　
Ｆと略す）　（５ｍｌ）中へマグネシウム（４．２５ｇ
）を入れ、４−ブロムーＮ，Ｎ−ジメチルアニリン（２
５．０ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（１５０ｍｌ）溶液を滴下す
る。還流煮沸３０分行った後、水冷下、ジクロ口フェニ
ルホスフィン（ｉｏ．７４ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（５０ｍ
ｌ）溶液を滴下する。室温で一夜攪拌する。

飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、減圧濃縮、ベ
ンゼンにて抽出する。ベンゼン層を飽和食塩水で洗浄、
減圧濃縮乾固し、アルゴン雰囲気下、エタノールで再結
晶し、　ビス（４−ジメチルアミノフエニル）フエニル
ホスフィン３１ｇを得た。融点８５゜Ｃ これの６．９７　ｇにジイソブ口ピルアミン（２．８５
ｇ）、Ｔ　Ｈ　Ｆ　（４０ｍｌ）を加えアルゴン雰囲気
とした後、リチウム（３８９ｍｇ）を加える。室温で６
時間攪拌後、氷冷し脱気した飽和食塩水を加え、ベンゼ
ンにて抽出する。ベンゼン層を硫酸マグネシウムにて乾
燥、減圧濃縮、減圧蒸留し、ｂｐ　１８０一１９０”Ｃ
／３　ｔｏｒｒで目的物のビス（４−ジメチルアミノフ
エニル）ホスフィンの留分１．Ｏｇを得た。

ｍｐ　８０　〜９０＠Ｃ（ｓｅａｌｅｄ　ｔｕｂｅ）参
考例５ 水（２５０ｍｌ）に苛性ソーダ（１２．６ｇ）を溶解し
１５゜Ｃに冷却した。塩化メチレン（２５０ｍｌ）、２
，６−ジメチル−４−プロモフデノール（４０．２１　
ｇ）、臭化テトラブチルアンモニウム（３．２２ｇ）及
びジメチル硫酸（６４．３５ｇ）を加え室温で５．５時
間攪拌した。

苛性ソーダ（８．０ｇ）を追加しさらに１時間攪拌した
。分液し水層を塩化メチレンにて抽出した．塩化メチレ
ン層を合併し濃縮した。これをイソブロビルエーテルに
溶解し、２Ｎ−アンモニア水、２Ｎ−苛性ソーダ水溶液
、飽和食塩水にて順次洗浄した。分液し水層をイソブロ
ビルエーテルにて抽出した。有機層を合併し、無水硫酸
マグネシウムにて乾燥、減圧濃縮、減圧蒸留し２，６−
ジメチル−４−ブロモアニソール（４０．１５ｇ）を得
た。

ｂｐ　１２９〜１３０”Ｃ／４２Ｔｏｒｒ。

アルゴン雰囲気下、Ｔ　Ｈ　Ｆ（５ｍｌ）中へマグネシ
ウム（４．６８ｇ）を入れ、２，６−ジメチル−４−プ
ロモアニソール（３７．６４ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（１１
０ｍｌ）溶液を滴下した。

３時間攪拌後、水冷下、ジエチルホスファイト（８．０
６ｇ）のＴ　Ｈ　Ｆ　（２０ｍｌ）溶液を滴下した。

室温で一夜攪拌後、還流煮沸４時間した。水冷下、５％
塩酸（４０ｍｌ）を滴下し、ベンゼンにて抽出した。

ベンゼン層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムに
て乾燥、減圧濃縮した。

これをシリカゲル力ラムクロマトグラフィにて精製し、
ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフエニル）ホス
フィンオキシド１３．６８ｇを得た。

これの３．４０ｇをアルゴン雰囲気下、脱ガスしたトル
エン（４０ｍｌ）に溶解した。　水冷後、トリクロロシ
ラン（５．０ｍｌ）を加え還流煮沸、５時間攪拌する。

水冷後、２Ｎ−苛性ソーダ（１００ｍｌ）を加える。ト
ルエン層を分離し、水層はトルエンにて抽出する。トル
エン層を合併し、鋭気飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムにて乾燥、減圧濃縮、減圧蒸留し、ｂｐ　２００
　〜２１０’Ｃ／２Ｔｏｒｒ（ｂｕｌｂ−ｔｏ　ｂｕｌ
ｂ）の留分のビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフ
エニル）ホスフィン１．７０ｇを得た。

実施例１ アルゴン雰囲気下、ビス（２−メトキシフエニル）ホス
フィン（３．６９ｇ）を　Ｔ　Ｈ　Ｆ　（６０ｍｌ）に
溶解し、　−３５＠Ｃに冷却した。　１．６Ｍ−ｎ−ブ
チルリチウムーヘキサン溶液（１０．３ｍｌ）を加え、
５分間攪拌した。　（２Ｓ，４Ｓ）Ｎ−メタンスルホニ
ル−４−ジシクロへキシルホスフィニル−２−メタンス
ルホニルオキシメチルビロリジン（１．４１　ｇ　）４
　Ｔ　Ｈ　Ｆ　（１０ｍｌ）に溶解した液を滴下し−３
５゜Ｃで３時間攪拌した。反応液を濃縮後、酢酸エチル
を加え冷飽和食塩水、冷水にて洗浄した。

有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。こ
れをメタノール（　７５ｍ　ｌ　）に溶解し、０℃に冷
却し、１０％過酸化水素水（４．５ｍｌ）を加え２時間
攪拌した。反応液を濃縮後、塩化メチレンを加え冷飽和
食塩水にて洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥後、濃縮し（２５，４Ｓ）−Ｎ−メタンスルホニル
−４−ジシクロへキシルホスフィニル−２−ビス（２−
メトキシフェニル）ホスフィニルメチルビロリジン（３
ａ）をアモルファスな固体としてを得た。　これをフェ
ノール（３．０ｍｌ）、４８％臭化水素酸（１５ｍｌ）
に溶解し、窒素雰囲気中で１０時間攪拌還流煮沸した。

反応終了後、３０％苛性ソーダ水溶液でアルカリ性とし
、酢酸エチルで抽出する。水、飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。　　酢酸エチ
ル（２００ｍｌ）に溶解し、　シリカゲル（７５　ｇ　
）を加え攪拌後炉過し、　酢酸エチル（ｌｏｏｍｌ）で
洗浄する。　炉過残渣をエタノール（２００ｍ　ｌ　’
）中に入れ攪拌後炉過、エタノール（　３００ｍ　ｌ　
）にて洗浄する。

５戸液、洗液を合併、濃縮し、（２５，４Ｓ）−４−ジ
シクロへキシルホスフィニル−２−ビス（２−メトキシ
フェニル）ホスフィニルメチルピロリジン（４ａ）をア
モルファスな固体として６４１ｍｇ得た。

化合物（４ａ，　５５８ｍｇ）とトリエチルアミン（４
２０ｍｇ）をアセトニトリル（４０ｍｌ）に溶解し窒素
雰囲気とする。水冷下トリクロロシラン（５４０ｍｇ）
をアセトニトリル（１０ｍｌ）に溶かして滴下する。３
時間還流兼−沸後、減圧濃縮する。生成物をベンゼン（
ｌ５０１）に溶解し、水冷下３０％苛性ソーダ（ｌｏＯ
ｍｌ）を加え、窒素雰囲気下５０〜６０℃で３０分間攪
拌する。ベンゼン層を分液し、更に水層をベンゼンで抽
出する。ベンゼン層を合併し、水洗、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、濃縮した。これを窒素雰囲気で塩化メチ
レン（１０ｍｌ）に溶かし、トリエチルアミン（１１０
ｍｇ）を加えた後、ジターシャリブチルジカーボネー｝
（Ｄ　ｉ　−Ｂ　ｏ　ｃ　，　２４０ｍｇ酸エチル／ベ
ンゼン＝１／９）Ｌ／、（２５，４５）−Ｎ−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル−２−ビス（２−メトキシフェニ
ル）ホスフィノメチル−４−ジシクロへキシルホスフィ
ノビ口リジン（１ａ）をアモルファスな固体として２６
０ｍｇ得た。

［α］％’　　−８８．１’　（Ｃ　Ｏ．７２，　ベン
ゼン）．実施例２ ビス（３−メトキシフェニル）ホスフィン（３．６９ｇ
）と（２５．４Ｓ）−Ｎ−メタンスルホニル−４−ジシ
クロへキシルホスフィニル−２−メタンスルホニルオキ
シメチルビロリジン（１．４１ｇ）を実施例ｌと同様に
反応、後処理し、（２Ｓ，４Ｓ）−４−ジシクロへキシ
ルホスフィニル−２−ビス（３−メトキシフェニル）ホ
スフィニルメチルビロリジン（４ｂ）を１０４２ｍｇ得
た。　この５５８ｍｇを実施例ｌと同様に反応、後処理
、精製を行い（２５，４Ｓ）−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル−２−ビス（３−メトキシフェニル）ホスフ
ィノメチル−４−ジシクロへキシルホスフィノピ口リジ
ン（ｌｂ）をアモルファスな固体として３７４ｍｇ得た
。

［α偕−６３．３”　（ｃ　Ｏ．６，ベンゼン）．実施
例３ ビス（４−メトキシフエニル）ホスフィン（３．６９ｇ
）と（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メタンスルホニル−４−ジシ
クロへキシルホスフィニル−２−メタンスルホニルオキ
シメチルピロリジン（１．４１ｇ）を実施例１と同様に
反応、後処理し、（２Ｓ，４Ｓ）−４−ジシクロへキシ
ルホスフィニル−２−ビス（３−メトキシフェニル）ホ
スフィニルメチルピロリジン（４ｃ）を１３４４ｍｇ得
た。　この５５８ｍｇを実施例１と同様に反応、後処理
、精製を行い（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
カルボニル−２−ビス（４−メトキシフエニル）ホスフ
ィノメチル−４−ジシクロへキシルホスフィノビ口リジ
ン（ｌｃ）をアモルファスな固体として３１５ｍｇ得た
。

［αコｒ−５０．４°（ｃ　Ｏ．７，ベンゼン）．実施
例４ ビス（４−ジメチルアミノフエニル）ホスフィン（４．
０８ｇ）と（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メタンスルホニル−４
−ジシクロへキシルホスフィニル−２−メタンスルホニ
ヘキシルホスフィニル−２−ビス（４−ジメチルアミノ
フエニル）ホスフィニルメチルとロリジン（４ｄ）を８
８８ｍｇ得た。　この５８４ｍｇを実施例１と同様に反
応、後処理、精製を行い（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル−２−ビス（４−ジメチルアミノ
フエニル）ホスフィノメチル−４−ジシクロへキシルホ
スフィノビ口リジン（ｌｄ）をシラップ状で３４９ｍｇ
得た。

［αコ’ｏ’　−３３．３’　（ｃ　Ｏ．６２，　ヘン
ゼン）．実施例５ ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホス
フィン（４．５４　ｇ　）と（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メタ
ンスルホニル−４−ジシクロへキシルホスフィニル−２
−メタンスルホニルオキシメチルビロリジン（１．４１
　ｇ　）を実施例１と同様に反応、後処理し、（２Ｓ，
４５）−４−ジシクロへキシルホスフィニル−２−ビス
（３，５−ジメチル−４−メトキシフェニル）ホスフィ
ニルメチルビロリジン（４ｅ）を１　１７７ｍｇ得た。

　この６１４ｍｇを実施例１と同様に反応、後処理、精
製を行い（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔｅｒｔ−ブトキシカル
ボニル−２−ビス（３，５−ジメチル−４−メトキシフ
エニル）ホスフィノメチル−４−ジシクロへキシルホス
フィノピ口リジン（ｌｅ）をアモルファスな固体として
３３１ｍｇを得た。

［αコ％’　−２４．１”　（ｃ　Ｏ．６２，ベンゼン
）．実施例６〜９ ロジウムージノルボルナジエン一過塩素酸塩ｏ．ｏｏｓ
ミリモル、不斉配位子０．００６５ミリモル、トリエチ
ルアミン１５ミリモルをメタノール３０１に溶解し、イ
タコン酸５ミリモル又は１５ミリモルを加え、１気圧の
水素圧下、室温で２０時問攪拌した。反応液を減圧濃縮
後、塩酸酸性水溶液とし、エーテルで抽出する。有機層
を乾燥後溶媒を留去して、光学活性な（−）一メチルコ
ハク酸を得た。

変換率は’　Ｈ　−　Ｎ　Ｍ　Ｒ　（ＣＤ３０Ｄ−ＣＤ
Ｃｌａ）にて、光学純度はジアゾメタンにてジメチルエ
ステルにした後ＨＰＬＣ　（ダイセル製キラルセルＯＢ
，ヘキサン／イソブロバノール＝１０／１，　　　ＵＶ
２２０ｎｍ）により決定した。結果を第一表に示す．Ｎ
ｏ．不斉配位子 ６　　　　ｌｂ ７　　　　１ｃ ８　　　　１ｄ ９　　　　１ｅ 第一表 原料／Ｒｈ　　変換率 不斉収率 ９３％ｅｅ ９ｌ 化合物４ａ〜４ｅのＩＲ及びＮＭＲの測定結果を第二表
に示す。

化合物１ａ〜ｌｅの！ 三表に示す。

Ｒ及びＮＭＲの測定結果を第 第三表 第二表

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ 又は、▲数式、化学式、表等があります▼［ I ′］ （式中、Ｒ＾１は、水素原子、−ＣＯＲ′、−ＣＯＯＲ
   ″、−ＣＯＮＨＲ″′、−ＳＯ＿２Ｒ″″又は−ＰＯ（
   Ｒ″″′）＿２であり、Ｒ′、Ｒ″、Ｒ″′、Ｒ″″お
   よびＲ″″′は、それぞれアルキル基又はアリール基を
   表わし、 Ｒ＾２は、低級アルキル基、アルコキシ基、ジアルキル
   アミノ基から選ばれた置換基の １〜３個を有するフェニル基、Ｒ＾３は　シクロヘキシ
   ル基を表わす）で表わされるホスフイノピロリジン化合
   物。 ２、炭素−炭素二重結合構造、炭素−窒素二重結合構造
   、および（又は）炭素−酸素二重結合構造を接触水素還
   元することにより不斉炭素原子を有する化合物を生成せ
   しめる反応を行うにあたり、触媒として使用する金属錯
   体化合物における配位子として、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ 又は▲数式、化学式、表等があります▼［ I ′］ （式中、Ｒ＾１は、水素原子、−ＣＯＲ′、−ＣＯＯＲ
   ″、−ＣＯＮＨＲ″′、−ＳＯ＿２Ｒ″″又は−ＰＯ（
   Ｒ″″′）＿２であり、Ｒ′、Ｒ″、Ｒ″′、Ｒ″″お
   よびＲ″″′は、それぞれアルキル基又はアリール基を
   表わし、 Ｒ＾２は、低級アルキル基、アルコキシ基、ジアルキル
   アミノ基から選ばれた置換基の １〜３個を有するフェニル基、Ｒ＾３は　シクロヘキシ
   ル基を表わす）で表わされるホスフイノピロリジン化合
   物を用いることを特徴とする接触還元による不斉合成法
   。