JPH02132444A - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
塗布装置及び塗布方法Info
- Publication number
- JPH02132444A JPH02132444A JP1133061A JP13306189A JPH02132444A JP H02132444 A JPH02132444 A JP H02132444A JP 1133061 A JP1133061 A JP 1133061A JP 13306189 A JP13306189 A JP 13306189A JP H02132444 A JPH02132444 A JP H02132444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- liquid
- semiconductor wafer
- wafer
- nozzles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
この発明は、半導体ウェハに液を塗布する塗布装置に係
り、特に、塗布されるべきレジスト液を半導体ウェハ上
に供給する液供給ノズルの機構に関する。
り、特に、塗布されるべきレジスト液を半導体ウェハ上
に供給する液供給ノズルの機構に関する。
(従来の技術)
近年、IC又はLSI等の半導体デバイスの集積度が増
加するに従い、更に加工プロセスが微細化する傾向にあ
る。これに伴い、半導体ウエハにレジスト液を塗布する
塗布工程およびその現像工程も複雑化している。
加するに従い、更に加工プロセスが微細化する傾向にあ
る。これに伴い、半導体ウエハにレジスト液を塗布する
塗布工程およびその現像工程も複雑化している。
通常、レジスト液塗布工程および現像液塗布工程では、
スピン式塗布装置(spin coater)が使用さ
れる。スピン式塗布装置は、複雑な塗布工程の要求に応
えるべく、複数の液供給ノズルを有している。すなわち
、同一の塗布装置が複数のレジスト液供給用ノズル(高
解像度レジスト、dye入りレジスト、高耐熱性レジス
ト等)および現像液供給用ノズルを備えており、それぞ
れの工程に応じてノズル操作機構により複数ノズルのう
ちから必要なノズルが選択され、選択されたノズルから
半導体ウェハ上に所望の液が滴下される。
スピン式塗布装置(spin coater)が使用さ
れる。スピン式塗布装置は、複雑な塗布工程の要求に応
えるべく、複数の液供給ノズルを有している。すなわち
、同一の塗布装置が複数のレジスト液供給用ノズル(高
解像度レジスト、dye入りレジスト、高耐熱性レジス
ト等)および現像液供給用ノズルを備えており、それぞ
れの工程に応じてノズル操作機構により複数ノズルのう
ちから必要なノズルが選択され、選択されたノズルから
半導体ウェハ上に所望の液が滴下される。
第7図に示すように、従来の塗布装置は、エアシリンダ
2およびガイド2aが基台1の面に沿って基台1上に設
けられ、アーム3の一端部にはシリンダ2のロッドが連
結され、アーム3の他端部(先端部)には2個のノズル
4,5が取り付けられている。
2およびガイド2aが基台1の面に沿って基台1上に設
けられ、アーム3の一端部にはシリンダ2のロッドが連
結され、アーム3の他端部(先端部)には2個のノズル
4,5が取り付けられている。
この従来の塗布装置は、ノズル4,5の非使用時にはア
ーム3を基台1の一方側へ寄せて図中の二点鎖線で示す
待機位置に待機させておく。ノズル4,5を使用すると
きは、アーム2aを基台1の中央に向かって移動させ、
ノズル4またはノズル5を半導体ウェハ7のセンターポ
ジション直上に位置させる。半導体ウェハ7は、カップ
6の内側に配置されたウェハチャック(図示せず)に保
持されている。アーム3を所定位置に停止させ、例えば
、ノズル4から所定量のレジスト液を半導体ウェハ7の
センターポジションに滴下させる。そして、半導体ウェ
ハ7を回転させ、レジスト液を半導体ウェハ7の面全体
に均一に分散させる。すなわち、アーム3の停止位置を
コントロールすることにより、ノズル4,5のうちから
一方が選択される。
ーム3を基台1の一方側へ寄せて図中の二点鎖線で示す
待機位置に待機させておく。ノズル4,5を使用すると
きは、アーム2aを基台1の中央に向かって移動させ、
ノズル4またはノズル5を半導体ウェハ7のセンターポ
ジション直上に位置させる。半導体ウェハ7は、カップ
6の内側に配置されたウェハチャック(図示せず)に保
持されている。アーム3を所定位置に停止させ、例えば
、ノズル4から所定量のレジスト液を半導体ウェハ7の
センターポジションに滴下させる。そして、半導体ウェ
ハ7を回転させ、レジスト液を半導体ウェハ7の面全体
に均一に分散させる。すなわち、アーム3の停止位置を
コントロールすることにより、ノズル4,5のうちから
一方が選択される。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら,上記塗布装置においては、使用していな
いほうのノズル(例えばノズル5)からレジスト液が半
導体ウェハ上に落下する場合がある。また、不使用ノズ
ルの液通路内でレジスト液が乾燥して、液の粘度が上昇
し、塗布むらが生じる。この結果、半導体ウェハの面上
に均一かつ所望厚さのレジスト層を形成することができ
ないという欠点がある。
いほうのノズル(例えばノズル5)からレジスト液が半
導体ウェハ上に落下する場合がある。また、不使用ノズ
ルの液通路内でレジスト液が乾燥して、液の粘度が上昇
し、塗布むらが生じる。この結果、半導体ウェハの面上
に均一かつ所望厚さのレジスト層を形成することができ
ないという欠点がある。
第8図に他の従来の塗布装置を示す。このタイプの装置
においては、ウェハチャック(図示せず)を有するカッ
プ13が基台8のほぼ中央部に設けられ、カツプ13を
左右両側から挟むように第1アーム10やよび第2アー
ム15がそれぞれ配設されている。各アーム10. 1
5の一端部は支軸によって支持され、各支軸はそれぞれ
モータ9,14の駆動軸にギアまたはベルトを介して連
結されている。第1アーム10の他端部(先端部)には
第1ノズル11が設けられ、第2アーム15の他端部(
先端部)には第2ノズル16が設けられている。各ノズ
ル11. 16の先端下方には、それぞれレジスト液貯
溜用の容器12, 17が設けられ、各ノズルのレジス
ト液の乾燥を防止するようになっている。
においては、ウェハチャック(図示せず)を有するカッ
プ13が基台8のほぼ中央部に設けられ、カツプ13を
左右両側から挟むように第1アーム10やよび第2アー
ム15がそれぞれ配設されている。各アーム10. 1
5の一端部は支軸によって支持され、各支軸はそれぞれ
モータ9,14の駆動軸にギアまたはベルトを介して連
結されている。第1アーム10の他端部(先端部)には
第1ノズル11が設けられ、第2アーム15の他端部(
先端部)には第2ノズル16が設けられている。各ノズ
ル11. 16の先端下方には、それぞれレジスト液貯
溜用の容器12, 17が設けられ、各ノズルのレジス
ト液の乾燥を防止するようになっている。
このタイプの従来の装置では、第1ノズル11および第
2ノズルl6のうちのいずれかを選択する。
2ノズルl6のうちのいずれかを選択する。
例えば、第1ノズル11のほうを使用するときはアーム
lOを支軸回りに回動させ、半導体ウェハ7のセンター
ポジション直上にノズル11を位置させる。
lOを支軸回りに回動させ、半導体ウェハ7のセンター
ポジション直上にノズル11を位置させる。
次いで、ノズル11から半導体ウェハ7上に所定量のレ
ジスト液を滴下し、半導体ウェハ7を回転させてレジス
ト液を半導体ウェハ7の全面に均一に分散させる。
ジスト液を滴下し、半導体ウェハ7を回転させてレジス
ト液を半導体ウェハ7の全面に均一に分散させる。
しかしながら、上記タイプの塗布装置においては、ノズ
ルの数が増えるに従ってノズル操作機構が大型化・複雑
化するという欠点がある。また、ノズルの数が増えると
、各アーム相互間で干渉が生じて、確実な動作を確保す
ることができないという問題点がある。
ルの数が増えるに従ってノズル操作機構が大型化・複雑
化するという欠点がある。また、ノズルの数が増えると
、各アーム相互間で干渉が生じて、確実な動作を確保す
ることができないという問題点がある。
ところで、液供給用のノズルは、半導体ウェハ上に滴下
される液量を一定にするため、液中に気泡が混入しない
ように、液通路が特殊形状をなしている。更に、液温も
塗布膜厚に影響するので、ノズル内の液が適温に調整さ
れる場合もある。
される液量を一定にするため、液中に気泡が混入しない
ように、液通路が特殊形状をなしている。更に、液温も
塗布膜厚に影響するので、ノズル内の液が適温に調整さ
れる場合もある。
従来のノズルは、例えば、PFA (四弗化エチレン樹
脂)または軟質のPTFE(四弗化エチレン樹脂)等の
弗化エチレン樹脂製のチューブを内蔵し、この樹脂チュ
ーブの先端部分を液供給通路として使用する。
脂)または軟質のPTFE(四弗化エチレン樹脂)等の
弗化エチレン樹脂製のチューブを内蔵し、この樹脂チュ
ーブの先端部分を液供給通路として使用する。
しかしながら、従来のノズルにおいては、チューブ先端
部においてチューブ肉厚部分にレジスト液が付着し、こ
れが乾燥固化して液供給口が狭まり、滴下液量が変化す
るという欠点がある。
部においてチューブ肉厚部分にレジスト液が付着し、こ
れが乾燥固化して液供給口が狭まり、滴下液量が変化す
るという欠点がある。
更に、半導体ウェハの取扱い操作中、または塗布装置の
カップを交換する際に,ノズルと、半導体ウェハ、カッ
プやその他の部材とが互いに衝突して、ノズル変形・破
損する事故が生じる。この場合に、ノズルが損傷を受け
ると、ノズル自体が配管チューブであるために、その交
換、取り付けおよび調整のための作業に多大の時間を要
する。
カップを交換する際に,ノズルと、半導体ウェハ、カッ
プやその他の部材とが互いに衝突して、ノズル変形・破
損する事故が生じる。この場合に、ノズルが損傷を受け
ると、ノズル自体が配管チューブであるために、その交
換、取り付けおよび調整のための作業に多大の時間を要
する。
このような従来ノズルの不都合を解消するために、第9
図に示すように、ステンレス鋼製のチューブ10の先端
部に液吐出用のノズルチツプ11を取り付け、チップ1
1を介して液が滴下されるように改良したノズルがある
。すなわち、チツプ11の先端部を薄肉化しているので
、チップ先端に液が付着しなくなる。ノズルチップ11
には、例えば、四弗化エチレン樹脂(PFA)または三
弗化塩化エチレン樹脂(PCTFE)等の弗化エチレン
樹脂製チューブを用いる。
図に示すように、ステンレス鋼製のチューブ10の先端
部に液吐出用のノズルチツプ11を取り付け、チップ1
1を介して液が滴下されるように改良したノズルがある
。すなわち、チツプ11の先端部を薄肉化しているので
、チップ先端に液が付着しなくなる。ノズルチップ11
には、例えば、四弗化エチレン樹脂(PFA)または三
弗化塩化エチレン樹脂(PCTFE)等の弗化エチレン
樹脂製チューブを用いる。
しかしながら、上記従来のノズルは、チューブ10がス
テンレス鋼製のため、チューブ10内に混入した気泡を
目視確認することができない。また、ノズルチップl1
はチューブ10の先端に圧入することにより取り付けら
れているので、長期間使用すると圧入部分が劣化し、緩
んだ圧入部分から液通路内にガスが侵入して気泡が発生
するという欠点がある。
テンレス鋼製のため、チューブ10内に混入した気泡を
目視確認することができない。また、ノズルチップl1
はチューブ10の先端に圧入することにより取り付けら
れているので、長期間使用すると圧入部分が劣化し、緩
んだ圧入部分から液通路内にガスが侵入して気泡が発生
するという欠点がある。
この発明の目的は、多種類の液供給用ノズルのうちから
必要な液供給用ノズルのみを選択して半導体ウェハ上に
液を滴下する場合に、不要な液が半導体ウェハ上に落下
することなく、必要な種類かつ量の液を滴下することが
できる塗布装置を提供することにある。
必要な液供給用ノズルのみを選択して半導体ウェハ上に
液を滴下する場合に、不要な液が半導体ウェハ上に落下
することなく、必要な種類かつ量の液を滴下することが
できる塗布装置を提供することにある。
また、この発明の目的は、塗布むらを生じることなく均
一な厚さの液膜を得るために、液中ヘの気泡の混入を防
止することができる塗布装置用の液供給用ノズルを提供
することを目的とする。
一な厚さの液膜を得るために、液中ヘの気泡の混入を防
止することができる塗布装置用の液供給用ノズルを提供
することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
この発明は液供給源から液が供給され、被検体に各種の
液を滴下するための複数の液供給ノズル手段と、前記液
供給ノズル手段を使用しないときに、液供給ノズル手段
の吐出口部近傍の液を所定状態に維持しつつ、これを待
機させておくノズル待機容器と、前記ノズル待機容器で
待機する液供給ノズル手段のうちから必要数の液供給ノ
ズル手段のみを選択し、これを被検体まで搬送するノズ
ル操作手段と、を有し、前記ノズル操作手段により搬送
された液供給ノズル手段のみによって被検体に液を塗布
することを特徴とする。
液を滴下するための複数の液供給ノズル手段と、前記液
供給ノズル手段を使用しないときに、液供給ノズル手段
の吐出口部近傍の液を所定状態に維持しつつ、これを待
機させておくノズル待機容器と、前記ノズル待機容器で
待機する液供給ノズル手段のうちから必要数の液供給ノ
ズル手段のみを選択し、これを被検体まで搬送するノズ
ル操作手段と、を有し、前記ノズル操作手段により搬送
された液供給ノズル手段のみによって被検体に液を塗布
することを特徴とする。
(作用)
この発明は複数種の各液を塗布するノズルを複数個設け
、これら各液用ノズルを選択して所望する液体を処理体
に塗布することにより、スループットを向上させるもの
である。
、これら各液用ノズルを選択して所望する液体を処理体
に塗布することにより、スループットを向上させるもの
である。
(実施例)
以下、この発明の種々の実施例について、レジスト液塗
布工程に用いられる塗布装置の場合を図面を参照しなが
ら説明する。
布工程に用いられる塗布装置の場合を図面を参照しなが
ら説明する。
第1図に示すように、半導体ウエハ46がウエハチャッ
ク45によって吸着保持され、レジスト液滴下用のノズ
ル30が半導体ウエハ46の上面に対面している。ウェ
ハチャック45はモータ44によって垂直軸回りに回転
可能に支持されている。モータ44は、コンピュータシ
ステムのコントローラにより回転速度および回転時間が
制御されるようになっている。
ク45によって吸着保持され、レジスト液滴下用のノズ
ル30が半導体ウエハ46の上面に対面している。ウェ
ハチャック45はモータ44によって垂直軸回りに回転
可能に支持されている。モータ44は、コンピュータシ
ステムのコントローラにより回転速度および回転時間が
制御されるようになっている。
ノズル30は、ホルダ48により保持されている。
ホルダ48内の温調水入口にはホース51の一端が接続
され、温調水出口にはホース52の一端が接続されてい
る。ホース51の他端は温調装置53の出口58に接続
されている。一方、ホース52他端はマニホールド59
に接続されている。マニホールド59は、バルブ60お
よびドレン62を有する。バルブ60を介してマニホー
ルド59と温調装置53とに連通され、温調水47が装
置53に戻るようになっている。また、マニホールド5
9内の温調水47の一部・はドレン62を介して排出さ
れる。
され、温調水出口にはホース52の一端が接続されてい
る。ホース51の他端は温調装置53の出口58に接続
されている。一方、ホース52他端はマニホールド59
に接続されている。マニホールド59は、バルブ60お
よびドレン62を有する。バルブ60を介してマニホー
ルド59と温調装置53とに連通され、温調水47が装
置53に戻るようになっている。また、マニホールド5
9内の温調水47の一部・はドレン62を介して排出さ
れる。
温調装置53には4つの系統の液供給システムが設けら
れている。各液供給システムは,ノズル30、液供給用
チューブ17. 54および熱交換器55により構成さ
れている。チューブ17はホース51内に設けられてい
る。
れている。各液供給システムは,ノズル30、液供給用
チューブ17. 54および熱交換器55により構成さ
れている。チューブ17はホース51内に設けられてい
る。
第2図に示すように、基台20上にウェハチャック45
およびノズル操作機構73が設けられている。
およびノズル操作機構73が設けられている。
ウェハチャック45上の半導体ウェハ46を取り囲むよ
うにカップ21が設けられている。カップ2lは、遠心
力により半導体ウェハ46から離脱した液が周囲に飛散
するのを防止するようにつくられている。
うにカップ21が設けられている。カップ2lは、遠心
力により半導体ウェハ46から離脱した液が周囲に飛散
するのを防止するようにつくられている。
更に、カップ21の上方には半導体ウェハ46を塗布装
置に搬入搬出するための開口22が形成されている。
置に搬入搬出するための開口22が形成されている。
ノズル操作機構73がカップ21に隣接して設けられて
いる。このノズル操作機構73は、1対のノズル保持部
材90a, 90bと、ノズル保持部材90a, 90
bをそれぞれX軸,Y軸,Z軸に沿って移動させる機構
と、非使用時に四種類のノズル30a,30b,30c
,30dを待機させておくノズル待機容器100と、を
有する。
いる。このノズル操作機構73は、1対のノズル保持部
材90a, 90bと、ノズル保持部材90a, 90
bをそれぞれX軸,Y軸,Z軸に沿って移動させる機構
と、非使用時に四種類のノズル30a,30b,30c
,30dを待機させておくノズル待機容器100と、を
有する。
ノズル保持部材90a, 90bは移動板88上に搭載
され、更に、移動板88は移動台82上に搭載されてい
る。一方のノズル保持部材90bは、エアシリンダ91
のピストンロンドに連結され、X軸に沿って移動される
。これにより、ノズル保持部材90aとノズル保持部材
90bの相互間隔が変化し、あたかもピンセットの如く
開閉されてノズル30がホールドされる。
され、更に、移動板88は移動台82上に搭載されてい
る。一方のノズル保持部材90bは、エアシリンダ91
のピストンロンドに連結され、X軸に沿って移動される
。これにより、ノズル保持部材90aとノズル保持部材
90bの相互間隔が変化し、あたかもピンセットの如く
開閉されてノズル30がホールドされる。
更に、移動板88は、エアシリンダ87のピストンロン
ドに連結され、Z軸に沿って上下移動される。
ドに連結され、Z軸に沿って上下移動される。
また更に、移動台82は、ベルト86の一部に連結され
、ガイドレール79に沿ってX軸方向に案内移動される
。
、ガイドレール79に沿ってX軸方向に案内移動される
。
ガイドレール79の両端には支持部材80, 8]が設
けられ、レール79が移動台78上に支持されている。
けられ、レール79が移動台78上に支持されている。
移動台78上にはモータ84が設けられ、モータ84の
駆動軸にプーり83が嵌め込まれている。また、方の支
持部材81にもプーり85が取り付けられている。ベル
ト96が、プーり83, 85の間に掛け渡される。
駆動軸にプーり83が嵌め込まれている。また、方の支
持部材81にもプーり85が取り付けられている。ベル
ト96が、プーり83, 85の間に掛け渡される。
更に、移動台78は、モータ75で回転駆動されるポー
ルスクリュウ76にナット(図示せず)を介して連結さ
れ、ガイドレール74に沿ってY軸方向に案内移動され
る。ガイドレール74およびボールスクリュウ76は、
それぞれの両端部にて1対の支持部材77により基台2
0上に支持されている。
ルスクリュウ76にナット(図示せず)を介して連結さ
れ、ガイドレール74に沿ってY軸方向に案内移動され
る。ガイドレール74およびボールスクリュウ76は、
それぞれの両端部にて1対の支持部材77により基台2
0上に支持されている。
ノズル待機容器100が、 ウェハチャック45および
ノズル操作機構73の間に設けられている。ノズル待機
容器100の上面には四個の開口97a,97b,97
c,1] 97dが形成されている。開口97a,97b,97c
,97dはX軸に沿って配列され、各開口のそれぞれを
介してノズ/lz30a,30b,30c,30d(7
)先端部が容器100内に挿入される。
ノズル操作機構73の間に設けられている。ノズル待機
容器100の上面には四個の開口97a,97b,97
c,1] 97dが形成されている。開口97a,97b,97c
,97dはX軸に沿って配列され、各開口のそれぞれを
介してノズ/lz30a,30b,30c,30d(7
)先端部が容器100内に挿入される。
次に、第3図を参照しながら、ノズル待機容器100に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
容器100のボディ101内部の中ほどに溶剤例えばシ
ンナーが収容されるソルベントバス102が設けられ、
ソルベントバス102に貯溜された有機溶剤107から
揮発した蒸気により上室103内が満たされている。ソ
ルベントバス102には開口105が形成され、開口1
05により容器の上室103と下室104とが連通して
いる。開口105はノズル挿入開口97a〜97dの下
方に形成されている。待機中のノズル30a〜30dは
上記有機溶剤107の揮発蒸気中に設けられ、ノズル内
処理液例えばレジスト液の乾燥を防止すると共にそれぞ
れ滴り落ちる液滴は、開口105を介して下室104内
に落下し、ドレン106を介して排出されるようになっ
ている。
ンナーが収容されるソルベントバス102が設けられ、
ソルベントバス102に貯溜された有機溶剤107から
揮発した蒸気により上室103内が満たされている。ソ
ルベントバス102には開口105が形成され、開口1
05により容器の上室103と下室104とが連通して
いる。開口105はノズル挿入開口97a〜97dの下
方に形成されている。待機中のノズル30a〜30dは
上記有機溶剤107の揮発蒸気中に設けられ、ノズル内
処理液例えばレジスト液の乾燥を防止すると共にそれぞ
れ滴り落ちる液滴は、開口105を介して下室104内
に落下し、ドレン106を介して排出されるようになっ
ている。
次に、第4図および第5図を参照しながら、液滴下用ノ
ズルについて説明する。なお、四個のノズルのそれぞれ
は実施的に同じ構成であるので、ここでは第1のノズル
30aを代表として説明し、他のノズルについては説明
を省略する。
ズルについて説明する。なお、四個のノズルのそれぞれ
は実施的に同じ構成であるので、ここでは第1のノズル
30aを代表として説明し、他のノズルについては説明
を省略する。
第4図に示すように、ノズル30aはホルダ48の下部
に装着されている。このホルダ48は中空をなし、2つ
のホースジョイント129, 131がホルダ48の上
部に形成されている。各ホースジョイント129, 1
31にはそれぞれホース51. 52が接続されている
。
に装着されている。このホルダ48は中空をなし、2つ
のホースジョイント129, 131がホルダ48の上
部に形成されている。各ホースジョイント129, 1
31にはそれぞれホース51. 52が接続されている
。
第1図に示すように、ホース51の上流端部は温調装置
53の水供給口58に接続され、ホース52の下流端部
はマニホールド59の入口に接続されている。
53の水供給口58に接続され、ホース52の下流端部
はマニホールド59の入口に接続されている。
すなわち、ホース51を介してホルダ48内に温調水4
7が流入し、ホース52を介して温調水47がホルダ4
8から流出するようになっている。一方のホース51内
にはレジスト液供給用のチューブ37が挿通され、チュ
ーブ37内のレジスト液5oが温調水47により温度コ
ントロールされる。
7が流入し、ホース52を介して温調水47がホルダ4
8から流出するようになっている。一方のホース51内
にはレジスト液供給用のチューブ37が挿通され、チュ
ーブ37内のレジスト液5oが温調水47により温度コ
ントロールされる。
第5図に示すように、ノズル3oの先端部分にはノズル
チップ112が取り付けられている。チップ112の基
端部には雄ネジ119が形成され、この雄ネジ119が
ナット122の雌ネジ121に螺合されている。
チップ112が取り付けられている。チップ112の基
端部には雄ネジ119が形成され、この雄ネジ119が
ナット122の雌ネジ121に螺合されている。
ナット122と液供給用チューブ37との間にシールリ
ング120が設けられている。シールリング120の上
部テーパ面123とナット122のテーパ面とが互いに
当接している。ノズルチップ112をナット122にね
じ込めばねじ込むほどシールリング120がチューブ3
7の外周壁に押し付けられ、間隙がリング120により
シールされる。
ング120が設けられている。シールリング120の上
部テーパ面123とナット122のテーパ面とが互いに
当接している。ノズルチップ112をナット122にね
じ込めばねじ込むほどシールリング120がチューブ3
7の外周壁に押し付けられ、間隙がリング120により
シールされる。
ノズルチップ112の液入口部114は、チューブ37
に対して液吐出口115の側に向かって絞り加工され、
テーパ部116が形成されている。また、液吐出口11
5は、待機中における液50の落下防止のために、ラッ
パ状に形成されている。この場合に、液吐出口115の
部分は、ナイフエッジ状に薄肉に形成するほうが望まし
い。
に対して液吐出口115の側に向かって絞り加工され、
テーパ部116が形成されている。また、液吐出口11
5は、待機中における液50の落下防止のために、ラッ
パ状に形成されている。この場合に、液吐出口115の
部分は、ナイフエッジ状に薄肉に形成するほうが望まし
い。
なお、液供給用のチューブ37は、四弗化エチレン樹脂
(PFA)でつくられている。また、シールリング12
0は、軟質の四弗化エチレン樹脂(PTFE)でつくら
れている。
(PFA)でつくられている。また、シールリング12
0は、軟質の四弗化エチレン樹脂(PTFE)でつくら
れている。
次に、第1図〜第3図を参照して、容器100から第1
ノズル30a を取り出し、半導体ウェハ46にレジス
ト液を塗布する場合について説明する。
ノズル30a を取り出し、半導体ウェハ46にレジス
ト液を塗布する場合について説明する。
ω 搬送機構(図示せず)により処理前の半導体ウェハ
46を、開口22を介してカップ21内に搬入し、ウェ
ハチャック45に載置する。半導体ウェハ46をウェハ
チャック45により吸着保持する。
46を、開口22を介してカップ21内に搬入し、ウェ
ハチャック45に載置する。半導体ウェハ46をウェハ
チャック45により吸着保持する。
■ 半導体ウェハ46の設定が完了すると、コンピュー
タシステム(図示せず)からノズル操作機構73に動作
開始信号が伝達され、ノズル操作機構73が動作を開始
する。この場合に、コンピュータシステムには、機構7
3が高解像度レジスト供給例えば滴下用の第1ノズル9
7aを選択するためのプログラミングデータが予めイン
プットされている。
タシステム(図示せず)からノズル操作機構73に動作
開始信号が伝達され、ノズル操作機構73が動作を開始
する。この場合に、コンピュータシステムには、機構7
3が高解像度レジスト供給例えば滴下用の第1ノズル9
7aを選択するためのプログラミングデータが予めイン
プットされている。
レジスト液は噴射させるタイプにしてもよい。
■ コンピュータ制御に基づき、モータ75でスクリュ
ウ76を回転させ、移動台78をY軸方向に後退させる
(すなわち、ノズル保持部材90a, 90bをウェハ
チャック45の位置から遠ざける方向に移動させる)。
ウ76を回転させ、移動台78をY軸方向に後退させる
(すなわち、ノズル保持部材90a, 90bをウェハ
チャック45の位置から遠ざける方向に移動させる)。
(イ)次に、モータ84によりベルト86を駆動させて
、移動台82をX軸方向に移動させ、ノズル保持部材9
0a , 90bをノズル待機容器100のプログラム
により選択された第1ノズル30aの上方近傍に位置さ
せる。
、移動台82をX軸方向に移動させ、ノズル保持部材9
0a , 90bをノズル待機容器100のプログラム
により選択された第1ノズル30aの上方近傍に位置さ
せる。
■ エアシリンダ9Iを動作させて一方のノズル保持部
材90bを他方の部材90aから遠ざける(ノズル保持
部材90a,90bの開動作)。
材90bを他方の部材90aから遠ざける(ノズル保持
部材90a,90bの開動作)。
0 移動台78をY軸方向に前進させ、XY平面内で保
持部材90a,90bをノズル97aの直上に位置させ
る。
持部材90a,90bをノズル97aの直上に位置させ
る。
■ シリンダ87により移動台88を下降させ、保持部
材90a,90bの間に第1ノズル97aが位置するよ
うに移動台88を停止させる。
材90a,90bの間に第1ノズル97aが位置するよ
うに移動台88を停止させる。
(8) シリンダ9lにより保持部材90a, 90
bを閉動作させ、部材90a , 90bにより第1ノ
ズル97aをホールドする。
bを閉動作させ、部材90a , 90bにより第1ノ
ズル97aをホールドする。
■ シリンダ87により移動台88を上昇させて、第1
ノズル97aを容器100から持ち上げ、これを所定高
さにて停止させる。
ノズル97aを容器100から持ち上げ、これを所定高
さにて停止させる。
(10)次に、モータ75の駆動により移動台78をY
軸方向に後退させた後、モータ84の駆動により移動台
82をX軸方向に移動させ、部材90a, 90bにホ
ールドされた状態で第1ノズル97aを半導体ウェハ4
6のセンターライン上に位置させる。
軸方向に後退させた後、モータ84の駆動により移動台
82をX軸方向に移動させ、部材90a, 90bにホ
ールドされた状態で第1ノズル97aを半導体ウェハ4
6のセンターライン上に位置させる。
(11)モータ75の駆動により移動台78をY軸方向
に前進させて、第1ノズル97aを半導体ウェハ46の
センターポジションの直上に位置させる。
に前進させて、第1ノズル97aを半導体ウェハ46の
センターポジションの直上に位置させる。
(12)シリンダ87の駆動により移動板88を下降さ
せ、第1ノズル97aを半導体ウェハ46に接近させ、
ノズル97aの液吐出口115からウェハ46の上面ま
での間隔が所定距離になるところでこれを停止させる。
せ、第1ノズル97aを半導体ウェハ46に接近させ、
ノズル97aの液吐出口115からウェハ46の上面ま
での間隔が所定距離になるところでこれを停止させる。
(13)次に、第1図を参照して第1ノズル30aにレ
ジスト液50を供給するプロセスについて説明する。
ジスト液50を供給するプロセスについて説明する。
レジスト液50は、液タンク(回示せず)のバルブ(図
示せず)、サックパックバルブ(図示せず)を介して入
口54から温調装置53に入る。温調装置53内では、
レジスト液50は熱交換器55により所定温度に調整さ
れる。熱交換器55は,熱交換率の高い金属チューブで
構成されている。
示せず)、サックパックバルブ(図示せず)を介して入
口54から温調装置53に入る。温調装置53内では、
レジスト液50は熱交換器55により所定温度に調整さ
れる。熱交換器55は,熱交換率の高い金属チューブで
構成されている。
次に、レジスト液50は、温調装置53の出口58から
チューブ37内を流通し、ノズル30aの液吐出口11
5から所定量が押し出される。これが、液滴となって半
導体ウェハ46のセンターポジションに向かって落下す
る。
チューブ37内を流通し、ノズル30aの液吐出口11
5から所定量が押し出される。これが、液滴となって半
導体ウェハ46のセンターポジションに向かって落下す
る。
(14)モータ44によりウェハチャック45を例えば
1000〜6000RPMの範囲の所定の回転速度で回
転させる。この結果、滴下されたレジスト液が半導体ウ
ェハ46の全面に分散し、所定厚さのレジスト液のコー
ティング層が形成される。
1000〜6000RPMの範囲の所定の回転速度で回
転させる。この結果、滴下されたレジスト液が半導体ウ
ェハ46の全面に分散し、所定厚さのレジスト液のコー
ティング層が形成される。
(15)レジスト液のコーティングが終了すると、上記
プロセス(3)〜(l2)を逆にたどり、第1ノズル3
0aを容器100の開口97aに戻すと共に、 ノズル
保持部材90a, 90bを所定位置に待機させる。
プロセス(3)〜(l2)を逆にたどり、第1ノズル3
0aを容器100の開口97aに戻すと共に、 ノズル
保持部材90a, 90bを所定位置に待機させる。
(16)ノズル30aを待機位置に戻した後に、ウエハ
チャック45による半導体ウエハ46の吸着保持を解除
し、ハンドリング装置(図示せず)により半導体ウェハ
46を塗布装置から搬出する。
チャック45による半導体ウエハ46の吸着保持を解除
し、ハンドリング装置(図示せず)により半導体ウェハ
46を塗布装置から搬出する。
(l7)なお、その後、半導体ウェハ46に現像液を塗
布する場合は、露光処理後の半導体ウエハ46をウェハ
チャック45により吸着保持し、例えば第4ノズル30
dをノズル操作装置73により半導体ウェハ46のセン
ターポジション直上に搬送し、所定量の現像液を半導体
ウェハ46に塗布する。
布する場合は、露光処理後の半導体ウエハ46をウェハ
チャック45により吸着保持し、例えば第4ノズル30
dをノズル操作装置73により半導体ウェハ46のセン
ターポジション直上に搬送し、所定量の現像液を半導体
ウェハ46に塗布する。
上記第1の実施例によれば、プロセスおよびウェハの種
類に応じて、複数の液滴下用ノズルのうちから一つのみ
を選択し、選択された1個のノズルのみを半導体ウエハ
上に搬送し、他のノズルは容器にて待機している。この
ため、半導体ウエハ上に不要な液が落下する事故を回避
することができ、塗布むらの発生を防止できる。
類に応じて、複数の液滴下用ノズルのうちから一つのみ
を選択し、選択された1個のノズルのみを半導体ウエハ
上に搬送し、他のノズルは容器にて待機している。この
ため、半導体ウエハ上に不要な液が落下する事故を回避
することができ、塗布むらの発生を防止できる。
また、上記ノズルチップ112およびナット122は、
ステンレス鋼または三弗化塩化エチレン樹脂(PCTF
E)等の高強度樹脂でつくられている。この場合に、P
CTFEは、硬度が高く、加工精度も高いので、液吐出
口115の形状安定に優れ、更に、軟質のシールリング
120を押圧するのに適する。
ステンレス鋼または三弗化塩化エチレン樹脂(PCTF
E)等の高強度樹脂でつくられている。この場合に、P
CTFEは、硬度が高く、加工精度も高いので、液吐出
口115の形状安定に優れ、更に、軟質のシールリング
120を押圧するのに適する。
更に、一般に、チューブ37として形状安定性に劣る梗
脂製チューブを使用した場合であっても、シールリング
120が変形することにより液密状態を形成保持でき、
全体として有効にシール作用が機能する。
脂製チューブを使用した場合であっても、シールリング
120が変形することにより液密状態を形成保持でき、
全体として有効にシール作用が機能する。
また、チューブ37とチップ112との密着が容易かつ
確実に行なえると共に、チップ112が破損した場合で
も簡単に着脱できる。
確実に行なえると共に、チップ112が破損した場合で
も簡単に着脱できる。
更に、上記ノズルの吐出液の通路113には、液溜りや
気泡溜りが発生する原因となりやすい凹凸部が形成され
ず、チューブ37およびチップ112の内面も連続して
接続されるので、液溜りや気泡溜りが発生しなくなる。
気泡溜りが発生する原因となりやすい凹凸部が形成され
ず、チューブ37およびチップ112の内面も連続して
接続されるので、液溜りや気泡溜りが発生しなくなる。
従って、安定した吐出量を得ることができる。
次に、第6図を参照しながら、第2の実施例について説
明する。なお、第2の実施例と上記第1の実施例とが共
通する部分についての説明および図示を省略する。
明する。なお、第2の実施例と上記第1の実施例とが共
通する部分についての説明および図示を省略する。
この第2の実施例の塗布装置では、ノズル操作機構を変
更している。固定軸123が基台20上に固定され、第
1アーム124が固定軸123の回りに回動可能に設け
られている。固定軸123には図示しないモータの駆動
軸に連結されている。なお、固定軸123はノズル待機
容器100の長手延長上に設けられている。
更している。固定軸123が基台20上に固定され、第
1アーム124が固定軸123の回りに回動可能に設け
られている。固定軸123には図示しないモータの駆動
軸に連結されている。なお、固定軸123はノズル待機
容器100の長手延長上に設けられている。
更に、第2アーム125が軸126を介して第1アーム
124に連結されている。すなわち、第1および第2の
アーム124, 125により多関節アームからなるノ
ズル操作機構が形成される。この多関節アームの先端に
ノズル保持部材90a, 90bがとりつけられている
。なお、多関節アームは、固定軸123を中心に図示の
ように折れ曲がり、その先端に設けられた部材90a
, 90bが容器100の各ノズル保持箇所に位置させ
得る。
124に連結されている。すなわち、第1および第2の
アーム124, 125により多関節アームからなるノ
ズル操作機構が形成される。この多関節アームの先端に
ノズル保持部材90a, 90bがとりつけられている
。なお、多関節アームは、固定軸123を中心に図示の
ように折れ曲がり、その先端に設けられた部材90a
, 90bが容器100の各ノズル保持箇所に位置させ
得る。
上記第2実施例の装置では、固定軸123の回りに第1
アーム124を所定角度だけ回動させ、保持部材90a
,90bにより第3ノズル30cをホールドし、これを
半導体ウェハ46のセンターポジションの直上に搬送し
、ウェハ46に所定量のレジスト液を滴下する。
アーム124を所定角度だけ回動させ、保持部材90a
,90bにより第3ノズル30cをホールドし、これを
半導体ウェハ46のセンターポジションの直上に搬送し
、ウェハ46に所定量のレジスト液を滴下する。
上記第2の実施例によれば、基台上に設置されるノズル
操作機構を小型化することができる。
操作機構を小型化することができる。
なお、上記実施例では、4個のノズルのうちから1個の
ノズルを選択する場合について牽明したが、この発明は
これに限られることなく、2個,3個,5個等の複数ノ
ズル群のメニューから1個または2個のノズルを選択す
るようにすることもできる。
ノズルを選択する場合について牽明したが、この発明は
これに限られることなく、2個,3個,5個等の複数ノ
ズル群のメニューから1個または2個のノズルを選択す
るようにすることもできる。
以上説明したように、本願発明の塗布装置およびノズル
によれば、液を半導体ウェハ上に確実に必要量だけ滴下
することができ、塗布むらを生じることなく、均一に液
を塗布することができる。
によれば、液を半導体ウェハ上に確実に必要量だけ滴下
することができ、塗布むらを生じることなく、均一に液
を塗布することができる。
このため、塗布プロセスの信頼性が向上し、半導体ウェ
ハの生産性の向上を図ることができる。
ハの生産性の向上を図ることができる。
第1図は本発明の実施例に係る塗布装置の概略構成を示
して、装置内における液のフローを説明するための図、
第2図は本発明の実施例に係る塗布装置を模式的に示す
平面図、第3図は本発明の実施例に係る塗布装置のノズ
ル待機容器の内部を示す縦断面図、第4図は本発明の実
施例に係る塗布装置のノズルを示す縦断面図、第5図は
本発明の実施例に係る塗布装置のノズル先端部を拡大し
て示す縦断面図、第6図は本発明の他の実施例に係る塗
布装置を模式的に示す平面図、第7図は従来の塗布装置
を模式的に示す図、第8図は別のタイプの従来の塗布装
置を模式的に示す平面図、第9図は従来の液滴下用ノズ
ルの先端部の一部を切り欠いて示す部分縦断面図である
。 46・・・ウェハ 45・・・チャック30
・・・ノズル 55・・・熱交換器第 図 第 図 第 図
して、装置内における液のフローを説明するための図、
第2図は本発明の実施例に係る塗布装置を模式的に示す
平面図、第3図は本発明の実施例に係る塗布装置のノズ
ル待機容器の内部を示す縦断面図、第4図は本発明の実
施例に係る塗布装置のノズルを示す縦断面図、第5図は
本発明の実施例に係る塗布装置のノズル先端部を拡大し
て示す縦断面図、第6図は本発明の他の実施例に係る塗
布装置を模式的に示す平面図、第7図は従来の塗布装置
を模式的に示す図、第8図は別のタイプの従来の塗布装
置を模式的に示す平面図、第9図は従来の液滴下用ノズ
ルの先端部の一部を切り欠いて示す部分縦断面図である
。 46・・・ウェハ 45・・・チャック30
・・・ノズル 55・・・熱交換器第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 液供給源から液が供給され、被処理体に各種の液を供給
するための複数の液供給ノズル手段と、前記液供給ノズ
ル手段を使用しないときに、液供給ノズル手段の吐出口
部近傍の液を所定状態に維持しつつ、これを待機させて
おくノズル待機容器と、前記ノズル待機容器で待機する
液供給ノズル手段のうちから少なくとも一つの液供給ノ
ズル手段のみを選択し、これを被検体まで搬送するノズ
ル操作手段と、を有し、前記ノズル操作手段により搬送
された液供給ノズル手段のみによって被検体に液を塗布
することを特徴とする半導体ウェハに液を塗布する塗布
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133061A JP2815064B2 (ja) | 1988-05-27 | 1989-05-26 | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13072388 | 1988-05-27 | ||
| JP63-130723 | 1988-05-27 | ||
| JP16424588 | 1988-07-01 | ||
| JP63-164245 | 1988-07-01 | ||
| JP1133061A JP2815064B2 (ja) | 1988-05-27 | 1989-05-26 | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132444A true JPH02132444A (ja) | 1990-05-21 |
| JP2815064B2 JP2815064B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=27316177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133061A Expired - Lifetime JP2815064B2 (ja) | 1988-05-27 | 1989-05-26 | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815064B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498821A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-31 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造用回転塗布装置 |
| US5514215A (en) * | 1993-03-30 | 1996-05-07 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Treating liquid supplying apparatus for a substrate spin treating apparatus |
| US5772764A (en) * | 1995-10-13 | 1998-06-30 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus |
| JP2006065306A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-03-09 | Schott Ag | パターン付き光学フィルタ層を基板上に作製する方法 |
| JP2007196210A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hynix Semiconductor Inc | 感光物質コーティング用装置 |
| WO2014054606A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | Azエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2014241382A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171336U (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 株式会社東芝 | レジスト滴下ノズル |
| JPS6186930U (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-07 | ||
| JPS62221465A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS62222635A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1133061A patent/JP2815064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171336U (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 株式会社東芝 | レジスト滴下ノズル |
| JPS6186930U (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-07 | ||
| JPS62221465A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Ltd | 塗布装置 |
| JPS62222635A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498821A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-31 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造用回転塗布装置 |
| US5514215A (en) * | 1993-03-30 | 1996-05-07 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Treating liquid supplying apparatus for a substrate spin treating apparatus |
| US5772764A (en) * | 1995-10-13 | 1998-06-30 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus |
| JP2006065306A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-03-09 | Schott Ag | パターン付き光学フィルタ層を基板上に作製する方法 |
| JP2007196210A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hynix Semiconductor Inc | 感光物質コーティング用装置 |
| WO2014054606A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | Azエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社 | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2014071424A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Az Electronic Materials Mfg Co Ltd | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| US9360756B2 (en) | 2012-10-01 | 2016-06-07 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Composition for forming fine resist pattern and pattern formation method using same |
| JP2014241382A (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815064B2 (ja) | 1998-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960002242B1 (ko) | 도포장치 및 방법 | |
| KR100209564B1 (ko) | 액 도포 시스템 및 액 도포방법 | |
| KR100560257B1 (ko) | 도포장치및도포방법 | |
| US5374312A (en) | Liquid coating system | |
| US5962070A (en) | Substrate treating method and apparatus | |
| KR100357312B1 (ko) | 도포장치 | |
| KR100284556B1 (ko) | 도포막 형성방법 및 그를 위한 장치 | |
| US5626913A (en) | Resist processing method and apparatus | |
| US5695817A (en) | Method of forming a coating film | |
| JP3333121B2 (ja) | 塗布装置 | |
| US6371667B1 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
| US4745422A (en) | Automatic developing apparatus | |
| JP3069762B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
| US7344600B2 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| US7419316B2 (en) | Developing treatment apparatus | |
| JP4979758B2 (ja) | 基板処理装置および方法 | |
| KR100750891B1 (ko) | 도포장치 및 혼합장치 | |
| US20230314948A1 (en) | Nozzle having double pipe structure, and photoresist dispenser and spin coater, each including the nozzle | |
| US6391110B1 (en) | Method and apparatus for cleaning treatment | |
| US8858755B2 (en) | Edge bevel removal apparatus and method | |
| US20060121741A1 (en) | Device for supplying a solution onto a substrate and method for supplying the solution onto the substrate by using the same | |
| JPH11163094A (ja) | 基板チャッキング装置および基板洗浄装置 | |
| JP2815064B2 (ja) | 半導体ウエハに液を塗布する塗布装置及び塗布方法 | |
| US6048400A (en) | Substrate processing apparatus | |
| US20240192611A1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |