JPH02133978A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH02133978A JPH02133978A JP28689288A JP28689288A JPH02133978A JP H02133978 A JPH02133978 A JP H02133978A JP 28689288 A JP28689288 A JP 28689288A JP 28689288 A JP28689288 A JP 28689288A JP H02133978 A JPH02133978 A JP H02133978A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- auxiliary signal
- semiconductor laser
- light
- signal
- optic element
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバ通信に用いられる半導体レーザモジ
ュールに関する。
ュールに関する。
従来、高速ＰＣＭシステム及びアナログ直接変調による
画像伝送システムで用いられる半導体レーザモジュール
では、第２図に示すように半導体レーザ１の出射光はレ
ンズ２により平行光に変換された後、偏光子３４５°フ
アラデ一回転子１０及び検光子５から構成される光アイ
ソレータを経てレンズ６により集束され、光ファイバ７
に結合される構成となっており、光アイソレータによっ
て反射波の再入を阻止する構成となっている。
画像伝送システムで用いられる半導体レーザモジュール
では、第２図に示すように半導体レーザ１の出射光はレ
ンズ２により平行光に変換された後、偏光子３４５°フ
アラデ一回転子１０及び検光子５から構成される光アイ
ソレータを経てレンズ６により集束され、光ファイバ７
に結合される構成となっており、光アイソレータによっ
て反射波の再入を阻止する構成となっている。
ところで、上述した従来の半導体レーザモジュールの場
合、半導体レーザ駆動電流で決定される強度変調を行っ
ており、そのため、主信号に補助信号を重畳するような
場合には、半導体レーザモジュールの外部に補助信号を
重畳する電気回路を備えなければならず９回路規模が拡
大してしまうという問題点がある。
合、半導体レーザ駆動電流で決定される強度変調を行っ
ており、そのため、主信号に補助信号を重畳するような
場合には、半導体レーザモジュールの外部に補助信号を
重畳する電気回路を備えなければならず９回路規模が拡
大してしまうという問題点がある。
本発明によれば、半導体レーザと、該半導体レーザの出
射光を平行光に変換する第１のレンズと、異常光の移動
距離が所定の距離以上の複屈折材料の偏光子と、印加す
る電界の変化に応じて偏波方向を変化して、振幅変調を
行う１次電気光学素子と、該１次電気光学素子による振
幅変調を線形応答させる％波長位相板と、該１次電気光
学素子の入射光の偏波面に対して直交又は平行成分のみ
を透過する検光子と、該検光子の出射光を集光する第２
のレンズと、該第２のレンズに光学的に結合された光フ
ァイバとを有し、前記半導体レーザの出射光を主信号と
して、前記１次電気光学素子に補助信号電圧源から補助
信号を印加して、振幅変調によって前記主信号に前記補
助信号を重畳するようにしたことを特徴とする半導体レ
ーザモジュールが得られる。
射光を平行光に変換する第１のレンズと、異常光の移動
距離が所定の距離以上の複屈折材料の偏光子と、印加す
る電界の変化に応じて偏波方向を変化して、振幅変調を
行う１次電気光学素子と、該１次電気光学素子による振
幅変調を線形応答させる％波長位相板と、該１次電気光
学素子の入射光の偏波面に対して直交又は平行成分のみ
を透過する検光子と、該検光子の出射光を集光する第２
のレンズと、該第２のレンズに光学的に結合された光フ
ァイバとを有し、前記半導体レーザの出射光を主信号と
して、前記１次電気光学素子に補助信号電圧源から補助
信号を印加して、振幅変調によって前記主信号に前記補
助信号を重畳するようにしたことを特徴とする半導体レ
ーザモジュールが得られる。
次に本発明について実施例によって説明する。
第１図を参照して１本発明による半導体レーザモジュー
ルは半導体レーザ１．半導体レーザ１からのレーザ光を
直径ｄの平行光に変換する第１のレンズ２．異常光の移
動距離が上記の直径２以上の複屈折材料を用いた偏光子
３，１次電気光学素子８．Ｖ４波長位相板（自然複屈折
結晶）４．検光子５．平行光を再び集光させる第２のレ
ンズ６、光ファイバ７及び補助信号電圧源９で構成され
ている。
ルは半導体レーザ１．半導体レーザ１からのレーザ光を
直径ｄの平行光に変換する第１のレンズ２．異常光の移
動距離が上記の直径２以上の複屈折材料を用いた偏光子
３，１次電気光学素子８．Ｖ４波長位相板（自然複屈折
結晶）４．検光子５．平行光を再び集光させる第２のレ
ンズ６、光ファイバ７及び補助信号電圧源９で構成され
ている。
半導体レーザ１の出射光（主信号）はレンズ２により平
行光に変換され、偏光子３により直線偏波される。この
直線偏波光が１次電気光学素子８に入射されると、二種
の偏光成分に分けられる。これらの二種の光波の屈折率
は補助信号電圧源９から電圧（補助信号）を１次電気光
学素子８に印加することにより１次電気光学素子８中で
電圧に応じて発生する電界に比例して変化するため、二
種の光波の間に位相差が生じ楕円偏波となる。この際、
印加した補助信号電圧源により偏波方向が変化するので
１次電気光学素子８に入射する直線偏光に対して直交又
は平行成分のみ透過する検光子５を透すと、印加した補
助信号電圧源９からの補助信号に準じた強度変化、振幅
変調光が得られる。さらに、Ａ波長位相板４を透すこと
により振幅変調光は線形応答する。さらに上記振幅（強
度）変調された光を第２のレンズ６により集光し、光フ
ァイバ７と結合する。
行光に変換され、偏光子３により直線偏波される。この
直線偏波光が１次電気光学素子８に入射されると、二種
の偏光成分に分けられる。これらの二種の光波の屈折率
は補助信号電圧源９から電圧（補助信号）を１次電気光
学素子８に印加することにより１次電気光学素子８中で
電圧に応じて発生する電界に比例して変化するため、二
種の光波の間に位相差が生じ楕円偏波となる。この際、
印加した補助信号電圧源により偏波方向が変化するので
１次電気光学素子８に入射する直線偏光に対して直交又
は平行成分のみ透過する検光子５を透すと、印加した補
助信号電圧源９からの補助信号に準じた強度変化、振幅
変調光が得られる。さらに、Ａ波長位相板４を透すこと
により振幅変調光は線形応答する。さらに上記振幅（強
度）変調された光を第２のレンズ６により集光し、光フ
ァイバ７と結合する。
以上説明したように本発明では、１次電気光学素子に補
助信号電圧を印加して半導体レーザ出力光の偏波方向の
制御を行ってこれにより検光子を通過する光の強度変化
を行っているから主信号（駆動電流による強度変調信号
）に補助信号が重畳できる。従って外部電気回路を必要
とすることなく、主信号に補助信号を重畳することがで
きるという効果がある。
助信号電圧を印加して半導体レーザ出力光の偏波方向の
制御を行ってこれにより検光子を通過する光の強度変化
を行っているから主信号（駆動電流による強度変調信号
）に補助信号が重畳できる。従って外部電気回路を必要
とすることなく、主信号に補助信号を重畳することがで
きるという効果がある。
第１図は本発明による半導体レーザモジュールの一実施
例を示すブロック図、第２図は従来の半導体レーザモジ
ュールを示すブロック図である。 １・・・半導体レーザ、２，６・・・レンズ、６・・・
偏光子、４・・・％波長位相板（自然複屈折結晶）。 ５・・・検光子、７・・・光ファイバ、８・・・１次電
気光学素子、９・・・補助信号源、１０・・・ファラデ
ー回転子。
例を示すブロック図、第２図は従来の半導体レーザモジ
ュールを示すブロック図である。 １・・・半導体レーザ、２，６・・・レンズ、６・・・
偏光子、４・・・％波長位相板（自然複屈折結晶）。 ５・・・検光子、７・・・光ファイバ、８・・・１次電
気光学素子、９・・・補助信号源、１０・・・ファラデ
ー回転子。
Claims (1)
- １、半導体レーザと、該半導体レーザの出射光を平行光
に変換する第１のレンズと、異常光の移動距離が所定の
距離以上の複屈折材料の偏光子と、印加する電界の変化
に応じて偏波方向を変化して、振幅変調を行う１次電気
光学素子と、該１次電気光学素子による振幅変調を線形
応答させるに波長位相板と、該１次電気光学素子の入射
光の偏波面に対し直交又は平行成分のみを透過する検光
子と、該検光子の出射光を集光する第２のレンズと、該
第２のレンズに光学的に結合された光ファイバとを有し
、前記半導体レーザの出射光を主信号として、前記１次
電気光学素子に補助信号電圧源から補助信号を印加して
、振幅変調によって前記主信号に前記補助信号を重畳す
るようにしたことを特徴とする半導体レーザモジュール
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28689288A JPH02133978A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28689288A JPH02133978A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133978A true JPH02133978A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17710351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28689288A Pending JPH02133978A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133978A (ja) |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP28689288A patent/JPH02133978A/ja active Pending
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