JPH02199885A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH02199885A JPH02199885A JP1017476A JP1747689A JPH02199885A JP H02199885 A JPH02199885 A JP H02199885A JP 1017476 A JP1017476 A JP 1017476A JP 1747689 A JP1747689 A JP 1747689A JP H02199885 A JPH02199885 A JP H02199885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- auxiliary signal
- light
- semiconductor laser
- polarizer
- electrooptical element
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバ通信等に用いられ電気信号を光信号
に変換する半導体レーザモジュールに関する。
に変換する半導体レーザモジュールに関する。
従来、高速PCM通信システム及びアナログ直接変調に
よる画像伝送システムでは第2図に示す半導体レーザモ
ジュールが用いられている。
よる画像伝送システムでは第2図に示す半導体レーザモ
ジュールが用いられている。
この半導体レーザモジュールでは、半導体レーザ】の出
射光はレンズ2により平行光、に変換された後備光子3
.ファラデー回転子9.検光子10から構成される光ア
イソレータを経てレンズ6により集光され光ファイバ7
に結合されておシ、光アインレータによって2反射波の
再入を阻止する構成となっている。
射光はレンズ2により平行光、に変換された後備光子3
.ファラデー回転子9.検光子10から構成される光ア
イソレータを経てレンズ6により集光され光ファイバ7
に結合されておシ、光アインレータによって2反射波の
再入を阻止する構成となっている。
ところで上述の半導体レーザモジュールテid半導体レ
ーザ駆動電流で決定される強度変調を行っているので例
えば、半導体レーザ駆動電流に対応する主信号に補助信
号を重畳するような場合、補助信号を重畳するための電
気回路を設けなければならず、そのため2回路規模の拡
大という問題点がある。
ーザ駆動電流で決定される強度変調を行っているので例
えば、半導体レーザ駆動電流に対応する主信号に補助信
号を重畳するような場合、補助信号を重畳するための電
気回路を設けなければならず、そのため2回路規模の拡
大という問題点がある。
本発明の目的は外部に電気回路を設けることなく、主信
号に補助信号を重畳できる半導体レーザモジュールを提
供することにある。
号に補助信号を重畳できる半導体レーザモジュールを提
供することにある。
本発明の半導体レーザモジュールは半導体レーザと、そ
の出射光を平行光にするレンズと。
の出射光を平行光にするレンズと。
平行光を直線偏波する偏光子と、補助信号電圧により光
学的位相差rを生じる1次電気光学素子と、入射波偏光
方向に直行する偏光子と平行光を集光するレンズとを有
することを特徴としている。
学的位相差rを生じる1次電気光学素子と、入射波偏光
方向に直行する偏光子と平行光を集光するレンズとを有
することを特徴としている。
次に本発明について実施例によって説明する。
第1図を参照して、半導体レーザ1の出射光はレンズ2
により直径dの平行光に変換され。
により直径dの平行光に変換され。
偏光子3により1次電気光学素子4の2方向(電界方向
)に対して45°の方向の直線偏波される。この直線偏
波は1次電気光学素子4に入射され、1次電気光学素子
4で2方向成分(2方向 x/力方向において光学的位
相差rを生じ楕円偏波となる。位相差Fは補助信号電圧
源8から1次電気光学素子4に補助信号を印加すること
によシこの補助信号に応する電界の変化に依存して変化
する。この結果、入射波偏光方向に直交する偏光子5で
1次電気光学素子4の出力を透過することにより印加し
た補助信号に対応した振幅変調光(つまシ横形振幅変調
光)が得られる。この横形振幅変調された光を第2のレ
ンズ6により集光し光ファイバ7と結合される。
)に対して45°の方向の直線偏波される。この直線偏
波は1次電気光学素子4に入射され、1次電気光学素子
4で2方向成分(2方向 x/力方向において光学的位
相差rを生じ楕円偏波となる。位相差Fは補助信号電圧
源8から1次電気光学素子4に補助信号を印加すること
によシこの補助信号に応する電界の変化に依存して変化
する。この結果、入射波偏光方向に直交する偏光子5で
1次電気光学素子4の出力を透過することにより印加し
た補助信号に対応した振幅変調光(つまシ横形振幅変調
光)が得られる。この横形振幅変調された光を第2のレ
ンズ6により集光し光ファイバ7と結合される。
以上説明したように本発明では、1次電気光学素子に補
助信号を光伝搬方向に垂直に印加しているから、補助信
号に依存した振幅変調光を得ることができ、その結果、
主信号(駆動電流による強度変調信号)に補助信号を重
畳できるという効果がある。なお、補助信号印加のため
の電極は光ビームを邪魔しない位置に設けられる。
助信号を光伝搬方向に垂直に印加しているから、補助信
号に依存した振幅変調光を得ることができ、その結果、
主信号(駆動電流による強度変調信号)に補助信号を重
畳できるという効果がある。なお、補助信号印加のため
の電極は光ビームを邪魔しない位置に設けられる。
第1図は本発明の半導体レーザモジュールの一実施例を
示すブロック図、第2図は従来の半導体レーザモジュー
ルを示すブロック図である。 1・・・半導体レーザ、2,6・・パレンズ、3・・・
偏光子、4・・・1次電気光学素子、7・・・光ファイ
ツク。 8・・・補助信号電圧源、9・・・ファラデー回転子。 10・・・検光子。
示すブロック図、第2図は従来の半導体レーザモジュー
ルを示すブロック図である。 1・・・半導体レーザ、2,6・・パレンズ、3・・・
偏光子、4・・・1次電気光学素子、7・・・光ファイ
ツク。 8・・・補助信号電圧源、9・・・ファラデー回転子。 10・・・検光子。
Claims (1)
- 1、半導体レーザと、該半導体レーザの出射光を平行光
に変換する第1のレンズと、異常光の移動距離が所定の
距離以上の複屈折材料からなる第1の偏光子と、印加す
る電界の変化に依存し光学的位相差を生じる1次電気光
学素子と、入射波偏光方向に直交する第2の偏光子と、
該第2の偏光子の出射光を集光する第2のレンズとを有
し、前記1次電気光学素子に光伝搬方向に対して垂直に
補助信号を印加することを特徴とする半導体レーザモジ
ュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017476A JPH02199885A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017476A JPH02199885A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199885A true JPH02199885A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11945060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017476A Pending JPH02199885A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199885A (ja) |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1017476A patent/JPH02199885A/ja active Pending
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