JPH0213415B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0213415B2 JPH0213415B2 JP55122741A JP12274180A JPH0213415B2 JP H0213415 B2 JPH0213415 B2 JP H0213415B2 JP 55122741 A JP55122741 A JP 55122741A JP 12274180 A JP12274180 A JP 12274180A JP H0213415 B2 JPH0213415 B2 JP H0213415B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- inner conductor
- coaxial circuit
- wave tube
- traveling wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/36—Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy
- H01J23/40—Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy to or from the interaction circuit
- H01J23/48—Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy to or from the interaction circuit for linking interaction circuit with coaxial lines; Devices of the coupled helices type
- H01J23/50—Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy to or from the interaction circuit for linking interaction circuit with coaxial lines; Devices of the coupled helices type the interaction circuit being a helix or derived from a helix
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム集束装置として周期永久
磁石を用いたヘリツクス形進行波管の出力取り出
し部の構造に関する。
磁石を用いたヘリツクス形進行波管の出力取り出
し部の構造に関する。
ヘリツクス形進行波管は、電子ビームを射出す
る電子銃、電子ビームを捕捉するコレクタ、電子
ビームとの連続相互作用により回路波を増幅させ
るマイクロ波増幅部、マイクロ波増幅部に回路波
を入射させる入力結合部、マイクロ波増幅部から
回路波を負荷に伝達するための出力結合部、電子
ビームを集束する為の磁界を与える集束装置及び
管球支持機構等から構成される。
る電子銃、電子ビームを捕捉するコレクタ、電子
ビームとの連続相互作用により回路波を増幅させ
るマイクロ波増幅部、マイクロ波増幅部に回路波
を入射させる入力結合部、マイクロ波増幅部から
回路波を負荷に伝達するための出力結合部、電子
ビームを集束する為の磁界を与える集束装置及び
管球支持機構等から構成される。
最近の一般的傾向として大電力マイクロ波管の
高出力化の要望があり、周期永久磁石（P.P.M）
を電子ビーム集束装置として用いたヘリツクス形
進行波管についても、従来以上の高出力化の期待
がもたれている。
高出力化の要望があり、周期永久磁石（P.P.M）
を電子ビーム集束装置として用いたヘリツクス形
進行波管についても、従来以上の高出力化の期待
がもたれている。
しかし、ヘリツクス形進行波管は比較的熱に弱
い構造である為、特別の工夫なくしては高出力化
は達成出来ない。
い構造である為、特別の工夫なくしては高出力化
は達成出来ない。
第１図は、従来構造のヘリツクス形進行波管の
高周波出力部での高周波回路部及びP.P.Mの横断
面を示すものである。簡単に同図について説明す
る。
高周波出力部での高周波回路部及びP.P.Mの横断
面を示すものである。簡単に同図について説明す
る。
１がヘリツクス、２が絶縁物でなるヘリツクス
支持棒３がヘリツクス１及びヘリツクス支持棒２
を包囲し真空容器を形成する管状外囲器、４がポ
ールピースの中央凸部、５がマグネツト、６が同
軸回路、７が真空封止用セラミツク、８が導波管
を示す。なお進行波管によつては、同軸回路の内
導体が導波管の対向面に接合されていないもの
や、同軸回路を通さずにヘリツクスからいきなり
導波管に結合している構造も有る。しかし、前者
は進行波管の高出力化に伴ない内導体（特に先端
部）の温度上昇が進行波管の安定動作を著しく低
下させ、信頼性に問題が出てくる。又後者の場合
当該部分でビーム集束に必要な磁界を確保するこ
とが非常に困難になる為ビーム透過に支障を来す
恐れが有る。
支持棒３がヘリツクス１及びヘリツクス支持棒２
を包囲し真空容器を形成する管状外囲器、４がポ
ールピースの中央凸部、５がマグネツト、６が同
軸回路、７が真空封止用セラミツク、８が導波管
を示す。なお進行波管によつては、同軸回路の内
導体が導波管の対向面に接合されていないもの
や、同軸回路を通さずにヘリツクスからいきなり
導波管に結合している構造も有る。しかし、前者
は進行波管の高出力化に伴ない内導体（特に先端
部）の温度上昇が進行波管の安定動作を著しく低
下させ、信頼性に問題が出てくる。又後者の場合
当該部分でビーム集束に必要な磁界を確保するこ
とが非常に困難になる為ビーム透過に支障を来す
恐れが有る。
第１図のような内導体先端が導波管に固定され
た構造を有するヘリツクス形進行波管を高出力化
する場合の問題点として同軸回路の内導体の温度
上昇がある。すなわち進行波管が高周波化される
につれて真空封止用セラミツク及び同軸回路６が
小さくなり、さらに高出力化により同軸回路６の
内導体で発生する熱も大きくなり内導体の熱膨張
により真空封止用セラミツク７に無理な力を加え
進行波管の安定動作に支障を来す恐れが出て来
る。
た構造を有するヘリツクス形進行波管を高出力化
する場合の問題点として同軸回路の内導体の温度
上昇がある。すなわち進行波管が高周波化される
につれて真空封止用セラミツク及び同軸回路６が
小さくなり、さらに高出力化により同軸回路６の
内導体で発生する熱も大きくなり内導体の熱膨張
により真空封止用セラミツク７に無理な力を加え
進行波管の安定動作に支障を来す恐れが出て来
る。
本発明の目的は、このような従来構造の欠点を
改良し高周波で、なおかつ高出力においても安定
に動作できる新しい出力とり出し機構を備えたヘ
リツクス形進行波管を提供することである。
改良し高周波で、なおかつ高出力においても安定
に動作できる新しい出力とり出し機構を備えたヘ
リツクス形進行波管を提供することである。
本発明は、ビーム集束装置として周期永久磁石
を使用したヘリツクス形進行波管において、出力
取り出し部がヘリツクスから同軸回路を経て導波
管へと接続される構成をなし、同軸回路と導波管
との接合部の導波管の肉厚を内導体の温度上昇に
よる熱変形を吸収できる程度に充分に薄くしたこ
とを特徴とする。
を使用したヘリツクス形進行波管において、出力
取り出し部がヘリツクスから同軸回路を経て導波
管へと接続される構成をなし、同軸回路と導波管
との接合部の導波管の肉厚を内導体の温度上昇に
よる熱変形を吸収できる程度に充分に薄くしたこ
とを特徴とする。
以下に本発明を図面を用いて説明する。
第２図は本発明に係るヘリツクス形進行波管の
出力取り出し機構の一実施例を示している。
出力取り出し機構の一実施例を示している。
本発明においては、出力取り出し部で導波管８
の同軸回路６との接合面を充分に薄くしているの
が特徴である。これは、進行波管の高周波数化、
高出力化に伴ない同軸回路６で発生する熱により
同軸回路６の内導体が膨張し、この時真空封止用
セラミツク７に加わる力を導波管８の同軸回路６
との接合面で吸収し、真空封止用セラミツク７に
かかる力を軽減する為である。この時、真空封止
用セラミツク７と、導波管８と同軸回路６との接
合面との距離を出来るだけ短くすることにより同
軸回路６の内導体の熱膨張による伸びを小さく出
来、結果として真空封止用セラミツク７にかかる
力を軽減出来ることはいうまでもない。
の同軸回路６との接合面を充分に薄くしているの
が特徴である。これは、進行波管の高周波数化、
高出力化に伴ない同軸回路６で発生する熱により
同軸回路６の内導体が膨張し、この時真空封止用
セラミツク７に加わる力を導波管８の同軸回路６
との接合面で吸収し、真空封止用セラミツク７に
かかる力を軽減する為である。この時、真空封止
用セラミツク７と、導波管８と同軸回路６との接
合面との距離を出来るだけ短くすることにより同
軸回路６の内導体の熱膨張による伸びを小さく出
来、結果として真空封止用セラミツク７にかかる
力を軽減出来ることはいうまでもない。
又、第３図に示すように導波管８と同軸回路６
との接合面にインピーダンス調整用ビス９を短い
間隔で複数個備える必要が有る場合でも、当該部
分ではインピーダンス調整用ビス９をネジ止め固
定する為に肉厚を厚いままにし、その周囲に充分
に肉厚の薄い溝をトラツク状に設けることにより
本発明の効果と同様の効果を期待できるのはいう
までもない。
との接合面にインピーダンス調整用ビス９を短い
間隔で複数個備える必要が有る場合でも、当該部
分ではインピーダンス調整用ビス９をネジ止め固
定する為に肉厚を厚いままにし、その周囲に充分
に肉厚の薄い溝をトラツク状に設けることにより
本発明の効果と同様の効果を期待できるのはいう
までもない。
第１図は従来構造のヘリツクス形進行波管の高
周波回路及びPPMの横断面図、第２図、第３図
ａは本発明に係るヘリツクス形進行波管の出力取
り出し機構を示す横断面図、第３図ｂは第３図ａ
の側面図である。 １……ヘリツクス、２……ヘリツクス支持棒、
３……管状外囲器、４……ポールピース、５……
マグネツト、６……同軸回路、７……真空封止用
セラミツク、８……導波管、９……インピーダン
ス調整用ビス。
周波回路及びPPMの横断面図、第２図、第３図
ａは本発明に係るヘリツクス形進行波管の出力取
り出し機構を示す横断面図、第３図ｂは第３図ａ
の側面図である。 １……ヘリツクス、２……ヘリツクス支持棒、
３……管状外囲器、４……ポールピース、５……
マグネツト、６……同軸回路、７……真空封止用
セラミツク、８……導波管、９……インピーダン
ス調整用ビス。
Claims (1)
- １ 出力取り出し部がヘリツクスから同軸回路を
経て導波管へと接続される構成を有するヘリツク
ス形進行波管において、前記導波管に前記同軸回
路の内導体先端が接合され、かつ前記導波管の前
記内導体先端の対向面の少くとも一部の肉厚を他
の壁面に比べて前記同軸回路の内導体の温度上昇
による熱変形を吸収できる程度に薄くしたことを
特徴としたヘリツクス形進行波管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274180A JPS5746449A (en) | 1980-09-04 | 1980-09-04 | Helix type wave guide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12274180A JPS5746449A (en) | 1980-09-04 | 1980-09-04 | Helix type wave guide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5746449A JPS5746449A (en) | 1982-03-16 |
| JPH0213415B2 true JPH0213415B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=14843437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12274180A Granted JPS5746449A (en) | 1980-09-04 | 1980-09-04 | Helix type wave guide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5746449A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4970288A (en) * | 1989-09-22 | 1990-11-13 | Atochem North America, Inc. | Non-toxic polyester compositions made with organotin esterification catalysts |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4411140Y1 (ja) * | 1965-08-14 | 1969-05-08 |
-
1980
- 1980-09-04 JP JP12274180A patent/JPS5746449A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5746449A (en) | 1982-03-16 |
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