JPH02134570A - 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ - Google Patents

静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ

Info

Publication number
JPH02134570A
JPH02134570A JP63286714A JP28671488A JPH02134570A JP H02134570 A JPH02134570 A JP H02134570A JP 63286714 A JP63286714 A JP 63286714A JP 28671488 A JP28671488 A JP 28671488A JP H02134570 A JPH02134570 A JP H02134570A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
plate
acceleration sensor
silicon plate
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63286714A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0623782B2 (ja
Inventor
Kiyomitsu Suzuki
清光 鈴木
Shigeki Tsuchiya
茂樹 土谷
Masayuki Miki
三木　政之
Masahiro Matsumoto
昌大 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17708052&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH02134570(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63286714A priority Critical patent/JPH0623782B2/ja
Priority to US07/429,546 priority patent/US5095752A/en
Priority to DE68902534T priority patent/DE68902534T2/de
Priority to EP89120880A priority patent/EP0369352B2/en
Publication of JPH02134570A publication Critical patent/JPH02134570A/ja
Priority to US08/161,456 priority patent/US5392651A/en
Publication of JPH0623782B2 publication Critical patent/JPH0623782B2/ja
Priority to US08/457,491 priority patent/US5559290A/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00301—Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/13—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by measuring the force required to restore a proofmass subjected to inertial forces to a null position
    • G01P15/131—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by measuring the force required to restore a proofmass subjected to inertial forces to a null position with electrostatic counterbalancing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094—Feed-through, via
    • B81B2207/095—Feed-through, via through the lid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09—Packages
    • B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094—Feed-through, via
    • B81B2207/096—Feed-through, via through the substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、半導体を用いた加速度センサ及び圧力センサ
に係り、特に、自動車の車体制御やエンジン制御に好適
な静電容量式加速度センサ及び歪みゲージ式圧力センサ
に関する。
［従来の技術］ 自動車用の加速度センサとしては、比較的低レベル（Ｏ
〜±１．０Ｇ）、低周波数（０〜１０）１ｚ）の加速度
を高精度で検出する必要がある。なお、ここで、Ｉ　Ｇ
　＝９．８ｍ／　Ｓ”である。
ところで、このような加速度センサとしては、従来から
圧電材料の圧電効果を利用した圧電式、電磁カフィード
バック機構を有する電磁サーボ式、差動トランスを利用
した磁気式、フォトインタラプタを利用した尚武、シリ
コンの微細加工技術を利用した歪ゲージ式や静電容量式
などが知られているが、この中でも、低レベル、低周波
の加速度を高精度に検出でき、安価なセンサを提供でき
る方式として、シリコンの微細加工技術を利用した静電
容量式（以下、単に容量式という）が最も有望と考えら
れている。
［発明が解決しようとする課題］ 容量式加速度センサの実装上の最も大きな課題は、電極
用リードの実装方法であり、このため、いくつかの方法
が知られている。
第１の例は特開昭５８−１０６６１に示されているよう
に、Ｐ“拡散領域を介して可動電極や固定電極のリード
を取り出す方法である。この方法は複雑でエツチングや
接着時の歩留りが良くないこと、Ｐ９拡散領域部が大き
な浮遊容量となり、その電圧依存性も大きいことから、
検出制度を低下させるなどの問題点があった。
第２の例はＴｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ　　’　８７　（Ｔ
ｈｅ　４ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ　ｏｎ　５ｏｌｉｄ　−５ｔａｔｅＳｅｎｓ
ｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ）のｐ３３６Ｎ３
３９に示されているように、シリコン板とガラス台の接
着部の隙間からリードを取り出す方法である。この方法
はウェハ状態で接着した後、通常のダイシング・ソーで
検出チップにダイシングするとき、前記隙間を介して電
極部周囲の空間へ水分や切粉などが侵入するため、加速
度センサとしての性能が得られなくなるなどの問題点が
あった。
第３の例はＩ　Ｍａｃｈ　Ｅ　　１９８１のｐ　２５５
〜２６０ｒＭｉｎｉａｔｕｒｅ　５ｉｌｉｃｏｎ　ｃａ
ｐａｃｉｔａｎｃｅ　ａｂｓｏｌｕｔｅｐｒｅｓｓｕｒ
ｅ　５ｅｎｓｏｒＪに示されているように、ガラス台中
に貫通させた孔を介してリードを取り出す方法である。
この例は圧力センサに適用したものであるが、メタライ
ズ条件の変動による一方の孔端部でのリード接続不良、
他方の孔端部に封入した半田とガラス台との大きな熱膨
張率差に起因する温度特性の悪化などの問題点が考えら
れる。
第４の例はＶ　Ｓ　Ｐ４，６０９，９６８ニ示されてい
るように、固定電極にシリコン板を使用し、シリコン板
自身をリードの一部として実装する方法である。
この例は固定電極となるシリコン板の周囲に粉末ガラス
を塗布して焼成を行なった後、その面を鏡面状態に研磨
する。そして、可動電極と、それを支えるビーム（梁状
部材）とを有するシリコン板と積層して、陽極接合にて
両者を接着したものであるが、陽極接合は高温で高電圧
を印加してガラスとシリコンを接着する方法であり、高
電圧下の静電気力によって可動電極は変位し、固定電極
のシリコン板と接触して放電するため、両者を接合する
ことができない。これを避けるためには、可動電極と固
定電極間の空隙の寸法を予め大きく設計するか、あるい
はビームのバネ定数を大きく（つまり、単位加速度に対
する可動電極の変形量を小さく）設計しなければならな
い。この結果、容量式加速度センサが本質的に具有して
いる高感度性を大きく犠牲にしなければならない問題点
があった。
上記従来技術は電極リードの実装方法について配慮がさ
れておらず、生産性あるいは検出精度あるいは感度のい
ずれかについて問題があった。
本発明の目的は、生産性に優れ、高性能で低コストの加
速度センサを提供するにある。
［課題を解決するための手段］ 上記目的は、次の方法により達成される。
第１の手法は、シリコンビームと可動電極を有するシリ
コン板の上面（一方の面）と下面（他方の面）に、熱酸
化膜を介して固定電極を兼用するシリコン板を積層し、
これらを高温で直接的に接合する方法である。
第２の手法は、シリコンビーム、可動電極及び浅い溝を
有するシリコン板の上面と下面に、固定電極を有するガ
ラス板をウェハ状態で陽極接合し、接合部の溝部より固
定電極のリードを取り出す構造とし、レーザ・ダイシン
グによって検出チップを得る方法である。
第３の手法は、固定電極を形成したガラス板の一部に浅
い溝を加工し、その溝の底部に固定電極のリード部を形
成した後、溝の一部を絶縁材料で封止する方法である。
第４の手法は、シリコンビームと可動電極を有するシリ
コン板の上面と下面に、固定電極を兼用するシリコン板
を低融点ガラス接着剤で接合する方法である。
第５の手法は、シリコンビームと可動電極を有するシリ
コン板の上面と下面に、固定電極を有するガラス板を陽
極接合したものにおいて、ガラス板にあけた貫通孔へ導
電材料を封入することによってリードを取り出す方法で
ある。
第６の手法は、シリコンビームと可動電極を有するシリ
コン板の上面と下面に、固定電極を有するガラス板を陽
極接合するものにおいて、シリコン板上に形成した熱酸
化膜上の多結晶シリコン層を介して前記ガラス板を陽極
接合し、固定電極のリード引出し部を前記多結晶シリコ
ン層と接触させつつ取り出す方法である。
第７の手法は、シリコンビームと可動電極を有するシリ
コン板の上面と下面に、固定電極を有するガラス板を陽
極接合するものにおいて、シリコン板上へ極小的に形成
した熱酸化膜上を固定電極のリードを引き出す方法であ
る。
［作用］ 第１の手法の場合、シリコン板が固定電極を兼用する故
、シリコン板それ自身が固定電極のリード引出し部にな
り、リードの実装方法が簡単になる。この結果、生産性
に優れ、低コストな加速度センサを実現できる。なお、
接着技術に陽極接合方法を使用しないため、可動電極と
固定電極間の空隙の寸法を数ミクロン以下に小さくでき
ると共に、シリコンビームのバネ定数も小さくできる故
、容量式加速度センサが本質的に所有している高感度化
を達成でき、高性能な加速度センサを実現することがで
きる。
第２の手法の場合、溝部より固定電極のリードを取り出
す故、リード部とシリコン板を空気によって絶縁できる
故、リードの実装方法が簡単になる。なお、レーザによ
ってダイシングを行なうため、電極部周囲の空間への水
や切粉などの侵入はなくなる。この結果、生産性に優れ
、低コストな加速度センサを実現することができる。
第３の手法の場合、溝の底部へリード部を形成し、その
一部を絶縁材料で封止している故、ダイシング・ソーで
検出チップにダイシングしても、電極部周囲の空間への
水分や切粉の侵入を防止できる。この結果、生産性に優
れ、低コストな加速度センサを実現することができる。
第４の手法の場合、シリコン板が固定電極を兼用する故
、第１の手法と同じ理由で同様な効果が得られる。
第５の手法の場合、ガラス板中の貫通孔へ導電材料を完
全に封入する故、孔端部でのリード部の接続不良はなく
なり、生産時の歩留りが向上する。
また、貫通孔が完全に密封されている故、ダイシング・
ソーで検出チップに切断しても、電極部周囲の空間への
水や切粉の侵入を防止できる。
第６の手法の場合、固定電極のリード部と多結晶シリコ
ン層が接触しても、その下部に熱酸化膜がある故、シリ
コン板と電気的絶縁をとりながら、リードを引き出すこ
とができる。リード部と多結晶シリコン層が接触しても
良いため、リード部の厚さを薄くすることにより、シリ
コン板とガラス板を陽極接合したときに生ずるリード部
近傍の隙間は無視できるほど小さくなり、ダイシング・
ソーで検出チップに切断しても、電極部周囲の空間への
水分や切粉の侵入を防止できる。
第７の手法の場合、固定電極のリード部とシリコン板を
絶縁する熱酸化膜が極小的であり、陽極接合後にこの近
傍へ発生する隙間は小さくなり、ダイシング・ソーで検
出チップに切断しても、電極部周囲の空間への水や切粉
の侵入を防止できる。
［実施例］ 以下、本発明によるセンサについて、図示の実施例によ
り詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例で、上記した第１の手法を具
体化したもので、この第１図の実施例による容量式加速
度センサの検出部は、シリコン板Ａｌ、シリコン板Ｂ２
及びシリコン板Ｃ３を電気絶縁用の熱酸化膜４．５を介
して直接的に張り合わせ、接合したものよりなる。シリ
コン板Ｂ２には、エツチング加工により、接合前にシリ
コンビーム（梁状部）６と可動電極７が予め形成されて
いる。重錘の機能を有する可動電極７はシリコンビーム
６によって支持されており、これに作用する、図の上下
方向の加速度の大きさに応じて、可動電極７とシリコン
板Ａ１及びシリコン板０３間の空隙８の寸法が変化する
。シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３は導電材料であるた
め、可動電極７に対向したシリコン板Ａ１とシリコン板
Ｃ３の部分は加速度に対して全く移動しない電極、即ち
固定電極になり得る。検出部に作用する加速度に応じて
、空隙８部の電極間容量が変化する故、これを利用して
加速度を検出するものである。
可動電極７はシリコンビーム６、ボンディング・パッド
９を介して、外部の電子回路（図中には示されていない
）と電気的に結線される。
前述のように、シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３が固定
電極を兼用する故、シリコン板Ａ１と０３それ自身を固
定電極のリード引出し部として利用でき、リードの実装
方法が極めて簡単になる。
一方、この実施例の場合、シリコン板Ｂ２とシリコン板
Ａｌ、Ｃ３間の接着部（図では熱酸化膜４と５の部分）
の電気容量が空隙８部の電気容量に対して並列に挿入さ
れる。しかして、この接着部の容量は加速度変化に全く
影響されない浮遊容量となり、従って、この部分の電気
容量はできるだけ小さい方が望ましく、このためには、
接七部の面積を可能な限り小さく、他方、熱酸化膜４゜
５の厚さは可能な限り大きくなるようにすればよい。
この第１図に示した検出部の概略製造プロセスを第２図
に示す。エツチング加工その他の前工程を終えたウェハ
状態のシリコン板Ａｌ、Ｂ２及びＣ３を十分に洗浄して
、接着部の汚れやゴミを除去する。次に、ウェハ状態で
これらシリコン板の位置合わせを行なった後、積層する
。そして、酸素雰囲気中、８００℃で２時間の熱処理を
行なう。
この熱処理によって、熱酸化膜を介してシリコン板同志
を完全に、直接的に接合することができた。
最後に、シリコンの３周接合ウェハをダイシング・ソー
によってカッティングすることにより、第１図に示した
検出部分を同時に、多数個製作することができる。
高電圧を印加する陽極接合法とは異なり、熱処理のみで
シリコン板を直接的に接合する本実施例の場合、空隙８
の寸法やシリコンビーム６のバネ定数を小さくしても製
造時のトラブル発生はなく、高感度な加速度センサを得
ることは容易である。
本発明による検出部の他の実施例を第３図及び第４図に
示す。なお、本図以下で、同一番号は同一機能のものを
示すこととする。
第２図に示した手法でシリコン板同志を直接的に接合す
るとき、熱処理温度までの昇温速度や熱処理時の雰囲気
ガスの種類によっては、可動電極７とシリコンビーム６
の周囲の空間に閉じ込められたガスが膨張し、積層した
シリコン板Ａｌ、シリコン板Ｂ２及びシリコン板Ｃ３の
接着されるべき部分に隙間が発生し、熱処理時のウェハ
状態の接合が部分的に不良になることがある。
このためには、第３図に示す実施例のように、膨張した
ガスを周囲へ逃す役目をなす孔１０をシリコン板Ａｌ中
にあけておくのが極めて有効であった。
次に、シリコン容量式加速度センサの高感度化を徹底的
に向上させたいときは、第４図に示す検出部の構造が有
効である。この第４図の実施例は、可動電極７に対向し
たシリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３の部分へ、多結晶シ
リコン層１１．１２を形成したものである。ここで、多
結晶シリコン層１１．１２は導電材料であり、実質的に
可動電極７に対向した固定電極となる。
従って、この第４図の実施例によれば、可動電極７と多
結晶シリコン層１１．１２間の空隙の寸法を小さくでき
るので、高感度な加速度センサを得ることができる。ま
た、この実施例によれば、熱酸化膜４，５の厚さより空
隙の寸法を小さくできる故、熱酸化膜４，５の部分の浮
遊容量の問題も相対的に少なくなる。なお、多結晶シリ
コン層１１．１２のところは基本的に導電体層であれば
良く、白金などの金属層で構成されていても良い。
第１図の実施例に示した検出部構造の積層される前の展
開図を第５図〜第８図に示す。
第５図は、シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３の接合面に
のみ、予め電気絶縁用の熱酸化膜４，５を形成した場合
の実施例であり、これら熱酸化膜の厚さは少なくとも１
ミクロン以上に作られている。
これに対して、第６図の実施例は、熱酸化１１１４゜５
をシリコン板Ｂ２の接合面にのみ形成したものである。
第７図は、シリコン板Ａｌ、シリコン板Ｂ２及びシリコ
ン板Ｃ３のいずれにも熱酸化膜４，５を予め形成してお
いた実施例であり、接着後のこの部分の浮遊容量を小さ
くするのには第５図、第６図の実施例より有利である。
第８図は、シリコン板Ａｌ上の熱酸化膜４とシリコン板
Ｃ３上の熱酸化膜５の上に、スピンコートで薄いガラス
層１３．１４を予め形成した実施例である。これらのガ
ラスＪ１１３，１４はそれぞれ熱酸化１ｌＩ４．５間に
挿入されることになり、接着時の熱処理工程において一
種の「のり」の役目を果たし、より低温でのシリコン板
同志の接合が可能であった。
本発明によるシリコン容量式加速度センサの検出部展開
図の平面図を第９図（Ａ）、　　（Ｂ）。
（Ｃ）に示す。本図は第７図に示した実施例における展
開図の平面図を示したもので、図において、斜線部はシ
リコン板同志の接着部となる熱酸化膜の部分である。９
ａ、９及び９ｃはそれぞれシリコン板Ａｌ（固定電極の
機能を有する）、可動電極７及びシリコン板Ｃ３（固定
電極の機能を有する）のボンディング・パッドであり、
このパッドを介してこれらの電極は外部の信号処理回路
と接続される。
本発明による加速度センサ検出部の立体図を第１０図に
示す。検出部は導線１５，１６．１７を介して、外部の
信号処理回路と電気的に結線される。
検出部の等価回路を第１１図に示す。第１１図（Ａ）に
おいて、容量１８と１９は電極間の空隙８での容量であ
り、加速度の大きさに応じて変化する。これに対して、
容、１２０と２１はシリコン板接着部の熱酸化膜による
容量であり、加速度の影響を全く受けない。そこで、容
量２ｏと２１の大きさが、容量１８と１９の値より充分
に小さくなるように作り、等価回路が実質的に第１１図
（Ｂ）で示されることが望ましい。このためには、前述
の如く接着部の面積を小さくすること、熱酸化膜を厚く
すること、可動電極の面積を大きくすること、及び電極
間の空隙の寸法を小さくすることが有効である。
次に、熱処理にてシリコン板をウェハ状態で直接的に接
合するときの、シリコンウェハの位置決め方法について
説明する。
第１２図（Ａ）はウェハ状態のシリコン板２５の概略図
を示したもので、図において、２３は検出チップであり
、１枚のウェハより数百側の加速度センサを製作できる
。そして、シリコン板２５にはエツチングによって、複
数の貫通孔２２が加工されている。
次に、第１２図（Ｂ）に示すように、貫通孔２２へ案内
ピン２４を挿入することによって、ウェハ状態のシリコ
ン板Ａｌ、シリコン板Ｂ２及びシリコン板Ｃ３を積層す
ると同時に位置決めを行なう。
従って、この実施例では、シリコン板間の位置決め精度
は貫通孔２２と案内ピン２４の公差によって定まり、士
数１０ミクロン以下の精度で位置決めを行なうことがで
きる。
本発明によるシリコン容量式加速度センサの検出部の他
の実施例を第１３図、第１４図（断面図）及び第１５図
、第１６図（平面図）に示す。
まず、第１３図は、可動電極７がシリコンビーム６によ
って片持支持構造で保持された例であり、第１図に示し
た実施例とは、可動電極７の重心軸上へシリコンビーム
６が配置されていない点が異なる。
次に、第１４図は、可動電極７が２本のシリコンビーム
６によって両物支持構造で保持されるようにした実施例
である。
さらに、第１５図及び第１６図は、可動電極７が４本の
シリコンビーム６による両物支持構造及び２本のシリコ
ンビーム６による介物支持構造による検出部を備えた実
施例を示している。
次に、本発明による容量式加速度センサの電極リードの
他の実装方法（第２の手法）を採用した実施例について
説明する。
この実施例の場合の検出部の断面構造を第１７図及び第
１８図に示す。まず、第１７図において、固定電極２８
及び２９は、それぞれガラス板Ａ２６及びガラス板Ｃ２
７上へ、アルミなどの金属をスパッタその他の手法によ
って形成した導電層よりなる。シリコン板Ｂ２の上面と
下面へ、ガラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７を接着する技
術には陽極接合法を用いている。即ち、高温で高電圧（
例えば、３８０℃で２００ボルト）を印加して、シリコ
ン板Ｂ２の両面へガラス板を電気化学的に接着するので
ある。
第１８図は、第１７図に示した構造のものにおいて、ガ
ラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７上へ、それぞれシリコン
板Ｄ３０とシリコン板Ｅ３１を陽極接合にて接着した実
施例である。ガラス板にはシリコン板と熱膨張係数の近
いホウケイ酸系のガラスを用いている。しかし、両者の
熱膨張係数は完全には等しくないため、検出部周囲の温
度が変ったとき、電極間の空隙８の寸法が若干変化する
。
この結果、加速度センサの出力信号は温度影響を受け、
その零点やスパンが少し変化する。この点、第１８図に
示した実施例のものは、ガラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２
７の厚さを薄くすることにより、全体として実質的には
、検出部がシリコン積層体だけで構成したのと等価にな
り、温度特性の良好な容量式加速度センサを得ることが
できる。なお、以下に説明する如く、固定電極２８と２
９のリードの取り出し方法は第１７図の実施例の場合と
同じにしである。
第１７図に示した検出部の展開平面図を第１９図（Ａ　
）、　（Ｂ　）、　（Ｃ）に示す、シリコン板Ｂ２の破
線で示した部分が接着部である。
この第１９図において、３２．３３は、固定電極２８及
び２９を外部の信号処理回路と電気的に結線するための
引出しリード部である。このリード引出し部３２．３３
をシリコン板Ｂ２と接触させないため、即ち、固定電極
２８．２９とシリコン板Ｂ２の電気的絶縁を図るため、
シリコン板Ｂ２を浅くエツチングして、上面に溝３４、
下面に溝３５を形成している。シリコン板Ｂ２の上面と
下面にガラス板Ａ２６．ガラス板Ｃ２７を接看したとき
に生ずる接着部の隙間、即ち溝３４と溝３５へ対向した
位置にリード引出し部３２．３３を配置している。なお
、エツチングによって加工された溝３２と３３の深さは
、少なくとも可動電極７と固定電極２８．２９間の空隙
８の寸法より小さい値にしである。
シリコン板Ｂ２の上面と下面に、ガラス板Ａ２６とガラ
ス板Ｃ２７をウェハ状態で陽極接合した後、レーザダイ
シングにより検出チップに切断する。
それ故、溝３４．３５を介して可動電極７周囲の空間部
分へ、ダイシング時の水や切粉は侵入することはない。
第１７図に示した検出部の立体図を第２０図に示す。リ
ード引出し部３２、シリコン板Ｂ２及びリード引出し部
３３は、それぞれ導電ペースト部３７．３８及び３９を
介して、ボンディング・パッド９ａ、９及び９ｃと電気
的に結線される。なお、導電ペースト部は導電ペースト
以外の電気的結線手段でも良い。また、２個の導電ペー
スト部３９は導線４０などの手段で電気的に接続されて
いる。
このように、導線１５，１６及び１７を介して、検出部
は外部の信号処理回路と接続される。
検出部と外部の信号処理回路を結線する別の実施例を第
２１図に示す。図において、ボンディング・パッド９ａ
、９及び９ｃは端子板Ｇ４１上に形成されている。そし
て、端子板Ｇ４１の側面には導電ペースト部４２．４３
及び４４が形成されている。
この実施例では、まず、端子板Ｇ４１を前回に示した検
出部の左端に配置して、導電ペースト部３７．３８及び
３９をそれぞれ４２．４３及び４４へ接触させる。その
後、これらの導電ペースト部を低温で焼成して、検出部
４５の中の電極部とボンディング・パッド部を電気的に
接続するのである。
本発明による検出部のリード実装方法の他の実施例を第
２２図に示す。本図は本発明による第３の手法を示した
もので、第１９図に示したものとは下記の点において異
なる。即ち、シリコン板Ｂ２中へ固定電極のリード引出
し部のために設けた溝３４と３５をなくし、代りにこれ
らの溝をガラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７へ配置するの
である。
第２２図の実施例において、ガラス板Ｃ２７中に溝２７
が加工してあり、この溝４７の底部にリード引出し部３
３を配置する。そして、図に示すように、溝４７の一部
へ絶縁材料４６を封止している。なお、絶縁材料４６は
ガラス質のものなどで構成される。
この第２２図の断面Ａ−Ａ、断面Ｂ−Ｂ及び断面Ｃ−Ｃ
を第２３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。第２３図（
Ａ）〜（Ｃ）に示すように、絶縁材料４６は溝４７の一
部を完全に封止しており、絶縁材料４６の上面とガラス
板Ｃ２７の上面は凹凸なしに一致している。それ故、こ
のガラス板Ｃ２７とシリコン板Ｂ２を陽極接合する際の
障害はなく１両者を接合した後にこの部分へ隙間が生ず
ることはない。この結果、シリコン板Ｂ２の両面へガラ
ス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７をウェハ状態で陽極接合に
て接着した後、複数の検出チップへ通常のダイシング・
ソーで切断しても、可動電極７の周辺の空間部分へ水や
切粉などが侵入することはない。
本発明による検出部のリード実装方法の他の実施例を第
２４図に示す。本図は第４の手法を示したものである。
検出部の基本構造は第１図に示したものと良く似ており
、下記の点が異なるのみである。即ち、熱酸化膜４，５
の代りに、低融点ガラス接着剤４８．４９を設け、高温
にて低融点ガラスを溶融し、シリコン板Ｂ２の両面へシ
リコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３をウェハ状態で接合する
方法である。なお、低融点ガラス接着剤４８．４９は、
それぞれシリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３を浅くエツチ
ングした部分へ、スクリーン印刷その他の手法で形成さ
れる。
この実施例において、シリコン板Ａ１とシリコン板Ｃ３
は固定電極を兼用できる故、第１図に示した第１の手法
と同様な効果が得られる。
本発明による検出部のリード実装方法の他の実施例を第
２５図に示す６本図は第５の手法を示したものである。
シリコンビーム６と可動電極７を有するシリコン板Ｂ２
の上面と下面へ、それぞれ固定電極２８．２９をスパッ
タその他の手法で形成したガラス板Ａ２６．ガラス板Ｃ
２７を陽極接合にて接着している。これらのガラス板に
は、サンドブラストや超音波加工によって、貫通孔５０
゜５１が形成されている。この貫通孔５０と５１を密封
するように導電材料が封入され、この上にリード引出し
部５２．５３を設けている。
この実施例によれば、ガラス板中の貫通孔へ導電材料を
完全に封入する故、孔端部でのリード部の接続不良はな
くなり、生産時の歩留りが向上する。また、貫通孔が完
全に密封されている故、ダイシング・ソーで検出チップ
に切断しても、電極部周囲の空間への水や切粉の侵入を
防止できる。
第２５図に示した検出部の展開平面図を第２６図（Ａ　
Ｌ　（Ｂ　）、　（Ｃ）に示す。図において、シリコン
板Ｂ２の斜線で示した部分はガラス板との接着部を示し
ている。固定電極２８．２９のリード引出し部５２．５
３は、それぞれガラス板Ａ２６．ガラス板Ｃ２７上へ図
のように引き回される。
本発明による検出部のリード実装方法の他の実施例を第
２７図に示す。第２７図の検出部構造は、第２５図に示
したもののガラス板Ａ２６及びガラス板Ｃ２７の上へ、
それぞれシリコン板Ｄ３０及びＥ３１を陽極接合にて接
着したものと考えて良い。貫通孔５０と５１へ封入した
導電材料によって、固定電極２８及び２９をそれぞれシ
リコン板Ｄ３０及びＥ３１へ電気的に結線する方法であ
る。
ウェハ状態での陽極接合は次の順序で行なう。まず、シ
リコン板Ｂ２の上面と下面に、ガラス板Ａ２６とガラス
板Ｃ２７を陽極接合にて接着する。
次に、シリコン板Ｄ３０及びシリコン板Ｅ３１を、それ
ぞれガラス板Ａ２６及びガラス板Ｃ２７上へ陽極接合に
て接着する。
ところで、この実施例で、陽極接合の順序を変更すると
きは、検出部の構造に工夫を施さなければならない、即
ち、ガラス板Ａ２６とシリコン板Ｄ３０及びガラス板Ｃ
２７とシリコン板Ｅ３１を、それぞれ別個に陽極接合に
て接着した部組を作る。
次に、これらの部組をシリコン板Ｂ２の上面と下面に陽
極接合で接着する場合である。
この接合方法を第２７図の検出部構造へ適用した場合は
、陽極接合時の高電圧印加によって、可動電極７は静電
気力によって固定電極２８もしくは２９のいずれかへ吸
引されて、これらの電極と接触して放電する故、陽極接
合を行なうことができなくなる。
この場合は、検出部の構造を第２８図のように変更して
対策を行なう。即ち、貫通孔５０と５１へ対向した部分
のシリコン板Ｄ３０及びシリコン板Ｅ３１へ、エツチン
グによってエツチング孔５４及び５５を形成している。
まず、シリコン板Ｄ３０とガラス板Ａ２６．シリコン板
Ｅ３１とガラス板Ｃ２７を別個に陽極接合する。そして
、これらの部組をシリコン板Ｂ２の上面と下面に陽極接
合で接着する。このとき、シリコン板Ｂ２とシリコン板
Ｄ３０．シリコン板Ｅ３１間へ高電圧を印加しても、シ
リコン板Ｄ３０とシリコン板Ｅ３１は固定電極２８．２
９とは電気的にＭｅされているため、陽極接合の障害は
何ら発生しない、陽極接合が完了した時点で、スパッタ
その他の手法によってエツチング孔５４．５５の内側へ
導電材料部５６゜５７を形成して、シリコン板Ｄ３０と
固定電極２８及びシリコン板Ｅ３１と固定電極２９を電
気的に接続すればよい。
なお、第２７図及び第２８図に示した検出部の固定電極
のリード実装方法は第２５図に示した検出部と、生産性
上回等の効果を有する。むしろ、第２７図と第２８図の
実施例による検出部は、実質的に、シリコン積層体に近
づけることも可能であり、温度特性の良好な加速度セン
サを実現できる。
本発明による検出部のリードの実装方法の他の実施例を
第２９図に示す。本図は本発明による第６の手法を示し
たものである。シリコンビーム６と可動電極７を有する
シリコン板Ｂ２の接着部には、熱酸化膜４と５．その上
には多結晶シリコン層５８と５９が形成しである。この
多結晶シリコン層５８．５９を介して、シリコン板Ｂ２
の上面と下面に、それぞれ固定電極２８と２９を有する
ガラス板Ａ２６とガラス板Ｃ２７を陽極接合にて接合す
るのである。
ガラス板Ｃ２７の平面図を第３０図に示す０図において
、斜線部６０は多結晶シリコン層５９を介して、シリコ
ン板Ｂ２と接着される部分を示している。固定電極２９
のリード引出し部３３は交叉部６１において、導電材料
である多結晶シリコン層５９と電気的に接触する。しか
し、この多結晶シリコン層５９の下部には熱酸化膜５が
形成されているため、リード引出し部３３即ち固定電極
２９はシリコン板Ｂ２と電気的に絶縁されること−にな
る。この場合、固定電極のリード引出しのために、シリ
コン板Ｂ２と絶縁する目的で、シリコン板及びガラス板
のいずれにもリード引出し部へ対向した位置へ溝を形成
する必要はない、従って、リード引出し部３３が薄けれ
ば、接合後に交叉部６１に生ずる隙間は極めて小さなも
のになる。この結果、ウェハ状態で接合後、通常のダイ
シング・ソーで検出チップに切断しても、可動電極周囲
の空間へ水や切粉などが侵入することはない。
本発明による検出部のリードの実装方法の他の実施例を
第３１図に示す。本図は本発明による第７の手法を示し
たものである。検出部の断面構造は第１７図と類似の構
造を有したものに適用しである。しかし、リードの実装
方法は下記の点で異なる。即ち、固定電極２８及び２９
のリード引出し部３２及び３３に対応したシリコン板Ｂ
２の位置には、溝の代りに熱酸化膜６２及び６３を形成
している。リード引出し部とシリコン板を電気的に絶縁
する目的のこれらの熱酸化膜を極小的に設計すると、陽
極接合後にこの近傍へ発生する隙間は極めて小さいもの
で済む。この結果、ダイシング・ソーで検出チップに切
断しても、可動電極周辺の空間部へ切粉が侵入すること
はない。
本発明によるシリコン容量式加速度センサを信号処理回
路と接続し、その特性評価を行なった例を以下に示す。
第３２図に信号処理回路の構成を示す０図に示されてい
る検出部は、第１図にて説明したものと本質的には同じ
である。検出すべき加速度をＧとし、矢印方向の加速度
を正、矢印と逆向き方向の加速度を負と定義することに
する。シリコン板Ａ１、シリコン板Ｂ２及びシリコン板
Ｃ３はそれぞれ導線１５，１６及び１７を介して、ΔＣ
検出器６４へ接続される。ΔＣ検出器６４はスイッチト
・キャパシタで構成され、可動電極７とシリコン板（固
定電極兼用）間の空隙８部の容量の差ΔＣが零になるよ
うに、増幅器６５がパルス幅変調器６６を制御する。そ
して、パルス状の出力電圧ＶＥはシリコン板Ａ１へ、イ
ンバータ６７によって反転された出力電圧−Ｖｔはシリ
コン板Ｃ３へ、フィードバック制御的に印加される。な
お、シリコン板Ｂ２へは一定の直流電圧（図においては
、５ボルト）が印加されている。シリコンビーム６によ
って支持された重錘の機能を有する可動電極７は、加速
度Ｇの大きさに応じて変位しようとする。しかし、信号
処理回路によってΔＣ→０となるように、可動電極の位
置を電極間に作用する静電気力によって、フィードバッ
ク的に制御している。それ故、電極間に供給した静電気
エネルギーは、検出すべき加速度Ｇそのものを表わすこ
とになる。
そこで、パルス幅変調器６６のパルス状の出力電圧波形
ｖＥをローパスフィルタ６８で処理し、差動増幅器６９
を介して加速度センサとしての出力電圧Ｖ、を取り出す
のである。
パルス幅変調器の出力電圧ＶＥの波形を第３３図に示す
、この図から明らかなように、出力電圧ｖｌ：は周期５
０μＳのパルス状の電圧波形で、そのＬｏｗレベルはＯ
ボルト、Ｈｉｇｈレベルは５ボルトである。パルス幅は
正の加速度に対しては線形に減少、負の加速度に対して
は増加するように、フィードバック制御されている。
シリコン容量式加速度センサの出力特性の一例を第３４
図に示す、この図は第３２図に示した方法で測定して結
果を示したものであり、これら明らかなように、０〜±
ＩＧの加速度を直線性良く、高精度に検出することがで
きた。
本発明によるシリコン容量式加速度センサの実装技術を
、圧力センサに適用した場合の実施例を第３５図及び第
３６図に示す。
従来のこのような圧力センサでは、歪ゲージを有する検
出チップは陽極接合でガラス製の台座に接着されるか、
あるいは半田接合でシリコン製の台座に接着されていた
。しかして、ガラス製の台座や半田はシリコンと熱膨張
係数が全く同じではないため、接着部に生じた熱応力に
よって、従来の圧力センサは周囲温度の影響を強く受け
、出力の温度特性が良くなかった。
そこで、第３５図の実施例においては、検出チップ７５
（シリコン板）は、ダイアフラム状に形成した部分、す
なわちダイアフラム部７２と、その表面に形成した歪ゲ
ージ７１やボンディング・パッド７４よりなる。そして
、歪ゲージ７１は熱酸化膜７０で保護されている。そし
て、この実施例では、圧力導入孔７８を有するシリコン
台座７７上へ、熱酸化膜７６を介して検出チップ７５を
直接的に接合しである。
熱酸化膜７６は約１μｍと薄く；従って、この実施例に
よれば、検出部は実質的にシリコン積層体だけで構成さ
れたのと等価になり、このため、温度特性の良好な圧力
センサが得られる。
第３６図は、ダイアフラム部７２の圧力室７３と反対側
へ、熱酸化膜７０を介してシリコンキャップ８０を接着
することにより、基準真空室７９を形成したことを特徴
とするもので、この実施例によれば、絶対圧センサを得
ることができる。
［発明の効果］ 本発明によれば、電極リードの実装に何らの問題を生じ
ることなく、容易に、しかも確実に検出部と外部との接
続を行なうことが出来るから、生産性に優れ、高性能で
、かつローコストの静電容量式加速度センサや半導体圧
力センサを容易に提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による加速度センサの一実施例を示す基
本構成図、第２図は概略製造プロセスの説明図、第３図
及び第４図はそれぞれ本発明の一実施例による検出部の
断面図、第５図、第６図。 第７図及び第８図は検出部の各実施例の展開図。 第９図は検出部の一実施例の平面展開図、第１０図は検
出部の一実施例の立体図、第１１図は検出部の等価回路
図、第１２図は本発明の一実施例におけるウェハ状態の
シリコン板　−、 の位置決め方法の説明図、第 １３図、第１４図、第１５図及び第１６図は本発明によ
る検出部の各実施例を示す断面図と平面図、第１７図及
び第１８図は本発明による電極リードの他の実施例を示
す断面図、第１９図はその展開平面図、第２０図はその
立体図、第２１図は端子板の一実施例を示す概略図、第
２２図は本発明による電極リードの他の実施例を示す平
面図、第２３図はその展開図、第２４図及び第２５図は
それぞれ本発明による電極リードの他の実施例を示す断
面図、第２６図は第２５図の平面展開図、第２７図及び
第２８図はそれぞれ本発明による電極リードの他の実施
例を示す断面図、第２９図は本発明による電極リードの
他の実施例を示す断面図、第３０図はその平面図、第３
１図は本発明による電極リードの他の実施例を示す平面
図、第３２図はシリコン容量式加速度センサの信号処理
回路の一例を示す回路図、第３３図はパルス幅変調器の
電圧波形図、第３４図は出力特性図、第３５図及び第３
６図はそれぞれ本発明の実装方法を圧カセンサヘ適用し
た実施例を示す断面図である。 １・・・・・・シリコン板Ａ、２・・・・・・シリコン
板Ｂ、３・・・・・・シリコン板Ｃ１４，５・・・・・
・熱酸化膜、６・・・・・・シリコンビーム、７・・・
・・・可動電極、８・・・・・・空隙、９ａ、９，９ｃ
・・・・・・ボンディング・パッド、１１゜１２・・・
・・・多結晶シリコン層、１３．１４・・・・・・ガラ
ス層、２２・・・・・・貫通孔、２４・・・・・・案内
ピン、２６・・・・・・ガラス板Ａ、２７・・・・・・
ガラス板Ｃ１２８，２９・・・・・・固定電極、３０・
・・・・・シリコン板Ｄ、３１・・・・・・シリコン板
Ｅ、３２．３３・・・・・・リード引出し部。 ３４．３５・・・・・・溝、３７，３８，３９，４２，
４３゜４４・・・・・・導電ペースト部、４１・・・・
・・端子板Ｇ。４６・・・・・・絶縁材料、４７・・・
・・・溝、４８，４９・・・・・・低融点ガラス接着剤
、５０，５１・・・・・・貫通孔、５２゜５３・・・・
・・リード引出し部、５４，５５・・・・・・エツチン
グ孔、５６，５７・・・・・・導電材料、５８．５９・
・・・・多結晶シリコン層、６２，６３・・・・・・熱
酸化膜、７１・・・・・・歪ゲージ、７２・・・・・・
ダイアフラム、７５・・・・・・検出チップ（シリコン
板）、７６・・・・・・熱酸化膜、７７・・・・・・シ
リコン台、７９・・団・基準真空室、８０・・・・・・
シリコンキャップ。 第１図 第３図 旧　口 第　４　図 第 図 第 国 ロコ一Ｘ］ 第９ 図 ９ａ；イ、ツギ４ンゲ°パ・〆箇 ９：π２ンギＡンゲパー、疹 ９Ｃ：でンー？″４ンワ゛バッｇ 第 図 第８　函 ｉ４：ｖラス層 第１０図 第１１ 図 （Ａ） （Ｂ） 第１２ 図 （Ａ） （Ｂ） 第１７図 第１８　　図 ３ｏ：ンりつン啄臣Ｄ ３１：；７）っン禾えＥ 第１９ 図 ノーμ引ｔし毛う ３３°リーレ弓はし竪 第２０ 図 第２１ 凶 第２４ 図 ４８：倦詠染、力゛ラス縛鶴を」 ４９：イら融虫、η゛ラス縛１１ 第２５ 図 ５ｏ：１這孔 ソートイ１山し部 第２２ 図 ４７゛ 第２３図 第２６ 図 第２７ 図 第２８ 図 第２９ 図 第３０ 図 図 第３３ 図 第３４ 図 加速Ｌ（Ｇ）

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. １．加速度に応じて変位する可動電極部が形成されたシ
    リコン板を用い、このシリコン板の可動電極部に所定の
    間隙を介して対向させた固定電極部材との間での静電容
    量変化により加速度を検出する方式の静電容量式加速度
    センサにおいて、上記シリコン板の両面にシリコンの熱
    酸化膜を介して張り合わせた２枚のシリコン板を設け、
    これら２枚のシリコン板を上記電極部材として加速度を
    検出するように構成したことを特徴とする静電容量式加
    速度センサ。
  2. ２．請求項１の発明において、上記シリコンの熱酸化膜
    が、上記張り合わせる前の上記シリコン板のいずれかの
    接合面に予め形成してあることを特徴とする静電容量式
    加速度センサ。
  3. ３．請求項２の発明において、上記張り合わせる前の上
    記シリコン板の接合面に、予めスピンコートによるガラ
    ス層が形成してあることを特徴とする静電容量式加速度
    センサ。
  4. ４．請求項１の発明において、上記可動電極部と固定電
    極部材との間隙が、上記シリコンの熱酸化膜の存在によ
    り形成されるように構成したことを特徴とする静電容量
    式加速度センサ。
  5. ５．請求項１の発明において、上記２枚のシリコン板の
    、少なくとも上記可動電極部に対向する部分に、上記固
    定電極部材として機能する多結晶シリコン層が形成され
    ていることを特徴とする静電容量式加速度センサ。
  6. ６．加速度に応じて変位する可動電極部が形成されたシ
    リコン板と、このシリコン板の可動電極部に所定の間隙
    を介して対向させた固定電極として、上記シリコン板の
    両面に陽極接合された２枚のガラス板の表面に形成した
    導電層とを用い、これら可動電極部と固定電極との間で
    の静電容量変化により加速度を検出する方式の静電容量
    式加速度センサにおいて、上記シリコン板と上記ガラス
    板との接合面に溝を形成し、この溝を介して上記固定電
    極のリード引出し部が設けられていることを特徴とする
    静電容量式加速度センサ。
  7. ７．請求項６の発明において、上記溝が上記ガラス板に
    形成されていることを特徴とする静電容量式加速度セン
    サ。
  8. ８．請求項６の発明において、上記溝が上記シリコン板
    に形成されていることを特徴とする静電容量式加速度セ
    ンサ。
  9. ９．請求項６の発明において、上記ガラス板がシリコン
    板の裏打ちによる張り合わせ板材で構成されていること
    を特徴とする静電容量式加速度センサ。
  10. １０．請求項６又は７の発明において、上記リード引出
    し部が、導電性ペーストによる導電路により外部接続端
    子に接続されていることを特徴とする静電容量式加速度
    センサ。
  11. １１．請求項６の発明において、上記ガラス板に貫通孔
    を設け、この貫通孔に封入した導電部材を介して上記固
    定電極と外部とのリード部が形成されるように構成した
    ことを特徴とする静電容量式加速度センサ。
  12. １２．請求項６の発明において、上記シリコン板と上記
    ガラス板との接合面に熱酸化膜と多結晶シリコン層とを
    設け、上記固定電極に対するリード引出し部が、この多
    結晶シリコン層により形成されるように構成したことを
    特徴とする静電容量式加速度センサ。
  13. １３．シリコン板を感圧ダイアフラムとして用い、この
    シリコン板に形成した半導体歪み検出機能により圧力を
    検出する方式の半導体圧力センサにおいて、上記感圧ダ
    イアフラムが、熱酸化膜を介してシリコン材からなる基
    台に高温で直接接合されていることを特徴とする半導体
    圧力センサ。
  14. １４．請求項１３の発明において、上記感圧ダイアフラ
    ムが、その一方の面に熱酸化膜を介して高温で直接接合
    された、シリコン材からなるキヤツプ部材を備え、この
    キヤツプ部材を基準真空室として絶対圧力を検出するよ
    うに構成されていることを特徴とする半導体圧力センサ
    。
JP63286714A 1988-11-15 1988-11-15 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ Expired - Fee Related JPH0623782B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63286714A JPH0623782B2 (ja) 1988-11-15 1988-11-15 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ
US07/429,546 US5095752A (en) 1988-11-15 1989-10-31 Capacitance type accelerometer
DE68902534T DE68902534T2 (de) 1988-11-15 1989-11-10 Kapazitiver Beschleunigungsmesser und Verfahren zu seiner Herstellung.
EP89120880A EP0369352B2 (en) 1988-11-15 1989-11-10 Capacitance type accelerometer and method of manufacturing the same
US08/161,456 US5392651A (en) 1988-11-15 1993-12-06 Capacitance type accelerometer
US08/457,491 US5559290A (en) 1988-11-15 1995-06-01 Capacitance type accelerometer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63286714A JPH0623782B2 (ja) 1988-11-15 1988-11-15 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7067700A Division JP2728237B2 (ja) 1995-03-27 1995-03-27 静電容量式加速度センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02134570A true JPH02134570A (ja) 1990-05-23
JPH0623782B2 JPH0623782B2 (ja) 1994-03-30

Family

ID=17708052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63286714A Expired - Fee Related JPH0623782B2 (ja) 1988-11-15 1988-11-15 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ

Country Status (4)

Country Link
US (3) US5095752A (ja)
EP (1) EP0369352B2 (ja)
JP (1) JPH0623782B2 (ja)
DE (1) DE68902534T2 (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04116465A (ja) * 1990-09-07 1992-04-16 Hitachi Ltd 半導体容量式加速度センサ及びその製造方法
JPH0682469A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Japan Aviation Electron Ind Ltd 加速度計
US5503017A (en) * 1993-05-21 1996-04-02 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor
US5504356A (en) * 1992-11-16 1996-04-02 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor accelerometer
US5541437A (en) * 1994-03-15 1996-07-30 Nippondenso Co., Ltd. Acceleration sensor using MIS-like transistors
US5572057A (en) * 1993-12-21 1996-11-05 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor with movable electrode
US5587343A (en) * 1994-03-09 1996-12-24 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor method
US5622633A (en) * 1994-08-18 1997-04-22 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor with suspended microstructure and method for fabricating same
US5627397A (en) * 1994-03-15 1997-05-06 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor with source and drain regions
US5731229A (en) * 1994-06-28 1998-03-24 Nissan Motor Co., Ltd. Method of producing device having minute structure
US5747991A (en) * 1994-10-27 1998-05-05 Nec Corporation Capacitance type acceleration sensor
US5844286A (en) * 1996-06-14 1998-12-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor acceleration sensor
US5936159A (en) * 1994-03-09 1999-08-10 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor having multi-layer movable beam structure film
US6053057A (en) * 1990-10-12 2000-04-25 Okada; Kazuhiro Force detector
JP2001252899A (ja) * 2000-03-07 2001-09-18 Akebono Brake Ind Co Ltd マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け方法
JP2002521695A (ja) * 1998-07-31 2002-07-16 リットン システムズ インコーポレイテッド マイクロメカニカル半導体加速度計
JP2005524848A (ja) * 2002-05-06 2005-08-18 ローズマウント インコーポレイテッド 気圧センサ
JP2007069320A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Sony Corp 機能素子およびその製造方法
JP2007524854A (ja) * 2004-02-27 2007-08-30 ビ−エイイ−　システムズ　パブリック　リミテッド　カンパニ− 加速度計
US7360455B2 (en) 1990-10-12 2008-04-22 Kazuhiro Okada Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
JP2008183717A (ja) * 2001-02-03 2008-08-14 Robert Bosch Gmbh マイクロメカニカル素子およびその製法
US7501835B2 (en) 2004-03-10 2009-03-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Displacement sensor
US7578162B2 (en) 1989-12-28 2009-08-25 Kazuhiro Okada Apparatus for detecting a physical quantity acting as an external force and method for testing and manufacturing this apparatus
JP2009300098A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Alps Electric Co Ltd 容量センサ
JP2010008134A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体物理量センサ
JP2011208995A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Mitsutoyo Corp 静電容量センサ
JP2013228357A (ja) * 2012-03-27 2013-11-07 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8816451B2 (en) 2010-03-03 2014-08-26 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho MEMS structure and manufacturing method thereof

Families Citing this family (133)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0623782B2 (ja) * 1988-11-15 1994-03-30 株式会社日立製作所 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ
US5006487A (en) * 1989-07-27 1991-04-09 Honeywell Inc. Method of making an electrostatic silicon accelerometer
JPH03134552A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Hitachi Ltd 自己較正機能付検出装置
EP0459723B1 (en) * 1990-05-30 1996-01-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor acceleration sensor and vehicle control system using the same
US5314572A (en) * 1990-08-17 1994-05-24 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures
EP0543901B1 (en) * 1990-08-17 1995-10-04 Analog Devices, Inc. Monolithic accelerometer
US5620931A (en) * 1990-08-17 1997-04-15 Analog Devices, Inc. Methods for fabricating monolithic device containing circuitry and suspended microstructure
US5326726A (en) * 1990-08-17 1994-07-05 Analog Devices, Inc. Method for fabricating monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5417111A (en) 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
JP3194594B2 (ja) * 1990-09-26 2001-07-30 株式会社日立製作所 構造体の製造方法
US5209117A (en) * 1990-10-22 1993-05-11 Motorola, Inc. Tapered cantilever beam for sensors
US5205171A (en) * 1991-01-11 1993-04-27 Northrop Corporation Miniature silicon accelerometer and method
DE4102805A1 (de) * 1991-01-31 1992-08-13 Bosch Gmbh Robert Kapazitiver beschleunigungssensor
DE4122435A1 (de) * 1991-07-06 1993-01-07 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung von beschleunigungssensoren und beschleunigungssensor
US5146389A (en) * 1991-07-22 1992-09-08 Motorola, Inc. Differential capacitor structure and method
DE4132232A1 (de) * 1991-09-27 1993-04-01 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung kapazitiver sensoren und kapazitiver sensor
JP2804196B2 (ja) * 1991-10-18 1998-09-24 株式会社日立製作所 マイクロセンサ及びそれを用いた制御システム
JP2765316B2 (ja) * 1991-11-21 1998-06-11 日本電気株式会社 容量型三軸加速度センサ
US5428352A (en) * 1992-01-06 1995-06-27 Motorola, Inc. Closed loop circuit for a differential capacitive sensor
DE4201104C1 (ja) * 1992-01-17 1993-05-13 Mannesmann Kienzle Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen, De
DE4201578A1 (de) * 1992-01-22 1993-11-04 Bosch Gmbh Robert Kapazitiver sensor
FR2687779B1 (fr) * 1992-02-20 1995-11-10 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a protection laterale et procede de fabrication.
FR2687777B1 (fr) * 1992-02-20 1994-05-20 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite et procede de fabrication.
FR2687778B1 (fr) * 1992-02-20 1994-05-20 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a capacite parasite reduite et procede de fabrication.
DE4206173C2 (de) * 1992-02-28 1995-01-26 Bosch Gmbh Robert Mikromechanischer Beschleunigungssensor
JP2776142B2 (ja) * 1992-05-15 1998-07-16 株式会社日立製作所 加速度センサ
DE4222472C2 (de) * 1992-07-09 1998-07-02 Bosch Gmbh Robert Beschleunigungssensor
DE4223349A1 (de) * 1992-07-16 1994-01-20 Bosch Gmbh Robert Winkelgeschwindigkeitssensor
US5353641A (en) * 1992-08-07 1994-10-11 Ford Motor Company Digital capacitive accelerometer
US5461916A (en) * 1992-08-21 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Mechanical force sensing semiconductor device
US5331658A (en) * 1992-08-26 1994-07-19 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser and sensor
JP3151956B2 (ja) * 1992-09-04 2001-04-03 株式会社村田製作所 加速度センサ
DE4234238A1 (de) * 1992-10-10 1994-04-14 Bosch Gmbh Robert Beschleunigungssensor
JP2533272B2 (ja) * 1992-11-17 1996-09-11 住友電気工業株式会社 半導体デバイスの製造方法
FR2700614B1 (fr) * 1993-01-19 1995-04-14 Sextant Avionique Accéléromètre capacitif à circuit de correction de l'effet perturbateur de capacités parasites.
FR2701561B1 (fr) * 1993-02-10 1995-05-05 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif et procédé de découpe.
FR2701562B1 (fr) * 1993-02-10 1995-05-05 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif à faible capcité parasite et procédé de fabrication.
DE59304431D1 (de) * 1993-05-05 1996-12-12 Litef Gmbh Mikromechanische Beschleunigungsmessvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US5610335A (en) * 1993-05-26 1997-03-11 Cornell Research Foundation Microelectromechanical lateral accelerometer
US6199874B1 (en) 1993-05-26 2001-03-13 Cornell Research Foundation Inc. Microelectromechanical accelerometer for automotive applications
US5563343A (en) * 1993-05-26 1996-10-08 Cornell Research Foundation, Inc. Microelectromechanical lateral accelerometer
DE4324692A1 (de) * 1993-07-23 1995-01-26 Bosch Gmbh Robert Piezoelektrischer Kraftsensor
US5503285A (en) * 1993-07-26 1996-04-02 Litton Systems, Inc. Method for forming an electrostatically force balanced silicon accelerometer
DE69432396T2 (de) 1993-12-27 2004-03-04 Hitachi, Ltd. Beschleunigungsmessaufnehmer
US5447068A (en) * 1994-03-31 1995-09-05 Ford Motor Company Digital capacitive accelerometer
US5546805A (en) * 1994-08-12 1996-08-20 Coyote Engineering Services, Inc. Angle and angular acceleration sensors
US5962788A (en) * 1994-08-18 1999-10-05 Btg International Limited Transducer
KR0139506B1 (ko) * 1994-10-07 1998-07-15 전성원 자체진단 기능을 구비한 대칭질량형 가속도계 및 그 제조방법
JPH08122359A (ja) * 1994-10-21 1996-05-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体加速度センサとその製造方法および試験方法
US5587518A (en) * 1994-12-23 1996-12-24 Ford Motor Company Accelerometer with a combined self-test and ground electrode
DE19503623B4 (de) * 1995-02-03 2008-01-10 Robert Bosch Gmbh Drehratensensor
US5894537A (en) * 1996-01-11 1999-04-13 Corning Incorporated Dispersion managed optical waveguide
JP3433401B2 (ja) * 1995-05-18 2003-08-04 アイシン精機株式会社 静電容量型加速度センサ
US5640133A (en) * 1995-06-23 1997-06-17 Cornell Research Foundation, Inc. Capacitance based tunable micromechanical resonators
FR2737610B1 (fr) * 1995-08-01 1997-09-12 Sextant Avionique Micro-capteur capacitif a faible capacite parasite
DE69608380T2 (de) * 1995-09-04 2000-11-30 Murata Mfg. Co., Ltd. Beschleunigungsdetektionsvorrichtung
DE19536250A1 (de) * 1995-09-28 1997-04-03 Siemens Ag Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors
US6098460A (en) 1995-10-09 2000-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Acceleration sensor and shock detecting device using the same
JP3435979B2 (ja) * 1996-04-26 2003-08-11 株式会社デンソー 物理量検出装置
JPH09318649A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Texas Instr Japan Ltd 複合センサ
EP1012606A1 (en) * 1996-12-31 2000-06-28 Hyundai Motor Co., Ltd. An accelerometer with a symmetrically bonded proof-mass and method of its fabrication method
US5874675A (en) * 1997-03-20 1999-02-23 Interscience, Inc. Wideband vibration sensor
US6220096B1 (en) 1997-03-20 2001-04-24 Interscience, Inc. Differential wideband vibration
US5914553A (en) * 1997-06-16 1999-06-22 Cornell Research Foundation, Inc. Multistable tunable micromechanical resonators
US6167757B1 (en) 1997-09-08 2001-01-02 The Regents Of The University Of Michigan Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US6718605B2 (en) 1997-09-08 2004-04-13 The Regents Of The University Of Michigan Single-side microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
US6035714A (en) 1997-09-08 2000-03-14 The Regents Of The University Of Michigan Microelectromechanical capacitive accelerometer and method of making same
JPH1194873A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサ及びその製造方法
JPH11237402A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Akebono Brake Ind Co Ltd 半導体加速度センサ及びその自己診断法
WO1999046570A1 (fr) * 1998-03-12 1999-09-16 Yamatake Corporation Capteur et son procede de production
JPH11258265A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Akebono Brake Ind Co Ltd 半導体加速度センサ及びその製造方法
US6232150B1 (en) * 1998-12-03 2001-05-15 The Regents Of The University Of Michigan Process for making microstructures and microstructures made thereby
US6871544B1 (en) * 1999-03-17 2005-03-29 Input/Output, Inc. Sensor design and process
DE10066435B4 (de) * 1999-07-26 2012-03-08 Denso Corporation Halbleitersensor für eine physikalische Größe
US6386032B1 (en) 1999-08-26 2002-05-14 Analog Devices Imi, Inc. Micro-machined accelerometer with improved transfer characteristics
US6951797B1 (en) * 1999-10-19 2005-10-04 Imego Ab Method relating to anodic bonding
US6868726B2 (en) * 2000-01-20 2005-03-22 Analog Devices Imi, Inc. Position sensing with improved linearity
US20020071169A1 (en) 2000-02-01 2002-06-13 Bowers John Edward Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device
US6753638B2 (en) 2000-02-03 2004-06-22 Calient Networks, Inc. Electrostatic actuator for micromechanical systems
US6628041B2 (en) 2000-05-16 2003-09-30 Calient Networks, Inc. Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device having large angle out of plane motion using shaped combed finger actuators and method for fabricating the same
DE10035564B4 (de) 2000-07-21 2006-03-30 Conti Temic Microelectronic Gmbh Mikromechanisches Gehäuse
US6825967B1 (en) 2000-09-29 2004-11-30 Calient Networks, Inc. Shaped electrodes for micro-electro-mechanical-system (MEMS) devices to improve actuator performance and methods for fabricating the same
DE10053307B4 (de) * 2000-10-27 2008-06-26 Eads Deutschland Gmbh Kapsel für Mikrosensoren, Verfahren zur Verkapselung von Mikrosensoren und Kapselelement
AUPR244801A0 (en) * 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd A method and apparatus (WSM01)
WO2002073673A1 (en) * 2001-03-13 2002-09-19 Rochester Institute Of Technology A micro-electro-mechanical switch and a method of using and making thereof
WO2002097865A2 (en) * 2001-05-31 2002-12-05 Rochester Institute Of Technology Fluidic valves, agitators, and pumps and methods thereof
RU2207658C2 (ru) * 2001-07-09 2003-06-27 ФГУП "НИИ физических измерений" Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа
US6632698B2 (en) * 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6544863B1 (en) 2001-08-21 2003-04-08 Calient Networks, Inc. Method of fabricating semiconductor wafers having multiple height subsurface layers
EP1423713A1 (en) * 2001-08-24 2004-06-02 Honeywell International Inc. Hermetically sealed silicon micro-machined electromechanical system (mems) device having diffused conductors
US7211923B2 (en) 2001-10-26 2007-05-01 Nth Tech Corporation Rotational motion based, electrostatic power source and methods thereof
US7378775B2 (en) * 2001-10-26 2008-05-27 Nth Tech Corporation Motion based, electrostatic power source and methods thereof
US6854330B2 (en) * 2001-10-26 2005-02-15 Nth Tech Corporation Accelerometer and methods thereof
DE10157848B4 (de) * 2001-11-24 2005-01-13 Eads Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements mit abgeschlossenem Innenraum und mikromechanisches Bauelement mit abgeschlossenem Innenraum
US6593651B1 (en) * 2002-01-30 2003-07-15 Endevco Corporation Terminals for multi-layer devices
US6642848B1 (en) * 2002-04-15 2003-11-04 Sang J. Choi Shock sensor by variable capacitor
US7728339B1 (en) 2002-05-03 2010-06-01 Calient Networks, Inc. Boundary isolation for microelectromechanical devices
JP4216525B2 (ja) * 2002-05-13 2009-01-28 株式会社ワコー 加速度センサおよびその製造方法
US6862795B2 (en) * 2002-06-17 2005-03-08 Vty Holding Oy Method of manufacturing of a monolithic silicon acceleration sensor
JP2004361394A (ja) * 2003-05-13 2004-12-24 Seiko Instruments Inc 容量型力学量センサ
US7217582B2 (en) * 2003-08-29 2007-05-15 Rochester Institute Of Technology Method for non-damaging charge injection and a system thereof
US7287328B2 (en) * 2003-08-29 2007-10-30 Rochester Institute Of Technology Methods for distributed electrode injection
JP4503963B2 (ja) * 2003-09-18 2010-07-14 株式会社山武 センサの電極取出し方法
JP2005221450A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Yamaha Corp 物理量センサ
US8581308B2 (en) * 2004-02-19 2013-11-12 Rochester Institute Of Technology High temperature embedded charge devices and methods thereof
JP4473715B2 (ja) * 2004-11-29 2010-06-02 富士通株式会社 積層体切断方法及び積層体
JP5135683B2 (ja) 2005-02-28 2013-02-06 ソニー株式会社 振動型ジャイロセンサ及び振動素子の製造方法
US20060260396A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Van Cott Robert F Peak Velocity Detector
WO2006127777A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Northrop Grumman Corporation Silicon accelerometer chip design for size and thermal distortion reduction and process simplification
US8007166B2 (en) 2005-05-25 2011-08-30 Northrop Grumman Systems Corporation Method for optimizing direct wafer bond line width for reduction of parasitic capacitance in MEMS accelerometers
WO2006127776A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Northrop Grumman Corporation Metal electrodes for elimination of spurious charge effects in accelerometers and other mems devices
US20070074731A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Nth Tech Corporation Bio-implantable energy harvester systems and methods thereof
KR100790883B1 (ko) * 2006-07-11 2008-01-03 삼성전자주식회사 액츄에이터의 구동 장치
US7402905B2 (en) 2006-08-07 2008-07-22 Honeywell International Inc. Methods of fabrication of wafer-level vacuum packaged devices
WO2008086530A2 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Analog Devices, Inc. Mems sensor with cap electrode
US8914245B2 (en) * 2009-03-20 2014-12-16 Andrew David Hopkins Ultrasound probe with accelerometer
US8322216B2 (en) * 2009-09-22 2012-12-04 Duli Yu Micromachined accelerometer with monolithic electrodes and method of making the same
JP5527015B2 (ja) * 2010-05-26 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 素子構造体、慣性センサー、電子機器
JP5527017B2 (ja) * 2010-05-27 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 素子構造体、慣性センサーおよび電子機器
CN103109315A (zh) * 2010-08-17 2013-05-15 高通Mems科技公司 对干涉式显示装置中的电荷中性电极的激活和校准
US8627721B2 (en) * 2010-10-18 2014-01-14 Blackberry Limited Accelerometer based on the measurement of Casimir force fluctuations
JP2013007653A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 外力検出装置及び外力検出センサー
CN102507979B (zh) * 2011-11-02 2013-02-27 重庆理工大学 一种接触式电容微加速度传感器
JP5942554B2 (ja) * 2012-04-11 2016-06-29 セイコーエプソン株式会社 物理量センサーおよび電子機器
US9837935B2 (en) * 2013-10-29 2017-12-05 Honeywell International Inc. All-silicon electrode capacitive transducer on a glass substrate
GB2524245A (en) * 2014-03-17 2015-09-23 Atlantic Inertial Systems Ltd Accelerometers
JP6331535B2 (ja) * 2014-03-18 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
US10194711B2 (en) 2014-05-06 2019-02-05 Nike, Inc. Packaged dyed knitted component
CN104591080B (zh) * 2015-02-05 2016-03-16 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种提高金-金热压键合强度的方法
DE102015212669B4 (de) * 2015-07-07 2018-05-03 Infineon Technologies Ag Kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung
US10793421B2 (en) * 2017-11-13 2020-10-06 Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. Wafer level encapsulation for MEMS device
JP7146499B2 (ja) * 2018-07-17 2022-10-04 東京計器株式会社 ３次元構造部材の製造方法、加速度ピックアップ部材の製造方法、加速度ピックアップ部材、及び加速度センサ
US12103843B2 (en) 2021-01-20 2024-10-01 Calient.Ai Inc. MEMS mirror arrays with reduced crosstalk

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5637682A (en) * 1979-09-04 1981-04-11 Ford Motor Co Variable capacitance pressure transducer and method of manufacturing intermediate product thereof
JPH01259265A (ja) * 1987-11-09 1989-10-16 Vaisala Oy キャパシチブ加速度計およびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2102026B (en) * 1981-06-05 1985-07-10 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Conductive pastes
CH642461A5 (fr) * 1981-07-02 1984-04-13 Centre Electron Horloger Accelerometre.
JPS5943545A (ja) * 1982-09-06 1984-03-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4574327A (en) * 1984-05-18 1986-03-04 Becton, Dickinson And Company Capacitive transducer
US4609968A (en) * 1984-05-18 1986-09-02 Becton, Dickinson And Company Glass inlays for use in bonding semiconductor wafers
US5000817A (en) * 1984-10-24 1991-03-19 Aine Harry E Batch method of making miniature structures assembled in wafer form
US4679434A (en) * 1985-07-25 1987-07-14 Litton Systems, Inc. Integrated force balanced accelerometer
JPS62213280A (ja) * 1986-03-14 1987-09-19 Nissan Motor Co Ltd 半導体加速度センサ
JPS62260340A (ja) * 1986-05-06 1987-11-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4922756A (en) * 1988-06-20 1990-05-08 Triton Technologies, Inc. Micro-machined accelerometer
DE3625411A1 (de) * 1986-07-26 1988-02-04 Messerschmitt Boelkow Blohm Kapazitiver beschleunigungssensor
US4948757A (en) * 1987-04-13 1990-08-14 General Motors Corporation Method for fabricating three-dimensional microstructures and a high-sensitivity integrated vibration sensor using such microstructures
GB8718637D0 (en) * 1987-08-06 1987-09-09 Spectrol Reliance Ltd Sealing electrical feedthrough
JP2914970B2 (ja) * 1987-08-24 1999-07-05 株式会社日立製作所 走査型電子顕微鏡の走査振動推定装置
US4963505A (en) * 1987-10-27 1990-10-16 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
US5121633A (en) * 1987-12-18 1992-06-16 Nissan Motor Co., Ltd. Semiconductor accelerometer
US5216490A (en) * 1988-01-13 1993-06-01 Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Bridge electrodes for microelectromechanical devices
JPH0672899B2 (ja) * 1988-04-01 1994-09-14 株式会社日立製作所 加速度センサ
JPH0623782B2 (ja) * 1988-11-15 1994-03-30 株式会社日立製作所 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ
US5177331A (en) * 1991-07-05 1993-01-05 Delco Electronics Corporation Impact detector

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5637682A (en) * 1979-09-04 1981-04-11 Ford Motor Co Variable capacitance pressure transducer and method of manufacturing intermediate product thereof
JPH01259265A (ja) * 1987-11-09 1989-10-16 Vaisala Oy キャパシチブ加速度計およびその製造方法

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7578162B2 (en) 1989-12-28 2009-08-25 Kazuhiro Okada Apparatus for detecting a physical quantity acting as an external force and method for testing and manufacturing this apparatus
JPH04116465A (ja) * 1990-09-07 1992-04-16 Hitachi Ltd 半導体容量式加速度センサ及びその製造方法
US7360455B2 (en) 1990-10-12 2008-04-22 Kazuhiro Okada Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
US6053057A (en) * 1990-10-12 2000-04-25 Okada; Kazuhiro Force detector
US7533582B2 (en) 1990-10-12 2009-05-19 Kazuhiro Okada Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same
JPH0682469A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Japan Aviation Electron Ind Ltd 加速度計
US5504356A (en) * 1992-11-16 1996-04-02 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor accelerometer
DE4339190B4 (de) * 1992-11-16 2006-04-13 Denso Corp., Kariya Halbleiter-Beschleunigungsmesser
US5503017A (en) * 1993-05-21 1996-04-02 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor
US5572057A (en) * 1993-12-21 1996-11-05 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor with movable electrode
US5936159A (en) * 1994-03-09 1999-08-10 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor having multi-layer movable beam structure film
US5587343A (en) * 1994-03-09 1996-12-24 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor method
US5541437A (en) * 1994-03-15 1996-07-30 Nippondenso Co., Ltd. Acceleration sensor using MIS-like transistors
US5627397A (en) * 1994-03-15 1997-05-06 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor acceleration sensor with source and drain regions
DE19509160B4 (de) * 1994-03-15 2007-03-22 Denso Corp., Kariya Halbleiterbeschleunigungssensoren
US5731229A (en) * 1994-06-28 1998-03-24 Nissan Motor Co., Ltd. Method of producing device having minute structure
US5622633A (en) * 1994-08-18 1997-04-22 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor sensor with suspended microstructure and method for fabricating same
US5747991A (en) * 1994-10-27 1998-05-05 Nec Corporation Capacitance type acceleration sensor
US5844286A (en) * 1996-06-14 1998-12-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor acceleration sensor
JP2002521695A (ja) * 1998-07-31 2002-07-16 リットン システムズ インコーポレイテッド マイクロメカニカル半導体加速度計
JP2001252899A (ja) * 2000-03-07 2001-09-18 Akebono Brake Ind Co Ltd マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け方法
JP2008183717A (ja) * 2001-02-03 2008-08-14 Robert Bosch Gmbh マイクロメカニカル素子およびその製法
JP2005524848A (ja) * 2002-05-06 2005-08-18 ローズマウント インコーポレイテッド 気圧センサ
JP2007524854A (ja) * 2004-02-27 2007-08-30 ビ−エイイ−　システムズ　パブリック　リミテッド　カンパニ− 加速度計
US7501835B2 (en) 2004-03-10 2009-03-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Displacement sensor
JP2007069320A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Sony Corp 機能素子およびその製造方法
JP2009300098A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Alps Electric Co Ltd 容量センサ
JP2010008134A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体物理量センサ
US8816451B2 (en) 2010-03-03 2014-08-26 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho MEMS structure and manufacturing method thereof
JP2011208995A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Mitsutoyo Corp 静電容量センサ
JP2013228357A (ja) * 2012-03-27 2013-11-07 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5095752A (en) 1992-03-17
EP0369352A1 (en) 1990-05-23
DE68902534D1 (de) 1992-09-24
JPH0623782B2 (ja) 1994-03-30
US5559290A (en) 1996-09-24
US5392651A (en) 1995-02-28
DE68902534T2 (de) 1996-07-04
EP0369352B1 (en) 1992-08-19
EP0369352B2 (en) 1996-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02134570A (ja) 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ
US5243861A (en) Capacitive type semiconductor accelerometer
US5676851A (en) Method of making a capacitance type acceleration sensor
EP0672239B1 (en) Pedestal mount capacitive pressure sensor
JPH06331651A (ja) 微細機構を有する加速度計およびその製造方法
JP2001189467A (ja) 高真空パッケ−ジングマイクロジャイロスコ−プ及びその製造方法
US5448444A (en) Capacitive pressure sensor having a reduced area dielectric spacer
JP2728237B2 (ja) 静電容量式加速度センサ
JP3300060B2 (ja) 加速度センサー及びその製造方法
JP2748079B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
US7799595B2 (en) Semiconductor physical quantity sensor of electrostatic capacitance type and method for manufacturing the same
JP2000074768A (ja) 静電容量型圧力センサ及びその製造方法
JP3405108B2 (ja) 外力計測装置およびその製造方法
JP6802272B2 (ja) マルチプレート静電容量型トランスデューサ
JPH06160420A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
JP3382030B2 (ja) フルモールド実装型加速度センサ
JPH10177034A (ja) 静電容量型加速度センサとその製造方法
Shoji et al. Diode integrated capacitive accelerometer with reduced structural distortion
JPS6272178A (ja) 半導体圧力検出装置およびその製造方法
JPH06241932A (ja) マイクロデバイスとその製造方法
JPH08254474A (ja) 半導体式センサ
JPH0447272A (ja) 半導体加速度センサ
JPH0682474A (ja) 半導体容量式加速度センサ
JPH08285884A (ja) 半導体容量式加速度センサ
JPH0580071A (ja) 加速度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees