JPH01259265A - キャパシチブ加速度計およびその製造方法 - Google Patents
キャパシチブ加速度計およびその製造方法Info
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- JPH01259265A JPH01259265A JP63283533A JP28353388A JPH01259265A JP H01259265 A JPH01259265 A JP H01259265A JP 63283533 A JP63283533 A JP 63283533A JP 28353388 A JP28353388 A JP 28353388A JP H01259265 A JPH01259265 A JP H01259265A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AQCHWTWZEMGIFD-UHFFFAOYSA-N metolazone Chemical compound CC1NC2=CC(Cl)=C(S(N)(=O)=O)C=C2C(=O)N1C1=CC=CC=C1C AQCHWTWZEMGIFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はキャパシチブ加速度計およびその製造方法に
関するものである。
関するものである。
［従来の技術］
加速度計は実際には小形の力センサであるか、主として
加速度の検出に使用される。この装置はまた他の用途、
例えば傾斜角度の検出にも使用される。
加速度の検出に使用される。この装置はまた他の用途、
例えば傾斜角度の検出にも使用される。
従来知られている小形の加速度計は大部分はピエゾ電気
またはピエゾ抵抗の動作原理に基づいている。
またはピエゾ抵抗の動作原理に基づいている。
ピエゾ電気結晶はその表面に加えられる力に応じた大き
さの表面電荷を生成する。この電荷は電荷感知増幅器を
使用して測定される。測定に使用される増幅器が高い入
力インピーダンスであるために増幅器は静電的妨害を受
は易い。表面に生成された電荷は表面を介して自然に放
電し、漏洩電流のためこの形式の加速度計は静止的また
は低周波数の加速度の測定に使用することはできない。
さの表面電荷を生成する。この電荷は電荷感知増幅器を
使用して測定される。測定に使用される増幅器が高い入
力インピーダンスであるために増幅器は静電的妨害を受
は易い。表面に生成された電荷は表面を介して自然に放
電し、漏洩電流のためこの形式の加速度計は静止的また
は低周波数の加速度の測定に使用することはできない。
ピエゾ抵抗加速度計は典型的には半導体材料、例えばシ
リコンで作られ、この半導体材料内に適当な結晶方向で
抵抗が拡散により形成される。結晶が曲げられたとき誘
起した応力は屈曲の大きさが検出できるような抵抗値の
変化を生じる。屈曲の大きさは加えられた力に比例し、
したがって加速度に比例する。
リコンで作られ、この半導体材料内に適当な結晶方向で
抵抗が拡散により形成される。結晶が曲げられたとき誘
起した応力は屈曲の大きさが検出できるような抵抗値の
変化を生じる。屈曲の大きさは加えられた力に比例し、
したがって加速度に比例する。
小形のピエゾ抵抗加速度計はマイクロエレクトロニクス
および微小機械加工技術の工作方法を使用して例えばシ
リコンから製造することができる。
および微小機械加工技術の工作方法を使用して例えばシ
リコンから製造することができる。
最大の感度を得るためには最大の応力が抵抗の区域に与
えられなければならない。それにより弾性部分の変位が
構造の厚さに関して振幅を非常に大きくし、それに加え
て、感度の高い加速度計は加速度計の振動質量として作
用する補助的な重量を与えられなければならない。何故
ならばシリコン自身は密度が比較的軽いからである。補
助質量の製作は装置の製作を困難にする。さらにピエゾ
抵抗加速度計は例えばキャパシチブ加速度計に比較して
温度変化に敏感である。さらに、ピエゾ抵抗加速度計は
いわゆるゲージ係数かキャパシチブ加速度計に比較して
低い。
えられなければならない。それにより弾性部分の変位が
構造の厚さに関して振幅を非常に大きくし、それに加え
て、感度の高い加速度計は加速度計の振動質量として作
用する補助的な重量を与えられなければならない。何故
ならばシリコン自身は密度が比較的軽いからである。補
助質量の製作は装置の製作を困難にする。さらにピエゾ
抵抗加速度計は例えばキャパシチブ加速度計に比較して
温度変化に敏感である。さらに、ピエゾ抵抗加速度計は
いわゆるゲージ係数かキャパシチブ加速度計に比較して
低い。
単結晶シリコンは１９６０年代後半から加速度計の製造
に使用された。これらの方法のいくつかは文献に記載さ
れている。
に使用された。これらの方法のいくつかは文献に記載さ
れている。
例えば、
［１］ Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、ｏｎ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ ＤｅｖｉｃｅＥ Ｄ ２６． １９１１−
１９２０頁（１９７９）［２］ Ｗ、 Ｂ、ｅｎｅｃ
ｋｅ他 Ｔｒａ’ｎ５ｄｕｃｅｒｓ１９８７ 、４０６〜４０９
頁［３］ツガイおよびベッショ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ１９８７ 、 ’４０３〜４０
５頁［４］ Ｅ、 Ｊ、 Ｅｖａｎｓ 米国特許
３４７８６０４号明細書［５］ Ａ、 Ｊ、 Ｙｅｒ
ｍａｎ米国特許３５７２１０９号明細書文献［４］およ
び［５］による構造は屈曲カンチレバー型の加速度計に
関するものである。
ｃｔｒｏｎ ＤｅｖｉｃｅＥ Ｄ ２６． １９１１−
１９２０頁（１９７９）［２］ Ｗ、 Ｂ、ｅｎｅｃ
ｋｅ他 Ｔｒａ’ｎ５ｄｕｃｅｒｓ１９８７ 、４０６〜４０９
頁［３］ツガイおよびベッショ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ１９８７ 、 ’４０３〜４０
５頁［４］ Ｅ、 Ｊ、 Ｅｖａｎｓ 米国特許
３４７８６０４号明細書［５］ Ａ、 Ｊ、 Ｙｅｒ
ｍａｎ米国特許３５７２１０９号明細書文献［４］およ
び［５］による構造は屈曲カンチレバー型の加速度計に
関するものである。
キャパシチブ加速度計は次の文献に記載されている。
［６］ Ｈ，Ｗ、 Ｐｉｓｃｈｅｒ米国特許３９１１７
３８号明細書［７］ Ｗ、 Ｈ，Ｆ １ｃｋｅｎ米国特
許４００９６０７号明細書［８コＦ 、 Ｖ 、 ｌ１
ｏｌｄｒｅｎ米国特許４０９４１９９号明細書［９］
Ｈ，Ｅ、Ａｉｎｅ米国特許４１４４５１６号明細書［１
０コＫ 、 Ｅ 、 Ｐ ｅｔｅｒｓｅｎ
他米国特許４３４２２２７号明細書 ［１１］Ｒ、Ｆ 、 Ｃｏｌｔｏｎ米国特許４４３５
７３７号明細書［１２］ Ｆ 、 Ｒｕｄｏｌｆ 米
国特許４４８３１９４号明細書［１３コＬ、Ｂ、ＷＮｎ
ｅｒ米国特許４５７４３２７号明細書文献［６］は物理
的な構造を示すことなく２個のキャパシタンスを使用す
る加速度計を説明している。
３８号明細書［７］ Ｗ、 Ｈ，Ｆ １ｃｋｅｎ米国特
許４００９６０７号明細書［８コＦ 、 Ｖ 、 ｌ１
ｏｌｄｒｅｎ米国特許４０９４１９９号明細書［９］
Ｈ，Ｅ、Ａｉｎｅ米国特許４１４４５１６号明細書［１
０コＫ 、 Ｅ 、 Ｐ ｅｔｅｒｓｅｎ
他米国特許４３４２２２７号明細書 ［１１］Ｒ、Ｆ 、 Ｃｏｌｔｏｎ米国特許４４３５
７３７号明細書［１２］ Ｆ 、 Ｒｕｄｏｌｆ 米
国特許４４８３１９４号明細書［１３コＬ、Ｂ、ＷＮｎ
ｅｒ米国特許４５７４３２７号明細書文献［６］は物理
的な構造を示すことなく２個のキャパシタンスを使用す
る加速度計を説明している。
文献［７］は電気的構成は異なるか文献［６］と原理的
に同一である。
に同一である。
文献［８］は２重キャパシタンスの原理による加速度計
について記載している。
について記載している。
文献［９コは振動質量がリーフスプリングに懸垂された
微小機械的加速度計を記載している。
微小機械的加速度計を記載している。
文献［ｌＯ］はカンチレバービームか水平面で移動し、
電気的に非対称な構造を有する屈曲カンチレバー型加速
度計を記載している。
電気的に非対称な構造を有する屈曲カンチレバー型加速
度計を記載している。
文献［１１コは環状構造のものを示している。
文献［１２］はキャパシタンスが板の一方の側のみに配
置されているねじり懸垂板を有する形式のものを記載し
ている。
置されているねじり懸垂板を有する形式のものを記載し
ている。
文献［１３コは振動質量か薄膜スプリング上に懸垂され
た構造のものを記載している。
た構造のものを記載している。
［発明の解決すべき課題］
この発明の目的は、従来技術の欠点を克服し、完全なす
ぐれた特性のキャパシチブ加速度計およびその製造方法
を提供することである。
ぐれた特性のキャパシチブ加速度計およびその製造方法
を提供することである。
［課題解決のための手段］
この発明は、加速度計の振動質量として作用す゛る共通
可動電極を有する２個のキャパシタからキャパシチブ形
式の加速度計を構成するものである。
可動電極を有する２個のキャパシタからキャパシチブ形
式の加速度計を構成するものである。
中央電極は同じ材料から作られたビームを有する一体構
造体を形成している。１以上のこれらの弾性部材を使用
することも可能である。加えられる加速度により振動質
量は数ミクロンの変位を生じ、この変位はキャパシタン
ス値の変化から検出される。加速度計の構造は両面型で
対称である。
造体を形成している。１以上のこれらの弾性部材を使用
することも可能である。加えられる加速度により振動質
量は数ミクロンの変位を生じ、この変位はキャパシタン
ス値の変化から検出される。加速度計の構造は両面型で
対称である。
さらに説明すれば、この発明による加速度計は、中央電
極構造は側面電極構造の中心平面に対して対称であり、
中央電極はビーム形状を有しＵ字形の本体素子を通って
延在する溝によって囲まれており、中央電極のチップ部
分はチップ部分の厚さにより決定された間隔を有する電
極間隙が側面電極と中央電極との間に形成されるように
本体素子の厚さに接近した厚さを有し、側面電極構造は
中央電極構造の本体素子上にハーメチックシールで電気
絶縁層を介して取付けられて中央電極かハーメチックに
密閉された空間に保持され、電極構造は外部電気接続か
ないときには正常状態で互いに電気的に分離されている
構造を特徴とする。
極構造は側面電極構造の中心平面に対して対称であり、
中央電極はビーム形状を有しＵ字形の本体素子を通って
延在する溝によって囲まれており、中央電極のチップ部
分はチップ部分の厚さにより決定された間隔を有する電
極間隙が側面電極と中央電極との間に形成されるように
本体素子の厚さに接近した厚さを有し、側面電極構造は
中央電極構造の本体素子上にハーメチックシールで電気
絶縁層を介して取付けられて中央電極かハーメチックに
密閉された空間に保持され、電極構造は外部電気接続か
ないときには正常状態で互いに電気的に分離されている
構造を特徴とする。
この発明はまた、固定された側面電極を構成する２個の
側面電極構造か形成され、中央電極を具備する中央電極
構造がこれら側面電極構造間に配置されるキャパシチブ
加速度計の製造方法において、中央電極構造は処理フェ
イズエ中にチップ中央部分の両側に中央電極区域をエツ
チングすることによって均一な単結晶半導体チップから
形成され、中央電極の縁部区域がさらに処理フェイズＩ
において定められた厚さのビーム状中央電極パターンを
残すように半導体チップの両側で処理フェイズ■中にさ
らにエツチングされ、中央電極のステム部分か所定の厚
さが得られるまで処理フェイズ■中にさらにエツチング
され、側面電極が中央電極構造にハーメチックシール状
態で取付けられることを特徴とする。
側面電極構造か形成され、中央電極を具備する中央電極
構造がこれら側面電極構造間に配置されるキャパシチブ
加速度計の製造方法において、中央電極構造は処理フェ
イズエ中にチップ中央部分の両側に中央電極区域をエツ
チングすることによって均一な単結晶半導体チップから
形成され、中央電極の縁部区域がさらに処理フェイズＩ
において定められた厚さのビーム状中央電極パターンを
残すように半導体チップの両側で処理フェイズ■中にさ
らにエツチングされ、中央電極のステム部分か所定の厚
さが得られるまで処理フェイズ■中にさらにエツチング
され、側面電極が中央電極構造にハーメチックシール状
態で取付けられることを特徴とする。
［発明の効果］
この発明による加速度計の構造は次のような効果を生じ
る。
る。
＊ キャパシチブな動作原理は振動質量のわずかな変位
で高い感度ΔＣ／Ｃを得る。
で高い感度ΔＣ／Ｃを得る。
＊ 対称構造によってこの加速度計は補償の必要のない
非常に低い温度感受性を有する。
非常に低い温度感受性を有する。
＊ 振動質量が屈曲部材、例えばシリコンと同じ材料で
あるから補助振動質量は不要である。
あるから補助振動質量は不要である。
＊ 加速度計の制動係数は、キャパシタ電極」二に溝を
形成することによって、或いは製造工程中に加速度計構
造中に適当な圧力を残すことによって変化可能である。
形成することによって、或いは製造工程中に加速度計構
造中に適当な圧力を残すことによって変化可能である。
＊ キャパシタンス変化は加速の上口値を中心にして対
称である。
称である。
＊ この加速度計は多量生産で製造することができる。
＊ 側面電極と接触するまでに振動質量はわずか数ミク
ロンの変位を生じるに過ぎないから、加速度計は著しく
高い過負荷許容性を有する。
ロンの変位を生じるに過ぎないから、加速度計は著しく
高い過負荷許容性を有する。
［実施例］
以下添附図面を参照にして実施例によりさらに詳細に説
明する。
明する。
この発明の加速度計は微小機械工作技術で知られている
通常の方法を使用して例えば単結晶シリコンから製作さ
れる。第１図は加速度計の基本的な構造を示している。
通常の方法を使用して例えば単結晶シリコンから製作さ
れる。第１図は加速度計の基本的な構造を示している。
加速度計はハーメチックシールされ、そのため加速度計
のケースは適当な低い圧力でガスを封入されてもよい。
のケースは適当な低い圧力でガスを封入されてもよい。
封入ガスの圧力は加速度計の振動質量の所望の制動係数
を得るために変化されることかできる。使用される封入
ガスは例えば乾燥した空気でよい。適当に選択された制
動係数は加速度計の有効な周波数特性を生じる。
を得るために変化されることかできる。使用される封入
ガスは例えば乾燥した空気でよい。適当に選択された制
動係数は加速度計の有効な周波数特性を生じる。
しかしなから、第２図に示されるように開放された加速
度計によってより簡単な構造の加速度計か得られ、それ
においては加速度計の内部ガス圧力は周囲雰囲気の圧力
と等しい。内部ガス空間と周囲雰囲気との間の連通はチ
ャンネル８によって行われる。しかしながら、その場合
には振動質量の制動係数は非常に高く、低い周波数（数
サイクル程度）および静的加速の測定にしが使用できな
い。
度計によってより簡単な構造の加速度計か得られ、それ
においては加速度計の内部ガス圧力は周囲雰囲気の圧力
と等しい。内部ガス空間と周囲雰囲気との間の連通はチ
ャンネル８によって行われる。しかしながら、その場合
には振動質量の制動係数は非常に高く、低い周波数（数
サイクル程度）および静的加速の測定にしが使用できな
い。
第１図はハーメチックシールされた加速度計の構造を示
す。加速度計は、平らな、電気的に相互接続された側面
電極構造１５と、それらの間に平行に配置された中央電
極構造１６とを備えた層構造であり、中央電極構造１６
の振動質量１はカンチレバービーム１７のチップ部分に
よって与えられる。カンチレバービーム１７は中央電極
構造１６全体に延在しているＵ字形の溝を形成すること
によって中央電極構造１６中に形成される。さらにキャ
パシタンスを与えるための間隙７を形成するためにビー
ム１７の材料の一部か除去され、さらにビーム１７のス
テム部分２の幅かこの部分て柔軟性か得られるように小
さくされる。一体の中央電極構造１６はカンチレバービ
ーム１７を備え、このビーム１７は振動質量１および柔
軟なステム部分２、ならびにカンチレバービーム］７を
囲む加速度計本体素子３を具備している。振動質量１は
加速度計本体素子３よりも数マイクロメータ薄く作られ
ている。中央電極構造１６は例えば同じ単結晶ンリコン
から作られている。加速度計のキャパシタンスは中央電
極構造１６の共通可動電極１と側面電極構造１５の固定
された側面電極４との間で形成される。側面電極４は、
振動質量１および結合区域６における高くなった区域を
残すように絶縁層５に対応する表面をエツチングするこ
とによって例えば単結晶シリコンから製造される。絶縁
層５は例えばガラスであってよい。ガラスで被覆された
区域５および本体素子３は例えばアノード結合を使用し
て相互にハーメチックシール状態で結合されることがで
きる。
す。加速度計は、平らな、電気的に相互接続された側面
電極構造１５と、それらの間に平行に配置された中央電
極構造１６とを備えた層構造であり、中央電極構造１６
の振動質量１はカンチレバービーム１７のチップ部分に
よって与えられる。カンチレバービーム１７は中央電極
構造１６全体に延在しているＵ字形の溝を形成すること
によって中央電極構造１６中に形成される。さらにキャ
パシタンスを与えるための間隙７を形成するためにビー
ム１７の材料の一部か除去され、さらにビーム１７のス
テム部分２の幅かこの部分て柔軟性か得られるように小
さくされる。一体の中央電極構造１６はカンチレバービ
ーム１７を備え、このビーム１７は振動質量１および柔
軟なステム部分２、ならびにカンチレバービーム］７を
囲む加速度計本体素子３を具備している。振動質量１は
加速度計本体素子３よりも数マイクロメータ薄く作られ
ている。中央電極構造１６は例えば同じ単結晶ンリコン
から作られている。加速度計のキャパシタンスは中央電
極構造１６の共通可動電極１と側面電極構造１５の固定
された側面電極４との間で形成される。側面電極４は、
振動質量１および結合区域６における高くなった区域を
残すように絶縁層５に対応する表面をエツチングするこ
とによって例えば単結晶シリコンから製造される。絶縁
層５は例えばガラスであってよい。ガラスで被覆された
区域５および本体素子３は例えばアノード結合を使用し
て相互にハーメチックシール状態で結合されることがで
きる。
中央電極構造１６の構造は第１図に示した平面Ｓ〜 １
３− （ｘｙ平面）に関して鏡対称である。振動質ｊｕｌは２
方向に運動可能である。
３− （ｘｙ平面）に関して鏡対称である。振動質ｊｕｌは２
方向に運動可能である。
第１図に示された加速度計の構造は第３ａ図乃至第３Ｃ
図に詳しく示されている。第３ａ図および第４ａ図は金
属化された部分６および６′ならびにシリコン区域４が
よく判るように反転した位置で示されている。
図に詳しく示されている。第３ａ図および第４ａ図は金
属化された部分６および６′ならびにシリコン区域４が
よく判るように反転した位置で示されている。
第２図は開放構造の加速度計を示している。この構造は
次の点で密閉構造と異なっている。すなわち、 側面電極構造１５が加速度計の電気機能のための金属化
された区域６および６′によって覆われた表面を有する
ガラスで全体を構成されている。
次の点で密閉構造と異なっている。すなわち、 側面電極構造１５が加速度計の電気機能のための金属化
された区域６および６′によって覆われた表面を有する
ガラスで全体を構成されている。
金属化された区域６は金属化された区域６と本体素子３
との短絡を阻止するためにチャンネル８中を通るように
配置されている。
との短絡を阻止するためにチャンネル８中を通るように
配置されている。
第２図による加速度計の構造は第４ａ図乃至第４ｃ図に
詳しく示されている。示された両方の構造において、電
気接続のための金属化区域６は同じ平面に作られること
が好ましく、したがって第３図および第４図に示される
ように電気的貫通体１０を使用することか必要である。
詳しく示されている。示された両方の構造において、電
気接続のための金属化区域６は同じ平面に作られること
が好ましく、したがって第３図および第４図に示される
ように電気的貫通体１０を使用することか必要である。
この部分は本体素子３と同し材料で作られるが、本体素
子３がら電気的に絶縁されている。貫通体１ｏの構造は
第５図にさらに詳細に示されている。第４ｂ図に示され
た隆起部９の目的は本体索子３から中央接触区域６へ電
気接続を形成することである。加速度計のレイアウトは
第５図に示されている。
子３がら電気的に絶縁されている。貫通体１ｏの構造は
第５図にさらに詳細に示されている。第４ｂ図に示され
た隆起部９の目的は本体索子３から中央接触区域６へ電
気接続を形成することである。加速度計のレイアウトは
第５図に示されている。
加速度計の衝撃抵抗性は、強い衝撃下でステム部分２の
過度の屈曲を妨げるように第６図に示されるように突起
部１１を残すようにステム部分２をエツチングすること
によって改善される。加速度３１の寸法は所望の感度お
よびキャパシタンスに強く依存する。典型的な寸法は例
えは振動質量１が２×０５×４ｍＩｎ３てあり、カンチ
レバービーム１７か２ Ｘｏ、０７Ｘ４ ｍ＋ｎ３ある
。加速度計の外形寸法は約４ Ｘ３ Ｘ１２ｍｍ３（幅
×高い×長さ）である。
過度の屈曲を妨げるように第６図に示されるように突起
部１１を残すようにステム部分２をエツチングすること
によって改善される。加速度３１の寸法は所望の感度お
よびキャパシタンスに強く依存する。典型的な寸法は例
えは振動質量１が２×０５×４ｍＩｎ３てあり、カンチ
レバービーム１７か２ Ｘｏ、０７Ｘ４ ｍ＋ｎ３ある
。加速度計の外形寸法は約４ Ｘ３ Ｘ１２ｍｍ３（幅
×高い×長さ）である。
以下説明する製造フェイスは単結晶半導体、例えば両面
を研磨されたシリコンウェハであるベース材料の両側を
処理するのに適用することかできる。
を研磨されたシリコンウェハであるベース材料の両側を
処理するのに適用することかできる。
■、 シリコンウェハの両面か約２５０ ｎｍの深さに
酸化される。ウェハの厚さは例えば５００μｍである。
酸化される。ウェハの厚さは例えば５００μｍである。
２、ウェハはフォトレジストで被覆され、第７ａ図に示
されるように酸化物かエツチングで除去されるべき中央
電極区域か露出される。第７ａ図および第７ｂ図は単一
のシリコンチップを示す。
されるように酸化物かエツチングで除去されるべき中央
電極区域か露出される。第７ａ図および第７ｂ図は単一
のシリコンチップを示す。
３、次に第７ｂ図に示した中央電極区域１２が例えばＫ
ＯＨ水溶液中で約４μｍの深さまでエツチングされる。
ＯＨ水溶液中で約４μｍの深さまでエツチングされる。
４、 ウェハの酸化物層は緩衝剤を含むＨＦでエツチン
グして除去され、ウェハは約０．８μｍの深さまで酸化
される。
グして除去され、ウェハは約０．８μｍの深さまで酸化
される。
５、ウェハはフォトレジストで被覆され、第８ａ図に示
されるような酸化物か除去されるべき縁部区域１３と接
触区域１３°のために中央電極区域１２の縁部か露光さ
れる。フォトレジストは除去される。
されるような酸化物か除去されるべき縁部区域１３と接
触区域１３°のために中央電極区域１２の縁部か露光さ
れる。フォトレジストは除去される。
６、縁部区域１３と接触区域１３°は約５０μｍの深さ
にエツチングされ、それにより中央電極パターン１７”
か第８ｂ図のように形成される。
にエツチングされ、それにより中央電極パターン１７”
か第８ｂ図のように形成される。
７ ウェハは再びフォトレジストで被覆され、第９ａ図
に示されるような酸化物が除去されるべき区域１４のた
めに中央電極パターン１７°のステム部分か露光される
。
に示されるような酸化物が除去されるべき区域１４のた
めに中央電極パターン１７°のステム部分か露光される
。
８ ウェハのエツチングか例えはＫＯＨの水溶液中で所
望の深さ（典型的には４０〜１００μｍ）の区域１４か
得られるまで続けられ、それによって第９ｂ図に示され
るように区域１３の侵入か生じる。
望の深さ（典型的には４０〜１００μｍ）の区域１４か
得られるまで続けられ、それによって第９ｂ図に示され
るように区域１３の侵入か生じる。
この工程は第３ｂ図の素子すなわち中央電極構造１６を
生じる。
生じる。
第３ａ図および第３ｃ図に示された側面電極構造１５は
」二記の技術を使用して、第３ａ図および第３Ｃ図に示
された小さな（斜線の）区域４およびこの区域４と電気
的に接続されているもとの高さの区域６ （斜線の部分
）だけを残すように約１５０μｍの深さまでシリコンウ
ェハの１表面をエツチングすることによって製造される
。次にウェハのエツチングされた表面は適当なガラス層
、例えばショット・テムバックス（Ｓｃｈｏｔｔ Ｔｅ
ｍｐａｘ） 、コーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ） ７０７
０またはコーニング７７４０グレードの溶融ガラスによ
り被覆される。それはウェハのもとの表面と同じレベル
になるように研磨される。この方法は米国特許４，５９
７，０２７号明細書に記載されている。ガラスで被覆さ
れたウェハはリフト・オフ法またはエツチング処理によ
って金属化部分６を形成される。これらの方法は通常の
ものであるから、その詳細は省略する。最後にこれら３
個のウェハ全では例えばいわゆるアノード結合を使用し
て適当な圧力で互いに結合される。使用される圧力のレ
ベルは加速度計の所望の制動係数に依存し、典型的には
数ｂＰａである。適用される方法の詳細な説明（ならび
にその他の方法）は文献に記載されている（ｌｖｏｒ
ＢｒｏｄｉｅおよびＪｕｌｉｕｓ Ｊ、Ｍｕｒａｙ、
Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｊｃａｔｉ
ｏｎ。
」二記の技術を使用して、第３ａ図および第３Ｃ図に示
された小さな（斜線の）区域４およびこの区域４と電気
的に接続されているもとの高さの区域６ （斜線の部分
）だけを残すように約１５０μｍの深さまでシリコンウ
ェハの１表面をエツチングすることによって製造される
。次にウェハのエツチングされた表面は適当なガラス層
、例えばショット・テムバックス（Ｓｃｈｏｔｔ Ｔｅ
ｍｐａｘ） 、コーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ） ７０７
０またはコーニング７７４０グレードの溶融ガラスによ
り被覆される。それはウェハのもとの表面と同じレベル
になるように研磨される。この方法は米国特許４，５９
７，０２７号明細書に記載されている。ガラスで被覆さ
れたウェハはリフト・オフ法またはエツチング処理によ
って金属化部分６を形成される。これらの方法は通常の
ものであるから、その詳細は省略する。最後にこれら３
個のウェハ全では例えばいわゆるアノード結合を使用し
て適当な圧力で互いに結合される。使用される圧力のレ
ベルは加速度計の所望の制動係数に依存し、典型的には
数ｂＰａである。適用される方法の詳細な説明（ならび
にその他の方法）は文献に記載されている（ｌｖｏｒ
ＢｒｏｄｉｅおよびＪｕｌｉｕｓ Ｊ、Ｍｕｒａｙ、
Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｆａｂｒｊｃａｔｉ
ｏｎ。
Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ社、ニューヨーク、 １９
８３年）。
８３年）。
第４ａ図乃至第４ｃ図に示された中央電極構造１６は上
記のものと同一の方法を使用して製造される。相違点は
区域の大きさにあり、チャンネル８および接触区域９の
部分で４μｍエツチングフェイス中広くされる。
記のものと同一の方法を使用して製造される。相違点は
区域の大きさにあり、チャンネル８および接触区域９の
部分で４μｍエツチングフェイス中広くされる。
第４ａ図乃至第４ｃ図に示された側面電極構造１５はン
ヨット・テムパンクス、コーニング７０７０またはコー
ニング７７４０グレードのガラスで製作される。区域６
および６°は前述の方法で金属化される。
ヨット・テムパンクス、コーニング７０７０またはコー
ニング７７４０グレードのガラスで製作される。区域６
および６°は前述の方法で金属化される。
加速度計構造は通常の周囲雰囲気中でアノード結合を使
用して行われる。
用して行われる。
両方の加速度計構造において、ウェハは予めカットされ
た溝によって折ることにより切断することができる。
た溝によって折ることにより切断することができる。
第１図は、この発明の１実施例の加速度計構造の縦断面
図である。 第２図は、この発明の別の実施例の加速度計構造の縦断
面図である。 第３ａ図乃至第３ｃ図は、第１図に示した加速度計構造
の異なった部分の斜視図である。 第４ａ図乃至第４ｃ図は、第２図に示した加速度計構造
の異なった部分の斜視図である。 第５図は、第２図に示した加速度計構造の部分的に断面
で示した斜視図である。 第６図は、この発明の加速度計構造の第３の実施例の断
面図である。 第７ａ図は、この発明の加速度計構造の第１のマスクフ
ェイズにおける上面図である。 Ｍ７ｂ図は、第７ａ図に示したマスクフェイズにより得
られる最終結果の上面図である。 第８ａ図は、この発明の加速度計構造の第２のマスクフ
ェイスにおける上面図を示す。 第８ｂ図は、第８ａ図に示したマスクフェイズにより得
られる最終結果の上面図を示す。 第９ａ図は、この発明の加速度計構造の第３のマスクフ
ェイズにおける上面図を示す。 第９ｂ図は、第９ａ図に示したマスクフェイズにより得
られる最終結果の上面図を示す。 １・・・振動質量、２・・・ステム部分、３・・・本体
素子、４・・固定電極、５・・・ガラス被覆区域、６・
・・結合区域、１５・・・側面電極構造、１６・中央電
極構造、１７・・・カンチレバービーム。 ａｌ’ｆｌ
図である。 第２図は、この発明の別の実施例の加速度計構造の縦断
面図である。 第３ａ図乃至第３ｃ図は、第１図に示した加速度計構造
の異なった部分の斜視図である。 第４ａ図乃至第４ｃ図は、第２図に示した加速度計構造
の異なった部分の斜視図である。 第５図は、第２図に示した加速度計構造の部分的に断面
で示した斜視図である。 第６図は、この発明の加速度計構造の第３の実施例の断
面図である。 第７ａ図は、この発明の加速度計構造の第１のマスクフ
ェイズにおける上面図である。 Ｍ７ｂ図は、第７ａ図に示したマスクフェイズにより得
られる最終結果の上面図である。 第８ａ図は、この発明の加速度計構造の第２のマスクフ
ェイスにおける上面図を示す。 第８ｂ図は、第８ａ図に示したマスクフェイズにより得
られる最終結果の上面図を示す。 第９ａ図は、この発明の加速度計構造の第３のマスクフ
ェイズにおける上面図を示す。 第９ｂ図は、第９ａ図に示したマスクフェイズにより得
られる最終結果の上面図を示す。 １・・・振動質量、２・・・ステム部分、３・・・本体
素子、４・・固定電極、５・・・ガラス被覆区域、６・
・・結合区域、１５・・・側面電極構造、１６・中央電
極構造、１７・・・カンチレバービーム。 ａｌ’ｆｌ
Claims (5)
- （１）固定された側面電極を構成する互いに間隔を置い
て対面して平行に整列して配置されたほぼ板状の平らな
２個の側面電極構造と、 これら側面電極構造間に配置された均一なほぼ板状の中
央電極構造であつて、側面電極構造に連結された本体素
子と、側面電極に近接して配置されステム部分とチップ
部分とを具備する１以上の中央電極とを有する中央電極
構造とを具備し、中央電極のステム部分が中央電極を本
体素子に結合しており、本体素子は中央電極の側面を包
囲しており、ステム部分はチップ部分よりも本質的に薄
くされている、シリコン材料で構成されたキャパシチブ
加速度計において、 中央電極構造は側面電極構造の中心平面に対して対称で
あり、 中央電極はビーム形状を有しＵ字形の本体素子を通って
延在する溝によつて囲まれており、中央電極のチップ部
分はチップ部分の厚さにより決定された間隔を有する電
極間隙が側面電極と中央電極との間に形成されるように
本体素子の厚さに接近した厚さを有し、 側面電極構造は中央電極構造の本体素子上にハーメチッ
クシールで電気絶縁層を介して取付けられて中央電極が
ハーメチックに密閉された空間に保持され、電極構造は
外部電気接続がないときには正常状態で互いに電気的に
分離されていることを特徴とするキャパシチブ加速度計
。 - （２）中央電極構造は方形形状を有している特許請求の
範囲第１項記載の加速度計。 - （３）中央電極構造は中央電極構造の残部から電気的に
絶縁された柱状の導電性接続構造を形成するように処理
され、それによつて側面電極の接続区域が同じ平面に配
置されている特許請求の範囲第１項または第２項記載の
加速度計。 - （４）固定された側面電極を構成する２個の側面電極構
造が形成され、中央電極を具備する中央電極構造がこれ
ら側面電極構造間に配置されるキャパシチブ加速度計の
製造方法において、 中央電極構造は処理フェイズ I 中にチップ中央部分の
両側に中央電極区域をエッチングすることによつて均一
な単結晶半導体チップから形成され、中央電極の縁部区
域がさらに処理フェイズ I において定められた厚さの
ビーム状中央電極パターンを残すように半導体チップの
両側で処理フェイズII中にさらにエッチングされ、 中央電極のステム部分が所定の厚さが得られるまで処理
フェイズIII中にさらにエッチングされ、側面電極構造
が中央電極構造にハーメチックシール状態で取付けられ
ることを特徴とするキャパシチブ加速度計の製造方法。 - （５）側面電極構造の中央電極構造への取付けと同時に
、センサの所定の周波数特性を得るために側面電極構造
によつてハーメチックシールされた空間中に適当なガス
圧力が与えられることを特徴とする特許請求の範囲第４
項記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI874942A FI81915C (fi) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | Kapacitiv accelerationsgivare och foerfarande foer framstaellning daerav. |
| FI874942 | 1987-11-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259265A true JPH01259265A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=8525381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283533A Pending JPH01259265A (ja) | 1987-11-09 | 1988-11-09 | キャパシチブ加速度計およびその製造方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01259265A (ja) |
| KR (1) | KR890008569A (ja) |
| CN (1) | CN1022136C (ja) |
| DE (1) | DE3837883A1 (ja) |
| ES (1) | ES2012420A6 (ja) |
| FI (1) | FI81915C (ja) |
| FR (1) | FR2622975B1 (ja) |
| GB (1) | GB2212274A (ja) |
| IT (1) | IT1224301B (ja) |
| SE (1) | SE468067B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134570A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Hitachi Ltd | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
| US4983485A (en) * | 1988-04-13 | 1991-01-08 | Shikoku Chemicals Corporation | Positively chargeable toner |
| JPH04116465A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-16 | Hitachi Ltd | 半導体容量式加速度センサ及びその製造方法 |
| JPH06163935A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法 |
| US7360455B2 (en) | 1990-10-12 | 2008-04-22 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US7533582B2 (en) | 1990-10-12 | 2009-05-19 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US7578162B2 (en) | 1989-12-28 | 2009-08-25 | Kazuhiro Okada | Apparatus for detecting a physical quantity acting as an external force and method for testing and manufacturing this apparatus |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5228341A (en) * | 1989-10-18 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Capacitive acceleration detector having reduced mass portion |
| JPH03210478A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-13 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサ |
| DE4000903C1 (ja) * | 1990-01-15 | 1990-08-09 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De | |
| DE4222472C2 (de) * | 1992-07-09 | 1998-07-02 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| FR2698447B1 (fr) * | 1992-11-23 | 1995-02-03 | Suisse Electronique Microtech | Cellule de mesure micro-usinée. |
| DE10111149B4 (de) * | 2001-03-08 | 2011-01-05 | Eads Deutschland Gmbh | Mikromechanischer kapazitiver Beschleunigungssensor |
| EP1243930A1 (de) | 2001-03-08 | 2002-09-25 | EADS Deutschland Gmbh | Mikromechanischer kapazitiver Beschleunigungssensor |
| DE10117630B4 (de) * | 2001-04-09 | 2005-12-29 | Eads Deutschland Gmbh | Mikromechanischer kapazitiver Beschleunigungssensor |
| DE10117257A1 (de) * | 2001-04-06 | 2002-10-17 | Eads Deutschland Gmbh | Mikromechanischer kapazitiver Beschleunigungssensor |
| RU2207658C2 (ru) * | 2001-07-09 | 2003-06-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа |
| JP2005077349A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
| WO2007104289A1 (de) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Mikromechanischer drehratensensor |
| EP2259018B1 (en) | 2009-05-29 | 2017-06-28 | Infineon Technologies AG | Gap control for die or layer bonding using intermediate layers of a micro-electromechanical system |
| US20140327526A1 (en) * | 2012-04-30 | 2014-11-06 | Charles Edgar Bess | Control signal based on a command tapped by a user |
| CN106771361B (zh) * | 2016-12-15 | 2023-04-25 | 西安邮电大学 | 双电容式微机械加速度传感器及基于其的温度自补偿系统 |
| CN117368525A (zh) * | 2017-04-06 | 2024-01-09 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 石英摆式加速度计 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227666A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-05 | リットン システムズ インコ−ポレ−テッド | 加速度計 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH642461A5 (fr) * | 1981-07-02 | 1984-04-13 | Centre Electron Horloger | Accelerometre. |
| JPS6197572A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
| US4744249A (en) * | 1985-07-25 | 1988-05-17 | Litton Systems, Inc. | Vibrating accelerometer-multisensor |
| DE3625411A1 (de) * | 1986-07-26 | 1988-02-04 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Kapazitiver beschleunigungssensor |
| DE3703793A1 (de) * | 1987-02-07 | 1988-08-18 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Detektorelement |
-
1987
- 1987-11-09 FI FI874942A patent/FI81915C/fi not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-11-08 DE DE3837883A patent/DE3837883A1/de not_active Ceased
- 1988-11-08 IT IT48532/88A patent/IT1224301B/it active
- 1988-11-08 FR FR888814564A patent/FR2622975B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-08 ES ES8803392A patent/ES2012420A6/es not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-08 SE SE8804039A patent/SE468067B/sv unknown
- 1988-11-08 KR KR1019880014655A patent/KR890008569A/ko not_active Ceased
- 1988-11-09 GB GB8826263A patent/GB2212274A/en not_active Withdrawn
- 1988-11-09 CN CN88107822A patent/CN1022136C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-09 JP JP63283533A patent/JPH01259265A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227666A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-05 | リットン システムズ インコ−ポレ−テッド | 加速度計 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4983485A (en) * | 1988-04-13 | 1991-01-08 | Shikoku Chemicals Corporation | Positively chargeable toner |
| JPH02134570A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Hitachi Ltd | 静電容量式加速度センサ及び半導体圧力センサ |
| US7578162B2 (en) | 1989-12-28 | 2009-08-25 | Kazuhiro Okada | Apparatus for detecting a physical quantity acting as an external force and method for testing and manufacturing this apparatus |
| JPH04116465A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-16 | Hitachi Ltd | 半導体容量式加速度センサ及びその製造方法 |
| US7360455B2 (en) | 1990-10-12 | 2008-04-22 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| US7533582B2 (en) | 1990-10-12 | 2009-05-19 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
| JPH06163935A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI81915B (fi) | 1990-08-31 |
| GB8826263D0 (en) | 1988-12-14 |
| FR2622975A1 (fr) | 1989-05-12 |
| SE8804039D0 (sv) | 1988-11-08 |
| KR890008569A (ko) | 1989-07-12 |
| CN1022136C (zh) | 1993-09-15 |
| FI81915C (fi) | 1990-12-10 |
| FI874942A0 (fi) | 1987-11-09 |
| IT8848532A0 (it) | 1988-11-08 |
| GB2212274A (en) | 1989-07-19 |
| IT1224301B (it) | 1990-10-04 |
| FR2622975B1 (fr) | 1991-07-12 |
| ES2012420A6 (es) | 1990-03-16 |
| DE3837883A1 (de) | 1989-05-18 |
| SE468067B (sv) | 1992-10-26 |
| CN1033110A (zh) | 1989-05-24 |
| FI874942L (fi) | 1989-05-10 |
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