JPH02134811A - パターン露光装置 - Google Patents
パターン露光装置Info
- Publication number
- JPH02134811A JPH02134811A JP63289475A JP28947588A JPH02134811A JP H02134811 A JPH02134811 A JP H02134811A JP 63289475 A JP63289475 A JP 63289475A JP 28947588 A JP28947588 A JP 28947588A JP H02134811 A JPH02134811 A JP H02134811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- sample
- vacuum chamber
- stage
- infrared ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程でＩＣパターンの描画に
用られるパターン露光装置に関する。
用られるパターン露光装置に関する。
従来、この種のパターン露光装置におけるマスク基板等
の試料や試料ホルダーの温度測定には、銅・コンスタン
タン、白金・白金ロジュウム等の熱電対が検出器として
使われていた。
の試料や試料ホルダーの温度測定には、銅・コンスタン
タン、白金・白金ロジュウム等の熱電対が検出器として
使われていた。
すなわち第２図に示すように、露光装置内に挿入された
試料２１および試料ホルダー２２はガイド２３によりス
テージ２４に載置される。そして、ステージ内に埋め込
まれな熱電対２５により試料２１や試料ホルダー２２の
温度が測定されていた。
試料２１および試料ホルダー２２はガイド２３によりス
テージ２４に載置される。そして、ステージ内に埋め込
まれな熱電対２５により試料２１や試料ホルダー２２の
温度が測定されていた。
上述した従来のパターン露光装置においては、試料温度
測定は、試料のステージへの載置位置精度の向上のため
、熱電対は試料および試料ホルダーと直接触れないよう
に構成されていた。
測定は、試料のステージへの載置位置精度の向上のため
、熱電対は試料および試料ホルダーと直接触れないよう
に構成されていた。
荷電ビームに依るパターン描画は高真空中で行なう必要
があるため、試料の出し入れ時には、真空引きに伴なう
断熱膨張があり温度制御を行なっていても試料および試
料ホルダーの温度が０．６〜１．０℃程度変化する。こ
の温度変化が試料或いは試料ホルダーの伸び縮みを起こ
し、パターン描画精度低下の要因となっている。
があるため、試料の出し入れ時には、真空引きに伴なう
断熱膨張があり温度制御を行なっていても試料および試
料ホルダーの温度が０．６〜１．０℃程度変化する。こ
の温度変化が試料或いは試料ホルダーの伸び縮みを起こ
し、パターン描画精度低下の要因となっている。
パターン露光装置の試料温度測定は、上述の温度変化を
最小に制御するために必要であるが、従来の温度測定用
熱電対はステージ側壁内に埋め込まれているため、瞬時
にして試料等の正確な温度を測定する事は不可能であっ
た。このなめ、新しいパターン露光装置のステージおよ
びその周辺の温度設定条件を決めるのに、極めて長時間
を要するという欠点がある。
最小に制御するために必要であるが、従来の温度測定用
熱電対はステージ側壁内に埋め込まれているため、瞬時
にして試料等の正確な温度を測定する事は不可能であっ
た。このなめ、新しいパターン露光装置のステージおよ
びその周辺の温度設定条件を決めるのに、極めて長時間
を要するという欠点がある。
本発明のパターン露光装置は、試料の温度を測定するた
めに赤外線センサを真空室内に設けたものである。
めに赤外線センサを真空室内に設けたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の電子ビームによるパターン
露光装置の断面図である。
露光装置の断面図である。
第１図において、電子銃］より発せられた電子ビーム２
は偏向制御を受けて、試料であるフォトマスク基板３上
にＩＣパターンを描画する。フォトマスク基板３は、真
空室４内の稼働ステージ５上に載置され、所望の位置に
移動可能となっている。フォトマスク基板３は、試料交
換室（図示せず）内での真空引きのため断熱膨張を受け
た後に、真空室４に挿入され可動ステージ５上に保持さ
れる。温度測定用の赤外線センサ６は真空室４内の上部
に設けられており、この下部に可動ステージ５によりフ
ォトマスク基板３が移動する。そして赤外線センサ６に
よりフォトマスク基板３とその周辺部の温度測定が行な
われる。測定結果はデイスプレィ７に表示され温度分布
の確認が可能となっている。尚８はフォトマスク基板３
の温度調節を行うための温度調節器である。
は偏向制御を受けて、試料であるフォトマスク基板３上
にＩＣパターンを描画する。フォトマスク基板３は、真
空室４内の稼働ステージ５上に載置され、所望の位置に
移動可能となっている。フォトマスク基板３は、試料交
換室（図示せず）内での真空引きのため断熱膨張を受け
た後に、真空室４に挿入され可動ステージ５上に保持さ
れる。温度測定用の赤外線センサ６は真空室４内の上部
に設けられており、この下部に可動ステージ５によりフ
ォトマスク基板３が移動する。そして赤外線センサ６に
よりフォトマスク基板３とその周辺部の温度測定が行な
われる。測定結果はデイスプレィ７に表示され温度分布
の確認が可能となっている。尚８はフォトマスク基板３
の温度調節を行うための温度調節器である。
本実施例における赤外線センサとして、ＨｇＣｄ Ｔ
ｅからなるエリアアレイセンサを用いると、室温範囲の
温度測定で０，０５〜０．１°Ｃの分解能を持つため、
大きな表面積を有する試料の温度を非接触で精度よく測
定できる。このためＩＣパターン描画に必要とされる精
度を得るためのステージ及びその周辺の温度条件、すな
わち温度調節器８の設定条件を短時間に且つ精度良くき
める事ができる。すなわち、従来１週間程度を要してい
たステージおよびその周辺の温度設定を、１日程度の短
時間でかつ精度良く行うことができる。上記実施例にお
いては赤外線センサとしてエリアアレイセンサを用いた
が、安価なりニアアレイセンサを用いることも可能であ
る。この場合でもＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅの時定数は数百ｎ
ｓであるので、リニアアレイセンサに直角の方向にステ
ージを移動することにより、２〜３秒で所望の温度分布
を測定する事ができる。
ｅからなるエリアアレイセンサを用いると、室温範囲の
温度測定で０，０５〜０．１°Ｃの分解能を持つため、
大きな表面積を有する試料の温度を非接触で精度よく測
定できる。このためＩＣパターン描画に必要とされる精
度を得るためのステージ及びその周辺の温度条件、すな
わち温度調節器８の設定条件を短時間に且つ精度良くき
める事ができる。すなわち、従来１週間程度を要してい
たステージおよびその周辺の温度設定を、１日程度の短
時間でかつ精度良く行うことができる。上記実施例にお
いては赤外線センサとしてエリアアレイセンサを用いた
が、安価なりニアアレイセンサを用いることも可能であ
る。この場合でもＨｇ Ｃｄ Ｔ ｅの時定数は数百ｎ
ｓであるので、リニアアレイセンサに直角の方向にステ
ージを移動することにより、２〜３秒で所望の温度分布
を測定する事ができる。
以上説明したように本発明は、パターン露光装置におけ
る試料の温度測定を真空室内に設けた赤外線センサによ
り行うことにより、ステージおよびその周辺の温度設定
を短時間で且つ精度良く行なうことができるという効果
がある。
る試料の温度測定を真空室内に設けた赤外線センサによ
り行うことにより、ステージおよびその周辺の温度設定
を短時間で且つ精度良く行なうことができるという効果
がある。
−ン露光装置の温度測定機構を説明するためのステージ
近傍の斜視図である。
近傍の斜視図である。
１・・・電子銃、２・・・電子ビーム、３・・・フォト
マスク基板、４・・・真空室、５・・・可動ステージ、
６・・・赤外線センサ、７・・・デイスプレィ、８・・
・温度調節器、２１・・・試料、２２・・・試料ホルダ
、２３・・・カイト、２４・・・ステージ、２５・・・
熱電対、２６・・・ステージ側壁。
マスク基板、４・・・真空室、５・・・可動ステージ、
６・・・赤外線センサ、７・・・デイスプレィ、８・・
・温度調節器、２１・・・試料、２２・・・試料ホルダ
、２３・・・カイト、２４・・・ステージ、２５・・・
熱電対、２６・・・ステージ側壁。
Claims (1)
- 真空室内に保持された試料上にイオンまたは電子から
なる荷電ビームを照射してパターンを描画するパターン
露光装置において、前記試料の温度を測定するための赤
外線センサを前記真空室内に設けたことを特徴とするパ
ターン露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289475A JPH02134811A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | パターン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289475A JPH02134811A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | パターン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134811A true JPH02134811A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17743756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289475A Pending JPH02134811A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | パターン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02134811A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496314A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-27 | Toshiba Corp | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 |
| JP2006128206A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63289475A patent/JPH02134811A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496314A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-27 | Toshiba Corp | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 |
| JP2006128206A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
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