JPS587055B2 - プロキシミテイ・アライナ−におけるギヤツプ設定装置 - Google Patents
プロキシミテイ・アライナ−におけるギヤツプ設定装置Info
- Publication number
- JPS587055B2 JPS587055B2 JP54089434A JP8943479A JPS587055B2 JP S587055 B2 JPS587055 B2 JP S587055B2 JP 54089434 A JP54089434 A JP 54089434A JP 8943479 A JP8943479 A JP 8943479A JP S587055 B2 JPS587055 B2 JP S587055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- gap
- setting device
- gap setting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プロキシミテイ・アライナーにおけるギャッ
プ設定装置に関する。
プ設定装置に関する。
半導体装置製造においては、マスクのパターンを半導体
基板(以下ウエハと呼ぶ)面上に塗布された感光剤に転
写することが行われる。
基板(以下ウエハと呼ぶ)面上に塗布された感光剤に転
写することが行われる。
この転写方法には種々の方法がとられているが、その内
にマスクとウエハを近接(例えば数μmの間隔をあけて
)させた状態で支持し、マスク上方より紫外線、軟X線
又はイオンビーム等を照射する、いわゆるプロキシミテ
イ法がある。
にマスクとウエハを近接(例えば数μmの間隔をあけて
)させた状態で支持し、マスク上方より紫外線、軟X線
又はイオンビーム等を照射する、いわゆるプロキシミテ
イ法がある。
このプロキシミテイ法におけるマスクとウエノ八の間隙
(以下ギャップと呼ぶ)は非常に小さく、所定のギャッ
プを得ることが非常に難しく種々の方法が考案されてい
る。
(以下ギャップと呼ぶ)は非常に小さく、所定のギャッ
プを得ることが非常に難しく種々の方法が考案されてい
る。
例えば、第1図に示す機械的基準面を用いた装置がある
。
。
以下この従来装置を説明する。まず第1図aにおいて、
所定のギャップグに相当する段差1aをもった工具1を
マスクテーブル2に真空吸着固定する。
所定のギャップグに相当する段差1aをもった工具1を
マスクテーブル2に真空吸着固定する。
ウエハ3をウエハチャック4を介して下方から押しあげ
る機構5で下方から工具1に押しつける。
る機構5で下方から工具1に押しつける。
この状態で−F方から押しあげる機構5を不図示の機構
でクランプする。
でクランプする。
このウエハチャック4の下面は球面座となっているから
、ウエハ3が楔状をしていてもウエハ3の上面は工具1
の面に密着させられる。
、ウエハ3が楔状をしていてもウエハ3の上面は工具1
の面に密着させられる。
次に第1図bにおいて、マスクテーブル2と工具1との
間の真空をきって工具1を取り除き、代りにマスク6を
マスクテーブル2の面に真空吸着すると、マスク6とウ
エハ3間に所定のギャップグが得られる。
間の真空をきって工具1を取り除き、代りにマスク6を
マスクテーブル2の面に真空吸着すると、マスク6とウ
エハ3間に所定のギャップグが得られる。
第2図は、他の従来装置の例で、3個のギャップセンサ
ーを用いてマスクとウエハのギヤツプを設定する装置で
ある。
ーを用いてマスクとウエハのギヤツプを設定する装置で
ある。
第2図において、ウエハ21はウエハチャック22に真
空吸着保持されている。
空吸着保持されている。
ウエハチャック22は3個のねじ(第2図には23A,
23Bの2個のみ現われている)で支えられている。
23Bの2個のみ現われている)で支えられている。
ウエハチャック22の高さ及び面方向は、3個のねじに
接続された3個のモータ(図には24A,24Bの2個
のみ現われている)で調整できる。
接続された3個のモータ(図には24A,24Bの2個
のみ現われている)で調整できる。
ウエハチャック22は支持台25との間に張設された引
張ぱね26で下方に引張られている。
張ぱね26で下方に引張られている。
マスク27は、マスクホルダ28に真空吸着固定されて
いる。
いる。
マスクホルダ28はマスクテーブル29に真空吸着固定
されている。
されている。
マスクホルダ28には、ギヤツプセンサー(図では30
A,30Bの2個のみ現われている)が3個マスク27
を囲むように組込まれており、これによってマスクとウ
エハのギャップが測定できるようになっている。
A,30Bの2個のみ現われている)が3個マスク27
を囲むように組込まれており、これによってマスクとウ
エハのギャップが測定できるようになっている。
すなわち、3個のギャップセンサーの値をみながら3個
のモータを制御することによりマスクとウエハのギャッ
プを任意の値に調整することができる。
のモータを制御することによりマスクとウエハのギャッ
プを任意の値に調整することができる。
上記した従来装置を使用するに際して次の問題を解決す
る必要がある。
る必要がある。
その問題とは、ウエハ表面の平面度が十分に良くないこ
とであり、特に最近の傾向であるウエハの大口径化に伴
いますます悪化してきている。
とであり、特に最近の傾向であるウエハの大口径化に伴
いますます悪化してきている。
このような問題のあるウエハ面上に従来装置を使って転
写を行うと、平面度の差によってギャップに差ができる
ためウエハ全面についてのギャップが正しい値とはなら
ない。
写を行うと、平面度の差によってギャップに差ができる
ためウエハ全面についてのギャップが正しい値とはなら
ない。
したがって、ウエハ全面について正しく転写ができない
ことになる。
ことになる。
この欠点を避ける方法としては、ウエハの平面度の得ら
れる小領域にわけて、各領域毎に転写をくり返す方法が
とられている。
れる小領域にわけて、各領域毎に転写をくり返す方法が
とられている。
しかし、この方法に対しては前述の従来装置は次のよう
な欠点をもつ。
な欠点をもつ。
すなわち、第1図で示した装置では、転写毎にマスクを
はずして工具をセットしなければならないから手数がか
Xりすぎる。
はずして工具をセットしなければならないから手数がか
Xりすぎる。
またウエハ面に工具がくり返し接触するからウエハ面に
傷がつきやすい。
傷がつきやすい。
また、第2図で示した装置では、マスクを囲むようにギ
ャップセンサーを配設してウエハの転写部分の外側でギ
ャップ測定を行っているので、ギャップ設定精度が十分
でない。
ャップセンサーを配設してウエハの転写部分の外側でギ
ャップ測定を行っているので、ギャップ設定精度が十分
でない。
また、ウエハの端部に転写を行おうとするとき、ギャッ
プセンサーの1個又は2個がウエハの外側にはみだしギ
ャップの測定ができないという欠点がある。
プセンサーの1個又は2個がウエハの外側にはみだしギ
ャップの測定ができないという欠点がある。
本発明の目的は、従来装置のこれらの欠点を除いた、ギ
ャップ設定装置を提供することにある。
ャップ設定装置を提供することにある。
以下、本発明を各実施例を示す第3図、第4図を用いて
説明する。
説明する。
第1実施例を示す第3図において、ウエハ31はウエハ
ホルダ32の上面に真空吸着保持されている。
ホルダ32の上面に真空吸着保持されている。
ウエハホルダ32は、Zステージ33、XYステージ3
4の上に組まれており、計算機35の指令によってそれ
ぞれZ方向;X方向;Y方向に移動できる。
4の上に組まれており、計算機35の指令によってそれ
ぞれZ方向;X方向;Y方向に移動できる。
Zステージ、XYステージはそれぞれ不図示のサーボモ
ータでコントロールされている。
ータでコントロールされている。
マスク36はマスクホルダ37に真空吸着保持されてい
る。
る。
マスクホルダ37はマスクテーブル38に真空吸着保持
されている。
されている。
マスクテーブル38に1個のギャップセンサー39が組
み込まれている。
み込まれている。
以下作動について説明する。
まずZステージ33を一定位置に固定する。
XYステージ34を移動して、ウエハ31をギャップセ
ンサー39の下で走査しウエハ31上の各点の座標(x
,y)に対するウエハの高さ(z)を測定してその値を
計算機35に記憶させる。
ンサー39の下で走査しウエハ31上の各点の座標(x
,y)に対するウエハの高さ(z)を測定してその値を
計算機35に記憶させる。
次にXYステージ34をマスク36の下に移動してウエ
ハ31面上に塗布された感光剤にマスクのパターンをく
り返し転写をしていくが、そのとき計算機35に記憶し
てあるウエハ31上の各点の座標に対するウエハの高さ
の値に応じてZステージ33をコントロールして、マス
ク36とウエハ31の転写部分のギャップを常に一定に
なるようにする。
ハ31面上に塗布された感光剤にマスクのパターンをく
り返し転写をしていくが、そのとき計算機35に記憶し
てあるウエハ31上の各点の座標に対するウエハの高さ
の値に応じてZステージ33をコントロールして、マス
ク36とウエハ31の転写部分のギャップを常に一定に
なるようにする。
以上の如く作動させて、ウエハ全面にわたり常に一定の
ギャップで転写することができる。
ギャップで転写することができる。
本実施例ではギャップセンサーを1個用いた例を述べた
が、測定の効率をあげるため複数個のセンサーを並べて
使用することも可能である。
が、測定の効率をあげるため複数個のセンサーを並べて
使用することも可能である。
第4図は本発明の第2実施例を示す。
第3図さの差異は、ギャップセンサがマスクホルダに組
み込まれてマスクの転写領域の中心から、転写領域の幅
Lだけ右側に位置していることである。
み込まれてマスクの転写領域の中心から、転写領域の幅
Lだけ右側に位置していることである。
同一図番は第3図の部材と同じものである。以下、作動
について説明する。
について説明する。
まず、XYステージ34を制御しウエハ31上の転写し
たい部分を1個のギャップセンサ40の真下にもってく
る。
たい部分を1個のギャップセンサ40の真下にもってく
る。
この状態でギャップセンサー40の測定値によって、Z
ステージ33をコントロールし、ギャップを所定の値に
設定する。
ステージ33をコントロールし、ギャップを所定の値に
設定する。
次にXYステージ34をLだけ左方に移動してマスク3
6による第1領域の転写を行なう。
6による第1領域の転写を行なう。
第1領域の転写が終るとギャップセンサ40の真下に第
2領域がきているので、再びギャップセンサー40の測
定値によってZステージ33をコントロールする。
2領域がきているので、再びギャップセンサー40の測
定値によってZステージ33をコントロールする。
次にXYステージ34をLだけ左方へ移動してマスク3
6による第2領域の転写を行う。
6による第2領域の転写を行う。
以下、同様にしてくり返して全領域の転写を行なう。
第2実施例を用いると、ウエハの千面度についての情報
を計算機35に記憶する必要がないので計算機の容量は
小さくてすむ。
を計算機35に記憶する必要がないので計算機の容量は
小さくてすむ。
以上の如き本発明によれば、ウエハを走査してウエハ上
の各点の高さを測定する測定手段39,40、該ウエハ
上の各点の高さの値を記憶する記憶千段35、マスクの
下までウエハを移動させ、記憶手段の記憶しているウエ
ハ上の各点の高さに応じてマスクとウエハのギャップを
コントロールする移動千段33,34とを設けたから、
ウエハの周辺部でもマスクとウエハのギャップ設定が可
能となり、ウエハ全面についてマスクのパターンの正し
い転写が行われる。
の各点の高さを測定する測定手段39,40、該ウエハ
上の各点の高さの値を記憶する記憶千段35、マスクの
下までウエハを移動させ、記憶手段の記憶しているウエ
ハ上の各点の高さに応じてマスクとウエハのギャップを
コントロールする移動千段33,34とを設けたから、
ウエハの周辺部でもマスクとウエハのギャップ設定が可
能となり、ウエハ全面についてマスクのパターンの正し
い転写が行われる。
第1図は、第1の従来例であるギャップ設定装置、第2
図は第2の従来例であるギャップ設定装置を示す。 第3図は本発明の第1実施例、第4図は第2実施例を示
す。 主要部分の符号の説明、31・・・ウエハ、32・・・
ウエハホルダ、33・・・Zステージ}・・・移動手段
、34・・・XYステージ}・・・移動手段、35・・
・計算機・・・記憶手段、36・・・マスク、39,4
0・・・ギャップセンサー・・・測定手段。
図は第2の従来例であるギャップ設定装置を示す。 第3図は本発明の第1実施例、第4図は第2実施例を示
す。 主要部分の符号の説明、31・・・ウエハ、32・・・
ウエハホルダ、33・・・Zステージ}・・・移動手段
、34・・・XYステージ}・・・移動手段、35・・
・計算機・・・記憶手段、36・・・マスク、39,4
0・・・ギャップセンサー・・・測定手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスクとウエハを近接させた状態で支持し、マスク
上方より紫外線又は軟X線等を照射してマスクのパター
ンをウエハ面上に塗布された感光剤に転写するプロキシ
ミテイ・アライナーにおいて、ウエハを走査してウエハ
上の各点の高さを測定する測定手段、該ウエハ上の各点
の高さの値を記憶する記憶手段、マスクの下までウエハ
を移動させ、前記記憶手段の記憶しているウエハ上の各
点の高さの値に応じてマスクとウエハのギャップをコン
トロールする移動手段とを設けたことを特徴とするギャ
ップ設定装置。 2 特許請求の範囲第1項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記測定手段をマスクホルダを真空吸着保持す
るマスクテーブル38に少くとも1個組み込んだギャッ
プセンサー39としたことを特徴とするギャップ設定装
置。 3 特許請求の範囲第1項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記測定手段をマスクを真空吸着保持するマス
クホルダ37にl個組み込んだギャツプセンサー40と
したことを特徴とするギャップ設定装置。 4 特許請求の範囲第1項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記移動手段はウエハを前記記憶手段の指令に
よってZ方向に移動するZステージとX方向、Y方向に
移動するXYステージとから成ることを特徴とするギャ
ップ設定装置。 5 特許請求の範囲第3項に記載のギャップ設定装置に
おいて、前記ギャップセンサー40を、マスク36の転
写領域の中心と該センサーの中心の距離を前記マスクの
転写領域Lと等しくなる如くマスクホルダ37に組み込
んだことを特徴とするギャップ設定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54089434A JPS587055B2 (ja) | 1979-07-14 | 1979-07-14 | プロキシミテイ・アライナ−におけるギヤツプ設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54089434A JPS587055B2 (ja) | 1979-07-14 | 1979-07-14 | プロキシミテイ・アライナ−におけるギヤツプ設定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5613726A JPS5613726A (en) | 1981-02-10 |
| JPS587055B2 true JPS587055B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=13970556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54089434A Expired JPS587055B2 (ja) | 1979-07-14 | 1979-07-14 | プロキシミテイ・アライナ−におけるギヤツプ設定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587055B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| JPS5830128A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Hitachi Ltd | ウエハのチヤツク装置 |
| JPS5867026A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Hitachi Ltd | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
| US4431304A (en) * | 1981-11-25 | 1984-02-14 | Mayer Herbert E | Apparatus for the projection copying of mask patterns on a workpiece |
| JPS58175631U (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-24 | 株式会社東芝 | 平行出し装置 |
| JPS5917247A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPH0618168B2 (ja) * | 1985-02-27 | 1994-03-09 | 株式会社日立製作所 | 原画パターンを半導体ウエハ上面に露光する露光方法 |
| CN103631098B (zh) * | 2013-12-23 | 2016-08-17 | 成都虹博宇光电科技有限公司 | 一种非接触式光刻机调平调焦系统、方法和光刻机 |
-
1979
- 1979-07-14 JP JP54089434A patent/JPS587055B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5613726A (en) | 1981-02-10 |
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