JPH02136574A - スプリツト記憶要素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、形状記憶合金から作製された温度作動記憶要
素（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ−ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｍ
ｅｍｏｒｙ　ｅｌｅｍｅｎ　ｔ　）に関する。さらに具
体的には、本発明は、リード線取付部と実質的に汚され
ていないスプリット形状記憶部分を少なくとも有する二
股に分かれた（ｂｉｒｕｒｃａｔｅｄ）記憶要素と、そ
のような二股に分かれた記憶要素を作製する方法に関す
る。

従来の技術 形状記憶効果を示す合金は公知である。例えば、ニッケ
ルーチタン、金−カドミウム、鉄−プラチナ、インジウ
ム−カドミウム、鉄−ニッケル、ニッケルーアルミニュ
ームおよびその他の合金は、形状記憶特性を示すことが
観察されている。これらの合金は、親の相（ｐａｒｅｎ
ｔ　ｐｈａｓｅ）からマルテンサイトへの、あるいは逆
にマルテンサイトから親の相へのマルテンサイト変態に
より、形状記憶効果を示すことが公知である。そのよう
な合金の多数の特性は、例えば、シェフ　パーキンソン
によって編集された「合金における形状記憶効果」、５
８３ページ、ペルナム出版（１９７５年）において議論
されている。

発明が解決しようとする問題点 本発明の開発中、形状記憶合金から作製された温度作動
記憶要素は、何回かの温度作動サイクル後、種々の程度
の機能不全を受けることが観察された。そのような機能
不全は、記憶要素が所定温度に加熱されたとき、逆マル
テンサイト変態中、記憶要素が所定形状を取るように動
くことができないことによって部分的に特徴づけられる
。そのような機能不全は、記憶要素への汚染物質の導入
から生ずることが実験により確かめられた。これらの汚
染物質は、例えば、所定温度に記憶要素を加熱するため
に電流を流す、記憶要素に密着して一体となった導電リ
ード線又は同等物から発生ずるであろう。

記憶要素の汚染は、マルテンサイト変態中、記憶要素か
らなる形状記憶合金の結晶格子へのある種のイオンの導
入から生ずると考えられる。記憶要素に密着して一体と
なった（即ち、ハンダ付は又は溶接された）導電リード
線、ハンダ又は同等物は、該ある種の異質イオン源を提
供する。例えば、銀、カドミウム、鉛、鉄のイオン又は
その他のイオンは、形状記憶合金機構の結晶構造に侵入
しかつ「毒作用を及ぼし」、これによりマルテンサイト
変態中、記憶要素の形状記憶効果機能に障害を与えるか
又はそうでなければ弱めると考えられる。

マルテンサイト変態中、ニッケルーチタン形状記憶合金
にチノール）は、親の相とマルテンサイトの間の無規定
の中間相を有する　「二次変態」を経過する。そのよう
な合金の結晶格子は、異質イオンの移行と拡散を非常に
受けやすい内部構造を提供する。この場合ニチノールの
変態特性と性質の説明のために、Ｆ、　Ｅ、　Ｗａｎｇ
、　Ｗ、　Ｊ、　Ｂｕｅｈｌｅｒおよび５．　Ｊ、　ｐ
ｉｃｋａｒｔによるｒ”ｒ　ｉ　Ｎ　ｉの結晶構造とユ
ニークな′マルテンサイト′転移Ｊ　、Ｊ、　Ａｐ。

Ｐｈｙｓ　、、３６（１９６５年）、及びＦ、　Ｅ、　
Ｗａｎｇｓ　Ｂ。

Ｆ、　ＤｅＳａｖａｇｅおよびＷ、　Ｊ、　Ｂｕｅｈｌ
ｅｒによる　ｒ”ｒｉＮｉ転移における不可逆臨界範囲
Ｊ　、Ｊ、Ａｐ、　Ｐｈｙｓ、、３９（１９６８年）が
参照される。

そのような形状記憶合金機構のイオンの汚染は、マルテ
ンサイト変態中、合金機構を通って汚染イオンが完全に
又は部分的に移行することから生ずると部分的には考え
られる。本質的に、汚染イオンは、リード線取付は地点
において合金機構に侵入し、そしてそれから、個々に又
は「ドミノ」効果により、全体機構中を移行する。本発
明の開発において、合金機構中の比較的低い濃度のその
ようなイオン汚染は、合金機構の形状記憶効果機能を害
する又は弱めるために十分であることが観察された。

本発明の１つの目的は、汚染による重大な機能低下を被
ることなしに、所定転移温度に加熱されたとき、繰り返
し所定形状を取るよう動くように構成された記憶要素を
提供することである。

本発明の別の目的は、変態の間熱サイクルを受けたとき
、汚染による重大な機能低下を被ることなしに、繰り返
し所定形状を取るよう動くことができる、リード線又は
同等物に密着して一体となった（ハンダ付は又は溶接さ
れた）記憶要素を提供することである。

本発明のさらに別の目的は、選択された形状記憶部分に
おける汚染物質濃度レベルが調整されるように、記憶要
素の選択された形状記憶部分の結晶格子への汚染物質の
導入を制御することによって、記憶要素の機能不全を最
少にすることである。

本発明のさらに別の目的は、記憶要素にわたる選択され
たイオン物質又は他の汚染物質の移行を制限するための
記憶要素における障壁手段を形成するために、記憶要素
の選択された部分の結晶構造を分裂させるか、又はそう
でなければ記憶要素の選択された部分を変化させるよう
に記憶要素に作用する方法を提供することである。

本発明の一層の目的は、記憶要素が転移温度に加熱され
るとき、流れる電流の大きさを最小にするように構成さ
れた記憶要素を提供することである。

本発明の別の目的は、電流を記憶要素に導くために使用
されるリード線の断面積を最小にするように構成された
記憶要素を提供することである。

本発明のさらに別の目的は、記憶要素の一方の端部にの
み導電性リード線を取付けるように構成された記憶要素
を提供することである。

問題点を解決するための手段 本発明により、記憶要素は、先端部材と、併置関係に整
列させられた第１の細片部材と第２の細片部材とを含む
。先端部材、第１の細片部材及び第２の細片部材の各々
は、形状記憶合金から作製され、そして特徴的な内部構
造を有する。各細片部材は、先端部材に結合された近位
部分と、遠位部分と、近位部分と遠位部分とを相互連結
する仕切り手段とを含む。各仕切り手段は、先端部材、
第１の細片部材及び第２の細片部分の特徴的な内部構造
とは異種の内部構造を有する。

好ましい実施態様において、各細片部材における異種内
部構造は、近位部分と遠位部分との間の選択イオンの移
行を阻止するように構成される。

細片部材の各遠位部分は、記憶要素を加熱するために使
用される導電リード線に結合される。

使用において、仕切り手段を形成する異種内部構造は、
遠位部分に取付けられた導電リード線に生じモして遠位
部分から近位部分の方に移動するイオンを濾過すると考
えられ、その結果、そのようなイオンは、遠位部分に実
質的に隔離されるか又はそうでなければ遠位部分に含ま
れる。都合の良いことに、そのような汚染は、イオン汚
染により生ずるであろう記憶要素の形状記憶効果機能の
低下を遠位部分に効果的に限定する。こうして、実質的
に汚染されていない近位部分及び先端部分は、たとえ遠
位部分が全く同一の方法によって機能しないとしても、
記憶温度に加熱されたとき、自由に「記憶された」形状
を取る。仕切り手段の異種内部構造は、第１の細片、第
２の細片及び先端部材における該選択イオンの濃度を制
御するために、導電リード線に固有の選択イオンが遠位
部分と、第１の細片、第２の細片と、先端部材との間で
移行することを阻止する手段を提供するために協働する
。こうして、異種内部構造は、マルテンサイト変態を受
けない状態において障壁を提供し、こうしてイオン移行
を伝導せず、例えば、各細片部材の遠位部分から近位部
分及び先端部分にイオンが移行することを防ぐブロック
を提供するために役立つ。

本質的に、各細片部材の遠位部分は協働してリード線取
付部を規定し、そして各細片部材の先端部材と近位部分
は協働して形状記憶部分を規定する。少なくとも形状記
憶部分は、仕切り手段によって提供されたイオン汚染障
壁のために、所定温度に加熱されたとき、所定形状を取
るように動く。

重要なことに、仕切り手段は、少なくとも形状記憶部分
が所定形状を取るように、形状記憶部分を所定温度に加
熱するために、リード線取付部からエネルギーを伝達す
る手段を含む。

また、好ましい実施態様において、絶縁材手段が、先端
部材をバイパスする経路に沿った第１の細片部材と第２
の細片部材との間の電流の伝導を阻止するために、第１
の細片部材と第２の細片部材との間に配置される。例示
的に、第１及び第２の細片部材は協働して先端部材と両
遠位部分の終端部との間に延びている第１及び第２の細
片部材間の空間を規定し、そして絶縁材手段はその空間
内に位置する。

好ましくは、絶縁材手段は、第１の細片部材と第２の細
片手段との間の空間を実質的に満たすように配置される
。絶縁材手段は、第１及び第２の細片部材の少なくとも
近位部分が所定温度に加熱されたとき所定形状を取るよ
う同一方向に同時に動くように、望ましくは、第１の細
片部材と第２の細片部材を一緒に結合するだめの手段を
含む。

本発明の特徴の１つは、記憶要素における第１の細片部
材及び第２の細片部材の各々に仕切り手段を与えること
である。都合の良いことに、仕切り手段は、リード線に
取付けられた遠位部分にイオン汚染を制限することによ
り、先端部材と、第１及び第２の細片部材の近位部分の
形状記憶機能を保存する。こうして、少なくとも先端部
材ど、先端部材に連結された近位部分は、第１及び第２
の細片部材の遠位部分に取付けられたリード線を経て、
第１の細片部材、先端部材及び第２の細片部材を通して
伝導された電流によって、記憶要素の転移温度に加熱さ
れたとき、所定形状を取るように動く。

本発明の別の特徴は、先端部材をバイパスする経路に沿
った電流の伝導を阻止するために、第１の細片部材と第
２の細片部材との間に絶縁材手段を与えることである。

記憶要素は導体であり、そして絶縁材手段を与えること
は、記憶要素によって提供された導体の「有効長」が、
記憶要素自身の実長の代わりに、第１の細片部材と第２
の細片部材の長さ及び先端部材の幅の総和であることを
確実なものとする。

記憶要素の抵抗は、本発明により、有効長を増加させる
ことにより増大され、これにより転移温度への記憶要素
の加熱中、一定電力において記憶要素を通して伝導され
る電流の大きさを減少させる。記憶要素を通して伝導さ
れる電流の大きさを減少することにより、記憶要素に取
付けられた導電リード線の断面積を減少させることが可
能であり、これにより、都合の良いことに、記憶要素と
取付けられたリード線とによって提供されたアセンブリ
ー・パッケージの大きさを最小にし、且つ柔軟性を最大
にする。

本発明のさらに別の特徴は、絶縁材手段内において、第
１の細片部材と第２の細片部材とを一緒に結合する手段
を与えることである。この結合は、記憶要素が転移温度
に加熱されたとき所定形状を取るように、都合の良いこ
とに、第１の細片部材と第２の細片部材の少なくとも近
位部分を同一方向に同時に動かす。

本発明の付加的な目的、特徴、及び利点は、今示された
本発明を実施する最良モードを例示する好ましい実施態
様の以下の詳細な説明を考察することにより、本技術分
野における熟練者には明らかになるであろう。

取付けられたワイヤ・リード線を有する記憶要素に合金
機構が変形された後、形状記憶合金機構の形状記憶効果
特性の維持は、本発明の装置と方法において中心的な重
要性がある。レーザーのようなエネルギー源を使用する
合金機構の区画の処理は、該区画にわたる所定のイオン
物質の大きな移行を阻止するために十分に、該機構の該
区画の結晶構造を分裂（ｃｉｉｓｒｕｐｔｅｄ）又は変
化させる。　「分裂」した区画は熱応力ゾーンであり、
リード線取付部から形状記憶部分への機構中におけるイ
オンの流れ又は移動に対する障壁として作用する。「イ
オン流」障壁は、合金自身の形状記憶効果を弱める働き
をするところのリード線取付部に存在するイオンによる
、形状記憶部分の重大なイオン汚染を防止する補助をす
る。都合の良いことに、そのようなイオン流障壁は、機
構の形状記憶部分の形状記憶効果特性を保存し、記憶機
構の耐久性と耐用寿命を向上させる。

汚染された記憶要素ｌＯが第１図に示される。

各ワイヤ・リード線１２は、従来の結合手段（例えば、
溶接、ハンダ付は等）により接合点１４において記憶要
素ｌＯに接続され、要素を加熱するのために、電気を記
憶要素に伝導する。典型的には、ワイヤ・リード線１２
は銀から作製され、そして部分的に絶縁材１６で被覆さ
れる。例示の実施態様において、熱源が銀ワイヤ・リー
ド線を溶解させるために使用され、これにより記憶要素
へワイヤ・リード線を溶着させる。別の実施態様（図示
されていない）においては、ハンダを、記憶要素へのワ
イヤ・リード線の溶解及び溶着のために使用することが
できる。

矢印１８は、ワイヤ・リード線１２及び／又は結合手段
（ハンダ又は同等物の場合に）から記憶要素１０に伝達
されたイオンの流れを表す。記憶要素１０を含む合金機
構におけるイオン物質１８の存在は、合金機構の形状記
憶効果特性を弱めるために十分な濃度を有する不純物を
生成する。温度作動記憶要素の製造において一般に使用
される形態であるニッケルーチタン合金にチノール）の
イオン汚染は、本発明の開発中、そのような記憶要素の
機能的寿命を制限することが観察された。

分子レベルにおいて、イオン物質は、合金機構の結晶格
子内を迅速に移行し、そして合金機構の結晶格子を汚染
し、合金機構の形状記憶効果特性を十分に害する。その
ようなイオン移動の性質は十分に解明されていないが、
イオンは、個々に又はドミノ効果により、機構を移行す
ると考えられる。イオン物質１８は、ワイヤ・リード線
１２及び／又はハンダ結合手段又は同等物から記憶要素
ＩＯに浸出するかあるいはそうでなければ溶出する、本
質的に、銀、鉛、鉄、又はその他のイオンからなるであ
ろう。

本発明は、記憶要素を、小さな「犠牲的な」第１の部分
と比較的大きな「毒されていない」第２の部分とに分け
る仕切り手段の開発に向けられた。

該第１の部分は、ワイヤ・リード線と結合されたときイ
オン物質１８により後に汚染される部分である。該第２
の部分は、仕切り手段によってイオン汚染から保護され
る部分である。こうして、第２の部分を含む合金機構は
、第１の部分へのワイヤ・リード線の取付けおよび機構
への作動電流の導入の後でさえも、実質的に害されてい
ない形状記憶効果特性を示し続ける。

汚染されていない記憶要素２０中に上記の仕切り手段を
作製する好ましい方法が第２図に示される。エネルギー
源２２は、例えば、二重矢印２３の方向に移動され、破
線２４によって表されたエネルギーの流れを記憶要素２
０の選択部分を通るように方向づけられる。エネルギー
流２４は、例えば、レーザー、電子ビーム、衝撃波、超
音波、マイクロ波、電気容量性手段、ＴＩＧ溶接、抵抗
溶接、又は同等物によって提供される。

エネルギー流２４は、記憶要素２０からなる合金機構の
結晶構造を分裂させるために十分な強さと特性である。

そのような分裂は、局所溶解を生成し、あるいはそうで
なければ合金機構の通常の結晶構造をイオン移行阻止特
性を有する所定の異種構造を提供するように変化させる
のに十分な時間の間継続される。こうして、異なる内部
構造を有する領域が記憶要素２０内に生成される。この
異なる内部構造は無定形であると考えられるが、結晶構
造もまた、適当な仕切り手段を提供することができると
推測される。

銀リード線をニチノール記憶要素に溶接するために必要
とされるよりも、小さな強さと特性を有するエネルギー
流は満足すべきものであることが見いだされた。例えば
、約１．２〜ｌ−９ｋｖの強度は満足すべきものであり
、そして約２．０〜２．７ｋｖの従来の溶接に必要な強
度よりも僅かに小さい。

もしもエネルギー流の強度が非常に大きいならば、抵抗
の増加した領域が熱応力仕切り領域において形成される
であろう。そしてこれにより非所望の熱点が生成するで
あろう。そのようなエネルギー流２４を提供するために
適する装置の選択と操作は、本技術分野における当業者
には公知である。

上記の方法を使用して生産された記憶要素２０における
２つの内部構造の配置の１つが第３図に示される。エネ
ルギー流２４によって生成された仕切り手段２６は、記
憶要素２０を二股に分け、リード線取付部２８と形状記
憶部分３０を与える。

リード線取付部２８と形状記憶部分３０は、記憶要素２
０を含む合金機構の通常の結晶内部構造からなり、一方
仕切り手段２６は熱応力異種内部構造からなる。特に、
異種内部構造は、リード線取付部２８と形状記憶部分３
０の間の選択イオンの移行を阻止するように構成される
。

好ましい完全な記憶アセンブリ３２が第４図に示される
。実際に、記憶要素が所定の形状を取るために動くよう
に記憶要素を所定温度に加熱する手段を提供するために
、熱応力仕切り手段の形成の後、ワイヤ・リード線１２
を記ｔα要素の各端部に接続する。米国特許第４．５４
３．０００号と第４．６０１，７０５号、及び１９８６
年６月５日出願の米国特許出願第０６／８７０，９２６
号は、本発明の方法による処理に適する記憶要素とその
ような記憶要素の作動環境を開示し、そして参照のため
にここに編入される。

動作において、電力がリード線取付部２８に提供され、
第４図における記憶要素を十分に加熱し、記憶要素から
なる合金機構の逆マルテンサイト変態を誘導する。しか
し、ワイヤ・リード線１２及び／又はハンダ結合手段か
らリード線取付部２８に伝達されたイオン物質１８は、
形状記憶部分３０への移動を防止するための仕切り手段
２６によって実質的に阻止される。こうして、形状記憶
部分３０は、記憶要素からなる基本合金機構の形状記憶
効果特性を保持する。

重要なことは、仕切り手段２６は、形状記憶部分３０へ
の電流の流れを実質的に抑制することなしに、選択され
たイオン物質１８を濾過するために作用する変化させら
れた内部構造を有することである。こうして、記憶要素
２０の選択部分をエネルギー２４に暴露することは、そ
のような機構の電気伝導率又は機械的特性を実質的に変
化させることなしに、記憶要素２０からなる合金機構の
分子構造を幾らか変化させる作用をする。

適用された電流は形状記憶部分３０からなる合金機構を
変態温度に加熱し、これによって該部分３０が所定形状
を取るために動く結果を生じさせることが認識されよう
。それ自体の形状記憶効果特性により機能する記憶要素
の動作は、イオン毒又はイオン汚染から生ずるリード線
取付部２８０部分的又は完全な障害により実質的に害さ
れない。

というのは、形状記憶部分３０がリード線取付部２８の
いづれよりも寸法的に大きいからである。

実施例 ニチノール要素と銀リード線を、アルミニューム取付は
具により互いに十分な接触状態でしっかりと保持する。

取付は具は、アルゴン・ガス流を入れるだめの穴を頂部
に含むように形成される。

Ｎｄをドープしたガラスのレーザーヘッドによって提供
されたレーザー・ヒームを、ニチノール記憶要素２０に
おいて障壁領域２６を生成するために使用する。記憶要
素２０の選択された部分は、領域２６を生成するために
、約１．２乃至１．９ｋｖのレーザー強度に暴露される
。代表的な溶接に必要な強度は、約２．０乃至２．７ｋ
ｖである。暴露持続時間は、毎分約３０パルスであり、
そして目標である記憶要素は、パルスの間機械的に移動
させられる。

幾つかのニチノール記憶要素中の銀濃度の分析によって
、本発明の方法により作製されたニチノール記憶要素に
備えられた障壁２６のイオン移行阻止効果が示される。

この分析の目的のために、「障壁を有さない」記憶要素
は従来のニチノール記憶要素を意味し、一方「障壁を有
する」記憶要素は、仕切り２６を形成するために、レー
ザー・エネルギー源２２を使用して処理されたニチノー
ル記憶要素を意味する。各障壁を有さない記憶要素の中
央部分の断片と、各障壁を有する記憶要素の形状記憶部
分３０の断片を、従来の黒鉛炉原子吸収技術と銀濃度を
測定するための計測機器を使用して分析した。

上記の分析によって、検査番号１−４に対して次の結果
が得られた。

（１）銀リード線が取付けられた障壁を有さない記憶要
素は、７２ｐｐｍの銀成分を宵した。

（２）銀リード線が取付けられ、温度作動サイクルに暴
露された障壁を有する記憶要素は、僅か５ｐｐｍの銀成
分を有した。

（３）銀リード線を取付けられ［温度作動サイクル暴露
前」の障壁を有する記憶要素は、僅か３゜８　ｐｐｍの
銀成分を有した。

（４）リード線を取付けられていない［温度作動サイク
ル暴露前］の障壁を有する記憶要素は、２゜６　ｐｐｍ
の銀成分を有した。

「毒化された」リード線取付部２８から　「汚染されて
いない」形状記憶部分３０への銀イオンの移行の減少は
、検査番号Ｎｏ、ｌ（上記（１）の結果）に比較して、
検査番号ＮＯ，２とＮｏ、３　　（上記（２）および（
３）の結果）における銀濃度の減少によって明らかであ
る。従って、この例示のデータは、本発明により処理さ
れたニチノール記憶要素のリード線取付部２８と形状記
憶部分３０の間の選択された銀イオンの移動を障壁２６
は効果的に阻止することを示す。

障壁を有さない記憶要素に比較して、障壁を有する記憶
要素の形状記憶効果機能における改良を第６図に示す。

各記憶要素の温度に対する３つの異なるニチノール記憶
要素の遠位先端によって生成された力のプロットを第６
図に示す。第６図に示したように、これらの３つの要素
は、　（１）本発明により作製された障壁を有する記憶
要素：（２）溶接されたリード線を有し障壁を有さない
記憶要素”Ａ”、および（３）ハンダ付けされたリード
線を有し障壁を有さない記憶要素“Ｂ”からなる。

第６図における温度範囲”　Ｒ”は、３７°Ｃ乃至５０
°Ｃの標準的な記憶要素動作温度の範囲を表す。

上記の障壁を有する記憶要素および障壁を有さない記憶
要素の各々は、検査の前に、複数のマルテンサイト変態
サイクルを経過した結果として、「温度作動サイクル」
に暴露された。

第１図と第４図に示された形式の各記憶要素の先端は、
記憶要素の先端を保持する遠位端部が所定形状を取るよ
うに動くとき、力を先端の接触力測定センサーに及ぼす
ことが理解されよう。例えば、所定の曲った形状が、マ
ツコイ　（ＭｃＣｏｙ）への米国特許筒４，５４３，０
９０号に示される。

第６図に示したように、溶接された銀リード線を有し障
壁を有する記憶要素は、溶接又はハンダ付けされた銀リ
ード線を有し障壁を有さない記憶要素よりも、広範囲の
適用温度にわたって実質的に大きな先端力を生成する。

このデータは、障壁を有する記憶要素は、等しい温度に
おいて障壁を有さない記憶要素よりも実質的に大きな移
動誘導先端力を及ぼすので、形状記憶効果が、障壁を有
さない記憶要素におけるよりも障壁を有する記憶要素に
おいてより明白であることを示唆する。言い換えれば、
そのような記憶要素の先端力は、所定転移温度に暴露さ
れたとき所定形状を取るために、記憶要素が動く能力の
信頼性の指標を与える。

実際に、そのような能力は、先端力の増加に比例して増
加する。従って、従来の障壁を有さない記憶要素に対し
て障壁を有する記憶要素の動作における優位な改良は明
白である。

エネルギー処理された汚染されていない記憶要素２０の
別の代表的な実施態様を第５図に示す。

仕切り手段１２６の向きは、記憶要素１２０に関して変
化させられるが、仕切り手段１２６は、イオン物質１１
８とリード線取付部１２８を隔離するために、記憶要素
１２０を二股に分は続け、これにより形状記憶部分１３
０への移行を防止する。

仕切り手段は、本発明の耐久性強化機能を与えるために
、記憶要素１２０に関して多様な姿勢において方向づけ
ることかできることが期待される。

第７図と第８図の実施態様は、一対の記憶要素１１０と
２１０を示し、第１〜５図の実施態様に関連して開示さ
れたイオン汚染障壁手段を含むように形成される。こう
して、これらの記憶要素１１０と２１０の各々は、イオ
ン汚染又は同等物による重大な機能的劣化を被ることな
しに、特徴的な転移温度に加熱されたとき、所定の形状
を取るように動くことができる。

さらに、記憶要素１１０と２１０の各々は、導体であり
、そして第１図の記憶要素ＩＯのように構成された同一
の質量及び表面領域の記憶要素に比較して、抵抗を増大
させるために、本発明によりスプリットを入れられる。

本質的に、このような抵抗の増大は、使用時記憶要素１
１０．２１０を流れる電流を減少させ、これにより電気
を記憶要素に伝導させるために使用するリード線の断面
積の大きさの大きな減少を許容する。記憶要素アセンブ
リーの小形化と柔軟性は、都合の良いことに、記憶要素
リード線の断面積を減少することにより、最大にされる
。

第７図を参照すると、記憶要素１１０は、ニチノールの
ような形状記憶合金から作製され、そして第１の脚又は
細片部材１１２と、第２の脚又は細片部材１１４とを含
む。記憶要素１１０はまた、第１の細片部材１１２の近
位部分１１８と、第２の細片部材１１４の近位部分１２
０に一体的に連結された先端部材１１６を含み、その結
果第１の細片部材１１２と第２の細片部材１１４とは、
第７図に示されたように、間隔をあけた平行関係に整列
させられる。

第１のワイヤ・リード線１２２は、従来の連結手段（例
えば、溶接、半田付は等）によって接合部１２６におい
て第１の細片部材１１２の遠位部分１２４に連結され、
そして第２のワイヤ・リード線１２８は、要素を加熱す
る目的のために、電気を記憶要素に伝導する従来の連結
手段を使用して、接合部１３２において第２の細片部材
１１４の遠位部分１３０に連結される。典型的に、ワイ
ヤ・リード線１２２と１２８は銀から作製され、そして
絶縁材１３４で部分的に覆われる。

記憶要素１１０におけるイオン汚染障壁又は仕切り手段
は、第１〜５図の実施態様に関連して開示された技術を
使用することにより設けられ、近位又は形状記憶部分１
１８と遠位又はリード線取付部１２４の間の境界面にお
いて第１の細片部材１１２中に第１の障壁手段１３６が
形成され、近位又は形状記憶部分１２０と遠位又はリー
ド線取付部１３０の間の境界面において第２の細片部材
１１４中に第２の障壁手段１３８が形成される。

このようにして、第１及び第２の障壁手段１３６．１３
８は協働して遠位部分１２４．１３０と近位部分１１８
．１２０との間の選択イオンの移行を阻止し、近位部分
１１８．１２０と先端部材１１６を具備する基本合金の
形状記憶効果特性を保存する。

電気絶縁材１４０は、間隔をあけられた平行な第１の細
片部材１１２と第２の細片部材１１４との間に設けられ
た縦に延びている空間又はスリット１４２に配置される
。絶縁材１４０は、先端部材１１６による経路を除いて
、第１の細片部材ｌ１２と第２の細片部材１１４との間
の電気的連絡を阻止するように作用する。こうして、第
１のリード線１２２は、第１の細片部材１１２、先端部
材１１６及び第２の細片部材１１４によって直列に設け
られた伝導経路に沿って、第２のリード線１２８に電気
的に結合される。こうして、部材１１２．１１６及び１
１４は協働してＵ形状の形状記憶部分を規定し、この場
合先端部材１１６はＵ形状の形状記憶部分の屈曲部を形
成する。

絶縁材１４０は、第１の細片部材１１２と第２の細片部
材１１４とを一緒に結合するように機能する材料から作
製され、その結果、第１及び第２の細片部材１１２．１
１４の近位部分１１８．１２０は、記憶要素１１０が転
移温度に加熱されたとき、同一方向に同時に動き、所定
の形状を取る。

例えば、ウレタンは、柔軟性を有する適切な絶縁材であ
り、且つ満足すべき結合強度を与える。代替的に、エポ
キシ樹脂、ポリイミド及びその他の結合絶縁材料をまた
絶縁材１４０を提供するために使用することができる。

本発明によるスプリット記憶要素１１０が第７図に示さ
れる。第１図の記憶要素ＩＯに対するこのスプリット設
計の利点の１つは、記憶要素ｌＯと１１０が同一の質量
と表面領域を有すると仮定したとき、記憶要素１１０に
おける電流の流れが、記憶要素ＩＯの約２分の１である
ことである。こうして、第７図におけるリード線１２２
と１２８の断面積は、スプリット記憶要素１１０を流れ
る電流のかなりの減少のために、第１図のリード線１２
の断面積よりもかなり小さくすることができる。この電
流減少は、同じ質量と表面領域の記憶要素１０に比較し
て、４の因子だけ記憶要素の抵抗を増大させるために、
記憶要素１１０のスプリット構成によってもたらされる
。

導電体の抵抗は導体の長さに正比例しそして断面積に逆
比例することが、本技術分野における当業者には認識さ
れよう。結果的に、長さ１１断面積Ａ１及び抵抗率ρの
導体は、次式によって与えられる抵抗Ｒを有する。

Ｒ＝ρ　１／Ａ 記憶要素１１０の有効長は、記憶要素１１０のスプリッ
ト構成のために、記憶要素ｌＯの有効長の約２倍である
ことが認識されよう。さらに、記憶要素１１０の断面積
は、゛記憶要素１０の２分の１である。このため、前述
の式により、記憶要素１１０の抵抗は、記憶要素１１０
と１０が同一表面領域を有し且つ同一形状記憶合金から
作製されると仮定すると、記憶要素ｌｏの抵抗の約４倍
である。

さらに、記憶要素１１０とｌＯの各々の温度を転移温度
に上昇させるｔ；めに必要とされる電力がほぼ同一であ
ると仮定すると、記憶要素１１０を流れる電流と記憶要
素１０の電流の比は、次式により決定される。

Ｐ＝１２Ｒ ここで、Ｐは記憶要素に適用された電力、ｉは記憶要素
に流れる電流、Ｒは記憶要素の抵抗、である。

こうして、前述の式を使用して、記憶要素１１０中の電
流の関数としての記憶要素１１０における電流の大きさ
の計算により、記憶要素１１０における電流の大きさは
記憶要素１０の電流の大きさの２分の１であることが示
される。都合の良いことに、より小さな断面積のリード
線を、電気を記憶要素１１０に伝導させるために使用す
ることができる。リード線が細ければ細いほど、取付け
られたリード線を有する記憶要素を具備するパッケージ
は、より小形且つ柔軟になる。

スプリット記憶要素１１０の別の利点は、両リード線１
２２．１２８が、記憶要素Ｉｌｏの一方の端部にのみ取
付けられることである。これはまた、記憶要素パッケー
ジの小形化を改良する。

第８図に示された本発明の別の実施態様において、第１
〜７図と同一の番号によって参照される要素は、同−又
は類似の機能を行う。第８図に示されたように、スプリ
ット記憶要素２１０は、ニチノールのような形状記憶合
金から作製され、分離した第２の脚２１４に間隔をあけ
られた平行な関係に整列された第１の脚２１２を含む。

スプリット記憶要素２１０は、第８図に示されたように
、概ねＶ形状の記憶要素の屈曲部を形成するために、連
結手段２２０を使用して、脚２１２．２１４の２つの端
部２１６．２１８を一緒に溶接するが、あるいはそうで
なければ−緒に連結することにより形成される。スプリ
ット記憶要素２１０は、絶縁材１４０と第１及び第２の
障壁手段１３６．１３８を備えるために、スプリット記
憶要素１１０と同一方法にて機能する。

本発明を、好ましい実施態様と特定の実施例を参照して
詳細に記載したが、変形と修正が、特許請求の範囲に記
載かつ規定されたような本発明の範囲と精神内で存在す
る。

本発明の主なる特徴および態様は以下のとおりである。

１、先端部材と、併置関係に整列させられた第１の細片
部材と第２の細片部材とを具備し、先端部材、第１の細
片部材及び第２の細片部材の各々は、形状記憶合金から
作製され、そして特徴的な内部構造を有し、 各細片部材は、先端部材に結合された近位部分と、遠位
部分と、近位部分と遠位部分を相互連結する仕切り手段
とを含み、 各仕切り手段は、先端部材、第１の細片部材及び第２の
細片部分の特徴的な内部構造とは異種の内部構造を有す
る記憶要素。

２、各細片部材における異種内部構造は、細片部材の近
位部分と遠位部分との間で選択イオンの移行を阻止する
ように構成されている上記ｌに記載の記憶要素。

３、遠位部分の各々に連結された導電リード線を更に具
備し、仕切り手段の異種内部構造は、第１の細片部材、
第２の細片部材及び先端部材における前記選択イオンの
濃度を制御するために、導電リード線に固有の選択イオ
ンが第１の細片部材、第２の細片部材及び先端部材と遠
位部分との間を移行することを阻止する手段を提供する
ために協働する上記ｌに記載の記憶要素。

４、遠位部分は協働してリード線取付部を規定し、先端
部材と近位部分とは協働して形状記憶部分を規定し、少
なくとも形状記憶部分は、所定温度に加熱されたとき、
所定形状を取るように動き、そして仕切り手段は、少な
くとも形状記憶部分が所定形状を取るように形状記憶部
分を所定温度に加熱するために、リード線取付部からエ
ネルギーを伝達する手段を含む上記ｌに記載の記憶要素
。

５、第１及び第２の細片部材は、先端部材と両遠位部分
の終端部との間に延びている空間をその間に規定するよ
うに、互いに関して整列させられている上記ｌに記載の
記憶要素。

６、先端部材をバイパスする経路に沿った第１の細片部
分とＬＨ２の細片部材との間の電流の伝導を阻止するた
めに、第１の細片部分と第２の細片部材との間に配置さ
れた絶縁材手段を更に具備する上記ｌに記載の記憶要素
。

７、第１及び第２の細片部材は協働して先端部材と両遠
位部分の終端部との間に延びている空間をその間に規定
し、そして絶縁材手段が該空間に位置する上記６に記載
の記憶要素。

８、絶縁材手段が実質的に前記空間を満たすために配置
されている上記７に記載の記憶要素。

９、絶縁材手段は、所定の温度に加熱されたとき第１及
び第２の細片部材の少なくとも近位部分が所定の形状を
取るよう同時に動くように、第１及び第２の細片手段を
一緒に結合する手段を含む上記６に記載の記憶要素。

ｌＯ９第１及び第２の導電リード線と、第１の細片部材
に電流を導入するために、第１の細片部材の遠位部分に
第１の導電リード線を結合するための第１の連結手段と
、 第２の細片部材を接地するために、第２の細片部材の遠
位部分に第２の導電リード線を結合するための第２の連
結手段とを更に具備し、第１の細片部材における仕切り
手段の異種内部構造は、第１の細片部材の遠位部分に導
入された電流を、第１の細片部材の近位部分に伝達する
手段を提供するように構成され、そして、第２の細片部
材における仕切り手段の異種内部構造は、第１の細片部
材の近位部分と先端部材を経て第２の細片部材の近位部
分に伝導される電流を、第２の細片部材の接地された遠
位部分に伝達する手段を提供するように構成され、 その結果、少なくとも先端部材と第１及び第２の細片部
材の近位部分とが、伝導された電流によって所定温度に
加熱されたとき、所定形状を取るように動く上記９に記
載の記憶要素。

１１、第１及び第２の導電リード線と、第１の細片部材
に電流を導入するために、第１の細片部材の遠位部分に
第１の導電リード線を結合するための第１の連結手段と
、 第２の細片部材を接地するために、第２の細片部材の遠
位部分に第２の導電リード線を結合するための第２の連
結手段とを更に具備し、第１の細片部材における仕切り
手段の異種内部構造は、第１の細片部材の遠位部分に導
入された電流を、第１の細片部材の近位部分に伝達する
手段を提供するように構成され、そして、第２の細片部
材における仕切り手段の異種内部構造は、第１の細片部
材の近位部分と先端部材を経て第２の細片部材の近位部
分に伝導される電流を、第２の細片部材の接地された遠
位部分に伝達する手段を提供するように構成され、 その結果、少なくとも先端部材と第１及び第２の細片部
材の近位部分とが、伝導された電流によって所定温度に
加熱されたとき、所定形状を取るように動く上記ｌに記
載の記憶要素。

１２、第１及び第２のリード線取付部と、近位端部と遠
位端部を各々含む第１及び第２の脚部材と、第１及び第
２の脚部材の近位端部を相互連結する屈曲部材とを含む
Ｕ形状の形状記憶部分と、 形状記憶部分における選択イオンの濃度を制御するため
に、第１のリード線取付部から形状記憶部分への選択イ
オンの移行を阻止する、第１のリード線取付部と第１の
脚部材の遠位端部とを相互連結する第１の障壁手段と、 形状記憶部分における選択イオンの濃度を制御するため
に、第２のリード線取付部から形状記憶部分への選択イ
オンの移行を阻止する、第２のリード線取付部と第２の
脚部材の遠位端部とを相互連結する第２の障壁手段とを
具備し、 リード線取付部と形状記憶部分と第１及び第２の障壁手
段は形状記憶合金から作製される記憶要素。

１３、形状記憶部分及びリード線取付部の各々は特徴的
な内部構造を有し、そして第１及び第２の障壁手段は異
種の内部構造を有する上記１２に記載の記憶要素。

１４、屈曲部材をバイパスする経路に沿った、第１の脚
部材及び第１のリード線取付部を含む第１の要素区画と
、第２の脚部材及び第２のリード線取付部を含む第２の
要素区画との間の電流の伝導を阻止するために、第１の
細片部材と第２の細片部材との間に配置された絶縁材手
段を更に具備する上記１２に記載の記憶要素。

１５、屈曲部材をバイパスする第１の脚部材と第２の脚
部材との間の導電経路を確立することなく、第１の脚部
材を第２の脚部材に結合するための絶縁材手段を更に具
備する上記１２に記載の記憶要素。

１６、屈曲部材をバイパスする第１のリード線取付部と
第２のリード線取付部との間の導電経路を確立すること
なく、第１のリード線取付部を第２のリード線取付部に
結合するための絶縁材手段を更に具備する上記１２に記
載の記憶要素。

１７、第１及び第２の導電リード線と、電流を記憶要素
に流すために、第１の導電リード線を第１のリード線取
付部に結合するための第１の連結手段と、 記憶要素を接地するために、第２の導電リード線を第２
のリード線取付部に結合するだめの第２の連結手段とを
更に具備する上記１２に記載の記憶要素。

１８、第１の障壁手段は、第１のリード線取付部に導入
された電流を第１の脚部材に伝達するための手段を提供
するように構成され、そして、第２の障壁手段は、第２
の脚部材に伝導された電流を接地された第２のリード線
取付部に伝達するための手段を提供するように構成され
、その結果、少なくとも形状記憶部分は、伝導された電
流によって所定の温度に加熱されたとき、所定の形状を
取るように動く上記１７に記載の記憶要素。

１９、形状記憶合金から作製され、そして第１のリード
線取付部と、第１の形状記憶部分と、第１のリード線取
付部と第１の形状記憶部分とを相互連結する第１の仕切
り手段を含む第１の細片部材と、 形状記憶合金から作製され、そして第２のリード線取付
部と、第２の形状記憶部分と、第２リード線取付部と第
２の形状記憶部分とを相互連結する第２の仕切り手段を
含む第２の細片部材と、第１の形状記憶部分と第２の形
状記憶部分とを相互連結し、第１の形状記憶部分におけ
る電流を第２の形状記憶部分に伝導する手段とを具備す
る記憶要素。

２０、形状記憶合金は第１の内部構造を有し、各リード
線取付部と各形状記憶部分は該第１の内部構造を有し、 各仕切り手段は異種の第２の内部構造を有し、第１の仕
切り手段は、第１のリード線取付部と第１の形状記憶部
分との間の第１の内部構造の選択された部分をエネルギ
ー源に暴露することにより形成され、そして、 第２の仕切り手段は、第２のリード線取付部と第２の形
状記憶部分との間の第１の内部構造の選択された部分を
エネルギー源に暴露することにより形成される上記１９
に記載の記憶要素。

２１、前記各エネルギー源はレーザーである上記２０に
記載の記憶要素。

２２、伝導手段と第１及び第２の細片部材は、形状記憶
合金から作製された単一部材から一体的に形成されてい
る上記１９に記載の記憶要素。

２３、単一部材はＵ形状であり、第１及び第２の細片部
材は協働してＵ形状部材の脚を規定し、そして伝導手段
はＵ形状部材の脚を相互連結する屈曲部を規定するよう
に構成されている上記２２に記載の記憶要素。

２４、第１の細片部材と第２の細片部材とは、間隔をあ
けられた平行関係に配置され、そして、伝導手段によっ
て提供された電気的連絡とは別に、第２の細片部材のリ
ード線取付部及び形状記憶部分と、第１の細片部材のリ
ード線取付部及び形状記憶部分との電気的連絡の確立を
防止するための絶縁材手段を更に具備し、 絶縁材手段は、間隔をあけられた第１の細片部材と第２
の細片部材との間に規定された空間に配置されている上
記２３に記載の記憶要素。

２５、少なくとも伝導手段と第１及び第２の形状記憶部
分が、所定の温度に加熱されたとき、所定の形状を取る
よう同時に動くように、絶縁材手段は、少なくとも第１
及び第２の形状記憶部分を一緒に結合する手段を含む上
記２４に記載の記憶要素。

２６、伝導手段は第１の形状記憶部分の遠位端部を第２
の形状記憶部分の遠位端部に溶接することにより形成さ
れ、一方、第１及び第２の形状記憶部分は、併置された
間隔をあけられた関係に整列されている上記１９に記載
の記憶要素。

２７、伝導手段と第１及び第２の細片部材は協働して第
１の細片部材と第２の細片部材との間に設けられた縦に
延びている空間を有する実質的にＵ形状部材を規定する
上記２６に記載の記憶要素。

２８、伝導手段をバイパスする経路に沿った、隣接する
リード線取付部の間及び隣接する形状記憶部分の間の電
気的伝導を阻止するために、縦に延びている空間に配置
された絶縁材手段を更に具備する上記２７に記載の記憶
要素。

２９、少なくとも伝導手段と第１及び第２の形状記憶部
分が、所定の温度に加熱されたとき、所定の形状を取る
よう同時に動くように、絶縁材手段は、少なくとも第１
及び第２形状記憶部分を一緒に結合するだめの手段を含
む上記２８に記載の記憶要素。

３０、温度作動記憶要素を作製する方法であって、 結晶構造を有する形状記憶合金から作製された細長いＵ
形状機構を用意し、 ここで、該Ｕ形状機構は、一対の縦に延びている脚及び
一対の該脚を相互連結する屈曲部とを規定するために、
該機構の一方の端部から該機構の他方の端部に極めて近
接した点まで、該機構の縦軸に沿って延びているスリッ
トを有し、 前記機構の第１の脚の第１の選択部分をエネルギー源に
暴露し、第１の脚を、屈曲部に結合された近位の第１の
形状記憶部分と、遠位の第１のリード線取付部とに分け
、 前記機構の第２の脚の第２の選択部分をエネルギー源に
暴露し、第２の脚を、屈曲部に結合された近位の第２の
形状記憶部分と、遠位の第２のす−ド線取付部とに分け
、 第１及び第２の選択部分の結晶構造を分裂させるために
十分な少なくとも所定時間の長さの間、暴露段階を継続
させ、各リード線取付部と相伴形状記憶部分との間の選
択イオンの移行を阻止するように構成された異種構造を
与えるために、結晶構造を変化させる段階とを含む方法
。

３１、スリットを横切って延びている経路に沿った一対
の脚の間の電気的伝導を阻止するために、スリットに絶
縁材を挿入する段階を更に含む上記３０に記載の方法。

３２、前記用意する段階は、 形状記憶合金の単体サンプルを供給する段階と、縦に延
びている一対の脚と屈曲部が形成されるように、スリッ
トを規定するために単体サンプルを縦軸に沿って切断す
る段階とを含む上記３０に記載の方法。

３３、前記用意する段階は、 形状記憶合金から作製された一対の細長い細片を供給す
る段階と、 第１の形状記憶部分の遠位端部が第２の形状記憶部分の
遠位端部に隣接するように、該細片を併置関係に整列さ
せる段階と、 屈曲部を規定するために、第１及び第２の形状記憶部分
の遠位端部を一緒に溶接する段階と含む上記３０に記載
の方法。

３４、導電リード線を第１のリード線取付部に接続し、
別の導電リード線を第２のリード線取付部に接続する段
階を更に含み、 該接続段階は、電流を前記機構に適用する手段を提供す
るための暴露及びそれに継続する段階の後に行われ、第
１及び第２の選択部分の各々は、相伴リード線取付部及
び形状記憶部分の中間に仕切りを提供し、導電リード線
がらり一ド線取付部に伝導された選択イオンをリード線
取付部において隔離する上記３０に記載の方法。

【図面の簡単な説明】

第１図は、汚染された記憶要素の斜視図。 第２図は、レーザー・ビームによって発生したエネルギ
ーへ暴露中の記憶要素の斜視図。 第３図は、本発明の第１の実施態様を示す第２図の線３
−３に沿って取られた拡大された断面図であり、間隔を
あけられたリード線取付部および形状記憶部分の同様な
内部構造と比較したとき、仕切り手段の異種内部構造を
示す。 第４図は、遠位の第１の部分の各々へのワイヤ・リード
線の取付けの後の第３図の記憶要素の拡大斜視図。 第５図は、本発明の第２実施態様を示す、第３図に示さ
れた図に類似した断面図。 第６図は、何回かの温度作動サイクルを受けた記憶要素
の、要素温度に対する要素の先端のカをスリットしたグ
ラフ図であり、従来の記憶要素に比較した場合、本発明
により作製された記憶要素の改良された動作を示す。 第７図は、スプリット記憶要素の１つの構成を示す、本
発明の別の実施態様の平面図。 第８図は、スプリット記憶要素の別の構成を示す、第７
図に類似する図。 ｔｏ、２０１．１１０．１２０．　２１０−・・・記憶
要素、 ２．１２２、＋２８・・・・ワイヤ・リード線、４・・
・・接合点、 ６．１３４・・・・絶縁材、 ８．１１８・・・・イオン物質、 ２・・・・エネルギー源、 ４・・・・エネルギー流、 ６．１２６．１３６．１３８・・・・仕切り手段、８．
１２８・・・・リード線取付部、 ０．１３０・・・・形状記憶部分、 ２・・・・記憶アセンブリー １２・・・・第１の細片部材、 １４・・・・第２の細片部材、 １６・・・・先端部材、 ２６．１３２・・・・接合部、 ４０・・・・電気絶縁材、 １２・・・・第１の脚、 １４・・・・第２の脚、 ２０・・・・連結手段、 １６．２１８・・・・端部。 Ｆ’）ｒに３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、先端部材と、併置関係に整列させられた第１の細片
   部材と第２の細片部材とを具備し、先端部材、第１の細
   片部材及び第２の細片部材の各々は、形状記憶合金から
   作製され、そして特徴的な内部構造を有し、 各細片部材は、先端部材に結合された近位部分と、遠位
   部分と、近位部分と遠位部分を相互連結する仕切り手段
   とを含み、 各仕切り手段は、先端部材、第１の細片部材及び第２の
   細片部分の特徴的な内部構造とは異種の内部構造を有す
   る記憶要素。 ２、第１及び第２のリード線取付部と、 近位端部と遠位端部を各々含む第１及び第２の脚部材と
   、第１及び第２の脚部材の近位端部を相互連結する屈曲
   部材とを含むＵ形状の形状記憶部分と、 形状記憶部分における選択イオンの濃度を制御するため
   に、第１のリード線取付部から形状記憶部分への選択イ
   オンの移行を阻止する、第１のリード線取付部と第１の
   脚部材の遠位端部とを相互連結する第１の障壁手段と、 形状記憶部分における選択イオンの濃度を制御するため
   に、第２のリード線取付部から形状記憶部分への選択イ
   オンの移行を阻止する、第２のリード線取付部と第２の
   脚部材の遠位端部とを相互連結する第２の障壁手段とを
   具備し、 リード線取付部と形状記憶部分と第１及び第２の障壁手
   段は形状記憶合金から作製される記憶要素。 ３、形状記憶合金から作製され、そして第１のリード線
   取付部と、第１の形状記憶部分と、第１のリード線取付
   部と第１の形状記憶部分とを相互連結する第１の仕切り
   手段を含む第１の細片部材と、 形状記憶合金から作製され、そして第２のリード線取付
   部と、第２の形状記憶部分と、第２リード線取付部と第
   ２の形状記憶部分とを相互連結する第２の仕切り手段を
   含む第２の細片部材と、第１の形状記憶部分と第２の形
   状記憶部分とを相互連結し、第１の形状記憶部分におけ
   る電流を第２の形状記憶部分に伝導する手段とを具備す
   る記憶要素。 ４、温度作動記憶要素を作製する方法であって、結晶構
   造を有する形状記憶合金から作製された細長いＵ形状機
   構を用意し、 ここで、該Ｕ形状機構は、一対の縦に延び ている脚及び一対の該脚を相互連結する屈曲部とを規定
   するために、該機構の一方の端部から該機構の他方の端
   部に極めて近接した点まで、該機構の縦軸に沿って延び
   ているスリットを有し、 前記機構の第１の脚の第１の選択部分をエネルギー源に
   暴露し、第１の脚を、屈曲部に結合された近位の第１の
   形状記憶部分と、遠位の第１のリード線取付部とに分け
   、 前記機構の第２の脚の第２の選択部分をエネルギー源に
   暴露し、第２の脚を、屈曲部に結合された近位の第２の
   形状記憶部分と、遠位の第２のリード線取付部とに分け
   、 第１及び第２の選択部分の結晶構造を分裂させるために
   十分な少なくとも所定時間の長さの間、暴露段階を継続
   させ、各リード線取付部と相伴形状記憶部分との間の選
   択イオンの移行を阻止するように構成された異種構造を
   与えるために、結晶構造を変化させる段階とを含む方法
   。