JPH02137069U - - Google Patents

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JPH02137069U
JPH02137069U JP4424489U JP4424489U JPH02137069U JP H02137069 U JPH02137069 U JP H02137069U JP 4424489 U JP4424489 U JP 4424489U JP 4424489 U JP4424489 U JP 4424489U JP H02137069 U JPH02137069 U JP H02137069U
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JP
Japan
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land
protective layer
conductor
lead terminal
ceramic substrate
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Application number
JP4424489U
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の正面図、第２図は
第１図で示される実施例の断面図、第３図は本考
案の他の実施例の正面図、第４図は第３図で示さ
れる実施例の断面図、第５図は典型的な従来技術
の正面図、第６図は第５図で示される従来技術の
断面図、第７図は従来技術の問題点を説明するた
めの温度差のサイクルを示す図、第８図は従来技
術の問題点を説明するための断面図、第９図は他
の従来技術を説明するための断面図、第１０図は
さらに他の従来技術を説明するための断面図であ
る。 １１…セラミツク基板、１２…導体、１３…ラ
ンド、１３ａ…取付部、１４…保護層、１４ａ…
突出部、１４ｂ…ドツト部、１５…電子部品、１
６…端子、１７…半田、１８…ハイブリツト集積
回路基板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) セラミツク基板上にランドを形成し、 前記ランド上に入り込んだ保護層を形成し、 前記ランドには、該ランドよりも狭い幅の導体
    が接続され、 前記保護層は、ランドと導体との接続部付近ま
    で延びて形成され、 ランド上にリード端子を配置し、該リード端子
    をランドの保護層から露出した部分にわたつて半
    田付けすることを特徴とするセラミツク基板の半
    田付け構造。 (2) セラミツク基板上にランドを形成し、 前記ランド上に保護層を点在して形成し、 前記ランドには、該ランドよりも狭い幅の導体
    が接続され、 前記保護層は、ランドと導体との接続部付近ま
    で延びて形成され、 ランド上にリード端子を配置し、該リード端子
    をランドの保護層から露出した部分にわたつて半
    田付けすることを特徴とするセラミツク基板の半
    田付け構造。
JP4424489U 1989-04-15 1989-04-15 Pending JPH02137069U (ja)

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JP4424489U JPH02137069U (ja) 1989-04-15 1989-04-15

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JP4424489U JPH02137069U (ja) 1989-04-15 1989-04-15

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JPH02137069U true JPH02137069U (ja) 1990-11-15

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ID=31557368

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JP4424489U Pending JPH02137069U (ja) 1989-04-15 1989-04-15

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61222138A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Toshiba Corp 混成集積回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61222138A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Toshiba Corp 混成集積回路

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