JPH02137316A - 半導体量子細線の製造方法 - Google Patents
半導体量子細線の製造方法Info
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- JPH02137316A JPH02137316A JP29187788A JP29187788A JPH02137316A JP H02137316 A JPH02137316 A JP H02137316A JP 29187788 A JP29187788 A JP 29187788A JP 29187788 A JP29187788 A JP 29187788A JP H02137316 A JPH02137316 A JP H02137316A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体量子ｍ線の製造方法に関し、とくに、超
高速の一次元電子トランジスタ、あるいは量子干渉を利
用した高変換効率の非線形素子等に利用される一次元量
子細線の製造方法に関するものである。
高速の一次元電子トランジスタ、あるいは量子干渉を利
用した高変換効率の非線形素子等に利用される一次元量
子細線の製造方法に関するものである。
材料として）ＪＧａＡａ／ＧａＡｓを例にとって従来提
案されている一次元量子細線の構造を第７図に示す。
案されている一次元量子細線の構造を第７図に示す。
これは％ＡＪＧａＡｓ／ＧａＡｓの多層膜の側面に変調
ドーグによって一次元電子状態を実現するものである。
ドーグによって一次元電子状態を実現するものである。
図中点線で囲まれた多層膜／ ＡＪＧａＡｓ界面の部分
が一次元電子状態になる。１は半絶縁性ＧａＡａ基板、
２はノンドープＡＪＧａＡｓ成長層、３はノンドープＧ
ａＡ３成長層、４はノンドープＡＪＧａＡｓスベ−サ層
、５はＳｉドープＡＪＧａＡｓ成長層である。
が一次元電子状態になる。１は半絶縁性ＧａＡａ基板、
２はノンドープＡＪＧａＡｓ成長層、３はノンドープＧ
ａＡ３成長層、４はノンドープＡＪＧａＡｓスベ−サ層
、５はＳｉドープＡＪＧａＡｓ成長層である。
この構造の作製方法を第８図ａ乃至Ｃに示す。
まず、分子線エピタキシャル成長法あるいは、有機金属
気相成長法によって半絶縁性ＧａＡｓ基板層上にノンド
ープの２のＡｌＧａＡｓ、 ３のノンドープＧａＡ１
ｍを順次成長させ、多層構造を作製する。次に、多層膜
ウェハ上にエツチングマスク６ヲ〔１１０〕方向に配し
く第８図ａ）、化学エツチングあるいはプラズマエツチ
ングによって段差を作る（第８図ｂ）。
気相成長法によって半絶縁性ＧａＡｓ基板層上にノンド
ープの２のＡｌＧａＡｓ、 ３のノンドープＧａＡ１
ｍを順次成長させ、多層構造を作製する。次に、多層膜
ウェハ上にエツチングマスク６ヲ〔１１０〕方向に配し
く第８図ａ）、化学エツチングあるいはプラズマエツチ
ングによって段差を作る（第８図ｂ）。
再び分子線エピタキシャル成長法か有機金属気相成長法
で４のノンドープＡＡ’ＧａＡａを１０ｎｍの厚さでエ
ツチング側面に成長させ、引き続き５の、Ｓｌドープ（
〜１０” ｃｍ−”） ＡｌＧａＡｓを１１００ｎの厚
さで成長させて、側面に一次元電子状態を実現する（第
８図Ｃ）。
で４のノンドープＡＡ’ＧａＡａを１０ｎｍの厚さでエ
ツチング側面に成長させ、引き続き５の、Ｓｌドープ（
〜１０” ｃｍ−”） ＡｌＧａＡｓを１１００ｎの厚
さで成長させて、側面に一次元電子状態を実現する（第
８図Ｃ）。
従来の上記で説明した量子細線の作製方法には、次のよ
うな問題点がある。
うな問題点がある。
化学エツチングによ多形成された側面（第７図の斜線部
分）は、炭素、酸素、シリコン等で汚染されておシ、こ
れらの汚染物は電子の散乱要因や再結合中心となシ、さ
らにトラップとして働くためキャリア濃度が低下すると
いう間組がある。さらに化学エツチングでは物質の種類
によってエツチング速度が異なるので、エツチングの側
面は凹凸になり、やはシミ子の散乱要因となる。一方、
プラズマエツチングによって加工する場合、加工面（第
７図の斜線部分）にダメージ層あるいは変質層ができる
。それらの層も電子の散乱要因や再結合中心となシ、こ
の量子細線を使ったデバイスの性能を著しく悪くすると
いう問題がある。第７図の構造を持つ量子細線は加工側
面を使うものであるから、界面の汚染や加工ダメージは
致命的な欠陥となる。
分）は、炭素、酸素、シリコン等で汚染されておシ、こ
れらの汚染物は電子の散乱要因や再結合中心となシ、さ
らにトラップとして働くためキャリア濃度が低下すると
いう間組がある。さらに化学エツチングでは物質の種類
によってエツチング速度が異なるので、エツチングの側
面は凹凸になり、やはシミ子の散乱要因となる。一方、
プラズマエツチングによって加工する場合、加工面（第
７図の斜線部分）にダメージ層あるいは変質層ができる
。それらの層も電子の散乱要因や再結合中心となシ、こ
の量子細線を使ったデバイスの性能を著しく悪くすると
いう問題がある。第７図の構造を持つ量子細線は加工側
面を使うものであるから、界面の汚染や加工ダメージは
致命的な欠陥となる。
本発明は従来の問題点を解決し、加工ダメージや汚染か
ら完全に逃れることは勿論のこと横方向の界面の急峻性
も単原子オーダで制御可能な半導体量子細線の製造方法
を提供することを目的とする。
ら完全に逃れることは勿論のこと横方向の界面の急峻性
も単原子オーダで制御可能な半導体量子細線の製造方法
を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するため、（００１）化合物半
導体基板面上に絶縁膜を堆積し、［１１０］方向のスト
ライプ状の関口部を形成する第一の工程、前記開口部を
形成した半導体基板上に有機金属気相成長法により、メ
チル系有機金属を用いて、■／ｍ比６０以上、４００以
下、成長温度７００度Ｃ以上、８５０度Ｃ以下で半導体
を一層成長させる第二の工程、前記成長させた半導体層
上にＶ／ＩＩＩ比１５０以下、５以上で７５０度Ｃ以下
、ＳＯＯ度Ｃ以上の成長温度で少なくとも２種類以上の
低不純物濃度の半導体を順次成長させ台形状のストライ
プを形成する第三の工程、前記台形状に形成したストラ
イプの台形側面にエチル系有機金属を用いて高不純物濃
度の半導体を成長させる第四の工程からなることを特徴
とする。
導体基板面上に絶縁膜を堆積し、［１１０］方向のスト
ライプ状の関口部を形成する第一の工程、前記開口部を
形成した半導体基板上に有機金属気相成長法により、メ
チル系有機金属を用いて、■／ｍ比６０以上、４００以
下、成長温度７００度Ｃ以上、８５０度Ｃ以下で半導体
を一層成長させる第二の工程、前記成長させた半導体層
上にＶ／ＩＩＩ比１５０以下、５以上で７５０度Ｃ以下
、ＳＯＯ度Ｃ以上の成長温度で少なくとも２種類以上の
低不純物濃度の半導体を順次成長させ台形状のストライ
プを形成する第三の工程、前記台形状に形成したストラ
イプの台形側面にエチル系有機金属を用いて高不純物濃
度の半導体を成長させる第四の工程からなることを特徴
とする。
本発明の量子細線の製造方法は、エツチング側面の凹凸
や汚染あるいは加工によるダメージを克服するために考
えられたものであシ、予め選択マスクを配置した基板状
に、有機金属気相成長法を使って台形状の多層構造を成
長させ、引きつづく成長によってその台形状の多層構造
の側面に変調ドープによって一次元電子状態を実現し、
童子細線を作ることを、主要な特徴とした製造方法であ
る。
や汚染あるいは加工によるダメージを克服するために考
えられたものであシ、予め選択マスクを配置した基板状
に、有機金属気相成長法を使って台形状の多層構造を成
長させ、引きつづく成長によってその台形状の多層構造
の側面に変調ドープによって一次元電子状態を実現し、
童子細線を作ることを、主要な特徴とした製造方法であ
る。
すなわち本発明の製造方法は、成長温度とＶ／ＩＩＩに
よって選択成長の成長様式が変わることを巧みに利用し
たものであり、すべて成長工程のみで量子細線を形成す
るものであるから、加工ダメージや汚染から完全に逃れ
ることは勿論のこと横方向の界面の急峻性も単原子オー
ダで制御可能である。
よって選択成長の成長様式が変わることを巧みに利用し
たものであり、すべて成長工程のみで量子細線を形成す
るものであるから、加工ダメージや汚染から完全に逃れ
ることは勿論のこと横方向の界面の急峻性も単原子オー
ダで制御可能である。
以下図面にもとづき実施例について説明する。
以下、材料としてＡＪＧａＡｓ／ＧａＡｓを例にとって
本発明の実施例に付いて詳細に説明する。
本発明の実施例に付いて詳細に説明する。
第１図は、本発明の方法によって作られた量子細線の基
本構造であり、童子細線は点線で囲まれた界面の部分に
存在する。第７図と同じ符号は同じ要素を示す。
本構造であり、童子細線は点線で囲まれた界面の部分に
存在する。第７図と同じ符号は同じ要素を示す。
第２図ａ乃至Ｃは、第１図の構造を作製する手順を示し
ておシ、以下順次説明する。まず、半絶縁性ＱａＡｓ基
板ｌ上に９の選択成長マスクとしてＳｉｎｇをスパッタ
法かＣＶＤ法で堆積させ、 ［１１０）方向に長いスト
ライプ状の開口部を作る（第２図ａ）。
ておシ、以下順次説明する。まず、半絶縁性ＱａＡｓ基
板ｌ上に９の選択成長マスクとしてＳｉｎｇをスパッタ
法かＣＶＤ法で堆積させ、 ［１１０）方向に長いスト
ライプ状の開口部を作る（第２図ａ）。
この基板上に有機金属気相成長法を使い、メチル系有機
金属を用いて、Ｖ／ｌｉｔ比９０−１５０の範囲、８０
０℃の成長温度で１０のランド−１ＡＪＧａＡ！Ｉバツ
フフ層ｆ １００ ｎｍ成長させた後、Ｖ／１１比５０
．６５０℃の成長温度で７のノンドープＡＪＧａＡｓ
１００ ｎｍを成長させ、３のノンドープＧａＡｓと２
のノンドープＡ４ＧａＡｓを順次１０ｎｍ の厚さで成
長させ多層構造を作製し、最後に８のノンドープＡＪＧ
ａＡｓを１１００ｎ成長させる。この時、１０のノンド
ープＡＪＧａＡａバッファ層を挿入することによシ、選
択成長マスク９のＳｉ０ｇマスクの揺らぎによる側面の
異常成長を防げ、第２図すに示すように成長層は台形状
になシ、その台形の側壁にはいっさい成長しない。
金属を用いて、Ｖ／ｌｉｔ比９０−１５０の範囲、８０
０℃の成長温度で１０のランド−１ＡＪＧａＡ！Ｉバツ
フフ層ｆ １００ ｎｍ成長させた後、Ｖ／１１比５０
．６５０℃の成長温度で７のノンドープＡＪＧａＡｓ
１００ ｎｍを成長させ、３のノンドープＧａＡｓと２
のノンドープＡ４ＧａＡｓを順次１０ｎｍ の厚さで成
長させ多層構造を作製し、最後に８のノンドープＡＪＧ
ａＡｓを１１００ｎ成長させる。この時、１０のノンド
ープＡＪＧａＡａバッファ層を挿入することによシ、選
択成長マスク９のＳｉ０ｇマスクの揺らぎによる側面の
異常成長を防げ、第２図すに示すように成長層は台形状
になシ、その台形の側壁にはいっさい成長しない。
このノンドープＡＪＧａＡｓバッファ層１０の効果を第
３図ａ、ｂに示す。第３図ａはノンドープＡｊ’ＧａＡ
ｓバッファ層１０の無い場合で、第３図すはノンドーグ
ＡノＧＪＬＡ８バッファ層ｌＯの有る場合である。ノン
ドープＡＪＧａＡｓバッファ層ｌＯの無い第３図ａの場
合は１台形の側壁に選択成長マスク９のＳｉ０ｇマスク
の揺らぎによる側面の異常成長１１が生じる。
３図ａ、ｂに示す。第３図ａはノンドープＡｊ’ＧａＡ
ｓバッファ層１０の無い場合で、第３図すはノンドーグ
ＡノＧＪＬＡ８バッファ層ｌＯの有る場合である。ノン
ドープＡＪＧａＡｓバッファ層ｌＯの無い第３図ａの場
合は１台形の側壁に選択成長マスク９のＳｉ０ｇマスク
の揺らぎによる側面の異常成長１１が生じる。
次に、エチル系有機金属を用いてＳＯＯ℃の成長温度で
この台形状の多層構造の上に４のノンドープＡＪＧａＡ
ｓを１０ｎｍ成長させ、続いて５のＳｔドープＡＪＧａ
Ａｓによって台形の側面は有効に変調ドープされるが、
台形状多層膜の上面は１１００ｎの８のノンドープＡＪ
ＧａＡｓがあるため上側界面に電子は存在しないので、
台形側面に一次元電子状態が実現できる。ここでエチル
系有機金属を使用するのは、以下の理由による。メチル
系の成長による変調ビー１構造の作製にはＡＩＧａＡａ
層へのカーボンの取シ込みによシ、移動度が低下する問
題があシ、これを防ぐために■／ＩＩ！比を大きくする
が、Ｖ／ＩＩＩ比を大きくすると側壁への成長が困難と
なる。従ってＶ／Ｉ比が小さくてもカーボンの取り込み
のな込エチル系が有効となる。本実施例では高周波加熱
の横型炉を用い、減圧下で成長を行なった。原料として
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエ
チルガリウム、トリエチルアルミニウム、アルシンを用
いて、第２図ａで示した半絶縁性ＧａＡＳ基板上に選択
成長させた。
この台形状の多層構造の上に４のノンドープＡＪＧａＡ
ｓを１０ｎｍ成長させ、続いて５のＳｔドープＡＪＧａ
Ａｓによって台形の側面は有効に変調ドープされるが、
台形状多層膜の上面は１１００ｎの８のノンドープＡＪ
ＧａＡｓがあるため上側界面に電子は存在しないので、
台形側面に一次元電子状態が実現できる。ここでエチル
系有機金属を使用するのは、以下の理由による。メチル
系の成長による変調ビー１構造の作製にはＡＩＧａＡａ
層へのカーボンの取シ込みによシ、移動度が低下する問
題があシ、これを防ぐために■／ＩＩ！比を大きくする
が、Ｖ／ＩＩＩ比を大きくすると側壁への成長が困難と
なる。従ってＶ／Ｉ比が小さくてもカーボンの取り込み
のな込エチル系が有効となる。本実施例では高周波加熱
の横型炉を用い、減圧下で成長を行なった。原料として
トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエ
チルガリウム、トリエチルアルミニウム、アルシンを用
いて、第２図ａで示した半絶縁性ＧａＡＳ基板上に選択
成長させた。
また、類似の細線成長はＡａａｉらによシＡｐｐｌｉ−
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５１巻（１９
８７年） １ｓｔｓ −２０ページに報告されているが
、［１１０］方向のストライプを用すてＧａＡｓ層のみ
を台形上に成長した。単にＧａＡｓ ｆ、 ＡＪＧａＡ
ｓで覆う細線の場合はこの方向で良好な細線が得られた
。しかし、ＡＪＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層膜を台形上に成
長する場合は、〔１１０〕方向ストライプでは［１１０
：］方向と比較して良好な台形形状は得られない。第４
図ａ、ｂは成長側壁の顕微鏡写真をトレースしたもので
、第４図ａに示すようにＡＡ’ＧａＡ３１成長で［１１
０］方向ストライプの場合は５皮類いた（１１１） Ｂ
面が鏡面成長するが、［１１０］方向ストライプの場合
では側面はほぼ（１１１） Ａ面になるが、第４図すに
示すように鏡面は得られない。
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５１巻（１９
８７年） １ｓｔｓ −２０ページに報告されているが
、［１１０］方向のストライプを用すてＧａＡｓ層のみ
を台形上に成長した。単にＧａＡｓ ｆ、 ＡＪＧａＡ
ｓで覆う細線の場合はこの方向で良好な細線が得られた
。しかし、ＡＪＧａＡｓ／ＧａＡｓ多層膜を台形上に成
長する場合は、〔１１０〕方向ストライプでは［１１０
：］方向と比較して良好な台形形状は得られない。第４
図ａ、ｂは成長側壁の顕微鏡写真をトレースしたもので
、第４図ａに示すようにＡＡ’ＧａＡ３１成長で［１１
０］方向ストライプの場合は５皮類いた（１１１） Ｂ
面が鏡面成長するが、［１１０］方向ストライプの場合
では側面はほぼ（１１１） Ａ面になるが、第４図すに
示すように鏡面は得られない。
従って、本発明の主張点は、（１１０）方向のストライ
プによシ良好な多層膜を成長したこと、１０のノンドー
プＡＩ！ＶＧａＡａバッファ層を導入したこと、多層構
造のファセット成長全メチル系有機金属で行い、側面へ
の成長をエチル系有機金属で行ったことにある。第５図
には、このようにして作製した細線の一例として＠７０
ｎｍの量子ａ線の顕微鏡写真をトレースしたものを示
す。なお斜めの界面に一次元電子１− ＤＥＣが存在す
ることは磁気抵抗の磁場方位依存性から確認している。
プによシ良好な多層膜を成長したこと、１０のノンドー
プＡＩ！ＶＧａＡａバッファ層を導入したこと、多層構
造のファセット成長全メチル系有機金属で行い、側面へ
の成長をエチル系有機金属で行ったことにある。第５図
には、このようにして作製した細線の一例として＠７０
ｎｍの量子ａ線の顕微鏡写真をトレースしたものを示
す。なお斜めの界面に一次元電子１− ＤＥＣが存在す
ることは磁気抵抗の磁場方位依存性から確認している。
本実施例は■／Ｉｌ比９０−１５０の範囲、８００℃の
成長温度でノンドープＡｌＧａＡ３バッファ層を、Ｖ／
ＩＩＩ比５０．６５０℃の成長温度でノンドープＡｌＧ
ａＡｓ層を成長させた例について説明したが、前者のバ
ッファ層成長条件はＶ１ｍ比６０以上、４００以下、成
長温度７００℃以上、８５０℃以下、後者のノンドープ
ＡＡ’ＧａＡａ層成長条件はＶ／ＩＩＩ比１５０以下、
５以上、成長温度７５０℃以下、５００℃以上のそれぞ
れの範囲で本発明の製造方法は適用できることを確認し
した。なお、これらの条件範囲外において製造を試みた
ところ、マスクの揺らぎによる異常成長を取シ除くこと
ができなかった。また不純物濃度の増加によυ台形状の
多層構造内にパラレル伝導を生ずるのが認められ好まし
くない。
成長温度でノンドープＡｌＧａＡ３バッファ層を、Ｖ／
ＩＩＩ比５０．６５０℃の成長温度でノンドープＡｌＧ
ａＡｓ層を成長させた例について説明したが、前者のバ
ッファ層成長条件はＶ１ｍ比６０以上、４００以下、成
長温度７００℃以上、８５０℃以下、後者のノンドープ
ＡＡ’ＧａＡａ層成長条件はＶ／ＩＩＩ比１５０以下、
５以上、成長温度７５０℃以下、５００℃以上のそれぞ
れの範囲で本発明の製造方法は適用できることを確認し
した。なお、これらの条件範囲外において製造を試みた
ところ、マスクの揺らぎによる異常成長を取シ除くこと
ができなかった。また不純物濃度の増加によυ台形状の
多層構造内にパラレル伝導を生ずるのが認められ好まし
くない。
以上説明したように、本実施例の作製方法によれば、す
べて成長工程だけで作製可能なので、エツチング汚染や
加工ダメージがなく、側面も単原子オーダで平坦な量子
細線となる。
べて成長工程だけで作製可能なので、エツチング汚染や
加工ダメージがなく、側面も単原子オーダで平坦な量子
細線となる。
本発明の実施例では、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡａ系材料で
説明したが、ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ、 ＧａＩｎＡｓ／
ＩｎＰ等のｍ−■族生導体及びその混晶系、Ｚｎ５ｅ／
ＧａＡａ等の■−■族半導体とその混晶系材料でも実現
できる。
説明したが、ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ、 ＧａＩｎＡｓ／
ＩｎＰ等のｍ−■族生導体及びその混晶系、Ｚｎ５ｅ／
ＧａＡａ等の■−■族半導体とその混晶系材料でも実現
できる。
また、同一の手法を用いて第６図に示すような逆構造の
作製も可能である。第１図と同じ符号は同じ要素を示す
。この構造を用いれば、Ｖ／ｍ ？下げて３のノンドー
プＱａＡｓ成長層をメチル系有機金属で行うことができ
る。また、ノンドープＡＡ’ＧａＡｓバッファ層の効果
は、ＡＪＧａＡｓ ７アセツト成長だけでなく、Ｇ＆Ａ
Ｂファセット成長でも有効である。
作製も可能である。第１図と同じ符号は同じ要素を示す
。この構造を用いれば、Ｖ／ｍ ？下げて３のノンドー
プＱａＡｓ成長層をメチル系有機金属で行うことができ
る。また、ノンドープＡＡ’ＧａＡｓバッファ層の効果
は、ＡＪＧａＡｓ ７アセツト成長だけでなく、Ｇ＆Ａ
Ｂファセット成長でも有効である。
本発明の製造方法は、成長工程のみで量子細線を形成す
るものであるから、加工ダメージや汚染から完全に逃れ
ることはもちろんのこと横方向の界面の急峻性も単原子
オーダで制御可能である。
るものであるから、加工ダメージや汚染から完全に逃れ
ることはもちろんのこと横方向の界面の急峻性も単原子
オーダで制御可能である。
本発明を用いることによフ、従来のプレーナ型ＦＥＴと
比較して高いトランスコンダクタンスをもつ一次元ＦＥ
Ｔが得られた。
比較して高いトランスコンダクタンスをもつ一次元ＦＥ
Ｔが得られた。
第１図は本発明の製造方法で作製される量子細線構造、
第２図ａ”−ｃは本発明の製造方法による量子細線構造
の作製手順を説明する図、 第３図ａ、ｂはＡＪＧａＡｓファセット成長のバッファ
層の効果を説明する図、 第４図ａ、ｂは（１１０）方向ストライブおよび〔１１
０〕方向ストライブ上のＡＪＧａＡｓ成長を示す図、第
５図はＡＪＧａＡａ／ＧａＡｓ−次元量子細線、第６図
は本発明の製造方法で作成される量子細線構造の他の実
施例、 第７図は従来提案されている一次元量子ＭＢ線構造断面
図、 第８図ａ−ｃは従来の作製法を説明する図である。 ｌ・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２．７．８・・・ノンドープＡＪＧａＡｓ成長層３・・
・ノンドーグＧａＡａ成長層 ４・・・ノンドー７°ＡＩＧａＡａスペーサ層５ ”−
ＳｉドープＡＪＧａＡｓ成長層６・・・エツチングマス
ク ９・・・選択成長マスク １０・・・ノンドーグＡｌＧａＡｓバッファ層１１・・
・異常成長 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久方部 （外１名） ［１１０１ ［１１０） 本発明の製造方法による量子細線構造の作製手順を説明
する図第 図 第 図 第 図 ＧａＡｓ Ａ桑らＡｓ／ＧａＡｓ−次元電子細線 第 図 本発明の製造方法で作製される量子線構造の他の実施例
第 図
の作製手順を説明する図、 第３図ａ、ｂはＡＪＧａＡｓファセット成長のバッファ
層の効果を説明する図、 第４図ａ、ｂは（１１０）方向ストライブおよび〔１１
０〕方向ストライブ上のＡＪＧａＡｓ成長を示す図、第
５図はＡＪＧａＡａ／ＧａＡｓ−次元量子細線、第６図
は本発明の製造方法で作成される量子細線構造の他の実
施例、 第７図は従来提案されている一次元量子ＭＢ線構造断面
図、 第８図ａ−ｃは従来の作製法を説明する図である。 ｌ・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２．７．８・・・ノンドープＡＪＧａＡｓ成長層３・・
・ノンドーグＧａＡａ成長層 ４・・・ノンドー７°ＡＩＧａＡａスペーサ層５ ”−
ＳｉドープＡＪＧａＡｓ成長層６・・・エツチングマス
ク ９・・・選択成長マスク １０・・・ノンドーグＡｌＧａＡｓバッファ層１１・・
・異常成長 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久方部 （外１名） ［１１０１ ［１１０） 本発明の製造方法による量子細線構造の作製手順を説明
する図第 図 第 図 第 図 ＧａＡｓ Ａ桑らＡｓ／ＧａＡｓ−次元電子細線 第 図 本発明の製造方法で作製される量子線構造の他の実施例
第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （００１）化合物半導体基板面上に絶縁膜を堆積し、〔
１１０〕方向のストライプ状の開口部を形成する第一の
工程、 前記開口部を形成した半導体基板上に有機金属気相成長
法により、メチル系有機金属を用いて、Ｖ／III比６０
以上、４００以下、成長温度７００度Ｃ以上、８５０度
Ｃ以下で半導体を一層成長させる第二の工程、 前記成長させた半導体層上にＶ／III比１５０以下、５
以上で７５０度Ｃ以下、５００度Ｃ以上の成長温度で少
なくとも２種類以上の低不純物濃度の半導体を順次成長
させ台形状のストライプを形成する第三の工程、 前記台形状に形成したストライプの台形、側面にエチル
系有機金属を用いて高不純物濃度の半導体を成長させる
第四の工程からなる ことを特徴とする半導体量子細線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29187788A JPH02137316A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体量子細線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29187788A JPH02137316A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体量子細線の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137316A true JPH02137316A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17774595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29187788A Pending JPH02137316A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 半導体量子細線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137316A (ja) |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP29187788A patent/JPH02137316A/ja active Pending
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