JPH021373A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH021373A JPH021373A JP1066973A JP6697389A JPH021373A JP H021373 A JPH021373 A JP H021373A JP 1066973 A JP1066973 A JP 1066973A JP 6697389 A JP6697389 A JP 6697389A JP H021373 A JPH021373 A JP H021373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- optical recording
- medium according
- thin film
- metal thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31507—Of polycarbonate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31725—Of polyamide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野コ
本発明はレーザ光によって、情報の記録及び再生を行う
光記録媒体に関する。
光記録媒体に関する。
［従来の技術］
レーザ光によって情報の記録及び再生を行う光記録媒体
は、半導体レーザ、記録材料、成膜技術などの基本技術
の向上と、大容量記録が可能であるという特徴により、
最近急速に実用化の道が開かれてきた。レーザ光によっ
て記録を行うためには、レーザ光を照射した部分に何ら
かの状態の変化が必要であり、これによって光学的特性
に変化をもたらすことが必要である。記録方式としては
、すでにバブル（空隙）形成方式、ピット（孔または凹
部）形成方式、非結晶−結晶転移方式などが提案されて
いる。
は、半導体レーザ、記録材料、成膜技術などの基本技術
の向上と、大容量記録が可能であるという特徴により、
最近急速に実用化の道が開かれてきた。レーザ光によっ
て記録を行うためには、レーザ光を照射した部分に何ら
かの状態の変化が必要であり、これによって光学的特性
に変化をもたらすことが必要である。記録方式としては
、すでにバブル（空隙）形成方式、ピット（孔または凹
部）形成方式、非結晶−結晶転移方式などが提案されて
いる。
例えば空隙形成方式の光記録媒体は、特開昭５６−６５
３４０号公報、特開昭５６−１２７９３７号公報におい
てその技術が公開されている。
３４０号公報、特開昭５６−１２７９３７号公報におい
てその技術が公開されている。
一方、孔または凹部形成方式（以下単に穴あけ方式とい
うことがある）の光記録媒体としては、Ｔｅ、 ５ｅＳ
Ｓなどのカルコゲン元素を主成分とする金属薄膜からな
る記録膜を設けるものが中心であり、例えば特開昭５ｉ
！！−７１１９３号公報、特開昭５２１１０６３４号公
報、特開昭５７−１４６６９１号公報などに技術か公開
されている。
うことがある）の光記録媒体としては、Ｔｅ、 ５ｅＳ
Ｓなどのカルコゲン元素を主成分とする金属薄膜からな
る記録膜を設けるものが中心であり、例えば特開昭５ｉ
！！−７１１９３号公報、特開昭５２１１０６３４号公
報、特開昭５７−１４６６９１号公報などに技術か公開
されている。
［発明が解決しようとする課題］
カルコゲン元素は化学的に不安定であり、耐久性に問題
がある。このため、種々の添加元素を加えたり、保護膜
を設ける等の改良が試みられている。例えばＴｅＳｅ等
の安定な固溶体を形成させたり、またアルキレートを形
成させることによって安定化を図る技術が知られている
。しかし、これらの技術では経時的に記録再生特性が劣
化するという問題点の解決には十分とは言えない。また
反射率が記録膜の膜厚によって変わりやすく、膜厚を厳
密に制御することが要求されることがある。
がある。このため、種々の添加元素を加えたり、保護膜
を設ける等の改良が試みられている。例えばＴｅＳｅ等
の安定な固溶体を形成させたり、またアルキレートを形
成させることによって安定化を図る技術が知られている
。しかし、これらの技術では経時的に記録再生特性が劣
化するという問題点の解決には十分とは言えない。また
反射率が記録膜の膜厚によって変わりやすく、膜厚を厳
密に制御することが要求されることがある。
更に、半導体レーザーは低出力で用いられた場合には、
経時安定性がよく、高出力で用いられた場合には、劣化
しやすい点および高速度、高密度記録への対応という点
からも高感度な光記録媒体が必要である。
経時安定性がよく、高出力で用いられた場合には、劣化
しやすい点および高速度、高密度記録への対応という点
からも高感度な光記録媒体が必要である。
本発明は孔または凹部形成方式の光記録媒体において、
耐久性、安定性に優れ、高配り感度の光記録媒体を提供
することを目的とする。
耐久性、安定性に優れ、高配り感度の光記録媒体を提供
することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は少なくとも基板と金属薄膜とを積層してなり、
所定の波長領域のレーザ光を強く吸収して該レーザ光に
より孔または凹部を形成することによって、データが書
き込まれる光記録媒体において、上記金属薄膜が、貴金
属元素（Ａ）、カルコケン元素（Ｂ）及びビスマス（Ｃ
）を必須成分として含み、その組成が第１図に示される
三角相図中のλ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅ点で囲まれる領域
内、好ましくはａ、ｂ、ｅ、ｆおよびｇ点で囲まれる領
域内であるか、またはす、ｃ、ｈ、ｉおよびｊ点で囲ま
れる領域内であることを特徴とする光記録媒体である。
所定の波長領域のレーザ光を強く吸収して該レーザ光に
より孔または凹部を形成することによって、データが書
き込まれる光記録媒体において、上記金属薄膜が、貴金
属元素（Ａ）、カルコケン元素（Ｂ）及びビスマス（Ｃ
）を必須成分として含み、その組成が第１図に示される
三角相図中のλ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅ点で囲まれる領域
内、好ましくはａ、ｂ、ｅ、ｆおよびｇ点で囲まれる領
域内であるか、またはす、ｃ、ｈ、ｉおよびｊ点で囲ま
れる領域内であることを特徴とする光記録媒体である。
ここで第１図において各点は原子数比で以下の組成であ
る。
る。
１ 点 （人、。 Ｂｌ、 Ｃ３）ｂ点（
Ａ、 Ｂ８０ Ｃ５） ０点（Ａ、 Ｂ８ｏＣ１８） ｄ点（Ａｔ ｓ４ｔ Ｃ４゜） ｅ点（八８０ ＢＩＧ Ｃ＋ａ）ｆ点（Ａｓ
Ｂ８０Ｃ１５） ｇ点（Ａ５ Ｂ−７，５Ｃ−７，５）ｈ点（Ａｔ０
８２５ Ｃ３） ｉ点（Ａ、 Ｂ５． Ｃ４，） ３点（ＡｔｏＢｌｔ Ｃ＋３） 本発明において基板は不透明であってもよいが、透明で
あることが好ましい。レーザ光を十分透過すれば何でも
基板として使用できる。例えばポリエステル樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリアミド研脂、ポリカーボネートＩ
！ｉ′を指またはポリメタクリル樹脂などの透明性に優
れた透明樹脂材料またはガラスなどの無機材料より得ら
れる基板を挙げる二七ができる。
Ａ、 Ｂ８０ Ｃ５） ０点（Ａ、 Ｂ８ｏＣ１８） ｄ点（Ａｔ ｓ４ｔ Ｃ４゜） ｅ点（八８０ ＢＩＧ Ｃ＋ａ）ｆ点（Ａｓ
Ｂ８０Ｃ１５） ｇ点（Ａ５ Ｂ−７，５Ｃ−７，５）ｈ点（Ａｔ０
８２５ Ｃ３） ｉ点（Ａ、 Ｂ５． Ｃ４，） ３点（ＡｔｏＢｌｔ Ｃ＋３） 本発明において基板は不透明であってもよいが、透明で
あることが好ましい。レーザ光を十分透過すれば何でも
基板として使用できる。例えばポリエステル樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリアミド研脂、ポリカーボネートＩ
！ｉ′を指またはポリメタクリル樹脂などの透明性に優
れた透明樹脂材料またはガラスなどの無機材料より得ら
れる基板を挙げる二七ができる。
カレンダリング法、射出成形法、射出圧縮成形法、圧縮
成形法、ホトポリマー法（２Ｐ法）などの任意の方法に
より成形された樹脂基板が使用できろ。本発明の基板は
公知の光記録媒体と同様にトラッキング等のための案内
苛のような凹凸を基板面に有していてもよい。
成形法、ホトポリマー法（２Ｐ法）などの任意の方法に
より成形された樹脂基板が使用できろ。本発明の基板は
公知の光記録媒体と同様にトラッキング等のための案内
苛のような凹凸を基板面に有していてもよい。
本発明の特徴は、Ｔｅ −Ｂ１５Ｓｅ −Ｂｉなどの二
元系結晶性化合物と、孔または凹部形成方式の光記録媒
体に用いると感度が低下する、高融点の貴金属とを用い
るにもかかわらず、構成元素の組成を限定することによ
り、十分高い安定性と良好な記録特性を得たことにある
。本発明によって安定性、特に耐酸化性が向上する機構
は明らかではないが、過剰なカルコゲン元素のうち一部
は貴金属との化合物となり、残りはアモルファスとして
分散しているためであろうと推測される。本発明におい
ては、カルコゲン元素及びビスマスに加え、貴金属元素
が特定量配合されていることは本質的に重要である。
元系結晶性化合物と、孔または凹部形成方式の光記録媒
体に用いると感度が低下する、高融点の貴金属とを用い
るにもかかわらず、構成元素の組成を限定することによ
り、十分高い安定性と良好な記録特性を得たことにある
。本発明によって安定性、特に耐酸化性が向上する機構
は明らかではないが、過剰なカルコゲン元素のうち一部
は貴金属との化合物となり、残りはアモルファスとして
分散しているためであろうと推測される。本発明におい
ては、カルコゲン元素及びビスマスに加え、貴金属元素
が特定量配合されていることは本質的に重要である。
本発明における貴金属元素としては、金又は白金が最も
好ましいものとして例示されるが他に白金族元素として
、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イ
リジウムを例示することができる。また、本発明におけ
るカルコゲン元素としては、セレン、テルル、イオウを
例示することができる。安定性が特に向上するので、セ
レンが最ら好ましい。これらの元素はそれぞれ単独で又
は混合して所定範囲内の虫で用いられる。本発明におけ
る元素の組み合わせとしては、Ａｕ−Ｔｅ−Ｂ１系、Ｐ
ｔ −Ｔｅ −Ｂ１５Ａｕ −Ｓｅ −Ｂｉ、 Ｐｔ
−Ｓｅ −Ｂｉを例示することができる。
好ましいものとして例示されるが他に白金族元素として
、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イ
リジウムを例示することができる。また、本発明におけ
るカルコゲン元素としては、セレン、テルル、イオウを
例示することができる。安定性が特に向上するので、セ
レンが最ら好ましい。これらの元素はそれぞれ単独で又
は混合して所定範囲内の虫で用いられる。本発明におけ
る元素の組み合わせとしては、Ａｕ−Ｔｅ−Ｂ１系、Ｐ
ｔ −Ｔｅ −Ｂ１５Ａｕ −Ｓｅ −Ｂｉ、 Ｐｔ
−Ｓｅ −Ｂｉを例示することができる。
本発明の範囲よりも、貴金属元素が多すぎると、感度か
低く、逆に少なすぎると安定性が低下し、金属薄膜が徐
々に酸化される。
低く、逆に少なすぎると安定性が低下し、金属薄膜が徐
々に酸化される。
カルコゲン元素は記録感度の向上、及びビスマスを安定
化するために有効であるが、本発明の範囲を超え、多す
ぎると、光吸収率が不足し記録感度が低下し、さらに安
定性が低下する。また逆に少なすぎるとビスマスが不安
定になり、ビスマスか酸化され易くなる。
化するために有効であるが、本発明の範囲を超え、多す
ぎると、光吸収率が不足し記録感度が低下し、さらに安
定性が低下する。また逆に少なすぎるとビスマスが不安
定になり、ビスマスか酸化され易くなる。
ビスマスは光吸収率の増加、及びピット形状の改善のた
めに有効であるが、本発明の範囲を超え、多すぎると、
ビスマスの酸化が進行し、逆に少なすぎると光吸収率が
低下し、ピット形状が不揃いになる。
めに有効であるが、本発明の範囲を超え、多すぎると、
ビスマスの酸化が進行し、逆に少なすぎると光吸収率が
低下し、ピット形状が不揃いになる。
本発明に従えば、リムが小さいのでジッタ特性か向上す
る。
る。
光記録媒体において、レーザ光を入射した時の記録前の
反射率は通常５〜６０％の範囲である。反射率が低すぎ
ると、記録、再生時にトラッキングか十分に行えず、安
定した記録再生が困難となる。
反射率は通常５〜６０％の範囲である。反射率が低すぎ
ると、記録、再生時にトラッキングか十分に行えず、安
定した記録再生が困難となる。
又、高すぎるとレーザ光が十分に吸収されないので、全
く記録ができないか、記録に高いパワーを要する。記録
前の反射率を１０〜５０％の範囲に設定することが特に
望ましい。
く記録ができないか、記録に高いパワーを要する。記録
前の反射率を１０〜５０％の範囲に設定することが特に
望ましい。
上記金属薄膜が上記の範囲の反射率を有するためには元
素の種類および組成比によって差はあるが、膜厚は一般
には５〜２００ｎｍである。
素の種類および組成比によって差はあるが、膜厚は一般
には５〜２００ｎｍである。
本発明において金属薄膜の成膜方法は特に限定されるも
のではなく、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブ
レーティング法などが用いられる。
のではなく、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンブ
レーティング法などが用いられる。
スパッタリング法で成膜する場合は構成元素のそれぞれ
のターゲット、あるいは各構成元素の合金ターゲット、
または複合ターゲットに印加する電力を制御することに
よって、希望する組成の金属薄膜を得ろことができる。
のターゲット、あるいは各構成元素の合金ターゲット、
または複合ターゲットに印加する電力を制御することに
よって、希望する組成の金属薄膜を得ろことができる。
本発明の光記録媒体において基板と金属薄膜との間に任
意の中間層を設けろことが可能である。
意の中間層を設けろことが可能である。
中間層として、フロロカーボン、ニトロセルロース、ポ
リイミドを例示することができる。中間層を設けると、
記録感度及びＣＮＲをさらに向上させることが可能であ
る。フロロカーボンまたはポリイミド中間層を設けるこ
とによって、ぬれ性が低下するので、孔の形成が容易に
なる。またニトロセルロース中間層を設けると、レーザ
光を吸収してガスを発生するので、孔の形成が容易にな
る。
リイミドを例示することができる。中間層を設けると、
記録感度及びＣＮＲをさらに向上させることが可能であ
る。フロロカーボンまたはポリイミド中間層を設けるこ
とによって、ぬれ性が低下するので、孔の形成が容易に
なる。またニトロセルロース中間層を設けると、レーザ
光を吸収してガスを発生するので、孔の形成が容易にな
る。
また中間層は金属反射膜であっても良い。中間層の成膜
方法としては、スピンコード法、スパッタリング法、真
空蒸着法などから材料に応じた最適な方法か選択される
。
方法としては、スピンコード法、スパッタリング法、真
空蒸着法などから材料に応じた最適な方法か選択される
。
上記中間層がフロロカーボン層である場合、上記フロロ
カーボン層中のすべての炭素原子に対する、ＣＦ、結合
またはＣＦ３結合を形成する炭素原子の割合が４５％以
上６５％以下であることが好ましく、４５％以上５５％
以下であることが特に好ましい。上記範囲内であれば、
高温高湿下におけるフロロカーボン層の耐久性が高くな
る。
カーボン層中のすべての炭素原子に対する、ＣＦ、結合
またはＣＦ３結合を形成する炭素原子の割合が４５％以
上６５％以下であることが好ましく、４５％以上５５％
以下であることが特に好ましい。上記範囲内であれば、
高温高湿下におけるフロロカーボン層の耐久性が高くな
る。
本発明においては、上記フロロカーボン層をＥＳＣＡ法
（軟ｘｉ励起光電子分光法）により分析することによっ
て、フロロカーボン層中のすべての炭素原子に対する、
炭素−フッ電量結合を２または３個有する炭素原子の割
合を求めている。上記ＥＳＣＡ分析は、島津製作所社製
ＥＳＣＡ−７５０を用い、〜ＩｇＫσ（Ｌ２５３．６ｅ
ｖ） ８Ｋｖ−３０ｍＡで行った。
（軟ｘｉ励起光電子分光法）により分析することによっ
て、フロロカーボン層中のすべての炭素原子に対する、
炭素−フッ電量結合を２または３個有する炭素原子の割
合を求めている。上記ＥＳＣＡ分析は、島津製作所社製
ＥＳＣＡ−７５０を用い、〜ＩｇＫσ（Ｌ２５３．６ｅ
ｖ） ８Ｋｖ−３０ｍＡで行った。
ここで、複数のピークが重畳した炭素原子のＣ１５１ピ
ークプロフアイルを波形解析することにより、Ｃ１５１
結合エネルギーの異なるピークに上記ＣＩ５ピークを分
割する。上記ピーク分割の結果、ＣＦ、結合（Ｃ，ｓピ
ーク位置： ２９１．６±０．３ｅＶ）またはＣＦ３結
合（同、 ２９３．８±０．３ｅＶ）を形成している炭
素原子の、全炭素原子に対する割合が求められる。なお
、上記ＣＩｌ＋ピーク位置は炭素−炭素結合のＣＩｓピ
ークの位置を２１１１５．ＯｅＶとして求めた値である
。
ークプロフアイルを波形解析することにより、Ｃ１５１
結合エネルギーの異なるピークに上記ＣＩ５ピークを分
割する。上記ピーク分割の結果、ＣＦ、結合（Ｃ，ｓピ
ーク位置： ２９１．６±０．３ｅＶ）またはＣＦ３結
合（同、 ２９３．８±０．３ｅＶ）を形成している炭
素原子の、全炭素原子に対する割合が求められる。なお
、上記ＣＩｌ＋ピーク位置は炭素−炭素結合のＣＩｓピ
ークの位置を２１１１５．ＯｅＶとして求めた値である
。
また光記録媒体の形状は円形、方形等であってら良く、
ディスク状、カード状等であってもよい。
ディスク状、カード状等であってもよい。
この光記録媒体は、レーザ光を照射することにより、金
属薄膜の永久変形として認められる孔または凹部を形成
することにより、永久的記録を行うことができる。
属薄膜の永久変形として認められる孔または凹部を形成
することにより、永久的記録を行うことができる。
記録、再生に用いるレーザは特に限定するものではない
が、ドライブ装置をコンパクトにするためには半導体レ
ーザが好ましく、波長が７５０〜８５０ｎｍ領域のもの
が特に好ましい。この場合記録用パワーとしては一般に
１−１−１Ｏ程度の範囲である。
が、ドライブ装置をコンパクトにするためには半導体レ
ーザが好ましく、波長が７５０〜８５０ｎｍ領域のもの
が特に好ましい。この場合記録用パワーとしては一般に
１−１−１Ｏ程度の範囲である。
本発明の光記録媒体では、金属薄膜をゴミ、キズなどか
ら保護するために保護層を設けてもよい。
ら保護するために保護層を設けてもよい。
上記保護層としては、ウレタン系、アクリル系、シリコ
ン系、フェノール系またはメラミン系などの合成樹脂が
用いられ、該合成樹脂は接着剤であってらよい。また誘
電体などの無機材料であってもよい。
ン系、フェノール系またはメラミン系などの合成樹脂が
用いられ、該合成樹脂は接着剤であってらよい。また誘
電体などの無機材料であってもよい。
［実施例コ
次に実施例をもって本発明の詳細な説明する。
なお表中に記載した諸物性は次の方法により求めた。
（安定性評価）
アーカイバルライフ及びンエルフライフは７５℃、８５
％ＲＨ雰囲気に１０００時間暴露し、ａ露前後の記録及
び再生特性（ＣＮＲ）をＳ定することにより次の判定基
準に従って評価した。
％ＲＨ雰囲気に１０００時間暴露し、ａ露前後の記録及
び再生特性（ＣＮＲ）をＳ定することにより次の判定基
準に従って評価した。
○・ＣＮＨに全く変化が認められなかったらの△： Ｃ
ＮＨの変化はあったが５ｄＢ以内であったらの×・ＣＮ
Ｒの変化が５ｄＢより大きかったもの耐酸化性試験は、
３％Ｈ２０２水溶液に３０分間浸漬し、反射率の変化を
測定し、次の判定基準に従って評価した。
ＮＨの変化はあったが５ｄＢ以内であったらの×・ＣＮ
Ｒの変化が５ｄＢより大きかったもの耐酸化性試験は、
３％Ｈ２０２水溶液に３０分間浸漬し、反射率の変化を
測定し、次の判定基準に従って評価した。
○ 反射率変化の全く認められなかったらの△・反射率
は認められたが１０％以内であったもの× 反射率変化
が１０％よりも大きかったもの（記録再生特性評（ｉｌ
Ｉｉ） 以下の条件で書き込み及び読み出しを行ない、ホール（
孔）形成に必要な最小記録レーザパワー最高ＣＮＲを求
めた。
は認められたが１０％以内であったもの× 反射率変化
が１０％よりも大きかったもの（記録再生特性評（ｉｌ
Ｉｉ） 以下の条件で書き込み及び読み出しを行ない、ホール（
孔）形成に必要な最小記録レーザパワー最高ＣＮＲを求
めた。
書き込み条件
１２０Ｏｒ、ｐ、ｍ８０ ｌ Ｍ ＋１２、 デユー
ティ−３０％記録パワー４〜ｌＯｍ！ 読み出し条件 １ｍＷの再生パワーで読み出し 実施例１ 射出成形法によって成形された厚さ１．２ｍｍ、内径１
５ｍｍ、外径１３０ｍｍのポリカーボネート製透明樹脂
円板にＰｔ５ｅＢｉから成る金属薄膜をスパッタリング
法によって成膜した。成膜方法としてはＰｔ、 Ｓｅ、
及びＢｉツタ−ット又はＰｔターゲットと５ｅＢｉ合金
ターゲットを用いそれぞれの印加電力を制御することに
よって、所定組成の膜を得た。初期到達真空度は５ｘ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒ成膜時のＡｒ圧はｓｘ １０−Ｔｏｒ
ｒであった。
ティ−３０％記録パワー４〜ｌＯｍ！ 読み出し条件 １ｍＷの再生パワーで読み出し 実施例１ 射出成形法によって成形された厚さ１．２ｍｍ、内径１
５ｍｍ、外径１３０ｍｍのポリカーボネート製透明樹脂
円板にＰｔ５ｅＢｉから成る金属薄膜をスパッタリング
法によって成膜した。成膜方法としてはＰｔ、 Ｓｅ、
及びＢｉツタ−ット又はＰｔターゲットと５ｅＢｉ合金
ターゲットを用いそれぞれの印加電力を制御することに
よって、所定組成の膜を得た。初期到達真空度は５ｘ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒ成膜時のＡｒ圧はｓｘ １０−Ｔｏｒ
ｒであった。
このようにして得られた光記録媒体を用い、上述した評
価方法に基づいて、緒特性を測定し、結果を表１に示し
た。表１より本光記録媒体Ｎｏ、１〜Ｎｏ、７は良好な
記録特性と十分なＣＮＲを有し、安定性にも優れている
ことがわかる。
価方法に基づいて、緒特性を測定し、結果を表１に示し
た。表１より本光記録媒体Ｎｏ、１〜Ｎｏ、７は良好な
記録特性と十分なＣＮＲを有し、安定性にも優れている
ことがわかる。
また、Ｎｏ、ＩＯ（対照ρｊ）の光記録媒体は反射率の
膜厚依存性か本発明の実施例の場合に比べて大きく、製
膜条件の制御が困難であった。
膜厚依存性か本発明の実施例の場合に比べて大きく、製
膜条件の制御が困難であった。
以下余白
実施例２
実施例１と同様の基板にＡｕＴｅＢ１からなる金属薄膜
をスパッタリング法によって成膜した。成膜方法は実施
例１と同様でありＡｕ、 ＴｅおよびＢｉツタ−ット又
はＡｕターゲットおよびＴｅＢ１合金ターゲットを用い
それぞれの印加電力を制御することによって所定組成の
膜を得た。
をスパッタリング法によって成膜した。成膜方法は実施
例１と同様でありＡｕ、 ＴｅおよびＢｉツタ−ット又
はＡｕターゲットおよびＴｅＢ１合金ターゲットを用い
それぞれの印加電力を制御することによって所定組成の
膜を得た。
このようにして得られた光記録媒体を用い、同様に緒特
性を測定し、結果を表２に示した。表２より本光記録媒
体！ｆｏ、１２〜Ｎｏ、ＩＳも良好な記録特性と十分な
ＣＮＲを有し、安定性にも優れていた。
性を測定し、結果を表２に示した。表２より本光記録媒
体！ｆｏ、１２〜Ｎｏ、ＩＳも良好な記録特性と十分な
ＣＮＲを有し、安定性にも優れていた。
以下余白
実施例３
実施例１と同様の基板にフロロカーボン又はニトロセル
ロース中間層を設け、各種記録膜について記録特性を測
定した。
ロース中間層を設け、各種記録膜について記録特性を測
定した。
フロロカーボンはポリテトラフロロエチレンターゲット
を用い、スパッタリング成膜によりまたニトロセルロー
スはスピンコード法によって成膜を行なった。またＰｔ
５ｅＢｉおよびＡｕ５ｅＢｉ記録膜についてはターゲッ
トの種類を変える以外は実施例１と同様の方法でスパッ
タリング成膜した。いずれら初期到達真空度はｓｘ １
Ｏ−８Ｔｏｒｒ、成膜時のＡｒ圧はｓｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒであった。
を用い、スパッタリング成膜によりまたニトロセルロー
スはスピンコード法によって成膜を行なった。またＰｔ
５ｅＢｉおよびＡｕ５ｅＢｉ記録膜についてはターゲッ
トの種類を変える以外は実施例１と同様の方法でスパッ
タリング成膜した。いずれら初期到達真空度はｓｘ １
Ｏ−８Ｔｏｒｒ、成膜時のＡｒ圧はｓｘ １Ｏ−３Ｔｏ
ｒｒであった。
またＴｅ５ｅＰｂについてはフロロカーボン成膜後、三
元蒸着法によって、ＴｅＣ膜は基板上にＣＩ＋、ガスと
Ｔｅとを用いた反応性スパッタリング法によって成膜を
行った。
元蒸着法によって、ＴｅＣ膜は基板上にＣＩ＋、ガスと
Ｔｅとを用いた反応性スパッタリング法によって成膜を
行った。
これらの光記録媒体の記録特性及び安定性を、実施例１
と同様の方法で評価し、その結果を表３に示した。
と同様の方法で評価し、その結果を表３に示した。
表３より明らかな様に、本光記録媒体は、他系記録膜と
比較して、良好な記録特性と十分なＣＮＲを有し、優れ
た耐酸化性を有していることがイつ実施例４ 実施例１と同様の基板にフロロカーボン層中のすべての
炭素原子に対する、ＣＦ、結合またはＣＦ３拮合を形成
する炭素原子の割合が異なるフロロカーボン中間層を設
けた。中間層をスパッタリング成膜するときに成膜電力
を変えることによって上記炭素原子の割合を変えた。フ
ロロカーボン層上にＰｔ、。５ｅ７０Ｂｊｔｏ （原子
数比）からなる金属薄膜を設けた。なお初期到達真空度
はｓｘ １０−’Ｔｏｒｒ、成膜時のＡｒ圧はｓｘ １
Ｏ−３Ｔｏｒｒであッた。
比較して、良好な記録特性と十分なＣＮＲを有し、優れ
た耐酸化性を有していることがイつ実施例４ 実施例１と同様の基板にフロロカーボン層中のすべての
炭素原子に対する、ＣＦ、結合またはＣＦ３拮合を形成
する炭素原子の割合が異なるフロロカーボン中間層を設
けた。中間層をスパッタリング成膜するときに成膜電力
を変えることによって上記炭素原子の割合を変えた。フ
ロロカーボン層上にＰｔ、。５ｅ７０Ｂｊｔｏ （原子
数比）からなる金属薄膜を設けた。なお初期到達真空度
はｓｘ １０−’Ｔｏｒｒ、成膜時のＡｒ圧はｓｘ １
Ｏ−３Ｔｏｒｒであッた。
これらの記録媒体の記録特性及び安定性を実施例Ｉと同
様の方法で評価し、その結果を表４に示した。
様の方法で評価し、その結果を表４に示した。
表４から明らかなように、いずれの場合も記録特性は良
好であり、特にフロロカーボン中間層の上記炭素原子の
割合が４５％以上６５％以下であれば、光記録媒体の安
定性は極めて高かった。
好であり、特にフロロカーボン中間層の上記炭素原子の
割合が４５％以上６５％以下であれば、光記録媒体の安
定性は極めて高かった。
また実験番号２６の光記録媒体において記録パワーをｌ
〜ＩＱｍＷまで逐次変えた場合の、ＣＮＲと記録パワー
との関係を第２図に示した。これにより、本発明の光記
録媒体は広い記録パワー領域において記録か可能である
ことがわかる。
〜ＩＱｍＷまで逐次変えた場合の、ＣＮＲと記録パワー
との関係を第２図に示した。これにより、本発明の光記
録媒体は広い記録パワー領域において記録か可能である
ことがわかる。
以下余白
［発明の効果］
本発明によれば、少なくとも基板と金属薄膜とを積層し
てなる孔または凹部形成方式の光記録媒体において、金
属薄膜に貴金属、カルコゲン元素及びビスマスを必須成
分として含み、組成を選択することによって、高感度高
ＣＮＨの記録が可能であり、安定性に優れた光記録媒体
を提供することができる。
てなる孔または凹部形成方式の光記録媒体において、金
属薄膜に貴金属、カルコゲン元素及びビスマスを必須成
分として含み、組成を選択することによって、高感度高
ＣＮＨの記録が可能であり、安定性に優れた光記録媒体
を提供することができる。
第１図は本発明の光記録媒体の金属薄膜における組成の
範囲を示す組成図、第２図は本発明の実施例において得
られた光記録媒体について測定した記録パワーとＣＮＲ
との関係を示した特性図である。 特許出願人 法式会社 り ラ し
範囲を示す組成図、第２図は本発明の実施例において得
られた光記録媒体について測定した記録パワーとＣＮＲ
との関係を示した特性図である。 特許出願人 法式会社 り ラ し
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも基板と金属薄膜とを積層してなり、所定
の波長領域のレーザ光を吸収して該レーザ光により孔ま
たは凹部を形成することによつてデータが書き込まれる
光記録媒体において、上記金属薄膜が貴金属元素（Ａ）
、カルコゲン元素（Ｂ）及びビスマス（Ｃ）を必須成分
として含み、その組成が第１図に示される ａ（Ａ＿８＿０Ｂ＿１＿５Ｃ＿５）、ｂ（Ａ＿１＿５Ｂ
＿８＿０Ｃ＿５）、ｃ（Ａ＿２Ｂ＿８＿０Ｃ＿１＿８）
、ｄ（Ａ＿２Ｂ＿４＿９Ｃ＿４＿９）、ｅ（Ａ＿８＿０
Ｂ＿１＿０Ｃ＿１＿０） の各点で囲まれる領域内であることを特徴とする光記録
媒体。 ２、請求項１において、該金属薄膜の組成がａ（Ａ＿８
＿０Ｂ＿１＿５Ｃ＿５）、ｂ（Ａ＿１＿５Ｂ＿８＿０Ｃ
＿５）、ｅ（Ａ＿８＿０Ｂ＿１＿０Ｃ＿１＿０）、ｆ（
Ａ＿５Ｂ＿８＿０Ｃ＿１＿５）、ｇ（Ａ＿５Ｂ＿４＿７
＿．＿５Ｃ＿７＿．＿５）の各点で囲まれる領域内であ
ることを特徴とする光記録媒体。 ３ 請求項１において、該金属薄膜の組成がｂ（Ａ＿１
＿５Ｂ＿８＿０Ｃ＿５）、ｃ（Ａ＿２Ｂ＿８＿０Ｃ＿１
＿８）、ｈ（Ａ＿７＿０Ｂ＿２＿５Ｃ＿５）、ｉ（Ａ＿
２Ｂ＿５＿４Ｃ＿４＿４）、ｊ（Ａ＿７＿０Ｂ＿１＿７
Ｃ＿１＿３） の各点で囲まれる領域内であることを特徴とする光記録
媒体。 ４、貴金属元素がＡｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｈ、Ｐｄ、Ｏｓ
またはＩｒである請求項１に記載の光記録媒体。 ５、貴金属元素がＡｕまたはＰｔである請求項４に記載
の光記録媒体。 ６、カルコゲン元素がＳｅ、ＴｅまたはＳである請求項
１に記載の光記録媒体。 ７、カルコゲン元素がＳｅである請求項６に記載の光記
録媒体。 ８、レーザ光を照射したときの記録前の反射率が５〜６
０％の範囲にある請求項１に記載の光記録媒体。 ９、金属薄膜と基板との間に中間層が存在している請求
項１に記載の光記録媒体。 １０、中間層がフロロカーボン層である請求項９に記載
の光記録媒体。 １１、フロロカーボン層中のすべての炭素原子に対する
、ＣＦ＿２結合またはＣＦ＿３結合を形成する炭素原子
の割合が４５％以上６５％以下である請求項１０に記載
の光記録媒体。 １２、フロロカーボン層中のすべての炭素原子に対する
、ＣＦ＿２結合またはＣＦ＿３結合を形成する炭素原子
の割合が４５％以上５５％以下である請求項１１に記載
の光記録媒体。 １３、基板がポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂またはポリメタ
クリル樹脂である請求項１に記載の光記録媒体。 １４、金属薄膜の膜厚が５〜２００ｎｍの範囲である請
求項１に記載の光記録媒体。 １５、金属薄膜の上に保護層が積層されている請求項１
に記載の光記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-66429 | 1988-03-18 | ||
| JP6642988 | 1988-03-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021373A true JPH021373A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=13315528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1066973A Pending JPH021373A (ja) | 1988-03-18 | 1989-03-17 | 光記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4965114A (ja) |
| EP (1) | EP0333205B1 (ja) |
| JP (1) | JPH021373A (ja) |
| DE (1) | DE68915832T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351933C (zh) * | 2004-04-22 | 2007-11-28 | Tdk股份有限公司 | 光记录媒体 |
| US7399511B2 (en) | 2004-04-22 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2804130B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1998-09-24 | 株式会社日立製作所 | 情報処理装置 |
| US6632890B1 (en) | 1999-03-19 | 2003-10-14 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymer compositions |
| EP1196458B1 (en) | 1999-06-11 | 2004-05-19 | Dow Global Technologies Inc. | Hydrogenated block copolymers and optical media discs produced therefrom |
| JP2003502455A (ja) | 1999-06-11 | 2003-01-21 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | 水素化ブロックコポリマー及びそれから製造された光メディアディスク |
| CN1123580C (zh) | 1999-08-16 | 2003-10-08 | 陶氏化学公司 | 氢化嵌段共聚物及由其制备的光学媒体盘 |
| US6429260B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-08-06 | The Dow Chemical Company | Olefinic polymer compositions |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2439848C2 (de) * | 1973-08-20 | 1985-05-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zum Aufzeichnen mittels eines Laserstrahls |
| US4709991A (en) * | 1983-04-26 | 1987-12-01 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display with barrier layer to reduce permeability |
| JPH0671828B2 (ja) * | 1985-01-25 | 1994-09-14 | 株式会社日立製作所 | 情報記録用薄膜 |
| US4839208A (en) * | 1986-04-30 | 1989-06-13 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
-
1989
- 1989-03-17 DE DE68915832T patent/DE68915832T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-17 EP EP89104775A patent/EP0333205B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-17 JP JP1066973A patent/JPH021373A/ja active Pending
- 1989-12-19 US US07/453,191 patent/US4965114A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351933C (zh) * | 2004-04-22 | 2007-11-28 | Tdk股份有限公司 | 光记录媒体 |
| US7399511B2 (en) | 2004-04-22 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4965114A (en) | 1990-10-23 |
| DE68915832D1 (de) | 1994-07-14 |
| DE68915832T2 (de) | 1994-09-15 |
| EP0333205B1 (en) | 1994-06-08 |
| EP0333205A2 (en) | 1989-09-20 |
| EP0333205A3 (en) | 1990-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5252370A (en) | Optical recording medium and method for making | |
| EP0594516B1 (en) | High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk | |
| US8192820B2 (en) | Data storage media containing carbon and metal layers | |
| JP3088168B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| EP1351230B1 (en) | Optical recording medium and method for optically recording information on the same | |
| JP2000285517A (ja) | 光学記録媒体 | |
| KR20000064459A (ko) | 부분반사금합금층을갖는이중층광매체 | |
| US5334433A (en) | Optical recording medium | |
| JPH021373A (ja) | 光記録媒体 | |
| US7485355B2 (en) | Optical information recording medium and method for manufacturing the same | |
| JP3071243B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2000076701A (ja) | 記録層と反射層との間に中間層を有する光記録要素 | |
| JPH09134544A (ja) | 低吸収材料を用いた記録可能な光学的要素及びその製造プロセス | |
| JP2948899B2 (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| JPH11144316A (ja) | 記憶部材 | |
| EP0613129A1 (en) | High stability gold based alloy reflectors for use in a writable compact disk | |
| JP2002092959A (ja) | 光記録媒体 | |
| EP1750259A2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH0292683A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JP3157019B2 (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JP4060574B2 (ja) | 追記型光記録媒体 | |
| JPH11138996A (ja) | 記憶部材 | |
| JPH10208296A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH08258416A (ja) | 低吸収材料を用いる記録可能型光学素子 | |
| JPH0757301A (ja) | 光情報記録媒体 |