JPH0671828B2 - 情報記録用薄膜 - Google Patents

情報記録用薄膜

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JPH0671828B2 JP60010852A JP1085285A JPH0671828B2 JP H0671828 B2 JPH0671828 B2 JP H0671828B2 JP 60010852 A JP60010852 A JP 60010852A JP 1085285 A JP1085285 A JP 1085285A JP H0671828 B2 JPH0671828 B2 JP H0671828B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はレーザ光、電子線等の記録用ビームによつて、
たとえば映像や音声などのアナログ信号をFM変調したも
のや、たとえば電子計算機のデータや、フアクシミリ信
号やデイジタルオーデイオ信号などのデイジタル情報
を、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用
薄膜に関するものである。
〔発明の背景〕
レーザ光によつて薄膜に記録を行なう記録原理は種々あ
るが、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フオト
ダークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の変
形をほとんど伴なわないので、２枚のデイスクを直接貼
り合わせた両面デイスクができるという長所をもつてい
る。また、組成を適当に選べば記録の書き換えを行なう
こともできる。この種の記録に関する発明は多数出願さ
れており、最も早いものは特公昭47−26897号公報に開
示されている。ここではTe−Ge系、As−Te−Ge系、Te−
Ｏ系など多くの薄膜について述べられている。また、特
開昭54−41902号公報にもGe20Tl5Sb5Se70,Ge20Bi10Se70
など種々の組成が述べられている。また、特開昭57−24
039には、Sb25Te12 ． 5Se62 ． 5,Cd14Te14Se72,Bi2Se3,Sb
2Se3,In20Te20Se60,Bi25Te12 ． 5Se62 ． 5,CuSe、およびT
e33Te60の薄膜が述べられている。しかしこれらの薄膜
はいずれも一回書き込み可能あるいは書き換え可能な相
転移記録膜として用いる場合に結晶化の速度が遅い、半
導体レーザ光の吸収が少なく感度が悪い、再生信号強度
が十分でない、あるいは非晶質状態の安定性が悪い、耐
酸化性が不十分であるなどの欠点が有り、実用化が困難
である。
〔発明の目的〕
したがつて本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無
くし、記録・再生特性が良好で感度が高く、安定性の良
い情報記録用薄膜を提供することに有る。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するために本発明の情報の記録用部材
においては、情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成を一
般式AXBYCZDαＥβで表わされるものとする。
ただし、X,Y,Zはそれぞれ０Ｘ＜30,Y40,Z70,15
Ｙ＋Z,10α65,20β70の範囲の値であり、ＥはS
eおよびＳのうちの少なくとも一元素、ＤはAs,Sb,Si,Ge
のうちの少なくとも一元素、ＣはBi,Sn,Pb,のうちの少
なくとも一元素、ＢはCu,Ag,Au,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,M
o,Mn,Tc,Fe,Ru,Co,Rh,Ni、およびPdのうちの少なくとも
一元素、ＡはE,D,C、およびＢで表わされる元素以外の
元素、たとえばGa,In,Tl,Zn,Cd,Hg,B,C,N,P,O,Te,Hf,T
a,W,Pt,Ir,ランタニド元素，アクチニド元素，アルカリ
金属元素，アルカリ土類金属元素，ハロゲン元素，不活
性ガス元素などである。
本発明の記録用薄膜は膜厚方向の平均組成が上記の範囲
内に有れば膜厚方向に組成が変化していてもよい。ただ
し組成の変化は不連続的でない方がより好ましい。
上記の各群の元素の役割は下記のとおりである。Ｄで表
わされるSb等の元素とＥで表わされるSeおよびＳとは、
共存することによつて非晶質状態を保持できるようにす
る。ＣおよびＢで表わされるBi等およびNi等の元素は、
半導体レーザ光などの長波長光の吸収を容易にして記録
感度を高める、記録による反射率変化を大きくして再生
信号強度を大きくするなどの効果を持つ。Ａで表わされ
るTaなどの元素は、添加によつて特に顕著な効果は無い
が、添加量が少なければ大きな悪影響は無いものであ
る。なお、これらのうちGa,In,ZnおよびCdは薄膜の光透
過率を最適化して再生信号強度を大きくする役割を果た
させ得る。
上記の組成範囲に有る本発明の情報記録用薄膜は優れた
記録・再生特性を持ち、記録および消去に用いるレーザ
光のパラーが低くてよい。また、安定性も優れている。
X,Y,Z,α、およびβのより好ましい範囲は下記のとおり
である。０Ｘ＜5,Y30,Z55,20Ｙ＋Z,15＜α＜5
0,30＜β＜65。ただし、20Ｚであるのが特に好まし
く、Ｘ＝０であるのが特に好ましい。
Ｄで表わされる元素のうち特に好ましいものはSbであ
り、次いで好ましいものはGeである。Ｅで表わされるSe
およびＳのうちではSeの方を多く含むのが好ましい。
各元素の含有量の膜厚方向の変化は通常は小さいが、任
意のパターンの変化が存在しても差し支えない。Seおよ
びＳについては、記録用薄膜のいずれか一方の界面付近
（他の層との界面である場合も有る）において、その内
側よりも増加しているのが好ましい。これによつて耐酸
化性が向上する。
本発明の記録膜の少なくとも一方の面は他の物質で密着
して保護されているのが好ましい。両側が保護されてい
ればさらに好ましい。これらの保護層は、基板でもある
アクリル樹脂液やポリカーボネート樹脂板、エポキシ樹
脂など、あるいは、たとえばアクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリエチ
レンなどの有機物より形成されていてもよく、酸化物、
弗化物、窒化物、硫化物、炭化物、炭素、あるいは金属
などを主成分とする無機物より形成されていてもよい。
また、これらの複合材料でも良い。ガラス、石英、サフ
アイア、鉄、あるいはアルミニウムを主成分とする基板
も一方の無機物保護層として働き得る。有機物、無機物
のうちでは無機物と密着している方が耐熱性の面で好ま
しい。しかし無機物層（基板の場合を除く）の厚くする
のは、クラツク発生、透過率低下、感度低下のうちの少
なくとも１つを起こしやすいので、上記の無機物層の記
録膜と反対の側には、厚い有機物層が密着している方が
好ましい。この有機物層は基板であつてもよい。これに
よつて変形も起りにくくなる。有機物としては、例え
ば、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ホツトメルト接着剤として知ら
れている、エチレン−酢酸ビニル共重合体など、および
粘着剤などが用いられる。紫外線硬化樹脂でもよい。無
機物より成る保護層の場合は、そのままの形で形成して
もよいが、反応性スパツタリングや、金属、半金属、半
導体の少なくとも一元素よりなる膜を形成した後、酸
素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一者と反応させるよ
うにすると製造が容易である。無機物保護層の例を挙げ
ると、Ce,La,Si,In,Al,Ge,Pb,Sn,Bi,Te、およびＷより
なる群より選ばれた少なくとも一元素の酸化物、Cd,Zn,
Ga,In,Sb,Ge,Sn,Pbよりなる群より選ばれた少なくとも
一元素の硫化物、またはセレン化物、Mg,Ce,Caなどの弗
化物、Si,Al,Taなどの窒化物より成るものであつて、た
とえば主成分がCeO2,La2O3,SiO,SiO2,In2O3,Al2O3,GeO,
GeO2,PbO,SnO,SnO2,Bi2O3,TeO2,WO2,WO3,CdS,ZnS,CdSe,
ZnSe,In2S3,In2Se3,Sb2S3,Sb2Se3,Ga2S3,Ga2Se3,MgF2,C
eF3,CaF2,GeS,GeSe,GeSe2,SnS,SnSe,PbS,PbSe,Bi2Se3,B
i2S3,TaN,Si3N4,AlN,Cのうちの一者に近い組成をもつた
ものである。
これらの中では表面反射率があまり高くなく、膜が安定
であり、強固である点でSi3N4またはAlNに近い組成のも
のが好ましい。次いで好ましいのはGeO2,Al2O3,SnO2ま
たはSiO2に近い組成のものである。相転移によつて記録
を行なう場合、記録膜の全面をあらかじめ結晶化させて
おくのが好ましいが、基板に有機物を用いている場合に
は、基板を高温にすることができないので、他の方法で
結晶化させる必要がある。その場合、紫外線照射と加
熱、フラツシユランプよりの光の照射、高出力ガスレー
ザからの光の照射などを行なうのが好ましい。ガスレー
ザからの光の照射の場合、光スポツト径（半値幅）を５
μｍ以上5mm以下とすると能率が良い。結晶化は記録ト
ラツク上のみで起らせ、トラツク間は非晶質のままとし
てもよい。非晶質状態の記録用薄膜に結晶化によつて記
録することももちろん可能である。
一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ね合せになる
ため干渉をおこす。反射率の変化で信号を読みとる場合
には、記録膜に近接して光反射（吸収）層を設けること
により、干渉の効果を大きくし、読み出し信号を大きく
できる。干渉の効果をより大きくするためには記録膜と
反射（吸収）層の間に中間層を設けるのが好ましい。中
間層には読み出しに用いる光があまり吸収されない物質
が好ましい。上記中間層の膜厚は5nm以上、400nm以下
で、かつ記録状態または消去状態において読み出し光の
波長付近で記録用部材の反射率が極小値に近くなる膜厚
とするのが好ましい。反射層は記録膜と基板との間、お
よびその反対側のうちのいずれの側に形成してもよい。
中間層の特に好ましい膜厚範囲は5nm以上40nm以下の範
囲である。Bi層の中間層と反対の側にも上記の無機物よ
り成る保護層を形成するのが好ましい。
本発明の記録膜は、共蒸着や共スパツタリングなどによ
つて、保護膜として使用可能と述べた酸化物、弗化物、
窒化物、有機物などの中に分散させた形態としてもよ
い。そうすることによつて光吸収係数を調節し、再生信
号強度を大きくすることができる場合が有る。混合比率
は、酸素、弗素、窒素、炭素が膜全体で占める割合が40
％以下が好ましい。このような複合膜化を行なうことに
より、結晶化の速度が低下し、感度が低下するのが普通
である。ただし有機物との複合膜化では感度が向上す
る。
各部分の膜厚の好ましい範囲は下記のとおりである。
記録膜 単層膜の場合 60nm以上150nm以下 反射層との２層構造の場合 15nm以上50nm以下 無機物保護層 5nm以上200nm以下ただし無機物基板自
体で保護する時は、0.1〜20mm 有機物保護層:10nm以上、10mm以下 中間層:5nm以上400nm以下 光反射層:5nm以上、300nm以下 以上の各層の形成方法は、真空蒸着、ガス中蒸着、スパ
ツタリング、イオンビームスパツタリング、イオンビー
ム蒸着、イオンプレーテイング、電子ビーム蒸着、射出
成形、キヤステイング、回転塗布、プラズマ重合などの
うちのいずれかを適宜選ぶものである。
本発明の記録膜は必ずしも非晶質状態と結晶状態の間の
変化を記録に利用する必要は無く、何らかの原子配列変
化によつて光学的性質の変化を起こさせればよい。
本発明の記録用部材は、デイスク状としてばかりでな
く、テープ状、カード状などの他の形態でも使用可能で
ある。
〔発明の実施例〕
以下に本発明を実施例によつて詳細に説明する。
実施例 １ 直径30cm、厚さ1.2mmのデイスク状化学強化ガラス板の
表面に紫外線硬化樹脂によつてトラツキング用の溝のレ
プリカを形成し、一周を64セクターに分割し、各セクタ
ーの始まりで、溝と溝の中間の山の部分に凹凸ピツトの
形でトラツクアドレスやセクターアドレスなどを入れた
（この部分をヘツダー部と呼ぶ）基板14上にマグネトロ
ンスパツタリングによつてまず反射防止層兼保護層であ
る厚さ約40nmのSi3N4層を形成した。次にこの基板を第
１図に示したような内部構造の真空蒸着装置中に配置し
た。蒸着装置中には、４つの蒸着用ボート1,2,3,4が配
置されている。これらのうちの１つは電子ビーム蒸発源
に付け換えが可能である。これらのボートは、基板14に
情報を記録しようとする部分の下であつて、基板回転の
中心軸５と中心を同一にする円周上にほぼ位置する。４
つのボートのうちの３つに、それぞれ、Te,Se,Sb2Se3、
およびNiを入れた。各ボートと基板の間にはそれぞれ、
扇形のスリツトをもつマスク6,7,8,9とシヤツター10,1
1,12,13が配置されている。基板14を120rpmで回転させ
ておいて、各ボートに電流を流し、ボート中の蒸着原料
を蒸発させた。
各ボートからの蒸発量は水晶振動子式膜厚モニター15,1
6,17,18で検出し、蒸発速度が一定になるようにボート
に流す電流を制御した。
第２図に示したように、基板19上のSi3N4層20上にNi10B
i20Sb30Se40の組成の記録膜21を約90nmの膜厚に蒸着し
た。この膜厚は記録膜の表面と裏面で反射した光が干渉
し、記録膜が非晶質状態あるいは結晶性の悪い状態にあ
る時、読出しに用いるレーザ光の波長付近で反射率が極
小になるような膜厚である。続いて再びマグネトロンス
パツタリングによつてSi3N4に近い組成の保護層22を約4
0nmの膜厚にした。同様にしてもう１枚の同様な基板1
9′上にSi3N4に近い組成の保護層20′Ni10Bi20Sb30Se40
の組成の記録用膜21′、Si3N4に近い組成の保護層22′
を蒸着した。このようにして得た２枚の基板19,19′の
それぞれの蒸着膜上に紫外線硬化樹脂層23,23′を約０
．５μｍの厚さに塗布、形成した後、両者を紫外線硬化
樹脂層側を内側にして有機物接着剤層24によつて貼り合
せてデイスクを作製した。
上記のようにして作製したデイスクには、デイスクを回
転させ、半径方向に動かしながら両面から開口比（Nume
rical Aperture）が０．05のレンズで集光したアルゴン
イオンレーザ光（波長488nm）を全面に照射し、Ni10Bi
20Sb30Se40記録膜21,21′を十分結晶化させた。記録は
次のようにして行なつた。デイスクを600rpmで回転さ
せ、半導体レーザ（波長820nm）の光を記録が行なわれ
ないレベルに保つて、記録ヘツド中のレンズで集光して
基板を通して一方の記録膜に照射し、反射光を検出する
ことによつて、トラツキング用の溝と溝の中間に光スポ
ツトの中心が常に一致するようにヘツドを駆動した。こ
うすることによつて溝から発生するノイズの影響を避け
ることができる。このようにトラツキングを行ないなが
ら、さらに記録膜上に焦点が来るように自動焦点合わせ
を行ない、レーザパワーを情報信号に従つて強めたり、
元のレベルに戻したりすることによつて記録を行なつ
た。また、必要に応じて別の溝にジヤンプして記録を行
なつた。上記の記録によつて、記録膜には非晶質に変化
したことによると思われる反射率変化を生じた。この記
録膜では、パワーを下げた記録光スポツト、あるいはト
ラツク方向の長さが記録光スポツトよりも長く、隣接す
るトラツク方向への広がりは記録光スポツトと同程度の
レーザ光を照射することによつて記録を消去することも
できる。アドレスを表わすピツトの最隣接ピツト間の距
離は、消去用光スポツトのトラツク方向の長さの1/2以
上２倍以下の長さとすると、消去光スポツトによつても
トラツクやセクターのアドレスが読める。アドレスを表
わすピツトの長さも、消去光スポツトのトラツク方向の
長さの1/2以上であるのが好ましい。ヘツダー部に設け
られるその他のピツトも同様である。記録・消去は３×
105回以上繰返し可能であつた。記録膜の上下に形成す
るSi3N4層を省略した場合は、数回の記録・消去で多少
の雑音増加が起こつた。
読出しは次のようにして行なつた。デイスクを600rpmで
回転させ、記録時と同じようにトラツキングと自動焦点
合わせを行ないながら、1.5mWの半導体レーザ光で反射
光の強弱を検出し、情報を再生した。本実施例では約10
0mVの信号出力が得られた。本実施例の記録膜は耐酸化
性が優れており、Si3N4保護膜を形成しないものを60℃
相対湿度95％の条件下に置いてもほとんど酸化されなか
つた。
Ni−Bi−Sb−Se系記録膜において、他の元素の相対的な
比率を一定に保つてNiとBiの含有量の和を変化させた
時、記録に必要なレーザ光のパワーおよび再生信号強度
は次のように変化した。
記録レーザパワー Ｙ＋Ｚ＝０ 記録できず Ｙ＋Ｚ＝10 記録できず Ｙ＋Ｚ＝15 12mW Ｙ＋Ｚ＝20 8mW Ｙ＋Ｚ＝30 8mW Ni−Bi−Sb−Se系記録膜において、他の元素の相対的な
比率を一定に保つてNi含有量またはBi含有量を変化させ
た時、再生信号強度および一定速度で昇温した時の結晶
化温度は下記のとおりであつた。
再生信号強度 結晶化温度 Ｚ＝０ 170℃ Ｙ＝15 100mV Ｚ＝10 160℃ Ｙ＝20 100mV Ｚ＝15 140℃ Ｙ＝30 80mV Ｚ＝20 130℃ Ｚ＝55 100℃ Ｙ＝40 70mV Ｚ＝70 80℃ Ｙ＝50 50mV Ｚ＝80 常温 Sb含有量を変化させた時、一定速度で昇温した場合の結
晶化温度は次のように変化した。
結晶化温度 α＝０ 60℃ α＝10 80℃ α＝15 100℃ α＝30 130℃ α＝50 100℃ α＝65 80℃ α＝80 記録後すぐに結晶化 Se含有量を変化させた時、一定速度で昇温した場合の結
晶化温度は次のように変化した。
結晶化温度 β＝10 膜形成時から結晶化 β＝20 80℃ β＝30 100℃ β＝65 100℃ β＝70 80℃ Seの一部または全部をＳによつて置き換えた場合、結晶
化温度はやや低くなるが毒性が低下する。
Ni−Bi−Sb−Se系記録膜に他の元素の相対的な比率を一
定に保つてTaを添加した場合、記録に必要なレーザパワ
ーは次のように変化した。
記録レーザパワー Ｙ＝０ 8mW Ｙ＝10 8mW Ｙ＝20 12mW Ｙ30 記録できず Ａで表わされるTa以外の元素でもほぼ同様である。な
お、これらのうち、Ga,In,Tl,Zn,Cd、およびHgのうちの
少なくとも一元素では再生信号強度向上の効果が有る。
記録膜の膜厚は60nm以上150nm以下の範囲で光の干渉の
効果によつて記録による反射率変化が大きくなり、好ま
しい。ただし15nm以上300nm以下の範囲でも、記録・再
生は可能である。
Sbの一部または全部を置換してAs,Si、およびGeのうち
の少なくとも一元素を添加してもよく似た特性が得られ
る。
Biの一部または全部を置換してSn,Pbのうちの少なくと
も一元素を添加してもよく似た特性が得られる。
Niの一部または全部を置換してCu,Ag,Au,Sc,Y,Ti,Zr,V,
Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Fe,Ru,Co,RhおよびPdのうちの少なくと
も一元素を添加してもよく似た特性が得られる。また、
Niの一部または全部をＢで表わされるBi等の元素で置換
しても良いがこの場合は結晶化温度がやや低くなる。
保護膜としてSi3N4の代わりにSiO2などの酸化物、Sb2S3
などの硫化物、CeF3などの弗化物、AlNなどの窒化物な
どを用いてもよい。
実施例 ２ 第３図に示したように、基板として、射出成形法によつ
てポリカーボネート板の表面にトラツキング用の溝を形
成したもの25を用い、スパツタリングによりSiO2に近い
組成の厚さ40nmの保護膜26を形成した。次にこの上にSn
10Bi20Sb30Se60の組成で膜厚が30nmの記録膜27を形成し
た。続いてSiO2に近い組成の厚さ20nmの中間層28を形成
し、さらに厚さ60nmのBi70Sb30の組成の反射層29、SiO2
に近い組成の厚さ40nmの保護層30を形成した。同様な方
法でもう一枚の基板を作製し、両基板の最上部のSiO2層
30上にそれぞれ紫外線硬化樹脂31を約２μｍの厚さに塗
布して硬化させた後、塗布した紫外線硬化樹脂層側を内
側にして黒色顔料を混入したホツトメルト接着剤32で両
基板を貼り合わせてデイスクを作製した。
結晶化方法、記録方法、消去方法、読出し方法は実施例
１とほぼ同様である。
中間層にはSiO2の代わりに実施例１で保護層として使用
可能と述べたGeO2,Al2O3,CeO2,AlN等の他の無機透明物
質を用いてもよいし、有機物層を用いてもよい。この中
間層は膜厚を５〜40nmとすれば記録書き換え時の記録膜
と反射層との相互拡散を防ぐ。しかし光学的にはほとん
ど存在しないのと同じで、光の干渉による反射率の波長
による変化は、記録膜と反射層との２層構造の場合に近
い。
反射層も記録時に原子配列変化を起こすと、再生信号が
少し大きくなる。
記録膜に含まれるC,D,Eの各元素の一部または全部を、
同じ群内の他の元素のうちの少なくとも一元素で置き換
えてもよい。また、Ａ群のTaなどの元素のうちの少なく
とも一元素を原子数パーセントで30パーセント以下添加
しても差し支え無い。Ｂ群のCuなどの元素のうちの少な
くとも一者を添加すると光吸収増加などの効果が有る。
記録膜の膜厚は15nm以上50nm以下の範囲で記録膜が非晶
質状態に有る時の反射率が干渉によつて低くなり大きな
再生信号が得られる。反射層の膜厚は5nm以上300nm以下
の範囲、より好ましくは40nm以上200nm以下の範囲に有
るのが好ましい。反射層を設けることにより、記録膜の
膜厚が上記のように単層の場合よりも薄い領域で大きな
再生信号を得られることから、記録膜の吸収係数は単層
の場合より大きい領域で良い特性が得られる。
記録膜と中間層の膜厚を変化させた時、読出し光の反射
率の干渉による極小が起こる波長が変化する。自動焦点
合わせやトラツキングのために最小限必要な反射率は10
〜15％であるから、反射率の極小値がこの値以下の場合
は、読出し光の波長より長波長側あるいは短波長側に極
小値が来るようにする必要が有る。短波長側に極小値が
来るようにした方が記録膜の膜厚を薄くでき、熱伝導に
よるエネルギー損失を防げる。しかし長波長側に極小値
が来るようにした方が膜厚が厚くなり、記録膜の寿命の
点では好ましい。
反射層の材質としては、Biの代わりにBi2Te3,Te,Sn,Sb,
Al,Au,Pbなどの多くの半導体、半金属、金属やそれらの
混合物、化合物が使用可能である。
本実施例の記録膜も実施例１の記録膜と同様に耐酸化性
が優れており、たとえ保護膜にピンホールが有つてもそ
の周辺に酸化が進行することは無い。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、製造プロセスが
簡単で、再現性がよく、記録・再生特性が良く、かつ長
期間安定な情報の記録用部材を得ることができる。記録
の書換えも多数回可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の記録用部材の作製に用いる真空蒸着装
置の内部構造を示す図、第２図，第３図はそれぞれ本発
明の実施例における記録用部材の構造を示す断面図であ
る。 1,2,3,4……ボート、6,7,8,9……扇形スリツトを持つた
マスク、10,11,12,13……シヤツター、14……基板、15,
16,17,18……水晶振動子式膜厚モニター、19,19′……
基板、20,20′,22,22′……Si3N4層、21,21′……記録
膜、23,23′……紫外線硬化樹脂層、24……有機接着剤
層、25,25′……基板、26,26′,28,28′,30,30′……Si
O2層、27,27′……記録膜、29,29′……Bi膜、31,31′
……紫外線硬化樹脂層、32……ホツトメルト接着剤層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀篭 信吉 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に直接もしくは無機物および有機物
    のうちの少なくとも一者からなる保護層を介して形成さ
    れた記録用ビームの照射を受けて原子配列変化を生じる
    情報記録用薄膜において、上記情報記録用薄膜はその膜
    厚方向の平均組成が一般式AXBYCZDαＥβ（ただし、X,
    Y,Z,α，およびβはそれぞれ０≦Ｘ＜30,Y≦20,Z≦55,1
    5≦Ｙ＋Z,10≦α≦65,20≦β≦70の範囲の値であり、Ｅ
    はSeおよびＳのうちの少なくとも一元素、ＤはAs,Sb,S
    i,Geのうちの少なくとも一元素、ＣはBi,Sn,Pbのうちの
    少なくとも一元素、ＢはCu,Ag,Au,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,
    Mo,Mn,Te,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,およびPdのうちの少なくとも
    一元素、ＡはE,D,CおよびＢで表わされる元素以外の元
    素）で表わされることを特徴とする情報記録用薄膜。
  2. 【請求項２】ＺがＺ≦20であることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項記載の情報記録用薄膜。
  3. 【請求項３】Ｘが０≦Ｘ＜5,ZがＺ≦20,αが15≦α≦5
    0,βが30≦β≦65であることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の情報記録用薄膜。
  4. 【請求項４】Ｚが15≦Ｚであることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の情報記
    録用薄膜。
  5. 【請求項５】Ｅで表される元素がSeであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
    載の情報記録用薄膜。
  6. 【請求項６】Ｄで表される元素がSbであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
    載の情報記録用薄膜。
  7. 【請求項７】Ｄで表される元素がGeであることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
    載の情報記録用薄膜。
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