JPH02138464A - コーティング装置 - Google Patents

コーティング装置

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JPH02138464A
JPH02138464A JP28953288A JP28953288A JPH02138464A JP H02138464 A JPH02138464 A JP H02138464A JP 28953288 A JP28953288 A JP 28953288A JP 28953288 A JP28953288 A JP 28953288A JP H02138464 A JPH02138464 A JP H02138464A
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JP
Japan
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chamber
coating
coated
ion generation
tool member
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JP28953288A
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English (en)
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Hoki Haba
方紀 羽場
Tadao Tamaki
玉城 忠男
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 この発明は切削工具部材へのコーティング装置に関する
B1発明の概要 この発明はコーティング装置において、コーティング室
にイオン生成室で得られたイオンとスパッタ装置からの
Tiターゲット部材のTiスパッタにより常温にて切削
工具部材にコーティングさせるようにしたことにより、 切削工具部材を高温に加熱する必要がなく、常温にて密
着性に優れ、かつ膜密度が高く、しかも良質のコーティ
ングができるようにしたものである。
C8従来の技術 自動車や産業機械などを製造している工場では、機械部
品切削加工の合理化能力向上のために、NCマシンやM
C(マシニングセンター)を導入し、生産性向上を行っ
ている。このような合理化設備に使用される切削工具と
して近年、加工精度がよく、高速高送り切削が可能な超
鋼、サーメット、CBN、ダイヤモンド等の高硬度材料
が高速度鋼(ハイス鋼)にかわって使用されるようにな
って来た。
上記のような切削工具の刃先に、耐摩耗性、耐TiC(
炭化チタン)やAQ*Oa等の化合物をコーティングし
たものが多量に使用されるようになって来た。切削工具
の刃先に上述のような化合物をコーティングすると約5
倍以−トの切削能力の向上が可能となって来たが、上記
コーティング化合物は高価なため、切削工具の刃先に全
てコーティングするまでに至っていない。
しかし、上記にようにコーティングされた刃先も機械部
品を切削して行くうちに、次第に刃先のコーティング膜
が消失されてしまう。更に、切れなくなったソリッド型
ドリル、エンドミル、ボブカッター等の切削工具は、工
場の工具研摩場等にある専用研摩機により刃先を研摩し
、再使用を図っている。
再研摩後の刃先は最初に比較して約40%ら切削能力が
低下するとともに、一番切削に関与する部分がソリッド
ドリルの場合、第3図に示すようにコーティングされて
いないため、加工精度が大幅に低下してくる。このため
、次の再研摩までの時間も短くなってしまう。この結果
、切削が悪くなった工具はコーティング専門のメーカー
に依頼して再研摩、再コーティングをすることが行われ
ているけれどもコーティング化が高価なため、普及する
には至っていない。
また、最近では切削工具の1つにスロアウェイチップと
呼ばれる使い捨てコーティング刃先が安価なため、多量
に使用されるようになって来た。
しかし、上記チップも再研摩し、再コーティングして再
使用したいという要望もあるが、やはりコーティング化
が高すぎるので普及が妨げられている。
D。発明が解決しようとする課題 上述したように切削能力に優れたコーティングされた工
具を自社内等で再コーティングしたり、あるいは未コー
ティング切削工具を購入して自社内等でコーティングす
ることが一般に行われていないのは、T IN 、 T
 r C、A Q t 03等の化合物をコーティング
するには、非常に高価で、かつ大型な真空装置を使用し
たり、特殊なガス(例えば、T i C124、CCQ
−等の危険なガス)を使用したCVD(化学蒸着法)法
や、特殊なイオン打込みやスパッタリングといった手法
を使うPVD (物理蒸着法)法によりコーティングが
行われているためである。このため、以下のような問題
点があって、一般にコーティングが行われていない。
(1) i記の装置は一般の作業者が取扱いができない
ため。
(2)上記の装置は環境の良い場所で行わねばならない
ため。
(3)上記装置が高価で設備費及びその消却費がかかり
すぎるため。
(4)切削工具の刃先へのコーティングは専門の技術で
ある等の理由により機械加工工場では行われていないた
め。
(5)従来のコーティング手段は例えばハイス鋼等のは
材を400℃程度まで加熱(超硬母材ならば500℃以
J:、)する必要があるため、加熱時間は短く、成膜も
30分程度で3〜5μR行え、る。
しかし、冷却には長時間を要する。(取り出しは200
℃以下)また、膜質は温度が高い程よいが、あまり高く
する母材が変化するおそれかある。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、切削工
具を高温に加熱することなく、常温にて堅さを有する化
合物のコーティングを行うことができ、しかも母材との
密着性にすぐれ、膜密度が高く、良質のコーチ、インク
を行うことができるようにしたコーティング装置を提供
することを目的とする。
E2課題を解決するための手段 この発明は被コーティング部材がセットされる試料室と
、この試料室から導入される11む記披コーティング部
材に堅さを有する化合物をコーティングするコーティン
グ室と、このコーティング室に連設されるとともに、イ
オン生成用ガスが導入され、高周波電力を供給して内部
で放電を起させて電子サイクトロン共鳴の作用によりイ
オンを生成するイオン生成室と、このイオン生成室がn
q記コーティング室に連設される部位と対向する部位に
設けられ、前記イオン生成室からのイオンの作用を用い
て、前記被コーティング部材に1笥記堅さを有する化合
物を付着させるスパッター装置とからなるものである。
また、イオン生成室に加速電極を設けて、コーティング
室に導入させるイオンを加速させたものである。
21作用 コーティング室に連設されたイオン生成室に高周波電力
を供給して放電を起させるとともに電子サイクロトロン
共鳴の作用により室内にプラズマを生成させて多量の窒
素イオンを作る。このイオンをコーティング室に導入し
て被コーティング部材の表面層jこスパッターする。そ
の後、化合物を備えたスパッター装置を動作させて、例
えばT iを彼コーティング部材にスパッターさせる。
また、イオン加速電極を使用してイオンを加速させて被
コーティング部材に打込み、その後、Ti等の化合物を
スパッターさせる。
G、実施例 以下この発明の一実施例を図面に騒づいて説明する。
第1図において、11はコーティング室で、このコーテ
ィング室11は図示下部に連設された試料室12から導
入される例えばソリッドドリル等からなる被コーティン
グ部材13の刃先にTiN等のコー・ティングを行う。
前記コーティング室l■の図示右方にはイオン生成室1
4を連設する。
イオン生成室14の図示右端側にはN、ガス導入パイプ
15を設ける。このパイプ15のイオン生成室内側には
イオン加速電極となる第1電極16が設けられる。第1
電極I6は前記パイプ15を介して図示しない直流電源
に接続される。17は絶縁部材である。
18はイオン生成室14に設けられた2、45GHzの
マイクロ波導入窓で、この窓18に図示しないマイクロ
波発振器で発振された高周波電力が導波管19を介して
供給される。前記イオン生成室!4の外側には電子サイ
クロトロン共鳴(以下ECRと称す)を起させる空芯コ
イル20を設ける。このコイル20はECHの作用によ
ってイオン生成室I4内にプラズマを生成させるもので
ある。
前記コーティング室11とイオン生成室14の遠投部位
には絶縁部材2Iに挾まれたイオン加速電極となるメツ
シュ状の第2電極22が設けられて直流電源に接続され
る。23はスパッター装置で、このスパッター装置23
は前記イオン生成室I4と対向する部位となるコーティ
ング室11に設けられる。スパッター装置23はマグネ
トロンカソード23aと、このマグネトロンカソード2
3aに取り付けられたコーティング部材となる例えばT
iターゲット23bと、N、ガス導入パイプ23cから
構成されている。
24はコーティング室11を真空にするための排気孔で
、後述の真空排気システムに接続される。
25は電流計である。
第2図は真空排気システム構成図で、第2図において、
3Iは高真空ポンプで、この高真空ポンプ31は排気弁
32を介してロータリーポンプ33に接続されるととも
に、主弁34を介してコーティング室1!に接続される
。コーティング室llとロータリーポンプ33は排気弁
35を介して接続される。
前記高真空ポンプ31と試料室12は排気弁36とトラ
ップ37を介して接続される。また、試料室12は荒引
き弁38とフィルター39を直列に介してロータリーポ
ンプ33に接続される。40はコーティング室11と試
料室12とを連設するロードロック弁(ゲート弁)であ
る。41は試料室12内の被コーティング部材をコーテ
ィング室ll内に導入させるための駆動装置である。な
お、LS、、LSzはリミットスイッチである。42は
試料室12内に被コーティング部材を出し入れする扉で
ある。43,44.45はり−ク弁、46.47.48
はフィルター、49,50,51.52はゲージである
次に上記実施例の動作を述べる。
最初に第2図に示す真空排気システムによって、コーテ
ィング室11はI O−’Torr以下に真空排気し、
イオン生成室14内にN、ガスをパイプ15から導入し
、コーティング室ll内の圧力が0゜05Pa程度にな
るように流量を自動的に調節する。一方、試料室12内
には被コーティング部材I3となる例えばソリッドドリ
ルを収納し、駆動装置41を動作させて試料室12から
コーティング室11内に被コーティング部材■3を回転
させながら導入させる。
次にイオン生成室14に設けられているマイクロ波導入
窓18から2.45GHzのマイクロ波電力をイオン生
成室14に放射させて内部に放電を起させる。ここで、
2.45G1−1z帯のマイクロ波を用いたのは、直流
電圧や13.56MHzの高周波帯でも放電を起すこと
は可能であるけれども、励磁エネルギー不足のため、窒
素Nを原子状にしにくく、それと同時に生成される窒素
イオンの寿命が短いことからである。
イオン生成室14内に放電が起ったなら、コイル20に
通電を行って、イオン生成室14内にECRを起させる
875ガウスの磁場を生じさせる。
これにより、イオン生成室14内にECRプラズマを生
成し、多量の窒素イオンを作る。生成されたイオンはコ
ーティング室11に導入され、被コーティング部材I3
の表面層をスパッターし、その部分をクリ下ンングする
次に、スパッター装置23を動作させて、マグネトロン
カソード23aに取り付けたTiターゲット23bをコ
ーティング室1!内に存在するNイオンによりスパッタ
ーする。スパッターはマグネトロンカソード23aに直
流電圧を印加することで行う。なお、コーティング室1
1内のみのN−イオンではTiのスパッタ速度が遅いの
で、スパッター装置23のカソードシールド部よりN、
ガスをパイプ23cを介してTiに吹き付けるように流
し、Tiターゲット23b近傍に放電を集中させるとと
もに、マグネトロンにより効率よ<Tiをスパッターす
る。
但し、N!ガス導入量は多すぎるとN°イオン打込み能
力が低下するため、コーティング室11内圧力を0.I
Pa以下に抑える必要がある。
上記のようにして1゛iはスパッタリングで被コーティ
ング部材I3にスパッタリングで蒸着される際、Nと反
応して化学的にTiNを作り、被コーティング部材13
に蒸着される。しかし、コーティングが全て化学量論的
組成にならないこと、被コーティング部材13との密着
性が少し悪いこと、膜密度が乏しい欠点があることを蒸
着後、膜に対してN゛イオン打込を行うことで、さらに
化学量論化が進みかつイオンミキシング効果により、被
コーティング部材との密着性にすぐれ、しかも膜密度が
良好なTiNコーティング膜が得られる。
上記実施例においてはイオン生成室14内で生成された
Nイオンは通常発散磁界の作用によってイオン生成室1
4からコーティング室11に出てくる場合であるため、
このときのイオンエネルギーは数十eV程度と低い。こ
のため、被コーティング部材13の例えばソリッドドリ
ルの刃先へのイオン打込みは出来ず、刃先をスパッタエ
ツチングする程度で、上述したように刃先表面層をクリ
ーニングするだけであった。
そこで、イオン打込みができるように第1.第2電極1
6.22に直流電圧を印加させてNイオンを加速させ刃
先にNイオンを打込むようにする。
イオンの打込み量及び加速はマイクロ波電力と直流電圧
で制御し、電流値と時間から求める。
次に第2図に示す真空排気システムについて述べる。高
真空ポンプ31はコーティング室IIの上部に主弁34
を介して設置して、コーティング中に発生する粉末や外
気から混入したゴミ等がポンプに入らないようにし、か
つlo−1〜l0−7T orrまでコーティング室1
1を短時間(約IO分程度)で排気する。これにはター
ボモレキュラーポンプを使用する。また、地震、衝撃等
に対する対策はコーティング室!lを架台(図示省略)
から空気ばね等を用いて浮した。ロータリーポンプ33
は図示しない架台に取り付けて排気系とは図示しないベ
ローズ(SUS製)チューブによりフレキシブルにした
。ここで、図示しない起動スイッチを押してシステムを
動作させると予め設定された順序に従ってシステムは動
作を行うようになっている。従って、作業者は被コーテ
ィング部材を試料室12から出し入れするだけでよい。
また、システムの動作途中で作業者が被コーティング部
材の出し入れを行いたいときには例えば緊急スイッチを
操作して行うことができるようになっている。さらに、
各システムの工程の進行具合等は全て目視監視出来るよ
うになっている。
上述した実施例を用いて、直径I5φの通常使用するハ
イスドリルに5μlのTiNを刃先にコーティングし、
このドリルにより845G鉄材を加工した所、コーティ
ングがあるものと、ないものとでは寿命が5倍ものびる
ことが実験結果から判明した。また、切削加工によって
コーティングが消失したドリルを研摩し、刃先をととの
えたのち、刃先を湿式洗浄、乾燥後、上記実施例により
、まず刃先表面をスパッタクリーン化する。その後、T
iNイオンミキシング蒸着を行い、刃先に5μlのTi
Nをコーティングしたドリルを使用して、切削加工を行
ったが、切削能力、寿命も前記と同様であった。
さらに、ギヤー溝加工用に用いるソリッドホブカッター
(外径70、内径27、全長70j+x)モジュールI
=3、並歯、口数11歯数24を上記と同様な処理をし
て、刃先に5μlのTiNをコーティングし、浸炭材(
−HB180)のギヤー溝加工を行った所、次のような
表の結果になった。
上記の他に、切れなくなったカッターを研摩し、刃先を
ととのえたのち上記実施例によってコーティングを行っ
て切削加工を行ったが、切削能力は低下しなかった。
上述した各切削工具を従来のような方法でコーティング
するには400℃程度の加熱が必要であり、加熱及びコ
ーティング後に冷却する時間がかかりすぎるばかりでな
く、部材(母材)そのものが熱により変化してしまうお
それがある。しかし、この実施例によれば、加熱を要せ
ず、室温(常温)で膜質のすぐれたTiNをコーティン
グすることができる。しかも、コーティング時間も約3
0程度度で行うことができ、かつコーティングに要する
操作は何隻知識がない作業者でも簡単にできる。
H6発明の効果 以上述べたように、この発明によれば、被コーティング
部材を高温に加熱する必要がなく、部材との密着性にす
ぐれ、膜密度が高く、かつ良質の堅さを有する化合物(
例えばT i N )のコーティングができる利点があ
る。
また、加速電極によりイオンを加速させることにより、
被コーティング部材へのイオンの打込みが確実に行うこ
とができ、披コーティングへの化合物が極めて強力に密
着する利点がある。
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例を示す概略構成説明図、第
2図は第1図の実施例の真空排気システムを示す説明図
、第3図はソリッドドリルを示ず措成説明図である。 11・・・コーティング室、12・・・試料室、13・
・・被コーティング部材、14・・・イオン生成室、1
6゜22・・・第1.第2電極、I8・・・マイクロ波
導入窓、20・・・コイル、23・・・スバヮタ装置。 外2名

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被コーティング部材がセットされる試料室と、こ
    の試料室から導入される前記被コーティング部材に堅さ
    を有する化合物をコーティングするコーティング室と、
    このコーティング室に連設されるとともに、イオン生成
    用ガスが導入され、高周波電力を供給して内部で放電を
    起させて電子サイクトロン共鳴の作用によりイオンを生
    成するイオン生成室と、このイオン生成室が前記コーテ
    ィング室に連設される部位と対向する部位に設けられ、
    前記イオン生成室からのイオンの作用を用いて、前記被
    コーティング部材に前記堅さを有する化合物を付着させ
    るスパッタ装置とからなることを特徴とするコーティン
    グ装置。
  2. (2)前記イオン生成室に加速電極を設けて、コーティ
    ング室に導入させるイオンを加速させたことを特徴とす
    る請求項1に記載のコーティング装置。
JP28953288A 1988-11-16 1988-11-16 コーティング装置 Pending JPH02138464A (ja)

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JP28953288A JPH02138464A (ja) 1988-11-16 1988-11-16 コーティング装置

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JP28953288A JPH02138464A (ja) 1988-11-16 1988-11-16 コーティング装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996028587A1 (de) * 1995-03-14 1996-09-19 Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt Empa Plasmakammer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996028587A1 (de) * 1995-03-14 1996-09-19 Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt Empa Plasmakammer

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