JPH0213846B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0213846B2 JPH0213846B2 JP57060022A JP6002282A JPH0213846B2 JP H0213846 B2 JPH0213846 B2 JP H0213846B2 JP 57060022 A JP57060022 A JP 57060022A JP 6002282 A JP6002282 A JP 6002282A JP H0213846 B2 JPH0213846 B2 JP H0213846B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- harmonics
- fundamental wave
- oscillation
- open stub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/06—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
- H03B19/14—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/0024—Structural aspects of oscillators including parallel striplines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
- H03B2200/007—Generation of oscillations based on harmonic frequencies, e.g. overtone oscillators
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、トランジスタを用いて超高周波を発
生させる発振逓倍器に関するものである。
生させる発振逓倍器に関するものである。
従来技術と問題点
超高周波を発生させる為に、ガンダイオード発
振器が知られているが、効率が低い欠点があつ
た。又トランジスタを用いた発振器の高調波成分
をフイルタにより取出す構成も知られているが、
発振出力に含まれる高調波成分は比較的小さいも
のであるから、充分な大きさの高調波を取出すこ
とが容易でない欠点があつた。
振器が知られているが、効率が低い欠点があつ
た。又トランジスタを用いた発振器の高調波成分
をフイルタにより取出す構成も知られているが、
発振出力に含まれる高調波成分は比較的小さいも
のであるから、充分な大きさの高調波を取出すこ
とが容易でない欠点があつた。
発明の目的
本発明は、トランジスタにより基本波を発振さ
せ、その基本波を逓倍した高調波の超高周波を、
簡単な構成で具つ効率良く発生し得るようにする
ことを目的とするものである。以下実施例につい
て詳細に説明する。
せ、その基本波を逓倍した高調波の超高周波を、
簡単な構成で具つ効率良く発生し得るようにする
ことを目的とするものである。以下実施例につい
て詳細に説明する。
発明の実施例
第１図は本発明の一実施例の説明図であり、
GaAsFET（電界効果トランジスタ）を用いた場
合についてのものである。このGaAs FETを以
下単にトランジスタＱと称す。トランジスタＱの
ゲートＧにはオープンスタブ１が接続され、ソー
スＳにはオープンスタブ２が接続され、ドレイン
Ｄは接地されている。基本波の波長をλ1、出力す
べき高調波の波長をλnとすると、オープンスタ
ブ１は約λ1／４の長さで、オープンスタブ２は約
λ1／２の長さとする。又Ｌ１，Ｌ２はインダクタ
ンス、Ｃ１，Ｃ２はコンデンサ、Ｒ１，Ｒ２は抵
抗であり、電源電圧−Ｖを抵抗Ｒ１、インダクタ
ンスＬ１を介してトランジスタＱのソースＳに加
えると共に、抵抗Ｒ１による電圧降下分を、抵抗
Ｒ２、インダクタンスＬ２を介してゲートＧにバ
イアス電圧として加える。又３はλn／４の結合
線路であり、出力端子OUTに接続される。
GaAsFET（電界効果トランジスタ）を用いた場
合についてのものである。このGaAs FETを以
下単にトランジスタＱと称す。トランジスタＱの
ゲートＧにはオープンスタブ１が接続され、ソー
スＳにはオープンスタブ２が接続され、ドレイン
Ｄは接地されている。基本波の波長をλ1、出力す
べき高調波の波長をλnとすると、オープンスタ
ブ１は約λ1／４の長さで、オープンスタブ２は約
λ1／２の長さとする。又Ｌ１，Ｌ２はインダクタ
ンス、Ｃ１，Ｃ２はコンデンサ、Ｒ１，Ｒ２は抵
抗であり、電源電圧−Ｖを抵抗Ｒ１、インダクタ
ンスＬ１を介してトランジスタＱのソースＳに加
えると共に、抵抗Ｒ１による電圧降下分を、抵抗
Ｒ２、インダクタンスＬ２を介してゲートＧにバ
イアス電圧として加える。又３はλn／４の結合
線路であり、出力端子OUTに接続される。
オープンスタブ１，２がトランジスタＱのゲー
トＧとソースＳとに接続され、ドレイン接地の基
本波の発振回路が構成される。結合線路３はオー
ブンスタブ２のソースＳへの接続側に結合され、
λn／４の結合線路長であるから、波長λnの高調
波のみが出力端子OUTに出力される。即ち、波
長λ1の基本波は、オープンスタブ２を伝搬した
後、そのオープンスタブ２の開放端に於いて全反
射されてトランジスタＱに帰還され、そのトラン
ジスタＱの非線形特性により逓倍されて、基本波
の整数倍の高調波が発生することになり、その逓
倍された高調波の中の波長λnのみがλn／４の結
合長の結合線路３により取出されることになる。
このとき、波長λn以外の高調波は、基本波と同
様にオープンスタブ２により全反射されてトラン
ジスタＱに帰還されるから、逓倍効率を向上する
ことができる。従つて、例えば、40GHz程度の超
高周波を効率良く発生させることができる。
トＧとソースＳとに接続され、ドレイン接地の基
本波の発振回路が構成される。結合線路３はオー
ブンスタブ２のソースＳへの接続側に結合され、
λn／４の結合線路長であるから、波長λnの高調
波のみが出力端子OUTに出力される。即ち、波
長λ1の基本波は、オープンスタブ２を伝搬した
後、そのオープンスタブ２の開放端に於いて全反
射されてトランジスタＱに帰還され、そのトラン
ジスタＱの非線形特性により逓倍されて、基本波
の整数倍の高調波が発生することになり、その逓
倍された高調波の中の波長λnのみがλn／４の結
合長の結合線路３により取出されることになる。
このとき、波長λn以外の高調波は、基本波と同
様にオープンスタブ２により全反射されてトラン
ジスタＱに帰還されるから、逓倍効率を向上する
ことができる。従つて、例えば、40GHz程度の超
高周波を効率良く発生させることができる。
又オープスタブ２の根元で結合させている為、
取出す波長λnの高調波信号は、発振条件を満た
す基本波回路（オープンスタブ２は高調波に対す
る損失が大きい）を通過することがないので、そ
れによる回路損が含まれないものとなり、基本波
の発振と高調波の出力調整とは、独立にできるこ
とになる。
取出す波長λnの高調波信号は、発振条件を満た
す基本波回路（オープンスタブ２は高調波に対す
る損失が大きい）を通過することがないので、そ
れによる回路損が含まれないものとなり、基本波
の発振と高調波の出力調整とは、独立にできるこ
とになる。
第２図は本発明の他の実施例を示し、直流給電
系は図示を省略している。この実施例は、λn／
２波長の分布結合形バンドパスフイルタ４を用い
た場合についてのものであり、それぞれλn／２
の長さの結合線路をλn／４の長さで相互に結合
したものである。なお第１図と同一符号は同一部
分を示す。
系は図示を省略している。この実施例は、λn／
２波長の分布結合形バンドパスフイルタ４を用い
た場合についてのものであり、それぞれλn／２
の長さの結合線路をλn／４の長さで相互に結合
したものである。なお第１図と同一符号は同一部
分を示す。
第３図は本発明の更に他の実施例を示し、直流
給電系は図示を省略している。この実施例は誘電
体共振器５を設けた場合についてのものであり、
第１図及び第２図に示すようなオープンスタブ１
をストリツプ線路で構成したときのQ0が約100〜
200程度であるのに対し、誘電体共振器５はQ0が
約400〜5000程度であるから、周波数の安定化を
図ることができる。又ソースＳに接続したオープ
ンスタブ２の根元にλn／４の結合線路３を設け
た場合を示しているが、第２図に示す実施例のよ
うに、分布結合形バンドパスフイルタとすること
もできる。なお第１図と同一符号は同一部分を示
すものである。
給電系は図示を省略している。この実施例は誘電
体共振器５を設けた場合についてのものであり、
第１図及び第２図に示すようなオープンスタブ１
をストリツプ線路で構成したときのQ0が約100〜
200程度であるのに対し、誘電体共振器５はQ0が
約400〜5000程度であるから、周波数の安定化を
図ることができる。又ソースＳに接続したオープ
ンスタブ２の根元にλn／４の結合線路３を設け
た場合を示しているが、第２図に示す実施例のよ
うに、分布結合形バンドパスフイルタとすること
もできる。なお第１図と同一符号は同一部分を示
すものである。
前述の各実施例はドレイン接地で出力ポートを
ソースＳ側とした場合について示すものである
が、他の接形式及び出力ポートをゲートＧ側とす
ることも勿論可能である。
ソースＳ側とした場合について示すものである
が、他の接形式及び出力ポートをゲートＧ側とす
ることも勿論可能である。
発明の効果
以上説明したように、本発明は、GaAs FET
等のトランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、
トランジスタの入出力端子にそれぞれオープンス
タブを接続して基本波発振回路を構成すると共
に、それぞれのオープンスタブの何れか一方の根
元即ちトランジスタ側に高調波を取出す為の分布
結合形バンドパスフイルタ等の結合部を設けて、
トランジスタにより逓倍された高調波を取出す構
成としたものであり、オープンスタブや結合部を
マイクロストリツプ線路により形成することによ
りマイクロ波集積回路（MIC）化することがで
きる。又トランジスタの発振可能周波数に対して
数倍の高調波を逓倍によつて取出すことができる
と共に、オープンスタブの根元で結合して高調波
を取出すものであるから、効率良く数10GHzの超
高周波を発生することができる利点があり、更に
基本波の発振と高調波の取出しとの調整を独立的
に行なうことができる利点がある。又結合部によ
り直流が遮断されるので、直流カツトの手段を特
に設ける必要がないものとなる。
等のトランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、
トランジスタの入出力端子にそれぞれオープンス
タブを接続して基本波発振回路を構成すると共
に、それぞれのオープンスタブの何れか一方の根
元即ちトランジスタ側に高調波を取出す為の分布
結合形バンドパスフイルタ等の結合部を設けて、
トランジスタにより逓倍された高調波を取出す構
成としたものであり、オープンスタブや結合部を
マイクロストリツプ線路により形成することによ
りマイクロ波集積回路（MIC）化することがで
きる。又トランジスタの発振可能周波数に対して
数倍の高調波を逓倍によつて取出すことができる
と共に、オープンスタブの根元で結合して高調波
を取出すものであるから、効率良く数10GHzの超
高周波を発生することができる利点があり、更に
基本波の発振と高調波の取出しとの調整を独立的
に行なうことができる利点がある。又結合部によ
り直流が遮断されるので、直流カツトの手段を特
に設ける必要がないものとなる。
第１図、第２図及び第３図は本発明のそれぞれ
異なる実施例の説明図である。 １，２はオープンスタブ、３は結合線路、４は
分布結合形バンドパスフイルタ、５は誘電体共振
器、Ｑはトランジスタ、OUTは出力端子である。
異なる実施例の説明図である。 １，２はオープンスタブ、３は結合線路、４は
分布結合形バンドパスフイルタ、５は誘電体共振
器、Ｑはトランジスタ、OUTは出力端子である。
Claims (1)
- １ トランジスタを用いた発振逓倍器に於いて、
前記トランジスタの入出力端子にそれぞれオープ
ンスタブを接続して基本波発振回路を構成すると
共に、前記入出力端子にそれぞれ接続したオープ
ンスタブの前記トランジスタ側に高調波を取出す
結合部を設け、前記トランジスタの非線形特性に
より逓倍された高調波を取出す構成としたことを
特徴とする発振逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060022A JPS58177010A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57060022A JPS58177010A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177010A JPS58177010A (ja) | 1983-10-17 |
| JPH0213846B2 true JPH0213846B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=13130019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57060022A Granted JPS58177010A (ja) | 1982-04-10 | 1982-04-10 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177010A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722244B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1995-03-08 | 富士通株式会社 | マイクロ波発振器 |
| JP2731571B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1998-03-25 | 日本電気 株式会社 | ストリップライン型発振器 |
| JP5288939B2 (ja) * | 2008-08-13 | 2013-09-11 | 三菱電機株式会社 | 高周波発振源 |
| JP6450204B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2019-01-09 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
| JP6666652B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2020-03-18 | 株式会社ヨコオ | 高周波発振器 |
-
1982
- 1982-04-10 JP JP57060022A patent/JPS58177010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58177010A (ja) | 1983-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1885056B1 (en) | Electronic circuit device | |
| US5886595A (en) | Odd order MESFET frequency multiplier | |
| CA1118849A (en) | Wideband mesfet microwave frequency divider | |
| CN103354442B (zh) | 一种多功能倍频器 | |
| JPH0213847B2 (ja) | ||
| JPH0213846B2 (ja) | ||
| JP2000156611A (ja) | 周波数逓倍器 | |
| US4176332A (en) | Frequency multiplier | |
| JPH07183744A (ja) | 高効率電力増幅器 | |
| US4190808A (en) | Amplifier-oscillator frequency multiplier apparatus | |
| CA1258890A (en) | Dielectric resonator controlled oscillator having a raised frequency multiplying efficiency | |
| US4380744A (en) | Stabilized oscillator for microwaves with frequency conversion and its solid state construction | |
| Büchs et al. | Frequency conversion using harmonic mixers with resistive diodes | |
| EP0182664A3 (en) | Low noise oscillator | |
| SU684708A1 (ru) | Автогенератор гармоники | |
| Schellenberg et al. | W-band oscillator using ion-implanted InGaAs MESFETs | |
| KR20040057138A (ko) | 포토닉 밴드갭 구조와 피드포워드 회로를 이용한 전압제어발진기 및 그 동작 방법 | |
| GB1304433A (ja) | ||
| SU809473A1 (ru) | Умножитель частоты | |
| JPH0352020Y2 (ja) | ||
| Stubbs et al. | A single stage monolithic regenerative 1/2 analog frequency divider | |
| Von Stein et al. | Odd order MESFET multipliers with broadband, efficient, low spurious response | |
| JPS6354002A (ja) | Ｆｅｔ周波数逓倍器を内蔵するマイクロ波バ−スト信号発生装置 | |
| JPH0666590B2 (ja) | 電界効果トランジスタ周波数逓倍回路 | |
| YEN et al. | Optical-microwave interactions in semiconductor devices[Quarterly Report, 15 Sep.- 16 Dec. 1977] |