JPH02138478A - 被膜を製造するためのｃｖｄコーティング法及びそれを実施するための装置 - Google Patents
被膜を製造するためのｃｖｄコーティング法及びそれを実施するための装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被膜を製造するためのＣＶＤコーティング法
及びそれを実施するための装置に関する。
及びそれを実施するための装置に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕従来、例
えば反射性被覆レンズ、偏光被覆レンズ、あるいは非反
射性被覆レンズなどにおけるような薄い被膜は、蒸着あ
るいはスパッタリング技術により製造されている。しか
しながら、このようにして製造された被膜は、例えば屈
折率、吸収性あるいは圧密性（圧縮性）などに関する被
膜の特性が使用した出発材料の特性と異なり、そこで被
膜の所定の特性を実現することが困難であるという不都
合がある。
えば反射性被覆レンズ、偏光被覆レンズ、あるいは非反
射性被覆レンズなどにおけるような薄い被膜は、蒸着あ
るいはスパッタリング技術により製造されている。しか
しながら、このようにして製造された被膜は、例えば屈
折率、吸収性あるいは圧密性（圧縮性）などに関する被
膜の特性が使用した出発材料の特性と異なり、そこで被
膜の所定の特性を実現することが困難であるという不都
合がある。
光ＣｖＤあるいはブ・ラズマＣＶＤコーティング法（Ｃ
ＶＤは化学蒸着を意味する）は、光波導管を製造し、ま
た応用するために開発された技術であるが、プラズマか
らの反応性蒸着によりあるいは紫外線による励起によっ
て得られる被膜が同じ組成の溶融ガラスと同様の構成で
あるために、上記のような不都合は有さない。
ＶＤは化学蒸着を意味する）は、光波導管を製造し、ま
た応用するために開発された技術であるが、プラズマか
らの反応性蒸着によりあるいは紫外線による励起によっ
て得られる被膜が同じ組成の溶融ガラスと同様の構成で
あるために、上記のような不都合は有さない。
これらのプロセスにおいては、反応ガスは化学反応を経
て基材上に固形析出層を形成する。
て基材上に固形析出層を形成する。
しかしながら、これらのプロセスはこれまで丸い形状に
ついてのみ最適化されており、一方、１００ｎｍ未満の
範囲の薄い被膜については、これらのプロセスを用いて
は殆んど製造されていない。
ついてのみ最適化されており、一方、１００ｎｍ未満の
範囲の薄い被膜については、これらのプロセスを用いて
は殆んど製造されていない。
そこで、ヨーロッパ特許第３８１９１号に、非常に薄い
被膜が製造できるプラズマＣＶＤコーティング法が提案
されているが、管の内部にのみ適用されている。
被膜が製造できるプラズマＣＶＤコーティング法が提案
されているが、管の内部にのみ適用されている。
平坦な表面にもコーティングできる他のプラズマＣＶＤ
コーティング法が、ヨーロッパ特許第１７２２８号によ
り知られている。しかしながら、コーティングされるべ
き基材は石英ガラス管中に置かれ、次いで、反応ガスが
石英ガラス管に導かれる。従って、基材の大きさは石英
ガラス管により制限される。また、所望の基材表面の他
に、事実上管内のいたる場所にコーティングされ、その
結果、非常に過剰の反応ガスを使用しなければならない
。さらに、用いる素材、そのサイズ及び形状に依存して
、非常に好適な反応ガスの流れを常に達成できるわけで
はなく、その結果、均一な被膜を得ることができない。
コーティング法が、ヨーロッパ特許第１７２２８号によ
り知られている。しかしながら、コーティングされるべ
き基材は石英ガラス管中に置かれ、次いで、反応ガスが
石英ガラス管に導かれる。従って、基材の大きさは石英
ガラス管により制限される。また、所望の基材表面の他
に、事実上管内のいたる場所にコーティングされ、その
結果、非常に過剰の反応ガスを使用しなければならない
。さらに、用いる素材、そのサイズ及び形状に依存して
、非常に好適な反応ガスの流れを常に達成できるわけで
はなく、その結果、均一な被膜を得ることができない。
最近、西独特許出願公開Ｄ Ｅ −ＯＳ ３７２６７７
５号に平坦面にプラズマＣＶＤコーティングを行なうた
めの方法が開示された。この方法によれば、反応ガスは
多孔板を通して流され、該多孔板の下にこれと平行に、
コーティングされるべき表面が置かれる。ブラズ７は多
孔板とコーティングされるべき表面との間で発生され、
これが反応を起こす。この方法は、反応ガスをよく利用
し、また比較的大きな表面にコーティングできる点にお
いて、前述した方法に比べて有利である。しかしながら
、この方法においても、反応の間燃焼したガスを一様に
除去することができず、その結果、不均一な被膜を生ず
るという不都合がある。さらに、プラズマは多孔板と基
材との間で励起されるので、プラズマが多孔板中へ引続
き入り、多孔板もまたコーティングし、その結果、ノズ
ル類が塞がってしまうという危険性がある。
５号に平坦面にプラズマＣＶＤコーティングを行なうた
めの方法が開示された。この方法によれば、反応ガスは
多孔板を通して流され、該多孔板の下にこれと平行に、
コーティングされるべき表面が置かれる。ブラズ７は多
孔板とコーティングされるべき表面との間で発生され、
これが反応を起こす。この方法は、反応ガスをよく利用
し、また比較的大きな表面にコーティングできる点にお
いて、前述した方法に比べて有利である。しかしながら
、この方法においても、反応の間燃焼したガスを一様に
除去することができず、その結果、不均一な被膜を生ず
るという不都合がある。さらに、プラズマは多孔板と基
材との間で励起されるので、プラズマが多孔板中へ引続
き入り、多孔板もまたコーティングし、その結果、ノズ
ル類が塞がってしまうという危険性がある。
同様な装置はヨーロッパ特許第７４２１２号及び米国特
許節４．４３４．７４２号により知られている。
許節４．４３４．７４２号により知られている。
これらの装置においては、反応ガスは１つ又はそれ以上
の孔を有するプレートを通って流れ、該プレー トを越
えたところにそれと平行又は垂直に、コーティングされ
るべき表面が配置される。前述した方法とは異なり、反
応ガスにおけるプラズマは多孔板の上部でもしくは上下
で既に発生している。これらの装置においてもまた、消
費された反応ガスを常に一様に除去できるものではない
。さらに、反応予備室及びプラズマの連通開口部もまた
かなりの材料損失を生ずる程相当にコーティングされ、
反応予備室及び連通開口部を時々清掃する必要がある。
の孔を有するプレートを通って流れ、該プレー トを越
えたところにそれと平行又は垂直に、コーティングされ
るべき表面が配置される。前述した方法とは異なり、反
応ガスにおけるプラズマは多孔板の上部でもしくは上下
で既に発生している。これらの装置においてもまた、消
費された反応ガスを常に一様に除去できるものではない
。さらに、反応予備室及びプラズマの連通開口部もまた
かなりの材料損失を生ずる程相当にコーティングされ、
反応予備室及び連通開口部を時々清掃する必要がある。
従って、本発明の目的は、薄い被膜も製造でき、また平
坦な基材にも湾曲した基材にもコーティングすることが
できる、被膜を製造するためのＣＶＤコーティング法を
提供することにある。できるだけ均一な被膜を製造でき
ることが必要であり、また供給ライン及びマイクロ波照
射用の導体の内部及び上部への反応ガスの蒸着はできる
だけ避けられねばならない。さらに、非常に大きな表面
にコーティングできることも望まれる。
坦な基材にも湾曲した基材にもコーティングすることが
できる、被膜を製造するためのＣＶＤコーティング法を
提供することにある。できるだけ均一な被膜を製造でき
ることが必要であり、また供給ライン及びマイクロ波照
射用の導体の内部及び上部への反応ガスの蒸着はできる
だけ避けられねばならない。さらに、非常に大きな表面
にコーティングできることも望まれる。
さらに本発明の目的は、上記プロセスを実施するための
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明によれば、基材のコ
ーティングされるべき表面上に流れる反応ガスから反応
室内においてコーティング材料が形成されることから成
り、開口部を介して反応室に連結されている予備室内で
の高周波放射線により引き起こされる気体放電によって
反応ガスが励起されて、基材のコーティングされるべき
表面上に反応性蒸着を生じ、基材が上記開口部の領域に
おいてコーティングされることからなる被膜を製造する
ためのＣＶＤコーティング法において、反応ガスの少な
くとも一部分が予備室をバイパスするスロットへ導かれ
ることを特徴とするＣＶＤコーティング法が提供される
。
ーティングされるべき表面上に流れる反応ガスから反応
室内においてコーティング材料が形成されることから成
り、開口部を介して反応室に連結されている予備室内で
の高周波放射線により引き起こされる気体放電によって
反応ガスが励起されて、基材のコーティングされるべき
表面上に反応性蒸着を生じ、基材が上記開口部の領域に
おいてコーティングされることからなる被膜を製造する
ためのＣＶＤコーティング法において、反応ガスの少な
くとも一部分が予備室をバイパスするスロットへ導かれ
ることを特徴とするＣＶＤコーティング法が提供される
。
さらに本発明によれば、コーティングされるべき基材を
配置する反応室と、該反応室に開口部を介して連結され
ており、その中に電磁線を通すことができる予備室と、
反応ガスを供給する装置と、反応のために必要な減圧を
発生し、かつ消費された反応ガスを除去するだめの真空
ポンプとを有するＣＶＤコーティング法を実施するため
の装置において、反応ガスの少な（とも一部分が予備室
の外側から開口部に供給されることを特徴とする装置が
提供される。
配置する反応室と、該反応室に開口部を介して連結され
ており、その中に電磁線を通すことができる予備室と、
反応ガスを供給する装置と、反応のために必要な減圧を
発生し、かつ消費された反応ガスを除去するだめの真空
ポンプとを有するＣＶＤコーティング法を実施するため
の装置において、反応ガスの少な（とも一部分が予備室
の外側から開口部に供給されることを特徴とする装置が
提供される。
本発明の方法は、特にプラズマＣＶＤコーティング法に
好適であり、特にプラズマ衝撃ＣＶＤコーティング法（
Ｐ Ｉ ＣＶＤ）が好適である。
好適であり、特にプラズマ衝撃ＣＶＤコーティング法（
Ｐ Ｉ ＣＶＤ）が好適である。
というのは、衝撃遮断の間、消費された反応ガスを極め
て容易に除去でき、従って各々の新しいプラズマ衝撃が
新鮮な反応ガスに順次作用するためである。プラズマＣ
ＶＤコーティング法以外にも、紫外線によって反応ガス
を励起することも可能であり、この紫外線は再びプラズ
マにおいて発生される。この先ＣＶＤコーティング法は
また、蒸着がプラズマにおける反応ガスから生起するプ
ラズマＣＶＤコーティング法と組み合わせることもでき
る。ここでは、紫外線が反応ガスのプラズマの形成を促
進し、従って電磁線好ましくはマイクロ波放射線におけ
る比較的わずかな場の強さでもプラズマを励起するに充
分である。
て容易に除去でき、従って各々の新しいプラズマ衝撃が
新鮮な反応ガスに順次作用するためである。プラズマＣ
ＶＤコーティング法以外にも、紫外線によって反応ガス
を励起することも可能であり、この紫外線は再びプラズ
マにおいて発生される。この先ＣＶＤコーティング法は
また、蒸着がプラズマにおける反応ガスから生起するプ
ラズマＣＶＤコーティング法と組み合わせることもでき
る。ここでは、紫外線が反応ガスのプラズマの形成を促
進し、従って電磁線好ましくはマイクロ波放射線におけ
る比較的わずかな場の強さでもプラズマを励起するに充
分である。
本発明に係る方法の重要な特徴は、反応ガスの励起が、
実際の反応室に開口部を介して連結されている予備室か
ら生起し、この反応ガス部分が反応が起こる領域の開口
部に導かれ、それによって反応予備室での蒸着が事実上
防止されることにある。
実際の反応室に開口部を介して連結されている予備室か
ら生起し、この反応ガス部分が反応が起こる領域の開口
部に導かれ、それによって反応予備室での蒸着が事実上
防止されることにある。
これを行なうには種々の方策が可能ある。例えば、反応
ガスの一部分、例えば反応ガスとしての四塩化珪素と酸
素の混合物における酸素成分を予備室を通し、て反応場
所即ち開口部に導き、一方、反応ガスの他の部分即ち四
塩化珪素成分を予備室をバイパスさせて開口部に導くこ
とができる。酸素成分は蒸着できないので、予備室でコ
ーティングが生ずることはない。これに関連して、酸素
は予１ｉｉ！室においてより早期に励起されてプラズマ
を生じるこができ、これは次いで開口部において四塩化
珪素成分と合流し、このときにおいてのみ反応性蒸着が
可能となる。
ガスの一部分、例えば反応ガスとしての四塩化珪素と酸
素の混合物における酸素成分を予備室を通し、て反応場
所即ち開口部に導き、一方、反応ガスの他の部分即ち四
塩化珪素成分を予備室をバイパスさせて開口部に導くこ
とができる。酸素成分は蒸着できないので、予備室でコ
ーティングが生ずることはない。これに関連して、酸素
は予１ｉｉ！室においてより早期に励起されてプラズマ
を生じるこができ、これは次いで開口部において四塩化
珪素成分と合流し、このときにおいてのみ反応性蒸着が
可能となる。
予備室をバイパスさせて反応場所に導かれる反応ガスの
部分は、ここでは好ましくは、基材に対して平行にある
いは層流で流れるように案内される。これは特に均一コ
ーティングの効果が得られる。この流れは、例えば、こ
の成分のための供給ラインが、反応領域の方向に反応室
と予備室との間に配置される場合に達成できる。
部分は、ここでは好ましくは、基材に対して平行にある
いは層流で流れるように案内される。これは特に均一コ
ーティングの効果が得られる。この流れは、例えば、こ
の成分のための供給ラインが、反応領域の方向に反応室
と予備室との間に配置される場合に達成できる。
供給ラインから供給される反応ガスは、コーティングさ
れるべき表面と実質的に平行に流れる。
れるべき表面と実質的に平行に流れる。
反応ガス供給について種々の変更が可能であり、例えば
、全反応ガスを、予備室をバイパスさせて反応領域に導
くこともできる。一方、それ自体では反応性蒸着が生起
し得ない反応ガス部分が、予備室を通【２て開口部に、
従って反応領域に導かれれば、そのときにはこの反応ガ
スの部分にはプラズマが既に発生し得ており、従ってプ
ラズマは特に予備室内に導かれていて、それによって、
励起する高周波放射線のための内部導体として作用する
。
、全反応ガスを、予備室をバイパスさせて反応領域に導
くこともできる。一方、それ自体では反応性蒸着が生起
し得ない反応ガス部分が、予備室を通【２て開口部に、
従って反応領域に導かれれば、そのときにはこの反応ガ
スの部分にはプラズマが既に発生し得ており、従ってプ
ラズマは特に予備室内に導かれていて、それによって、
励起する高周波放射線のための内部導体として作用する
。
予備室としては、好ましくはスロット状開口部を有する
金属製管、好ましくは白金製管が好適に用いられる。そ
の場合、反応は全体のスロット部分の下部で生起する。
金属製管、好ましくは白金製管が好適に用いられる。そ
の場合、反応は全体のスロット部分の下部で生起する。
反応性蒸着がプラズマから生起する場合には、そのとき
には単一もしくは複数の開口部のサイズあるいはスロッ
トのサイズは、供給される高周波放射線あるいはマイク
ロ波出力の少なくともλ／４０となるように選定される
。このことは、反応ガスが励起されてプラズマとなるよ
うな高い場の強さを開口部のもしくはスロットの領域に
維持し得ることを意味する。
には単一もしくは複数の開口部のサイズあるいはスロッ
トのサイズは、供給される高周波放射線あるいはマイク
ロ波出力の少なくともλ／４０となるように選定される
。このことは、反応ガスが励起されてプラズマとなるよ
うな高い場の強さを開口部のもしくはスロットの領域に
維持し得ることを意味する。
反応ガスが紫外線によってのみ励起される場合には、そ
のときには使用される開口部もより小さなものであって
よい。
のときには使用される開口部もより小さなものであって
よい。
また、励起されてプラズマを生ずる補助ガスを予備室を
通して案内してもよく、この励起は開口部を通し、て反
応ガスに伝達されることになる。この場合、補助ガスの
プラズマ中に生じる紫外線は順次反応ガスの励起を促進
できる。
通して案内してもよく、この励起は開口部を通し、て反
応ガスに伝達されることになる。この場合、補助ガスの
プラズマ中に生じる紫外線は順次反応ガスの励起を促進
できる。
予備室を通して導かれる反応ガス部分のあるいは補助ガ
スの案内についても、多くの方策が可能である。従っＣ
１例えば、電気的に非誘電性の材料例えば石英製の管状
遮蔽材を管状の予備室内に好ましくは同心円状に配設す
ることができ、この遮蔽材もまた予備室の好ましくはス
ロット状開口部の上部にスロット状開口部を有する。こ
の遮蔽材を通して案内されるガスは、好ましくは、スロ
ット状開口部から送出されるガス又はプラズマができる
だけ一様であることが保証されるように、遮蔽材の両端
部に供給される。好ましくは、そのときにプラズマもま
た遮蔽材の両端部で発生される。この場合、プラズマは
遮蔽材の端部に配置された金属製リングにより生起され
、遮蔽材内を伝播する。ここにおいて、プラズマは予備
室に供給されている電磁線のための内部導体としても作
用する。
スの案内についても、多くの方策が可能である。従っＣ
１例えば、電気的に非誘電性の材料例えば石英製の管状
遮蔽材を管状の予備室内に好ましくは同心円状に配設す
ることができ、この遮蔽材もまた予備室の好ましくはス
ロット状開口部の上部にスロット状開口部を有する。こ
の遮蔽材を通して案内されるガスは、好ましくは、スロ
ット状開口部から送出されるガス又はプラズマができる
だけ一様であることが保証されるように、遮蔽材の両端
部に供給される。好ましくは、そのときにプラズマもま
た遮蔽材の両端部で発生される。この場合、プラズマは
遮蔽材の端部に配置された金属製リングにより生起され
、遮蔽材内を伝播する。ここにおいて、プラズマは予備
室に供給されている電磁線のための内部導体としても作
用する。
金属製予備室の内側に誘電材料のライニングが設けられ
ている場合には、予備室を通して導かれるガスも同様に
遮蔽材とライニングとの間に案内されることができ、こ
の場合、遮蔽材にはスロット状開口部は必要でない。
ている場合には、予備室を通して導かれるガスも同様に
遮蔽材とライニングとの間に案内されることができ、こ
の場合、遮蔽材にはスロット状開口部は必要でない。
同様に、予備室内に、予備室に導かれたガスを予備室の
開口部に案内し、あるいは反応ガスもしくは消費された
反応ガスが予備室に通入するのを実質的に防止する誘電
閉鎖材を設けこともできる。
開口部に案内し、あるいは反応ガスもしくは消費された
反応ガスが予備室に通入するのを実質的に防止する誘電
閉鎖材を設けこともできる。
反応ガスを試打上に大きな領域にわたって蒸着させるた
めに、基材を開口部に対して変位させる（動かす）こと
ができる。同様に、反応ガス供給ラインを何する予備室
を基材に対して変位させることもできる。これらの変位
は、コーティングされるべき表面の輪郭と整合させるこ
とができる。例えば基材を何度も変位させることにより
、コーティングされるべき表面に何度もコーティングす
ることができる。これによってより厚い被膜も作成する
ことができる。その上に蒸着が直接生起する表面の大き
さ（広さ）は、基材を開口部に垂直に変位させることに
よって変えることができる。この変位によってもまた蒸
着１．た被膜の厚さが変わり、従って、この動きを、被
膜厚さを適合するように、また同様に非常に均一な被膜
を生成するように用いることができる。
めに、基材を開口部に対して変位させる（動かす）こと
ができる。同様に、反応ガス供給ラインを何する予備室
を基材に対して変位させることもできる。これらの変位
は、コーティングされるべき表面の輪郭と整合させるこ
とができる。例えば基材を何度も変位させることにより
、コーティングされるべき表面に何度もコーティングす
ることができる。これによってより厚い被膜も作成する
ことができる。その上に蒸着が直接生起する表面の大き
さ（広さ）は、基材を開口部に垂直に変位させることに
よって変えることができる。この変位によってもまた蒸
着１．た被膜の厚さが変わり、従って、この動きを、被
膜厚さを適合するように、また同様に非常に均一な被膜
を生成するように用いることができる。
比較的大きな表面にコーティングするために、複数の予
備室を一つの反応室に連結することもでき、これらの予
備室は交互に運転されるようにもあるいは共に運転され
るようにもすることができる。
備室を一つの反応室に連結することもでき、これらの予
備室は交互に運転されるようにもあるいは共に運転され
るようにもすることができる。
経験されている技術状況に反して、本発明によれば、ば
のオーダーの大きさまでの大きな表面のＣＶＤコーティ
ングを実施することも可能であり、またコーティングは
平坦面に限定されない。
のオーダーの大きさまでの大きな表面のＣＶＤコーティ
ングを実施することも可能であり、またコーティングは
平坦面に限定されない。
本発明の方法によれば、例えばレンズ類や光波導管にお
いて用いられる誘電波膜及び金属被膜も製造できる。従
って、例えば反射性、非反射性被覆あるいは極性のし−
・ズがこれらの被膜によって製造できる。例えば西独特
許第３５３６７８０号及び３５３８７８１号に記載され
ているような光波導管も製造できる。基材はコーティン
グ後常法に従って溶融ガラスで処理できることも有利で
ある。
いて用いられる誘電波膜及び金属被膜も製造できる。従
って、例えば反射性、非反射性被覆あるいは極性のし−
・ズがこれらの被膜によって製造できる。例えば西独特
許第３５３６７８０号及び３５３８７８１号に記載され
ているような光波導管も製造できる。基材はコーティン
グ後常法に従って溶融ガラスで処理できることも有利で
ある。
基本的には、全ての光ＣＶＤコーティング法及びプラズ
マＣＶＤコーティング法が適している。ＰＩＣＶＤ法及
び持続波放電が特に適している。
マＣＶＤコーティング法が適している。ＰＩＣＶＤ法及
び持続波放電が特に適している。
以下、添附図面を参照しながら本発明の詳細な説明しつ
つ、本発明及びそれによって得られる利点について詳細
に説明する。
つ、本発明及びそれによって得られる利点について詳細
に説明する。
第１図及び第２図は本発明の装置の一実施例の概略を示
し、それぞれ第２図のＩ−１線、第１図の■−■線から
見た縦断面を示しており、反応室１内には基材２が配置
される。基材２は水平方向及び垂直方向（双頭矢印方向
）に変位可能である。管状外部導体３は、該外部導体に
沿って軸方向に延在しているスロット状開口部４を介し
て反応室１に連結されている。外部導体３は導電性材料
からなり、７１′クロ波装置の外部遮蔽材を構成してい
る。外部導体３の内側には、マイクロ波を吸収しないか
あるいはほんの僅かしか吸収しない化学的に耐誘電性の
材料、好ましくは石英ガラスもしくはセラミック製のラ
イニング５を施すことができる。外部導体３の内部空間
は予備室６を形成しており、該予備室は、これもマイク
ロ波を吸収しないかあるいはほんの僅かしか吸収しない
化学的に耐誘電性の材料からなる遮蔽材７によって分割
することができる。好ましくは、遮蔽材７は円筒形であ
り、外部導体３と同心円状に配置され、また同様に開口
部４に対して同一半径方向にスロット状開口部８を有す
る。マイクロ波を吸収しないかあるいはほんの僅かしか
吸収しない材料製の誘電閉鎖材９は、遮蔽材７の下部か
ら実質的に開口部４と平行に延出しており、予備室６の
部分を反応室１から密閉できる。
し、それぞれ第２図のＩ−１線、第１図の■−■線から
見た縦断面を示しており、反応室１内には基材２が配置
される。基材２は水平方向及び垂直方向（双頭矢印方向
）に変位可能である。管状外部導体３は、該外部導体に
沿って軸方向に延在しているスロット状開口部４を介し
て反応室１に連結されている。外部導体３は導電性材料
からなり、７１′クロ波装置の外部遮蔽材を構成してい
る。外部導体３の内側には、マイクロ波を吸収しないか
あるいはほんの僅かしか吸収しない化学的に耐誘電性の
材料、好ましくは石英ガラスもしくはセラミック製のラ
イニング５を施すことができる。外部導体３の内部空間
は予備室６を形成しており、該予備室は、これもマイク
ロ波を吸収しないかあるいはほんの僅かしか吸収しない
化学的に耐誘電性の材料からなる遮蔽材７によって分割
することができる。好ましくは、遮蔽材７は円筒形であ
り、外部導体３と同心円状に配置され、また同様に開口
部４に対して同一半径方向にスロット状開口部８を有す
る。マイクロ波を吸収しないかあるいはほんの僅かしか
吸収しない材料製の誘電閉鎖材９は、遮蔽材７の下部か
ら実質的に開口部４と平行に延出しており、予備室６の
部分を反応室１から密閉できる。
遮蔽材７の両端部には環状の内部導体１０が設けられ（
第２図参照）、該内部導体に１又はそれ以上のマイロク
波共振器１６が接続され、マイクロ波衝撃の形態でマイ
クロ波エネルギーが供給される。これによって遮蔽材７
を通して導かれたガスによりプラズマが形成され、これ
は連結された電磁線にとって外部導体３に対する固有の
内部導体として作用する。
第２図参照）、該内部導体に１又はそれ以上のマイロク
波共振器１６が接続され、マイクロ波衝撃の形態でマイ
クロ波エネルギーが供給される。これによって遮蔽材７
を通して導かれたガスによりプラズマが形成され、これ
は連結された電磁線にとって外部導体３に対する固有の
内部導体として作用する。
反応室１と外部導体３の連結部の両側部から横方向に、
複数の反応ガス供給ライン１１が交互に相対して分枝す
るように配設されており、それによって、開口部４の領
域に流入する反応ガスは基材２上部を層流で流れる。反
応ガスの流れ（矢印参照）は基材２を越えて吸引ノズル
１２のところへ行き、反応の間消費された反応ガスは該
吸引ノズルを通して真空ポンプにより吸引除去される。
複数の反応ガス供給ライン１１が交互に相対して分枝す
るように配設されており、それによって、開口部４の領
域に流入する反応ガスは基材２上部を層流で流れる。反
応ガスの流れ（矢印参照）は基材２を越えて吸引ノズル
１２のところへ行き、反応の間消費された反応ガスは該
吸引ノズルを通して真空ポンプにより吸引除去される。
遮蔽材７内部のプラズマは、開口部８を通じて、反応ガ
ス供給ライン１１を通して導かれた反応ガスあるいは開
口部８の方向に流れている反応ガスと接触し、基材２上
の開口部８の領域において反応プラズマ１７を形成する
。それに応じて、全プラズマは、内部導体１０から出発
して、スロット状開口部４に沿ってその上下部に、さら
には基材２にまで延長し、プラズマからの反応性蒸着が
反応プラズマ１７の領域においてのみ、従って実質的に
基材２上にのみ生ずることが可能となる。
ス供給ライン１１を通して導かれた反応ガスあるいは開
口部８の方向に流れている反応ガスと接触し、基材２上
の開口部８の領域において反応プラズマ１７を形成する
。それに応じて、全プラズマは、内部導体１０から出発
して、スロット状開口部４に沿ってその上下部に、さら
には基材２にまで延長し、プラズマからの反応性蒸着が
反応プラズマ１７の領域においてのみ、従って実質的に
基材２上にのみ生ずることが可能となる。
基材２は、抵抗加熱体１３によって反応温度に加熱する
ことができる。抵抗加熱体１３は、反応温度が例えば使
用した反応ガスなどの反応条件に適合できるように、制
御される。
ことができる。抵抗加熱体１３は、反応温度が例えば使
用した反応ガスなどの反応条件に適合できるように、制
御される。
第３図は並列に運転できる２つのマイクロ波装置を有す
る実施例を示す。この実施例の装置の構造は、反応ガス
供給ライン１１がそれぞれ外部導体３の一方の側部にの
みあり、かつ遮蔽材７が反応室１に対して閉ざされてい
る点を除けば、基本的には第１図及び第２図の実施例と
同じである。この場合、プラズマは遮蔽材７の内部で発
生し、その紫外線によって、開口部４の場の強さの高い
領域において反応ガスを励起し、あるいは反応プラズマ
の生起を促進する。
る実施例を示す。この実施例の装置の構造は、反応ガス
供給ライン１１がそれぞれ外部導体３の一方の側部にの
みあり、かつ遮蔽材７が反応室１に対して閉ざされてい
る点を除けば、基本的には第１図及び第２図の実施例と
同じである。この場合、プラズマは遮蔽材７の内部で発
生し、その紫外線によって、開口部４の場の強さの高い
領域において反応ガスを励起し、あるいは反応プラズマ
の生起を促進する。
第４図にはロッド状基材１４にコーティングするための
実施例が示されている。マイクロ波装置の設計はこれも
第１図及び第２図に示すものと対応しているが、遮蔽材
７が反応室１に対して閉ざされていること、及び反応予
備室６が閉鎖材９を有さないことが異なる。この実施例
においては、予備室６は外部空気から閉ざされており、
また例えば酸素のような反応ガスあるいは補助ガスを予
備室６内へ導くことができる。
実施例が示されている。マイクロ波装置の設計はこれも
第１図及び第２図に示すものと対応しているが、遮蔽材
７が反応室１に対して閉ざされていること、及び反応予
備室６が閉鎖材９を有さないことが異なる。この実施例
においては、予備室６は外部空気から閉ざされており、
また例えば酸素のような反応ガスあるいは補助ガスを予
備室６内へ導くことができる。
例えばアルゴンなどの補助ガスは反応を阻止するもので
はないが、内部導体１０から始まってプラズマを形成し
、従って反応を生起せしめることができる。
はないが、内部導体１０から始まってプラズマを形成し
、従って反応を生起せしめることができる。
第５図は湾曲した内面を有する基材１５の内部コーティ
ングのための実施例を示す。マイクロ波装置の設計はこ
れも第１図及び第２図に示すものと対応している。
ングのための実施例を示す。マイクロ波装置の設計はこ
れも第１図及び第２図に示すものと対応している。
第１図乃至第５図に示す実施例はＣＶＤコーティング法
に好適であり、装置の機器、形状および寸法並びにマイ
クロ波共振器１６の出力は所望に応じて適合せしめるこ
とができ、また他のプラズマコーティング法や光ＣＶＤ
コーティング法にも広範に適用できる。第１図乃至第５
図に示す例は、図示する素材に限定されるものではない
。反応室１を適宜変えることにより、例えば立方体、管
の外側並びに内側、眼鏡用素材、不規則に湾曲した表面
などにもコーティングすることができ、その際、基材に
代えて予備室も反応ガスの励起及び導入に伴って変位さ
せることができる。予備室６に第１〜３図及び第５図に
示すように閉鎖材９が設けられている場合には、予備室
に大気あるいは他のガスを充填することもできる。外部
導体３の内側に誘電性のライニング５が施されている場
合には、予備室に励起されてプラズマを生ずることので
きる補助ガスを収容することもできる。この補助ガス、
例えばアルゴンは、完全に密閉することかでき、あるい
は好ましくは反応予備室６内を軸方向に流すこともでき
る。所望の場合には、誘電閉鎖材９は補助ガスと反応ガ
スの接触を防止することができ、従ってこれらのガスの
望ま（。
に好適であり、装置の機器、形状および寸法並びにマイ
クロ波共振器１６の出力は所望に応じて適合せしめるこ
とができ、また他のプラズマコーティング法や光ＣＶＤ
コーティング法にも広範に適用できる。第１図乃至第５
図に示す例は、図示する素材に限定されるものではない
。反応室１を適宜変えることにより、例えば立方体、管
の外側並びに内側、眼鏡用素材、不規則に湾曲した表面
などにもコーティングすることができ、その際、基材に
代えて予備室も反応ガスの励起及び導入に伴って変位さ
せることができる。予備室６に第１〜３図及び第５図に
示すように閉鎖材９が設けられている場合には、予備室
に大気あるいは他のガスを充填することもできる。外部
導体３の内側に誘電性のライニング５が施されている場
合には、予備室に励起されてプラズマを生ずることので
きる補助ガスを収容することもできる。この補助ガス、
例えばアルゴンは、完全に密閉することかでき、あるい
は好ましくは反応予備室６内を軸方向に流すこともでき
る。所望の場合には、誘電閉鎖材９は補助ガスと反応ガ
スの接触を防止することができ、従ってこれらのガスの
望ま（。
くない反応を避けることができる。この補助ガスを反応
に関与させる場合、あるいは補助ガスが必要な反応ガス
である場合には、閉鎖材９は削除される。反応予備室６
が誘電閉鎖材９を有する場合には、補助ガスの圧力は反
応ガスの圧力とは関係なく独自に最適に調整できる。外
部導体３と遮蔽材７との間にプラズマが発生されない場
合には、ライニング５もまた削除できる。
に関与させる場合、あるいは補助ガスが必要な反応ガス
である場合には、閉鎖材９は削除される。反応予備室６
が誘電閉鎖材９を有する場合には、補助ガスの圧力は反
応ガスの圧力とは関係なく独自に最適に調整できる。外
部導体３と遮蔽材７との間にプラズマが発生されない場
合には、ライニング５もまた削除できる。
ライニング５は遮蔽材７の外側のプラズマと外部導体３
との間の短絡を防止するものである。
との間の短絡を防止するものである。
遮蔽材７の内部空間には、前述したように、補助ガスあ
るいは蒸着できない反応ガス部分を充填することもでき
る。
るいは蒸着できない反応ガス部分を充填することもでき
る。
予備室６又は遮蔽材７中を通って流れる補助ガス又は反
応ガス部分は、例えばマイクロ波放射線によって励起さ
れたプラズマをただちに形成し、それらの励起を開口部
８の領域の反応ガスに伝播する。例えば、酸素が用いら
れると、この伝播は高エネルギー紫外線によって促進さ
れ、伝播は好ましくは開口部を通して反応ガスに直接生
じる。第１．２及び５図に示す実施例においては、伝播
はスロット状開口部８を通して生起する。
応ガス部分は、例えばマイクロ波放射線によって励起さ
れたプラズマをただちに形成し、それらの励起を開口部
８の領域の反応ガスに伝播する。例えば、酸素が用いら
れると、この伝播は高エネルギー紫外線によって促進さ
れ、伝播は好ましくは開口部を通して反応ガスに直接生
じる。第１．２及び５図に示す実施例においては、伝播
はスロット状開口部８を通して生起する。
第３図の実施例もまた持続波放電に適している。その場
合、マイクロ波装置は基材２の変位の方向と交互に作動
する。反応ガスは変位の方向を指すそれぞれの反応ガス
供給ライン１１を通して供給され、プラズマは変位方向
が変わるまで維持される。消費された反応ガスはこの時
に素材の変位方向に吸引除去される。
合、マイクロ波装置は基材２の変位の方向と交互に作動
する。反応ガスは変位の方向を指すそれぞれの反応ガス
供給ライン１１を通して供給され、プラズマは変位方向
が変わるまで維持される。消費された反応ガスはこの時
に素材の変位方向に吸引除去される。
全部の反応ガスが反応ガス供給ライン１１を通して供給
される場合には、反応ガスの異なる成分は好ましくは異
なる反応ガス供給ライン１１を通して案内され、それに
よって、反応ガスのみが反応ガス供給ライン１１の外側
で混ざり合う。これによって反応ガス供給ライン１１の
領域における反応性蒸着が防止される。多数の反応ガス
供給ライン１１及びまたその相対する交互の配置により
、反応ガスの個々の成分の均質混合が、開口部４への従
って反応プラズマ１７への流れの間に生ずることが保証
される。
される場合には、反応ガスの異なる成分は好ましくは異
なる反応ガス供給ライン１１を通して案内され、それに
よって、反応ガスのみが反応ガス供給ライン１１の外側
で混ざり合う。これによって反応ガス供給ライン１１の
領域における反応性蒸着が防止される。多数の反応ガス
供給ライン１１及びまたその相対する交互の配置により
、反応ガスの個々の成分の均質混合が、開口部４への従
って反応プラズマ１７への流れの間に生ずることが保証
される。
コーティングは、スロット状開口部４に沿って均質に生
起する。特別の横方向反応ガス供給ライン１１は、反応
ガスが外部導体３の内壁に蒸着せずに主として基材２上
に蒸着する、という効果を有する。反応ガスの流れは真
空ポンプにより連続し、維持される。ＰＩＣＶＤ法にお
いては、流量及びマイクロ波衝撃の衝撃遮断は、新しい
プラズマの発出前にスロット状開口部４の領域の基材が
新鮮な反応ガスにより作用され、項度コーティングされ
たばかりの基材の表面がさらに変位されるように、互い
に適合することができる。マイクロ波衝撃の期間は、存
在する反応ガス混合物の完全な反応が生起できるように
調整される。圧力、反応ガス組成及びインパルスシーケ
ンスなどの反応条件を適当に選定することにより、単分
子被膜に至るまでの薄い被膜を蒸着できる。
起する。特別の横方向反応ガス供給ライン１１は、反応
ガスが外部導体３の内壁に蒸着せずに主として基材２上
に蒸着する、という効果を有する。反応ガスの流れは真
空ポンプにより連続し、維持される。ＰＩＣＶＤ法にお
いては、流量及びマイクロ波衝撃の衝撃遮断は、新しい
プラズマの発出前にスロット状開口部４の領域の基材が
新鮮な反応ガスにより作用され、項度コーティングされ
たばかりの基材の表面がさらに変位されるように、互い
に適合することができる。マイクロ波衝撃の期間は、存
在する反応ガス混合物の完全な反応が生起できるように
調整される。圧力、反応ガス組成及びインパルスシーケ
ンスなどの反応条件を適当に選定することにより、単分
子被膜に至るまでの薄い被膜を蒸着できる。
蒸着の均質性を増大するために、第２図に示すように両
側からマイクロ波エネルギーを供給し、また素材を空隙
に対して垂直に動かす（双頭矢印）こともできる。この
場合、移動の行路及び速さは、コーティングが均一で均
質となるようにコーティング条件に適合させる。両側か
らの反応ガスの相対する交互の供給（第１．４及び５図
参照）も蒸着の均質性を向上させる。
側からマイクロ波エネルギーを供給し、また素材を空隙
に対して垂直に動かす（双頭矢印）こともできる。この
場合、移動の行路及び速さは、コーティングが均一で均
質となるようにコーティング条件に適合させる。両側か
らの反応ガスの相対する交互の供給（第１．４及び５図
参照）も蒸着の均質性を向上させる。
使用した反応ガスに応じて、望ましくない反応生成物の
形成を防止するために、基材は特定の反応温度に加熱さ
れねばならない。従って、例えば四塩化珪素と酸素が用
いられるときには反応温度はおよそ１１００℃であり、
あるいは反応ガスとして二酸化窒素及びアンモニアと共
にシランが用いられるときには３００℃以上である。反
応条件及び基材の組成に応じ“Ｃ５コーティングは例え
ば７０℃〜１６００℃の温度で行なうことができる。こ
の場合、基材は第１〜５図に示す抵抗加熱体１３以外に
も他のヒーター類により、例えば光エネルギー、熱エネ
ルギーあるいは電気エネルギーを利用したヒーター類に
より加熱することができる。コーティングは、例えばガ
ラス、ガラスセラミック、セラミック、あるいは可塑剤
を含有しないかほんの僅かな割合しか含有しない寸法安
定性のあるプラスチック類、例えばＣＲ３９などの固体
上に行なうことができる。
形成を防止するために、基材は特定の反応温度に加熱さ
れねばならない。従って、例えば四塩化珪素と酸素が用
いられるときには反応温度はおよそ１１００℃であり、
あるいは反応ガスとして二酸化窒素及びアンモニアと共
にシランが用いられるときには３００℃以上である。反
応条件及び基材の組成に応じ“Ｃ５コーティングは例え
ば７０℃〜１６００℃の温度で行なうことができる。こ
の場合、基材は第１〜５図に示す抵抗加熱体１３以外に
も他のヒーター類により、例えば光エネルギー、熱エネ
ルギーあるいは電気エネルギーを利用したヒーター類に
より加熱することができる。コーティングは、例えばガ
ラス、ガラスセラミック、セラミック、あるいは可塑剤
を含有しないかほんの僅かな割合しか含有しない寸法安
定性のあるプラスチック類、例えばＣＲ３９などの固体
上に行なうことができる。
蒸着速度を増大するために、例えば第３図に示すように
、複数のマイクロ波装置を平行して作動させることがで
きる。この場合においてマイクロ波装置間の間隔、基月
のサイズ及び基材の移動は互いに適合されねばならない
。
、複数のマイクロ波装置を平行して作動させることがで
きる。この場合においてマイクロ波装置間の間隔、基月
のサイズ及び基材の移動は互いに適合されねばならない
。
第１〜５図に示すように、平坦状あるいは他の種々の形
状の基材をコーティングすることができる。ここで基材
の移動は基材の形状に適合させることができ、例えば回
転移動あるいは振れ動き（揺動）などの移動を行なうこ
とができる。
状の基材をコーティングすることができる。ここで基材
の移動は基材の形状に適合させることができ、例えば回
転移動あるいは振れ動き（揺動）などの移動を行なうこ
とができる。
成る距離にわたって拡がるプラズマを伴なう前記したＰ
ＩＣＶＤ法あるいは持続波性以外にも、例えば小さな領
域プラズマを有する他のプラズマコーティング法を用い
ることもできる。
ＩＣＶＤ法あるいは持続波性以外にも、例えば小さな領
域プラズマを有する他のプラズマコーティング法を用い
ることもできる。
この場合、均質なシートコーティングが得られるように
、基材は好ましくはプラズマの下の而において変位され
る。
、基材は好ましくはプラズマの下の而において変位され
る。
１つの実施例においては、４００ｍｍＸ４００Ｉｌｌ
Ｘ ５ ｍｍの寸法を有する石英ガラス板がコーティン
グされる。装置の構成は実質的に第１図及び第２図に示
す装置と同様である。反応室１は石英ガラスからなり、
８００ｗ＋ｓＸ ６００ｍｍＸ１０ｍｍ （長さｘ幅×
高さ）の内部寸法を有する。その長さ方向中央部には全
幅にわたって隙間（スロット状開口部）が形成され、そ
の上部には両端部が開口された白金製の管状外部導体３
が固着されている。外部導体３の長さは７００ ｍｍで
あり、その内径は４０ｍｍである。外部導体３のスロッ
ト状開口部４は６００ ！ＩＩＩ Ｘ ５ ｍｍの寸法
を有する。外部導体３と反応室１との間には石英ガラス
製の反応ガス供給ライン１１が配置されている。
Ｘ ５ ｍｍの寸法を有する石英ガラス板がコーティン
グされる。装置の構成は実質的に第１図及び第２図に示
す装置と同様である。反応室１は石英ガラスからなり、
８００ｗ＋ｓＸ ６００ｍｍＸ１０ｍｍ （長さｘ幅×
高さ）の内部寸法を有する。その長さ方向中央部には全
幅にわたって隙間（スロット状開口部）が形成され、そ
の上部には両端部が開口された白金製の管状外部導体３
が固着されている。外部導体３の長さは７００ ｍｍで
あり、その内径は４０ｍｍである。外部導体３のスロッ
ト状開口部４は６００ ！ＩＩＩ Ｘ ５ ｍｍの寸法
を有する。外部導体３と反応室１との間には石英ガラス
製の反応ガス供給ライン１１が配置されている。
１２５０ｍｍＸ ２０ｍｍＸ ２ｍｍ （長さ×外径×
壁厚）の寸法を有する石英ガラス製の遮蔽材７が、外部
導体３内に同心円状に配置されている。遮蔽材７は両側
とも第３図及び第４図に示すように下部が密閉されてお
り、アルゴンが充填されている。アルゴンの充填圧は１
ミリバールとＯ，１バールの間にあることができる。ア
ルゴンに代えて他の補助ガスも遮蔽材内に用いることが
できる。遮蔽材７と外部導体３との間の空間は外部空気
と連通されている。
壁厚）の寸法を有する石英ガラス製の遮蔽材７が、外部
導体３内に同心円状に配置されている。遮蔽材７は両側
とも第３図及び第４図に示すように下部が密閉されてお
り、アルゴンが充填されている。アルゴンの充填圧は１
ミリバールとＯ，１バールの間にあることができる。ア
ルゴンに代えて他の補助ガスも遮蔽材内に用いることが
できる。遮蔽材７と外部導体３との間の空間は外部空気
と連通されている。
遮蔽材７の両端部は、同じ割合で外部導体３の外側に突
出している。誘電閉鎖材９は、予備室６の大部分を反応
室１から分離している。内部導体１０は白金製であり、
１００關×２５關（長さ×内径）の寸法を有する。内部
導体１０は、外部導体３の両端部から同心円状に予備室
６の内部に延出している。
出している。誘電閉鎖材９は、予備室６の大部分を反応
室１から分離している。内部導体１０は白金製であり、
１００關×２５關（長さ×内径）の寸法を有する。内部
導体１０は、外部導体３の両端部から同心円状に予備室
６の内部に延出している。
反応ガスは四塩化珪素と酸素を１＝４のモル比で含み、
この四塩化珪素の１４モル％までは四塩化ゲルマニウム
で置き変えることができる。
この四塩化珪素の１４モル％までは四塩化ゲルマニウム
で置き変えることができる。
酸素は四塩化物とは分離して反応ガス供給ライン１１を
通して供給される。反応ガスは１バール、２０℃で６０
０ｍ１／分の全質量流れを有する。反応ガスの均質混合
は反応ガス供給ライン１１の外側でのろ生ずる。
通して供給される。反応ガスは１バール、２０℃で６０
０ｍ１／分の全質量流れを有する。反応ガスの均質混合
は反応ガス供給ライン１１の外側でのろ生ずる。
図面を参照して説明したように、酸素は例えば第１図に
示すように遮蔽材７を通して１共給することもできる。
示すように遮蔽材７を通して１共給することもできる。
本発明の方法によるコーティングは、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚ、平均マイクロ波出力］、５ＫＷ１インパルス長さ
１．５ｍｓ及びパルス遮断８．５ｍｓでの１００Ｈｚの
インパルスシーケンス周波数を有するマイクロ波共振器
を用い−Ｃ行なわれた。
Ｈｚ、平均マイクロ波出力］、５ＫＷ１インパルス長さ
１．５ｍｓ及びパルス遮断８．５ｍｓでの１００Ｈｚの
インパルスシーケンス周波数を有するマイクロ波共振器
を用い−Ｃ行なわれた。
反応室内のガス圧は３ミリバ・−ルであり、石英ガラス
板２の温度は１１００℃である。石英ガラス板２のスロ
ット状開口部４に対して平行な変位の速度は５０ｍ５／
ｓである。
板２の温度は１１００℃である。石英ガラス板２のスロ
ット状開口部４に対して平行な変位の速度は５０ｍ５／
ｓである。
石英ガラス板の片側で約２２５ｎｍ／ｍｉｎのコーティ
ング速度が達成された。
ング速度が達成された。
第１図は平板状基材にコーティングするための本発明の
装置の一′、Ｊ！、泡例を示す第２図の１１線から見た
概略縦断面図、第２図は第１図の■−■線から見た第１
図に示す装置の縦断面図、第３図は２つの反応予備室を
有する他の実施例の装置の概略縦断面図、第４図は棒状
基材又は管状基材の外面をコーティングするための他の
実施例の装置の概略縦断面図、第５図は湾曲状基材の内
面をコーティングするための他の実施例の装置の概略縦
断面図である。 １は反応室、２，１４．１５は基材、３は外部導体、４
．８はスロット状開口部、５はライニング、６は予備室
、７は遮蔽材、９は誘電閉鎖材、１０は内部導体、１１
は反応ガス供給ライン、１６はマイクロ波共振器。 出願人 カールーツァイスースティフツング代
理人 弁理士 米 原 正
装置の一′、Ｊ！、泡例を示す第２図の１１線から見た
概略縦断面図、第２図は第１図の■−■線から見た第１
図に示す装置の縦断面図、第３図は２つの反応予備室を
有する他の実施例の装置の概略縦断面図、第４図は棒状
基材又は管状基材の外面をコーティングするための他の
実施例の装置の概略縦断面図、第５図は湾曲状基材の内
面をコーティングするための他の実施例の装置の概略縦
断面図である。 １は反応室、２，１４．１５は基材、３は外部導体、４
．８はスロット状開口部、５はライニング、６は予備室
、７は遮蔽材、９は誘電閉鎖材、１０は内部導体、１１
は反応ガス供給ライン、１６はマイクロ波共振器。 出願人 カールーツァイスースティフツング代
理人 弁理士 米 原 正
Claims (25)
- （１）基材のコーティングされるべき表面上に流れる反
応ガスから反応室内においてコーティング材料が形成さ
れることから成り、開口部を介して反応室に連結されて
いる予備室での高周波放射線により引き起こされる気体
放電によって反応ガスが励起されて、基材のコーティン
グされるべき表面上に反応性蒸着を生じ、基材が上記開
口部の領域においてコーティングされることからなる被
膜を製造するためのＣＶＤコーティング法において、反
応ガスの少なくとも一部分が予備室をバイパスするスロ
ットへ導かれることを特徴とするＣＶＤコーティング法
。 - （２）反応ガスが励起されてプラズマを生じ、基材がこ
のプラズマからコーティングされることを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - （３）反応ガスが気体放電を生ずる紫外線により励起さ
れることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - （４）反応ガスが励起されてプラズマを生じ、予備室内
において気体放電を生ずる紫外線により促進されること
を特徴とする請求項１に記載の方法。 - （５）基材が開口部に対して動かされることを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。 - （６）開口部を有する予備室が基材に対して動かされる
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方
法。 - （７）スロットが開口部として用いられることを特徴と
する請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。 - （８）複数の開口部、特に一列に配置された複数の開口
部が用いられることを特徴とする請求項１乃至６のいず
れかに記載の方法。 - （９）開口部が高周波放射線の少なくともλ／４０の口
径又は長さを有することを特徴とする請求項１乃至８の
いずれかに記載の方法。 - （１０）反応ガスが反応室と予備室の間を反応領域に導
かれることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記
載の方法。 - （１１）予備室の少なくとも一部が誘電閉鎖材により反
応室から区画されていることを特徴とする請求項１乃至
１０のいずれかに記載の方法。 - （１２）反応ガスの一部分が予備室の内側に配置された
遮蔽材のまわりの開口部に導かれることを特徴とする請
求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。 - （１３）反応ガスの一部分が、予備室内において開口部
上部に配設された遮蔽材を通して導かれ、この反応ガス
の部分が実質的に反応室に到達することを特徴とする請
求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。 - （１４）補助ガスが予備室内において励起されることを
特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法。 - （１５）基材が開口部に平行に動かされることによって
、反応性蒸着が基材のコーティングされるべき表面上に
均一に分布されることを特徴とする請求項１乃至１４の
いずれかに記載の方法。 - （１６）開口部の下で基材を回転させることにより基材
の周囲外表面がコーティングされることを特徴とする請
求項１乃至１４のいずれかに記載の方法。 - （１７）基材の表面が前後移動によって特に何度もコー
ティングされることを特徴とする請求項１５又は１６に
記載の方法。 - （１８）基材が開口部に対して垂直に動かされることに
よってコーティングされるべき表面の大きさが変えられ
ることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載
の方法。 - （１９）気体放電が、反応室へ開口部を介して連結され
ている複数の予備室内において引き起こされることを特
徴とする請求項１乃至１８のいずれかに記載の方法。 - （２０）コーティングされるべき基材を配置する反応室
と、該反応室に開口部を介して連結されており、その中
に電磁線を通すことができる予備室と、反応ガスを供給
する装置と、反応のために必要な減圧を発生し、かつ消
費された反応ガスを除去するための真空ポンプとを有す
るＣＶＤコーティング法を実施するための装置において
、反応ガスの少なくとも一部分が予備室の外側から開口
部に供給されることを特徴とする装置。 - （２１）予備室（６）が細長い形状を有し、開口部（４
）がスロット状であることを特徴とする請求項２０に記
載の装置。 - （２２）遮蔽材（７）が予備室内に開口部（４）上部に
延出して設けられていることを特徴とする請求項２０又
は２１に記載の装置。 - （２３）基材（２）が反応室（１）内において変位自在
であることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか
に記載の装置。 - （２４）基材（２）が反応室（１）内において回転自在
であることを特徴とする請求項２０乃至２３のいずれか
に記載の装置。 - （２５）誘電閉鎖材（９）が開口部（４）上部に設けら
れて予備室（６）の一部を反応室（１）から区画してい
ることを特徴とする請求項２０乃至２４のいずれかに記
載の装置。（２６）複数の予備室（６）がそれぞれ開口
部（４）を介して反応室（１）に連結されていることを
特徴とする請求項２０乃至２５のいずれかに記載の装置
。
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|---|---|---|---|
| DE3830215 | 1988-09-06 | ||
| DE3926023A DE3926023A1 (de) | 1988-09-06 | 1989-08-07 | Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3830215.2 | 1989-08-07 | ||
| DE3926023.2 | 1989-08-07 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138478A true JPH02138478A (ja) | 1990-05-28 |
| JP2696405B2 JP2696405B2 (ja) | 1998-01-14 |
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|---|---|---|---|
| JP1229442A Expired - Fee Related JP2696405B2 (ja) | 1988-09-06 | 1989-09-06 | 被膜を製造するためのｃｖｄコーティング法及びそれを実施するための装置 |
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| JP (1) | JP2696405B2 (ja) |
| DE (1) | DE3926023A1 (ja) |
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