JPH0666268B2 - マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0666268B2 JPH0666268B2 JP61140271A JP14027186A JPH0666268B2 JP H0666268 B2 JPH0666268 B2 JP H0666268B2 JP 61140271 A JP61140271 A JP 61140271A JP 14027186 A JP14027186 A JP 14027186A JP H0666268 B2 JPH0666268 B2 JP H0666268B2
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- Japan
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- microwave
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- cavities
- plasma cvd
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Links
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマを用いて、低温でかつ大面積に渡っ
て均一な薄膜を形成するプロセス装置に係るものであ
り、特にアモルファスシリコン等の非晶質半導体あるい
はSi３Ｎ４,SiO２等の絶縁膜を低温でかつ大面積に堆積
させる装置に関するものである。
て均一な薄膜を形成するプロセス装置に係るものであ
り、特にアモルファスシリコン等の非晶質半導体あるい
はSi３Ｎ４,SiO２等の絶縁膜を低温でかつ大面積に堆積
させる装置に関するものである。
マイクロ波を用いたプラズマCVD法は、これまで電子サ
イクロトロン共鳴によるマイクロ波放電によって生成し
たプラズマを発散磁界の作用を用いて引出し、そのプラ
ズマを試料表面に照射して、低温で薄膜を付着させる、
いわゆるECVプラズマCVD法が知られている（例えば、特
開昭57−133636号公報）。ECRプラズマCVD法は、低温で
良質な薄膜を得られることから、集積回路におけるパッ
シベーション等の低温プロセスへの応用が期待されてい
る。また、非晶質シリコンやMOSトランジスタのゲート
絶縁膜への適用も検討されている。
イクロトロン共鳴によるマイクロ波放電によって生成し
たプラズマを発散磁界の作用を用いて引出し、そのプラ
ズマを試料表面に照射して、低温で薄膜を付着させる、
いわゆるECVプラズマCVD法が知られている（例えば、特
開昭57−133636号公報）。ECRプラズマCVD法は、低温で
良質な薄膜を得られることから、集積回路におけるパッ
シベーション等の低温プロセスへの応用が期待されてい
る。また、非晶質シリコンやMOSトランジスタのゲート
絶縁膜への適用も検討されている。
また、磁界を用いずにマイクロ波のエネルギーでプラズ
マを発生させ、成膜をするマイクロ波プラズマCVD法も
ある。
マを発生させ、成膜をするマイクロ波プラズマCVD法も
ある。
液晶ディスプレイ用の薄膜トランジスタ，太陽電池，イ
メージセンサ等の大面積，長尺のデバイスを考えた場
合、30cm角以上の面積に渡って均一な膜を付着させる必
要がある。特に量産化を考えると、50cm角以上の均一性
が必要である。ところが、従来のECRプラズマCVD法では
プラズマの引出し口の大きさが10cmφ程度であり、発散
磁場でプラズマを引き伸ばしたとしても20cmφが限度で
ある。ECRプラズマCVD法では発散磁場の形状が膜厚分布
に影響するが、大面積に渡って均一な磁場を作るには巨
大な磁石が必要になり、実用的でない。従って、ECRプ
ラズマCVD法は大面積化が困難であった。
メージセンサ等の大面積，長尺のデバイスを考えた場
合、30cm角以上の面積に渡って均一な膜を付着させる必
要がある。特に量産化を考えると、50cm角以上の均一性
が必要である。ところが、従来のECRプラズマCVD法では
プラズマの引出し口の大きさが10cmφ程度であり、発散
磁場でプラズマを引き伸ばしたとしても20cmφが限度で
ある。ECRプラズマCVD法では発散磁場の形状が膜厚分布
に影響するが、大面積に渡って均一な磁場を作るには巨
大な磁石が必要になり、実用的でない。従って、ECRプ
ラズマCVD法は大面積化が困難であった。
また、磁界を加えないマイクロ波プラズマCVD法におけ
る堆積面積は、プラズマを発生させるキャビティの大き
さで支配されている。キャビティは用いるマイクロ波の
波長に共振するように設計し、入射してきたマイクロ波
のエネルギーはキャビティ内に蓄積される。このエネル
ギーにより原料ガスを放電し、分解する。分解生成物は
導入窓を通して試料室に輸送される。通常キャビティの
大きさは、20cmφ程度のものが用いられる。また、試料
室へ分解生成物を導入する窓の大きさは、マイクロ波の
波長よりも大きくすると、マイクロ波が試料室に漏洩す
るためプラズマが直接基板表面に接し、プラズマダメー
ジが発生してしまう。従って窓の大きさは、マイクロ波
の波長より小さくする必要があり、成膜面積が制限され
る。このため１つのキャビティでは、せいぜいキャビテ
ィの大きさ程度の20cmφしか均一性が得られない。
る堆積面積は、プラズマを発生させるキャビティの大き
さで支配されている。キャビティは用いるマイクロ波の
波長に共振するように設計し、入射してきたマイクロ波
のエネルギーはキャビティ内に蓄積される。このエネル
ギーにより原料ガスを放電し、分解する。分解生成物は
導入窓を通して試料室に輸送される。通常キャビティの
大きさは、20cmφ程度のものが用いられる。また、試料
室へ分解生成物を導入する窓の大きさは、マイクロ波の
波長よりも大きくすると、マイクロ波が試料室に漏洩す
るためプラズマが直接基板表面に接し、プラズマダメー
ジが発生してしまう。従って窓の大きさは、マイクロ波
の波長より小さくする必要があり、成膜面積が制限され
る。このため１つのキャビティでは、せいぜいキャビテ
ィの大きさ程度の20cmφしか均一性が得られない。
本発明の目的は、このような欠点を除去し、大面積に渡
って均一な膜厚で薄膜を成膜できる固体薄膜形成装置を
得る事を目的としている。
って均一な膜厚で薄膜を成膜できる固体薄膜形成装置を
得る事を目的としている。
本発明は、１つのマイクロ波電源から出力されるマイク
ロ波電力を複数に分配する分配器と、分配されたマイク
ロ波電力がそれぞれ導かれる複数のキャビティと、これ
らキャビティに窓を介して設けられ、内部に試料基板が
保持される試料室とを備え、前記複数のキャビティが前
記試料基板と平行な平面上に配列されているマイクロ波
プラズマCVD装置であって、各キャビティに原料ガスと
マイクロ波を導き、各キャビティ内でマイクロ波のエネ
ルギーによりプラズマを発生させ原料ガスを分解し、分
解生成物を前記窓を通して前記試料室に導き、試料室に
設置された試料基板上に固体薄膜を堆積させることを特
徴としている。
ロ波電力を複数に分配する分配器と、分配されたマイク
ロ波電力がそれぞれ導かれる複数のキャビティと、これ
らキャビティに窓を介して設けられ、内部に試料基板が
保持される試料室とを備え、前記複数のキャビティが前
記試料基板と平行な平面上に配列されているマイクロ波
プラズマCVD装置であって、各キャビティに原料ガスと
マイクロ波を導き、各キャビティ内でマイクロ波のエネ
ルギーによりプラズマを発生させ原料ガスを分解し、分
解生成物を前記窓を通して前記試料室に導き、試料室に
設置された試料基板上に固体薄膜を堆積させることを特
徴としている。
本発明はキャビティを複数個並べて大面積化するもので
ある。マイクロ波プラズマCVD法では、その成膜面積は
マイクロ波によって生成した分解生成物の試料室に供給
される面積で決まる。キャビティを複数個並べれば、そ
れだけ分解生成物の発生する面積が広くなり、成膜の大
面積化が容易に可能となる。この装置は原理的に大面積
化を制限する要因がない。ECR法では対称な磁界が必要
であるが、キャビティを複数個並べるとキャビティそれ
ぞれに対して発散磁界を形成することは技術的に困難で
ある。そのため、本発明のようにキャビティを複数個並
べるのが難しい。本発明の装置では、磁界を用いないた
めキャビティを並べることができるのである。
ある。マイクロ波プラズマCVD法では、その成膜面積は
マイクロ波によって生成した分解生成物の試料室に供給
される面積で決まる。キャビティを複数個並べれば、そ
れだけ分解生成物の発生する面積が広くなり、成膜の大
面積化が容易に可能となる。この装置は原理的に大面積
化を制限する要因がない。ECR法では対称な磁界が必要
であるが、キャビティを複数個並べるとキャビティそれ
ぞれに対して発散磁界を形成することは技術的に困難で
ある。そのため、本発明のようにキャビティを複数個並
べるのが難しい。本発明の装置では、磁界を用いないた
めキャビティを並べることができるのである。
大面積化する場合、膜の均一性が重要となる。マイクロ
波プラズマCVD装置の場合、堆積速度に関係するパラメ
ータはキャビティと試料基板との距離、及び投入するマ
イクロ波電力の大きさである。キャビティと試料基板と
の距離が離れているほど、堆積速度は小さくなる。キャ
ビティを並べ、膜厚の均一性よく大面積化するにはこの
キャビティと試料基板の距離を一定にする必要がある。
このためには、試料基板と平行な平面上にキャビティを
並べられなくてはならない。また、マイクロ波電力は、
各キャビティに等しい大きさだけ供給しなくてはならな
い。このため、キャビティ１個に対してマイクロ波電源
１個設けるとすると、成膜装置としてのコストが高くな
るとともに、放電電力を変えたい場合、各マイクロ波電
源の出力が同じになるように制御するのが難しい。本発
明では、マイクロ波の電源は１つとし、その出力をキャ
ビティの数だけ等しい大きさになるように分配し、各キ
ャビティにマイクロ波電力を供給する構造を考案した。
この構造を用いると、始めに各キャビティに供給される
マイクロ波電力が等しくなるように調整するだけで、後
は１つのマイクロ波電源の出力を変えるだけで均一性良
く各キャビティに供給されるマイクロ波電力を変えるこ
とができる。
波プラズマCVD装置の場合、堆積速度に関係するパラメ
ータはキャビティと試料基板との距離、及び投入するマ
イクロ波電力の大きさである。キャビティと試料基板と
の距離が離れているほど、堆積速度は小さくなる。キャ
ビティを並べ、膜厚の均一性よく大面積化するにはこの
キャビティと試料基板の距離を一定にする必要がある。
このためには、試料基板と平行な平面上にキャビティを
並べられなくてはならない。また、マイクロ波電力は、
各キャビティに等しい大きさだけ供給しなくてはならな
い。このため、キャビティ１個に対してマイクロ波電源
１個設けるとすると、成膜装置としてのコストが高くな
るとともに、放電電力を変えたい場合、各マイクロ波電
源の出力が同じになるように制御するのが難しい。本発
明では、マイクロ波の電源は１つとし、その出力をキャ
ビティの数だけ等しい大きさになるように分配し、各キ
ャビティにマイクロ波電力を供給する構造を考案した。
この構造を用いると、始めに各キャビティに供給される
マイクロ波電力が等しくなるように調整するだけで、後
は１つのマイクロ波電源の出力を変えるだけで均一性良
く各キャビティに供給されるマイクロ波電力を変えるこ
とができる。
本発明のマイクロ波プラズマCVD装置の実施例について
述べる。
述べる。
第１図に、円筒形のキャビティを３つ用いた場合のマイ
クロ波プラズマCVD装置の断面図を示す。このマイクロ
波プラズマCVD装置は、導波管１より入射されるマイク
ロ波電力を均等に３分割するための立体回路である分配
器２を備えている。マイクロ波電源は図示されていない
が、例えば周波数2.45GHzのマグネトロンを用いること
ができ、マグネトロンよりマイクロ波電力はアイソレー
タ，マイクロ波電力計及び整合器を通じて導波管１に導
かれている。
クロ波プラズマCVD装置の断面図を示す。このマイクロ
波プラズマCVD装置は、導波管１より入射されるマイク
ロ波電力を均等に３分割するための立体回路である分配
器２を備えている。マイクロ波電源は図示されていない
が、例えば周波数2.45GHzのマグネトロンを用いること
ができ、マグネトロンよりマイクロ波電力はアイソレー
タ，マイクロ波電力計及び整合器を通じて導波管１に導
かれている。
分配器２には、３つの円筒形キャビティ３がそれぞれ石
英製マイクロ波導入窓９を介して設けられており、これ
らキャビティは、後述する試料基板と平行な平面上に並
べられる。なお、本実施例では、直径20cm，高さ20cmの
円筒状のキャビティを用いており、各キャビティには、
原料ガス導入口４がそれぞれ連結されている。また、こ
れらキャビティを囲むように冷却水通路13が形成されて
おり、この通路の一方には冷却水導入口10が他方には冷
却水排出口11が連結されている。
英製マイクロ波導入窓９を介して設けられており、これ
らキャビティは、後述する試料基板と平行な平面上に並
べられる。なお、本実施例では、直径20cm，高さ20cmの
円筒状のキャビティを用いており、各キャビティには、
原料ガス導入口４がそれぞれ連結されている。また、こ
れらキャビティを囲むように冷却水通路13が形成されて
おり、この通路の一方には冷却水導入口10が他方には冷
却水排出口11が連結されている。
本実施例のマイクロ波プラズマCVD装置は、さらに、試
料室６を備えており、この試料室には３つのキャビティ
３が、各キャビティに設けられた窓５を通して設けられ
ている。なお、本実施例では、窓５は１つのキャビティ
に対して直径6cmの大きさのものを４つ設けている。こ
のように分解生成物を取り出す穴を分散して設けること
により、膜厚分布の均一性をよくすることができる。試
料室６の内部には基板ホルダーが設けられており、この
基板ホルダーは例えばヒーター14により加熱できるよう
になっている。また、試料室６には、排気口12が連結さ
れている。
料室６を備えており、この試料室には３つのキャビティ
３が、各キャビティに設けられた窓５を通して設けられ
ている。なお、本実施例では、窓５は１つのキャビティ
に対して直径6cmの大きさのものを４つ設けている。こ
のように分解生成物を取り出す穴を分散して設けること
により、膜厚分布の均一性をよくすることができる。試
料室６の内部には基板ホルダーが設けられており、この
基板ホルダーは例えばヒーター14により加熱できるよう
になっている。また、試料室６には、排気口12が連結さ
れている。
以上のような構成のマイクロ波プラズマCVD装置では、
分配器２により３分割されたマイクロ波電力は石英製マ
イクロ波導入窓９を通して、各キャビティ３に導かれ
る。このキャビティ３は冷却水導入口10から導入された
冷却水により冷却され、冷却水は冷却水排出口11から排
出される。キャビティ３において、原料ガス導入口４よ
り原料ガスを導入し、マイクロ波のエネルギーによりプ
ラズマを発生させ、原料ガスを分解する。分解生成物は
各キャビティ３に設けられている窓５を通して、試料室
６に導かれる。試料室には基板ホルダー８の上に試料基
板７が固定されており、基板ホルダー８を加熱すること
により間接的に試料基板の温度を上げることができる。
なお、基板ホルダー８の加熱方法は、本実施例では基板
ホルダー８の内部に組み込まれているヒーター14により
直接加熱しているが、基板ホルダー近くに設けられたヒ
ーターやランプからのふく射熱により間接的に加熱して
もよい。試料基板表面において、プラズマによって形成
された分解生成物が表面化学反応により固体薄膜が形成
される。不用のガスは排気口12から排気ポンプにより排
気される。
分配器２により３分割されたマイクロ波電力は石英製マ
イクロ波導入窓９を通して、各キャビティ３に導かれ
る。このキャビティ３は冷却水導入口10から導入された
冷却水により冷却され、冷却水は冷却水排出口11から排
出される。キャビティ３において、原料ガス導入口４よ
り原料ガスを導入し、マイクロ波のエネルギーによりプ
ラズマを発生させ、原料ガスを分解する。分解生成物は
各キャビティ３に設けられている窓５を通して、試料室
６に導かれる。試料室には基板ホルダー８の上に試料基
板７が固定されており、基板ホルダー８を加熱すること
により間接的に試料基板の温度を上げることができる。
なお、基板ホルダー８の加熱方法は、本実施例では基板
ホルダー８の内部に組み込まれているヒーター14により
直接加熱しているが、基板ホルダー近くに設けられたヒ
ーターやランプからのふく射熱により間接的に加熱して
もよい。試料基板表面において、プラズマによって形成
された分解生成物が表面化学反応により固体薄膜が形成
される。不用のガスは排気口12から排気ポンプにより排
気される。
次に、このマイクロ波プラズマCVD装置を用いてアモル
ファスシリコン膜を形成した例について述べる。原料ガ
スはArベース３％シランを用いた。真空度0.5Torr、全
ガス流量400SCCM、基板温度250℃、2.45GHzのマイクロ
波電力は500Wである。この条件ではアモルファスシリコ
ンの堆積速度は200nm/minであり、従来の13.56MHzの高
周波プラズマCVDよりも約１桁大きい値が得られた。膜
厚の均一性については、50cm×15cmの長方形の範囲で10
％以内であった。また、膜質の均一性についても、この
アモルファスシリコンを用いて薄膜トランジスタを制作
したところ、この50cm×15cmの範囲での移動度の差は認
められなかった。従って、従来のキャビティ１つだけの
成膜装置では均一性が20cmφ程度しか得られなかったの
に比べ大面積に成膜できることが示された。
ファスシリコン膜を形成した例について述べる。原料ガ
スはArベース３％シランを用いた。真空度0.5Torr、全
ガス流量400SCCM、基板温度250℃、2.45GHzのマイクロ
波電力は500Wである。この条件ではアモルファスシリコ
ンの堆積速度は200nm/minであり、従来の13.56MHzの高
周波プラズマCVDよりも約１桁大きい値が得られた。膜
厚の均一性については、50cm×15cmの長方形の範囲で10
％以内であった。また、膜質の均一性についても、この
アモルファスシリコンを用いて薄膜トランジスタを制作
したところ、この50cm×15cmの範囲での移動度の差は認
められなかった。従って、従来のキャビティ１つだけの
成膜装置では均一性が20cmφ程度しか得られなかったの
に比べ大面積に成膜できることが示された。
本実施例のマイクロ波プラズマCVD装置では、試料基板
は固定しているが、これを成膜時にゆっくり移動させれ
ば、幅50cm，長さは移動距離だけの面積に均一に堆積さ
せることができる。また、キャビティの数を４つ以上に
すればより均一に成膜できる面積を大きくすることがで
きる。また、本実施例のキャビティの形状は円筒形であ
るが、マイクロ波がキャビティ内で共振する限り別の形
状、例えば直方体でもよい。また、本実施例では原料ガ
スを直接キャビティに導入しているが、キャビティ内に
石英管を設け、その石英管の内側に原料ガスを導入、放
電させ、分解生成物を試料室に導入させるようなキャビ
ティの構造にしてもよい。
は固定しているが、これを成膜時にゆっくり移動させれ
ば、幅50cm，長さは移動距離だけの面積に均一に堆積さ
せることができる。また、キャビティの数を４つ以上に
すればより均一に成膜できる面積を大きくすることがで
きる。また、本実施例のキャビティの形状は円筒形であ
るが、マイクロ波がキャビティ内で共振する限り別の形
状、例えば直方体でもよい。また、本実施例では原料ガ
スを直接キャビティに導入しているが、キャビティ内に
石英管を設け、その石英管の内側に原料ガスを導入、放
電させ、分解生成物を試料室に導入させるようなキャビ
ティの構造にしてもよい。
本発明によれば、１つのマイクロ波電源を用い、複数の
キャビティを設け、マイクロ波電力を分割することによ
り同じ電力を各キャビティに導入することにより、従来
のキャビティを１つしか持たない装置に比べ、膜厚及び
膜質共に均一性よく大面積に成膜できるマイクロ波プラ
ズマCVD装置が実現できる。
キャビティを設け、マイクロ波電力を分割することによ
り同じ電力を各キャビティに導入することにより、従来
のキャビティを１つしか持たない装置に比べ、膜厚及び
膜質共に均一性よく大面積に成膜できるマイクロ波プラ
ズマCVD装置が実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １……導波管 ２……分配器 ３……キャビティ ４……原料ガス導入口 ４……窓 ６……試料室 ７……試料基板 ８……基板ホルダー ９……マイクロ波導入窓 10……冷却水導入口 11……冷却水排出口 12……排気口 13……冷却水通路 14……ヒーター
Claims (1)
- 【請求項１】１つのマイクロ波電源から出力されるマイ
クロ波電力を複数に分配する分配器と、分配されたマイ
クロ波電力がそれぞれ導かれる複数のキャビティと、こ
れらキャビティに窓を介して設けられ、内部に試料基板
が保持される試料室とを備え、前記複数のキャビティが
前記試料基板と平行な平面上に配列されているマイクロ
波プラズマCVD装置であって、各キャビティに原料ガス
とマイクロ波を導き、各キャビティ内でマイクロ波のエ
ネルギーによりプラズマを発生させ原料ガスを分解し、
分解生成物を前記窓を通して前記試料室に導き、試料室
に設置された試料基板上に固体薄膜を堆積させるマイク
ロ波プラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140271A JPH0666268B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61140271A JPH0666268B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298106A JPS62298106A (ja) | 1987-12-25 |
| JPH0666268B2 true JPH0666268B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=15264891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61140271A Expired - Lifetime JPH0666268B2 (ja) | 1986-06-18 | 1986-06-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666268B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0288065B1 (en) * | 1987-04-22 | 1993-10-06 | Idemitsu Petrochemical Co. Ltd. | Method for synthesis of diamond |
| JPS6424094A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Nat Inst Res Inorganic Mat | Synthesizing apparatus for diamond |
| DE3923390A1 (de) * | 1988-07-14 | 1990-01-25 | Canon Kk | Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen |
| DE3926023A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE3830249A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate |
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-
1986
- 1986-06-18 JP JP61140271A patent/JPH0666268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62298106A (ja) | 1987-12-25 |
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