JPH021386B2 - - Google Patents
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- JPH021386B2 JPH021386B2 JP58004456A JP445683A JPH021386B2 JP H021386 B2 JPH021386 B2 JP H021386B2 JP 58004456 A JP58004456 A JP 58004456A JP 445683 A JP445683 A JP 445683A JP H021386 B2 JPH021386 B2 JP H021386B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cladding layer
- optical waveguide
- conductivity type
- cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体レーザ装置の製造方法の改良
に係わり、特にAlを構成元素として含む−
族半導体材料を用いた半導体レーザ装置及びその
製造方法に関する。
に係わり、特にAlを構成元素として含む−
族半導体材料を用いた半導体レーザ装置及びその
製造方法に関する。
近時、−族系半導体材料を用いて室温連続
発振を可能とした各種の化合物半導体レーザが開
発されている。この種の半導体レーザにおいて、
安定な基本横モード発振及び非点収差のないレー
ザビームを得るために作り付け導波路構造によつ
て横モードを制御することは、半導体レーザの応
用範囲を拡げる上で極めて重要な技術である。こ
のような作り付け導波路構造を有する半導体レー
ザの１つとして、第１図に示す如き埋め込み構造
レーザが知られている。なお、図中１は半導体基
板、２は第１クラツド層、３は活性層、４は第２
クラツド層、５はオーミツクコンタクト層、６は
埋め込み層、７は絶縁層、８，９は電極を示して
いる。このレーザでは、ストライプ状の発光領域
を形成するため、基板１上に各層２，〜，５を成
長したのち、基板１に至るまで深くエツチングす
る必要がある。この場合、通常のエツチングでは
深さ方向と同時に横方向にもエツチングが進行す
るため、活性層３からなる発光領域の幅Ｗが変化
し、所望の横モードを再現性良く実現することは
困難である。
発振を可能とした各種の化合物半導体レーザが開
発されている。この種の半導体レーザにおいて、
安定な基本横モード発振及び非点収差のないレー
ザビームを得るために作り付け導波路構造によつ
て横モードを制御することは、半導体レーザの応
用範囲を拡げる上で極めて重要な技術である。こ
のような作り付け導波路構造を有する半導体レー
ザの１つとして、第１図に示す如き埋め込み構造
レーザが知られている。なお、図中１は半導体基
板、２は第１クラツド層、３は活性層、４は第２
クラツド層、５はオーミツクコンタクト層、６は
埋め込み層、７は絶縁層、８，９は電極を示して
いる。このレーザでは、ストライプ状の発光領域
を形成するため、基板１上に各層２，〜，５を成
長したのち、基板１に至るまで深くエツチングす
る必要がある。この場合、通常のエツチングでは
深さ方向と同時に横方向にもエツチングが進行す
るため、活性層３からなる発光領域の幅Ｗが変化
し、所望の横モードを再現性良く実現することは
困難である。
そこで最近、上記問題を解決するものとして第
２図に示す如く活性層３上に光導波路層１０を成
長形成し、活性層３及び光導波路層１０をストラ
イプ状に加工した半導体レーザが提案されてい
る。このレーザでは、発光領域を規定するための
エツチングを活性層３の直下の浅いエツチングと
することによつて、横方向のエツチングを最小限
に抑えることができる。このため、所望の横モー
ドを再現性良く実現できる。また、活性層３上に
光導波路層１０を有することから、横方向の屈折
率変化が小さく基本横モード発振が得易い、活性
層３に垂直な方向のビーム放射角を小さくでき
る、及び大きな出力が得られる等の利点を持つ。
２図に示す如く活性層３上に光導波路層１０を成
長形成し、活性層３及び光導波路層１０をストラ
イプ状に加工した半導体レーザが提案されてい
る。このレーザでは、発光領域を規定するための
エツチングを活性層３の直下の浅いエツチングと
することによつて、横方向のエツチングを最小限
に抑えることができる。このため、所望の横モー
ドを再現性良く実現できる。また、活性層３上に
光導波路層１０を有することから、横方向の屈折
率変化が小さく基本横モード発振が得易い、活性
層３に垂直な方向のビーム放射角を小さくでき
る、及び大きな出力が得られる等の利点を持つ。
しかしながら、この種のレーザでは、前記第１
クラツド層２若しくは光導波路層１０としてAlx
Ga1-xAs、AlxGa1-xAsP及びIny（AlxGa1-x）1-yＰ
等のAlを構成元素として含む材料を用いた場合、
前記第２図の構造を実現することは困難であつ
た。すなわち、第２図の構造を実現するには、光
導波路層１０までの結晶成長を行つたのち、エツ
チング等により光導波路層１０及び活性層３をメ
サストライプ状に加工し、その上に第２クラツド
層及びオーミツクコンタクト層５の結晶成長を行
う必要がある。これを、従来の液相成長（LPE）
法で行う場合、Alを含む第１クラツド層２及び
光導波路層１０の表面に前記エツチング等の工程
で酸化層が形成されるため、さらに一旦大気にさ
らされたAlを含む各層２，１０の表面に酸化層
が形成されるため、この上に形成すべきクラツド
層４の結晶成長が困難となる。特に、族の構成
元素中のAlの割合ｘがｘ＞0.1の化合物半導体層
上への上記条件下での結晶成長は、従来殆んど不
可能と考えられている（文献IEEE Journal of
Quantum Electronics、Vol、QE−15、NO6、
June（1979）．P458）。このため、第２図に示す構
造のレーザは、InGaAsP系等のAlを含まない材
料のみで実現でき、Alを含む材料に関しては実
現困難であると考えられていた。
クラツド層２若しくは光導波路層１０としてAlx
Ga1-xAs、AlxGa1-xAsP及びIny（AlxGa1-x）1-yＰ
等のAlを構成元素として含む材料を用いた場合、
前記第２図の構造を実現することは困難であつ
た。すなわち、第２図の構造を実現するには、光
導波路層１０までの結晶成長を行つたのち、エツ
チング等により光導波路層１０及び活性層３をメ
サストライプ状に加工し、その上に第２クラツド
層及びオーミツクコンタクト層５の結晶成長を行
う必要がある。これを、従来の液相成長（LPE）
法で行う場合、Alを含む第１クラツド層２及び
光導波路層１０の表面に前記エツチング等の工程
で酸化層が形成されるため、さらに一旦大気にさ
らされたAlを含む各層２，１０の表面に酸化層
が形成されるため、この上に形成すべきクラツド
層４の結晶成長が困難となる。特に、族の構成
元素中のAlの割合ｘがｘ＞0.1の化合物半導体層
上への上記条件下での結晶成長は、従来殆んど不
可能と考えられている（文献IEEE Journal of
Quantum Electronics、Vol、QE−15、NO6、
June（1979）．P458）。このため、第２図に示す構
造のレーザは、InGaAsP系等のAlを含まない材
料のみで実現でき、Alを含む材料に関しては実
現困難であると考えられていた。
本発明の目的は、Alを構成要素として含む材
料を用い、メサストライプ状に加工された光導波
路層及び第１クラツド層上への第２クラツド層の
結晶成形を可能にして、前記第２図に示す構造の
レーザを実現でき、横モード制御の容易化をはか
り得る半導体レーザ装置の製造方法を提供するこ
とにある。
料を用い、メサストライプ状に加工された光導波
路層及び第１クラツド層上への第２クラツド層の
結晶成形を可能にして、前記第２図に示す構造の
レーザを実現でき、横モード制御の容易化をはか
り得る半導体レーザ装置の製造方法を提供するこ
とにある。
本発明の骨子は、メサストライプ状に加工され
た光導波路層及び第１クラツド層上への結晶成長
に際し、有機金属気相成長法（以下MOCVD法
と略記する）若しくは分子線エピタキシー法（以
下MBE法と略記する）を用いることにある。
た光導波路層及び第１クラツド層上への結晶成長
に際し、有機金属気相成長法（以下MOCVD法
と略記する）若しくは分子線エピタキシー法（以
下MBE法と略記する）を用いることにある。
すなわち、従来のLPE法は熱平衡状態で結晶
成長が進行するのに対して、MOCVD法及び
LPE法では、非熱平衡条件の下で結晶成長が進
行するため、極端な場合は格子定数の異なる基板
の上や単結晶でない基板の上にも結晶成長が起こ
り得る。MOCVD法及びMBE法のこのような特
徴を利用することにより、LPE法では困難な材
料の上へのエピタキシヤル成長が可能であると考
えられる。そして、本発明者等の鋭意研究によれ
ば、MOCVD法若しくはMBE法を用いることに
より、メサストライプ状に形成されたAlを構成
元素として含む光導波路層及び第１クラツド層上
に、良好な結晶成長を行い得ることが確認され
た。
成長が進行するのに対して、MOCVD法及び
LPE法では、非熱平衡条件の下で結晶成長が進
行するため、極端な場合は格子定数の異なる基板
の上や単結晶でない基板の上にも結晶成長が起こ
り得る。MOCVD法及びMBE法のこのような特
徴を利用することにより、LPE法では困難な材
料の上へのエピタキシヤル成長が可能であると考
えられる。そして、本発明者等の鋭意研究によれ
ば、MOCVD法若しくはMBE法を用いることに
より、メサストライプ状に形成されたAlを構成
元素として含む光導波路層及び第１クラツド層上
に、良好な結晶成長を行い得ることが確認され
た。
本発明はこのような点に着目し、半導体レーザ
装置の製造方法において、絶縁物若しくは−
族半導体からなる基板上にAlを構成元素として
含む−族半導体からなる第１導電型の第１ク
ラツド層、−族半導体からなる活性層、Al
を構成元素として含む−族半導体からなる第
２導電型の光導波路層及び第２導電型不純物を高
濃度に添加したバツフア層を上記順に成長形成
し、次いで前記バツフア層、光導波路層及び活性
層を前記第１クラツド層に至る深さまでエツチン
グしてメサストライプ部を形成し、次いで有機金
属気相成長法或いは分子線エピタキシー法を用
い、露出した第１クラツド層及びバツフア層上に
−族半導体からなる第１導電型の第２クラツ
ド層及び−族半導体からなる第２導電型の第
３クラツド層を上記順に成長形成し、しかるのち
前記バツフア層から前記第２クラツド層に不純物
を拡散して該クラツド層のストライプ上を第２導
電型に変換するようにした方法である。
装置の製造方法において、絶縁物若しくは−
族半導体からなる基板上にAlを構成元素として
含む−族半導体からなる第１導電型の第１ク
ラツド層、−族半導体からなる活性層、Al
を構成元素として含む−族半導体からなる第
２導電型の光導波路層及び第２導電型不純物を高
濃度に添加したバツフア層を上記順に成長形成
し、次いで前記バツフア層、光導波路層及び活性
層を前記第１クラツド層に至る深さまでエツチン
グしてメサストライプ部を形成し、次いで有機金
属気相成長法或いは分子線エピタキシー法を用
い、露出した第１クラツド層及びバツフア層上に
−族半導体からなる第１導電型の第２クラツ
ド層及び−族半導体からなる第２導電型の第
３クラツド層を上記順に成長形成し、しかるのち
前記バツフア層から前記第２クラツド層に不純物
を拡散して該クラツド層のストライプ上を第２導
電型に変換するようにした方法である。
本発明によれば、Alを構成元素として含むク
ラツド層及び光導波路層を用いる場合にあつて
も、前記第２図に示す如き構造の半導体レーザを
実現することができ、横モード制御の容易化をは
かり得る。また、Alを含む材料を用いているこ
とから、レーザ発振波長を短波長側に制御するこ
とができ、最近特に注目されているビデオ・デイ
スクやDAD（デジタル・オーデイオ・デイスク）
等の読み取り用光源として極めて有効である。
ラツド層及び光導波路層を用いる場合にあつて
も、前記第２図に示す如き構造の半導体レーザを
実現することができ、横モード制御の容易化をは
かり得る。また、Alを含む材料を用いているこ
とから、レーザ発振波長を短波長側に制御するこ
とができ、最近特に注目されているビデオ・デイ
スクやDAD（デジタル・オーデイオ・デイスク）
等の読み取り用光源として極めて有効である。
第３図ａ〜ｃは本発明の参考例半導体レーザの
製造工程を示す断面図である。まず、第３図ａに
示す如くＮ−GaAs基板１上に、Ｎ−Al0.45Ga0.55
As層（第１クラツド層）２、アンドープAl0.15
Ga0.85As層（活性層）３及びＰ−Al0.35Ga0.65As
層（光導波路層）１０をLPE法により上記順に
成長形成する。次いで、フオトレジスト等をマス
クとして用い、第３図ｂに示す如く光導波路層１
０及び活性層３を第１クラツド層に至る深さまで
選択エツチングし、メサストライプ部を形成す
る。なお、このエツチングに際しては、
CH3OH、H3PO4、H2O2（体積比３：１：１）等
を用いることができる。
製造工程を示す断面図である。まず、第３図ａに
示す如くＮ−GaAs基板１上に、Ｎ−Al0.45Ga0.55
As層（第１クラツド層）２、アンドープAl0.15
Ga0.85As層（活性層）３及びＰ−Al0.35Ga0.65As
層（光導波路層）１０をLPE法により上記順に
成長形成する。次いで、フオトレジスト等をマス
クとして用い、第３図ｂに示す如く光導波路層１
０及び活性層３を第１クラツド層に至る深さまで
選択エツチングし、メサストライプ部を形成す
る。なお、このエツチングに際しては、
CH3OH、H3PO4、H2O2（体積比３：１：１）等
を用いることができる。
次に、MOCVD法若しくはMBE法を用い、第
３図ｃに示す如く第１クラツド層２及び光導波路
層１０上にＰ−Al0.45Ga0.55As層（第２クラツド
層）４及びＰ−GaAs層（オーミツクコンタクト
層）５を順次成長形成する。ここで、MOCVD
法を用いた場合の詳細を述べる。まず、前記第３
図ｂに示す状態の試料を十分に脱脂洗浄したの
ち、希HCl等によつて表面の酸化層を除去し直ち
に反応炉に入れる。結晶成長温度は750〔℃〕と
し、原料としてはトリメチルガリウム
（（CH3）3Ga）、トリメチルアルミニウム
（（CH3）3Al）及びアルシン（AsH3）を用いた。
Ｐ型ドーパントにはジエチルジンク（C2H5）2Zn
を用いた。また、原料ガス中の族元素（Ga、
Al）と族元素（As）とのモル比は 〔As〕／〔Ga＋Al〕＝20とした。このような
条件下でMOCVD法を実施したところ、第１ク
ラツド層２及び光導波路層１０上に良好な結晶成
長を行うことができた。
３図ｃに示す如く第１クラツド層２及び光導波路
層１０上にＰ−Al0.45Ga0.55As層（第２クラツド
層）４及びＰ−GaAs層（オーミツクコンタクト
層）５を順次成長形成する。ここで、MOCVD
法を用いた場合の詳細を述べる。まず、前記第３
図ｂに示す状態の試料を十分に脱脂洗浄したの
ち、希HCl等によつて表面の酸化層を除去し直ち
に反応炉に入れる。結晶成長温度は750〔℃〕と
し、原料としてはトリメチルガリウム
（（CH3）3Ga）、トリメチルアルミニウム
（（CH3）3Al）及びアルシン（AsH3）を用いた。
Ｐ型ドーパントにはジエチルジンク（C2H5）2Zn
を用いた。また、原料ガス中の族元素（Ga、
Al）と族元素（As）とのモル比は 〔As〕／〔Ga＋Al〕＝20とした。このような
条件下でMOCVD法を実施したところ、第１ク
ラツド層２及び光導波路層１０上に良好な結晶成
長を行うことができた。
次に、第３図ｃに示す状態の試料に電流狭窄の
ためのSiO2膜（絶縁層）７及びCr／Au電極８，
９を形成することによつて、前記第２図に示す構
造の半導体レーザが作製されることになる。な
お、基板及び各層の厚さＬ、不純物濃度Ｎは次の
ように設定した。基板１ではＷ＝80〔μｍ〕、ND
＝１×1018〔cm-3〕、第１クラツド層２ではＬ＝１
〔μｍ〕、ND＝３×1017〔cm-3〕、活性層３ではＬ＝
0.12〔μｍ〕、光導波路層１０ではＬ＝0.5〔μｍ〕、
NA＝５×1017〔cm-3〕、第２クラツド層４ではＬ＝
１〔μｍ〕、NA＝５×1017〔cm3〕、オーミツクコン
タクト層５ではＬ＝0.5〔μｍ〕、NA＝１×1019〔cm
-3〕とした。
ためのSiO2膜（絶縁層）７及びCr／Au電極８，
９を形成することによつて、前記第２図に示す構
造の半導体レーザが作製されることになる。な
お、基板及び各層の厚さＬ、不純物濃度Ｎは次の
ように設定した。基板１ではＷ＝80〔μｍ〕、ND
＝１×1018〔cm-3〕、第１クラツド層２ではＬ＝１
〔μｍ〕、ND＝３×1017〔cm-3〕、活性層３ではＬ＝
0.12〔μｍ〕、光導波路層１０ではＬ＝0.5〔μｍ〕、
NA＝５×1017〔cm-3〕、第２クラツド層４ではＬ＝
１〔μｍ〕、NA＝５×1017〔cm3〕、オーミツクコン
タクト層５ではＬ＝0.5〔μｍ〕、NA＝１×1019〔cm
-3〕とした。
かくして作製された半導体レーザは、活性層３
上に設けた光導波路層１０により安定した基本横
モード発振を達成することができ、またAlを構
成材料として含むことから、発振波長を比較的短
波長側に制御することができる。このため、ビデ
オデイスクやDAD等の信号読み取り用光源とし
て用いるのに極めて有効である。また、メサスト
ライプ部を形成する際に、基板１に至る深さまで
ではなく、活性層３の直下までの浅いエツチング
を行えばよく、このエツチングの際の横方向のエ
ツチングを極めて小さくすることができる。この
ため、所望の横モードを再現性良く実現できる。
さらに、活性層３がストライプ状に加工されてい
るので、横モード制御がより確実になる等の利点
がある。第４図は本発明の一実施例に係わる半導
体レーザの概略構成を示す斜視図である。なお、
第２図及び第３図ａ〜ｃと同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。この実施
例が先に説明した参考例と異なる点は、前記
SiO2膜７の代りに拡散層を用いて電流狭窄構造
を実現したことにある。すなわち、先の実施例と
同様に第３図ａに示す如く基板１上に第１クラツ
ド層２、活性層３及び光導波路層１０を成長形成
したのち、第５図ａに示す如く光導波路層１０上
にZnを高濃度に添加（Ｐ＞１×1019cm-3）したP+
−GaAs層（Zn拡散層）１１を成長形成する。そ
の後、Zn拡散層１１、光導波路層１０及び活性
層３をクラツド層２に至る深さまで選択エツチン
グして第５図ｂに示す如きメサストライプ部を形
成する。次いで、第５図ｃに示す如くＮ−Al0.45
Ga0.55As層（第３クラツド層）１２、前記第２ク
ラツド層４及びオーミツクコンタクト層５を
MOCVD法により順次成長形成する。ここで、
Ｎ型のドーパントにはセレン化水素（H2Se）を
用いた。また、第３クラツド層１２の厚さＬ及び
不純物濃度Ｎは、Ｌ＝0.5〔μｍ〕、ND＝３×1017
〔cm-3〕とした。
上に設けた光導波路層１０により安定した基本横
モード発振を達成することができ、またAlを構
成材料として含むことから、発振波長を比較的短
波長側に制御することができる。このため、ビデ
オデイスクやDAD等の信号読み取り用光源とし
て用いるのに極めて有効である。また、メサスト
ライプ部を形成する際に、基板１に至る深さまで
ではなく、活性層３の直下までの浅いエツチング
を行えばよく、このエツチングの際の横方向のエ
ツチングを極めて小さくすることができる。この
ため、所望の横モードを再現性良く実現できる。
さらに、活性層３がストライプ状に加工されてい
るので、横モード制御がより確実になる等の利点
がある。第４図は本発明の一実施例に係わる半導
体レーザの概略構成を示す斜視図である。なお、
第２図及び第３図ａ〜ｃと同一部分には同一符号
を付して、その詳しい説明は省略する。この実施
例が先に説明した参考例と異なる点は、前記
SiO2膜７の代りに拡散層を用いて電流狭窄構造
を実現したことにある。すなわち、先の実施例と
同様に第３図ａに示す如く基板１上に第１クラツ
ド層２、活性層３及び光導波路層１０を成長形成
したのち、第５図ａに示す如く光導波路層１０上
にZnを高濃度に添加（Ｐ＞１×1019cm-3）したP+
−GaAs層（Zn拡散層）１１を成長形成する。そ
の後、Zn拡散層１１、光導波路層１０及び活性
層３をクラツド層２に至る深さまで選択エツチン
グして第５図ｂに示す如きメサストライプ部を形
成する。次いで、第５図ｃに示す如くＮ−Al0.45
Ga0.55As層（第３クラツド層）１２、前記第２ク
ラツド層４及びオーミツクコンタクト層５を
MOCVD法により順次成長形成する。ここで、
Ｎ型のドーパントにはセレン化水素（H2Se）を
用いた。また、第３クラツド層１２の厚さＬ及び
不純物濃度Ｎは、Ｌ＝0.5〔μｍ〕、ND＝３×1017
〔cm-3〕とした。
次いで、900〔℃〕において４時間程度熱処理を
行い、Zn拡散層１１よりZnを拡散させメサスト
ライプ部上の第３クラツド層１２をＰ型に変換す
る。ここで、上記Zn拡散による拡散領域１３の
不純物濃度はNA＝１×1018〔cm-3〕であつた。
行い、Zn拡散層１１よりZnを拡散させメサスト
ライプ部上の第３クラツド層１２をＰ型に変換す
る。ここで、上記Zn拡散による拡散領域１３の
不純物濃度はNA＝１×1018〔cm-3〕であつた。
この後は、第５図ｃの試料の両面に電極８，９
を被着することにより、第４図に示す構造の半導
体レーザが作製されることになる。
を被着することにより、第４図に示す構造の半導
体レーザが作製されることになる。
かくして作製された半導体レーザは、拡散領域
１３が電流狭窄構造として作用することになり、
活性層３の発光領域をストライプ状に規定するこ
とができる。このため、先の参考例と同様の効果
を奏するのは勿論、電流狭窄構造としてのSiO2
膜７を必要とせず、その製造がより容易化され
る。また、Zn拡散に際しては光導波路層１０よ
りAlを多く含む第３クラツド層１２の方法が拡
散し易いので、拡散領域１３を活性層３に達する
ことなく第２クラツド層４に達するよう容易に形
成することができる。
１３が電流狭窄構造として作用することになり、
活性層３の発光領域をストライプ状に規定するこ
とができる。このため、先の参考例と同様の効果
を奏するのは勿論、電流狭窄構造としてのSiO2
膜７を必要とせず、その製造がより容易化され
る。また、Zn拡散に際しては光導波路層１０よ
りAlを多く含む第３クラツド層１２の方法が拡
散し易いので、拡散領域１３を活性層３に達する
ことなく第２クラツド層４に達するよう容易に形
成することができる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定される
ものではない。例えば、前記光導波路層やクラツ
ド層の構成材料としてはAlxGa1-xAs系に限定さ
れるものではなく、AlxGa1-xAsP系やIny（Alx
Ga1-x）1-yＰ系等を用いてもよい。要は、Alを構
成元素として含む−族半導体に適用すること
ができる。また、実施例では第１クラツド層、活
性層及び光導波路層をLPE法で成長形成したが、
これらの層をもMOCVD法やMBE法で成長形成
するようにしてもよい。さらに、基板として−
族半導体の代りに、サフアイア等の絶縁物を用
いることも可能である。また、基板及び各層の厚
さＬや不純物濃度等の条件は、仕様に応じて適宜
変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
ものではない。例えば、前記光導波路層やクラツ
ド層の構成材料としてはAlxGa1-xAs系に限定さ
れるものではなく、AlxGa1-xAsP系やIny（Alx
Ga1-x）1-yＰ系等を用いてもよい。要は、Alを構
成元素として含む−族半導体に適用すること
ができる。また、実施例では第１クラツド層、活
性層及び光導波路層をLPE法で成長形成したが、
これらの層をもMOCVD法やMBE法で成長形成
するようにしてもよい。さらに、基板として−
族半導体の代りに、サフアイア等の絶縁物を用
いることも可能である。また、基板及び各層の厚
さＬや不純物濃度等の条件は、仕様に応じて適宜
変更可能である。その他、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の半導体レー
ザの概略構造を示す斜視図、第３図ａ〜ｃは本発
明の参考例としての半導体レーザの製造工程を示
す断面図、第４図は本発明の一実施例に係わる半
導体レーザの概略構造を示す斜視図、第５図ａ〜
ｃは上記本発明の一実施例を説明するための工程
断面図である。 １……基板、２……第１クラツド層、３……活
性層、４……第２クラツド層、５……オーミツク
コンタクト層、６……埋め込み層、７……絶縁
層、８，９……電極、１０……光導波路層、１１
……Zn拡散層、１２……第３クラツド層、１３
……拡散領域、１４……イオン注入層（高抵抗
層）。
ザの概略構造を示す斜視図、第３図ａ〜ｃは本発
明の参考例としての半導体レーザの製造工程を示
す断面図、第４図は本発明の一実施例に係わる半
導体レーザの概略構造を示す斜視図、第５図ａ〜
ｃは上記本発明の一実施例を説明するための工程
断面図である。 １……基板、２……第１クラツド層、３……活
性層、４……第２クラツド層、５……オーミツク
コンタクト層、６……埋め込み層、７……絶縁
層、８，９……電極、１０……光導波路層、１１
……Zn拡散層、１２……第３クラツド層、１３
……拡散領域、１４……イオン注入層（高抵抗
層）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁物若しくは−族半導体からなる基板
上にAlを構成元素として含む−族半導体か
らなる第１導電型の第１クラツド層、−族半
導体からなる活性層、Alを構成元素として含む
−族半導体からなる第２導電型の光導波路層
及び第２導電型不純物を高濃度に添加したバツフ
ア層を上記順に成長形成する工程と、前記バツフ
ア層、光導波路層及び活性層を前記第１クラツド
層に至る深さまでエツチングしてメサストライプ
部を形成する工程と、次いで有機金属気相成長法
或いは分子線エピタキシー法を用い、露出した第
１クラツド層及びバツフア層上に−族半導体
からなる第１導電型の第２クラツド層及び−
族半導体からなる第２導電型の第３クラツド層を
上記順に成長形成する工程と、次いで前記バツフ
ア層から前記第２クラツド層に不純物を拡散して
該クラツド層のストライプ上を第２導電型に変換
する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 ２ 前記第１乃至第３のクラツド層、光導波路層
及びバツフア層は、AlGaAs系、AlGaAsP系或
いはInAlGaP系の材料からなるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004456A JPS59129473A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58004456A JPS59129473A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129473A JPS59129473A (ja) | 1984-07-25 |
| JPH021386B2 true JPH021386B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=11584648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58004456A Granted JPS59129473A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129473A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766992B2 (ja) * | 1984-12-21 | 1995-07-19 | ソニー株式会社 | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製造方法 |
| JP2525776B2 (ja) * | 1986-07-15 | 1996-08-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5119388A (en) * | 1989-02-24 | 1992-06-02 | Laser Photonics, Inc. | Low tuning rate PbTe/PbEuSeTe buried quantum well tunable diode lasers and arrays |
| US5028563A (en) * | 1989-02-24 | 1991-07-02 | Laser Photonics, Inc. | Method for making low tuning rate single mode PbTe/PbEuSeTe buried heterostructure tunable diode lasers and arrays |
| JP2586826B2 (ja) * | 1994-06-21 | 1997-03-05 | ソニー株式会社 | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法 |
| US6567443B2 (en) * | 1999-09-29 | 2003-05-20 | Xerox Corporation | Structure and method for self-aligned, index-guided, buried heterostructure AlGalnN laser diodes |
| JP2006005167A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| JP4461980B2 (ja) | 2004-09-22 | 2010-05-12 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
| JP4424223B2 (ja) | 2005-03-01 | 2010-03-03 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
| JP5463760B2 (ja) | 2009-07-02 | 2014-04-09 | 三菱電機株式会社 | 光導波路集積型半導体光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51142283A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light emitting diode |
| JPS526093A (en) * | 1975-07-04 | 1977-01-18 | Hitachi Ltd | Production method of semiconductor device |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP58004456A patent/JPS59129473A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59129473A (ja) | 1984-07-25 |
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