JPH0213945B2 - - Google Patents
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- JPH0213945B2 JPH0213945B2 JP60132390A JP13239085A JPH0213945B2 JP H0213945 B2 JPH0213945 B2 JP H0213945B2 JP 60132390 A JP60132390 A JP 60132390A JP 13239085 A JP13239085 A JP 13239085A JP H0213945 B2 JPH0213945 B2 JP H0213945B2
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- JP
- Japan
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- dielectric film
- diffraction grating
- photoresist
- semiconductor substrate
- wavelength
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用発展分野）
本発明は回折格子の製造方法に関するものであ
る。
る。
（従来技術とその問題点）
分布帰還型半導体レーザ（以下DFBレーザと
称する）は素子内に設けた回折格子の周期で定ま
るブラツグ波長付近で単一の波長で発振し、その
単一波長性は高速変調時にも維持されるため、波
長分散（波長の違いによつて光の伝搬速度が異な
る性質）のある光フアイバを用いた光通信系にお
いても長距離大容量伝送を可能ならしめる光源と
して有望視されている。しかしながら、素子内に
均一な回折格子を持つ従来のDFBレーザにおい
ては、ブラツグ波長の両側に、近接した２本の発
振可能モードを有しているため、この２本の軸モ
ードで発振する素子も多数あつた。
称する）は素子内に設けた回折格子の周期で定ま
るブラツグ波長付近で単一の波長で発振し、その
単一波長性は高速変調時にも維持されるため、波
長分散（波長の違いによつて光の伝搬速度が異な
る性質）のある光フアイバを用いた光通信系にお
いても長距離大容量伝送を可能ならしめる光源と
して有望視されている。しかしながら、素子内に
均一な回折格子を持つ従来のDFBレーザにおい
ては、ブラツグ波長の両側に、近接した２本の発
振可能モードを有しているため、この２本の軸モ
ードで発振する素子も多数あつた。
そこで、全ての素子を単一波長で発振させるた
めに、素子中央付近で左右の回折格子の周期状凹
凸をλg／４（λgは素子内を伝搬する光の波長）だ
けずらした構造のDFBレーザ（以下λ／４シフ
ト型DFBレーザと称する）が試作されている
（1984年11月22日発行のエレクトロニクスレター
ズ誌第20巻４号、1008〜1010頁）。λ／４シフト
型DFBレーザはブラツグ波長に完全に一致した
１本の軸モードで発振することを特徴としてお
り、従来素子で見られた２軸モード発振するよう
な素子は極めて少くなる。ところで、DFBレー
ザの回折格子の周期Λは発振波長λと次の関係に
ある。Λ＝ｍ・λ／2ne＝ｍ・λg／２（neは素子
内の等価屈折率、ｍは回折格子の次数で１以上の
整数）。従つて、ｍ＝１の１次の回折格子の周期
はΛ＝λg／２となる。またこれより１次の回折
格子を使つたλ／４シフト型の回折格子は、素子
中央を境に左右の回折格子の凹凸を反転さればよ
いことが分る。このようなλ／４シフト型回折格
子は一般に製作困難とされているが、前記論文で
はポジ及びネガタイプのフオトレジストの逆感光
性を利用した干渉露光法によつてそれを実現して
いる。すなわち、半導体基板上にポジ及びネガタ
イプのフオトレジストを隣接して形成し、従来
DFBレーザ用回折格子の製作に広く使われてい
る二光束干渉露光法により両タイプのフオトレジ
ストを同時に露光すれば、ポジとネガタイプのフ
オトレジストによつて形成される回折格子は双互
に凹凸の反転したものとなる。
めに、素子中央付近で左右の回折格子の周期状凹
凸をλg／４（λgは素子内を伝搬する光の波長）だ
けずらした構造のDFBレーザ（以下λ／４シフ
ト型DFBレーザと称する）が試作されている
（1984年11月22日発行のエレクトロニクスレター
ズ誌第20巻４号、1008〜1010頁）。λ／４シフト
型DFBレーザはブラツグ波長に完全に一致した
１本の軸モードで発振することを特徴としてお
り、従来素子で見られた２軸モード発振するよう
な素子は極めて少くなる。ところで、DFBレー
ザの回折格子の周期Λは発振波長λと次の関係に
ある。Λ＝ｍ・λ／2ne＝ｍ・λg／２（neは素子
内の等価屈折率、ｍは回折格子の次数で１以上の
整数）。従つて、ｍ＝１の１次の回折格子の周期
はΛ＝λg／２となる。またこれより１次の回折
格子を使つたλ／４シフト型の回折格子は、素子
中央を境に左右の回折格子の凹凸を反転さればよ
いことが分る。このようなλ／４シフト型回折格
子は一般に製作困難とされているが、前記論文で
はポジ及びネガタイプのフオトレジストの逆感光
性を利用した干渉露光法によつてそれを実現して
いる。すなわち、半導体基板上にポジ及びネガタ
イプのフオトレジストを隣接して形成し、従来
DFBレーザ用回折格子の製作に広く使われてい
る二光束干渉露光法により両タイプのフオトレジ
ストを同時に露光すれば、ポジとネガタイプのフ
オトレジストによつて形成される回折格子は双互
に凹凸の反転したものとなる。
しかしながら、この方法の最大の問題点は、露
光時間の制御が難しい点にある。すなわち、双方
のフオトレジストの最適露光時間が異なる場合、
一方の領域には回折格子が形成できても他方には
形成できないという問題が生じるからである。一
般にネガタイプのフオトレジストはポジタイプよ
り感光性が良いとされており、当然最適露光時間
はネガタイプの方がポジタイプより短い。
光時間の制御が難しい点にある。すなわち、双方
のフオトレジストの最適露光時間が異なる場合、
一方の領域には回折格子が形成できても他方には
形成できないという問題が生じるからである。一
般にネガタイプのフオトレジストはポジタイプよ
り感光性が良いとされており、当然最適露光時間
はネガタイプの方がポジタイプより短い。
また、フオトレジストが異なれば解像度も異な
る。従つて、このような方法により製作された
λ／４シフト型回折格子は左右の回折格子の形状
が著しく異つてしまうのが常であつた。また、そ
のような回折格子を使つたλ／４シフト型DFB
レーザでは、λ／４シフト構造による効果が十分
に得られず、２軸モードで発振する素子が数多く
得られてしまつた。
る。従つて、このような方法により製作された
λ／４シフト型回折格子は左右の回折格子の形状
が著しく異つてしまうのが常であつた。また、そ
のような回折格子を使つたλ／４シフト型DFB
レーザでは、λ／４シフト構造による効果が十分
に得られず、２軸モードで発振する素子が数多く
得られてしまつた。
（発明の目的）
本発明の目的は、λ／４シフト型DFBレーザ
に用いる回折格子として、左右の回折格子の形状
が均一なλ／４シフト型回折格子を提供すること
にある。
に用いる回折格子として、左右の回折格子の形状
が均一なλ／４シフト型回折格子を提供すること
にある。
（発明の構成）
本発明による回折格子の製造方法は、半導体基
板上にフオトレジストを形成する工程と、前記フ
オトレジストの上に部分的に誘電体膜を形成する
工程と、前記半導体基板表面に入射角の異なる２
本の同一波長レーザ光を照射し干渉露光する工程
と、前記誘電体膜を除去する工程と、前記フオト
レジストを現像し周期状パターンに形成する工程
と、前記周期状フオトレジストをエツチング防止
膜として前記半導体基板をエツチングする工程と
を少なくとも備え前記誘電体膜の厚さは前記誘電
体膜が形成されている領域とそうでない領域との
間でレーザ光の干渉縞の明暗が反転するように選
び、その結果前記２つの領域間で凹凸の周期性が
反転した回折格子を得ることを特徴とする。
板上にフオトレジストを形成する工程と、前記フ
オトレジストの上に部分的に誘電体膜を形成する
工程と、前記半導体基板表面に入射角の異なる２
本の同一波長レーザ光を照射し干渉露光する工程
と、前記誘電体膜を除去する工程と、前記フオト
レジストを現像し周期状パターンに形成する工程
と、前記周期状フオトレジストをエツチング防止
膜として前記半導体基板をエツチングする工程と
を少なくとも備え前記誘電体膜の厚さは前記誘電
体膜が形成されている領域とそうでない領域との
間でレーザ光の干渉縞の明暗が反転するように選
び、その結果前記２つの領域間で凹凸の周期性が
反転した回折格子を得ることを特徴とする。
（発明の原理）
本発明の原理を説明する。左右の回折格子の形
状が均一なλ／４シフト型回折格子を製作するた
めには、一種類のフオトレジストを用いることが
望ましい。それを実現するためには、露光に用い
る２本のレーザビームの干渉によつて生じる干渉
縞の明暗が、２つの領域間で反転した状態が得ら
れなければならない。このような状態は、２つの
領域のうちどちらか一方の領域において、入射す
る２本のレーザ光にちようど半波長分の光路差を
設けることによつて実現できる。その具体的な手
段を第２図に示す。半導体基板１の上にフオトレ
ジスト２を塗布した後、部分的に屈折率ｎ、厚さ
ｔの誘電体膜３を形成する。半導体基板１を角度
だけ傾け、上方から水平面に対して入射角θの
２本のレーザビームを照射し干渉露光を行う。図
中点線は誘電体膜３がない場合の左右一本づつの
光路を示したもので、２つの光が交わる図中点Ａ
で左右の光路長が等しく、光が強め合うものと仮
定する。図中の実線は誘電体膜３がある場合の点
Ａで交わる左右の光路を示したものである。この
場合、左右からの入射光は誘電体膜３と空気との
境界において屈折し、それぞれ水平面に対する入
射角はθ1、θ2となる。ここでθ1、θ2はそれぞれ次
の様に表わされる。
状が均一なλ／４シフト型回折格子を製作するた
めには、一種類のフオトレジストを用いることが
望ましい。それを実現するためには、露光に用い
る２本のレーザビームの干渉によつて生じる干渉
縞の明暗が、２つの領域間で反転した状態が得ら
れなければならない。このような状態は、２つの
領域のうちどちらか一方の領域において、入射す
る２本のレーザ光にちようど半波長分の光路差を
設けることによつて実現できる。その具体的な手
段を第２図に示す。半導体基板１の上にフオトレ
ジスト２を塗布した後、部分的に屈折率ｎ、厚さ
ｔの誘電体膜３を形成する。半導体基板１を角度
だけ傾け、上方から水平面に対して入射角θの
２本のレーザビームを照射し干渉露光を行う。図
中点線は誘電体膜３がない場合の左右一本づつの
光路を示したもので、２つの光が交わる図中点Ａ
で左右の光路長が等しく、光が強め合うものと仮
定する。図中の実線は誘電体膜３がある場合の点
Ａで交わる左右の光路を示したものである。この
場合、左右からの入射光は誘電体膜３と空気との
境界において屈折し、それぞれ水平面に対する入
射角はθ1、θ2となる。ここでθ1、θ2はそれぞれ次
の様に表わされる。
θ1＝sin-1〔sin（θ−）／ｎ〕＋ ……(1)
θ2＝sin-1〔sin（θ＋）／ｎ〕− ……(2)
この時、左右からの入射光は誘電体膜３中を通
過する距離が異なるため、等価的に光路長に差が
生じることになる。その光路差Δlは次の様にな
る。
過する距離が異なるため、等価的に光路長に差が
生じることになる。その光路差Δlは次の様にな
る。
Δl＝ｎ・−（ｎ・＋） ……(3)
但し、
＝ｔ／cos（θ2＋） ……(4)
＝ｔ／cos（θ1−） ……(5)
＝cos（θ−θ2）−cos（θ−θ1）……(6
) この光路差がちようど半波長に等しくなつた
時、点Ａにおいて、左右からの入射光は打ち消し
合うことになる。この条件を満たすための誘電体
膜３の膜厚ｔは、(1)〜(6)式より次の様に求まる。
) この光路差がちようど半波長に等しくなつた
時、点Ａにおいて、左右からの入射光は打ち消し
合うことになる。この条件を満たすための誘電体
膜３の膜厚ｔは、(1)〜(6)式より次の様に求まる。
ｔ＝〔λex／２・ｎ−cos（θ−θ2）／cos（θ2＋ψ）
−ｎ−cos（θ−θ1）／cos（θ1−ψ）〕-1……(7) （但しλexは干渉露光に用いるレーザ光の波長） このように、誘電体膜３の膜厚を(7)式を満たす
ように設定することによつて、左右の干渉縞の明
暗が反転した状態が得られ、その状態で露光：現
像されたフオトレジスト２をマスクとして、半導
体基板をエツチングすれば、左右の領域で凹凸の
反転した回折格子が得られるはずである。また、
回折格子の周期Λはこの場合次の様になる。
−ｎ−cos（θ−θ1）／cos（θ1−ψ）〕-1……(7) （但しλexは干渉露光に用いるレーザ光の波長） このように、誘電体膜３の膜厚を(7)式を満たす
ように設定することによつて、左右の干渉縞の明
暗が反転した状態が得られ、その状態で露光：現
像されたフオトレジスト２をマスクとして、半導
体基板をエツチングすれば、左右の領域で凹凸の
反転した回折格子が得られるはずである。また、
回折格子の周期Λはこの場合次の様になる。
Λ＝λex／2sinθcosψ ……(8)
第３図は、誘電体膜３の屈折率を1.55とした時
の、周期200Åのλ／４シフト型回折格子を波長
3250ÅのHeCdレーザ光を用いて製作するため
の、基板１の傾き角と誘電体膜３の膜厚ｔ、左
右のレーザ光の水平面に対する入射角θの関係を
示したものである。図より誘電体膜３の厚さがｔ
＝1μｍの時、半導体基板１の傾き角を＝6.2゜、
レーザ光の水平面に対する入射角をθ＝54.8゜に
すればよいことが分る。
の、周期200Åのλ／４シフト型回折格子を波長
3250ÅのHeCdレーザ光を用いて製作するため
の、基板１の傾き角と誘電体膜３の膜厚ｔ、左
右のレーザ光の水平面に対する入射角θの関係を
示したものである。図より誘電体膜３の厚さがｔ
＝1μｍの時、半導体基板１の傾き角を＝6.2゜、
レーザ光の水平面に対する入射角をθ＝54.8゜に
すればよいことが分る。
（実施例）
以下に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説
明する。第１図は本発明の実施例である回折格子
の製造方法をその工程順に説明する図である。ａ
ではInP半導体基板１上に膜厚500Åのフオトレ
ジスト（１ボラツク系ネガレジストである
ODUR−120）２及び誘電体膜３として膜厚1μｍ
の水溶性ネガレジストNONCRON−378（共に東
京応化製）を塗布する。ｂでは、水銀灯の光を使
つた一般のマスク露光により誘電体膜
（NONCRON−378）３を部分的に抜く。この
際、水銀灯の光（波長365nｍ〜436nｍ）に対す
る誘電体膜（NONCRON−378）の感光度はフ
オトレジスト（ODUR−120）のそれより１ケタ
以上高いため、フオトレジスト（ODUR−120）
２はほとんど露光されないで済む。ｃでは、誘電
体膜（NONCRON−378）の膜厚が1μｍ、屈折
率が1.55であることから、InP基板１を水平から
約6.2゜傾けて、２本の波長3250ÅのHeCdレーザ
光を水平面に対する入射角54.8゜で干渉露光を行
う。この時、最適露光時間はHeCdレーザの光強
度密度４ｍＷ／cm2に対して約27〜33秒である。ま
た、厚さ1μｍの誘電体膜NONCRON−378の
HeCdレーザ光に対する誘過率は約90％である。
この10％程度の光量むらは最適露光条件内で十分
許容できる量であり、問題とはならない。ｄでは
誘電体膜NONCRON−378をDBS（ドデシル・ベ
ンゼン・スルフオン酸）１％、H2O25％の水溶液
で溶解除去した後、フオトレジストODUR−120
を1/3に希釈した専用現像液で現像する。ｅでは、
周期状に形成されたフオトレジストODUR−120
をエツチングマスクとしてInP基板１をHBr＋
H2O2＋H2O（10：0.1：100）の混合液でエツチン
グし、回折格子４を得ることができる。この回折
格子４は誘電体膜NONCRON−378が部分的に
形成されていた領域Ａと、そうでない領域Ｂとの
間で、凹凸が反転しており、また、左右の回折格
子４の形状はほぼ等しく、理想的なλ／４シフト
型回折格子４となつている。
明する。第１図は本発明の実施例である回折格子
の製造方法をその工程順に説明する図である。ａ
ではInP半導体基板１上に膜厚500Åのフオトレ
ジスト（１ボラツク系ネガレジストである
ODUR−120）２及び誘電体膜３として膜厚1μｍ
の水溶性ネガレジストNONCRON−378（共に東
京応化製）を塗布する。ｂでは、水銀灯の光を使
つた一般のマスク露光により誘電体膜
（NONCRON−378）３を部分的に抜く。この
際、水銀灯の光（波長365nｍ〜436nｍ）に対す
る誘電体膜（NONCRON−378）の感光度はフ
オトレジスト（ODUR−120）のそれより１ケタ
以上高いため、フオトレジスト（ODUR−120）
２はほとんど露光されないで済む。ｃでは、誘電
体膜（NONCRON−378）の膜厚が1μｍ、屈折
率が1.55であることから、InP基板１を水平から
約6.2゜傾けて、２本の波長3250ÅのHeCdレーザ
光を水平面に対する入射角54.8゜で干渉露光を行
う。この時、最適露光時間はHeCdレーザの光強
度密度４ｍＷ／cm2に対して約27〜33秒である。ま
た、厚さ1μｍの誘電体膜NONCRON−378の
HeCdレーザ光に対する誘過率は約90％である。
この10％程度の光量むらは最適露光条件内で十分
許容できる量であり、問題とはならない。ｄでは
誘電体膜NONCRON−378をDBS（ドデシル・ベ
ンゼン・スルフオン酸）１％、H2O25％の水溶液
で溶解除去した後、フオトレジストODUR−120
を1/3に希釈した専用現像液で現像する。ｅでは、
周期状に形成されたフオトレジストODUR−120
をエツチングマスクとしてInP基板１をHBr＋
H2O2＋H2O（10：0.1：100）の混合液でエツチン
グし、回折格子４を得ることができる。この回折
格子４は誘電体膜NONCRON−378が部分的に
形成されていた領域Ａと、そうでない領域Ｂとの
間で、凹凸が反転しており、また、左右の回折格
子４の形状はほぼ等しく、理想的なλ／４シフト
型回折格子４となつている。
尚、本発明の実施例では、フオトレジスト２と
してODUR−120を用いたが、フオトレジスト２
は同じノボラツク系のAz1350（ヘキスト社）、
MRS、MRL（日立化成）等であつてもよい。ま
た誘電体膜３として本実施例ではフオトレジスト
であるNONCRON−378を用いたが、他のフオ
トレジスト、例えば環化ゴム系ネガレジストであ
るKMR（コダツク社）等であつてもよい。発明
者らの実験によれば、誘電体膜３としてKMRを
用いた方が良好なλ／４シフト型回折格子が得ら
れている。更に誘電体膜３は他の物質からなつて
もよく、例えば低温CVD法で形成したSiO2膜、
SiN膜等であつてもよい。しかし、この場合は誘
電体膜をフオトレジスト上に局部的に形成する具
体的工程は実施例と異なる（半導体素子製造で通
常行なわれてる方法でよい）。
してODUR−120を用いたが、フオトレジスト２
は同じノボラツク系のAz1350（ヘキスト社）、
MRS、MRL（日立化成）等であつてもよい。ま
た誘電体膜３として本実施例ではフオトレジスト
であるNONCRON−378を用いたが、他のフオ
トレジスト、例えば環化ゴム系ネガレジストであ
るKMR（コダツク社）等であつてもよい。発明
者らの実験によれば、誘電体膜３としてKMRを
用いた方が良好なλ／４シフト型回折格子が得ら
れている。更に誘電体膜３は他の物質からなつて
もよく、例えば低温CVD法で形成したSiO2膜、
SiN膜等であつてもよい。しかし、この場合は誘
電体膜をフオトレジスト上に局部的に形成する具
体的工程は実施例と異なる（半導体素子製造で通
常行なわれてる方法でよい）。
（発明の効果）
本発明によれば領域Ａ、Ｂとも同じ品質の回折
格子が簡単に作ることができる。この結果本発明
により得られた周期2000Åのλ／４シフト型回折
格子４を用いて発振波長1.3μｍ帯のDFBレーザ
を製作したところ、90％以上の素子がブラツグ波
長に一致する軸モードで安定な単一波長発振を示
した。
格子が簡単に作ることができる。この結果本発明
により得られた周期2000Åのλ／４シフト型回折
格子４を用いて発振波長1.3μｍ帯のDFBレーザ
を製作したところ、90％以上の素子がブラツグ波
長に一致する軸モードで安定な単一波長発振を示
した。
第１図は本発明の実施例である回折格子の製造
方法を工程順に示す図であり、第２図は本発明に
よる回折格子の製造方法の原理を説明する図であ
る。第３図は周期2000Åのλ／４シフト型回折格
子を得るための基板の傾き角と誘電体膜の厚さ
ｔ、水平面に対するレーザ光の入射角θとの関係
を示したものである。 図において、１はInP基板、２はフオトレジス
ト、３は誘電体膜、４は回折格子である。
方法を工程順に示す図であり、第２図は本発明に
よる回折格子の製造方法の原理を説明する図であ
る。第３図は周期2000Åのλ／４シフト型回折格
子を得るための基板の傾き角と誘電体膜の厚さ
ｔ、水平面に対するレーザ光の入射角θとの関係
を示したものである。 図において、１はInP基板、２はフオトレジス
ト、３は誘電体膜、４は回折格子である。
Claims (1)
- １ 半導体基板上にフオトレジストを塗布する工
程と、前記フオトレジストの上に部分的に誘電体
膜を形成する工程と、前記半導体基板表面に入射
角の異なる２本の同一波長レーザ光を照射し前記
フオトレジストを干渉露光する工程と、前記誘電
体膜を除去する工程と、前記フオトレジストを現
像し周期状パターンに形成する工程と、前記周期
状フオトレジストをエツチング防止膜として前記
半導体基板をエツチングする工程とを少なくとも
備え、前記誘電体膜の厚さは、前記誘電体膜が形
成されている領域とそうでない領域との間でレー
ザ光の干渉縞の明暗が反転するように選び、その
結果前記２つの領域間で凹凸の周期性が反転した
回折格子を得ることを特徴とする回折格子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132390A JPS61289688A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60132390A JPS61289688A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289688A JPS61289688A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0213945B2 true JPH0213945B2 (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=15080262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60132390A Granted JPS61289688A (ja) | 1985-06-18 | 1985-06-18 | 回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61289688A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11036145B2 (en) * | 2018-12-21 | 2021-06-15 | Applied Materials, Inc. | Large area self imaging lithography based on broadband light source |
-
1985
- 1985-06-18 JP JP60132390A patent/JPS61289688A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61289688A (ja) | 1986-12-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |