JPH02139733A - 光情報記録媒体およびその光情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層と反射層
を有する書き込み可能な光情報記録媒体とその記録方法
に関する。

［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、１８％　
ＢｉｔＭｎ等の金属層や、シアニン、メロシアニン、フ
タロシアニン等の色素層等からなる記録層を有し、レー
ザ光の照射により、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は
変性させる等の手段で、ピットを形成し、データを記録
する。この記録層を有する光情報記録媒体では、ピット
を形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を
容易にするため、記録層の背後に空隙を設けることが一
般に行なわれている。具体的には例えば、空間部を挟ん
で２枚の基板を積層する、いわゆるエアサンドイッチ構
造と呼ばれる積層構造がとられる。

この光情報記録媒体では、上記透光性を存する基板１側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板１側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。

一方、予めデータが記録され、その後のデータの古き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのピットを予めプレス等の
手段で透光性の基板の上に形成し、この上にＡｕｓ　　
ＡｇＸ　　Ｃｕｓ　　Ａ１等の金属膜からなる反射層を
形成し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広（実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤ規格として規格化され、
これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレー
ヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広（普及している。

［発明が解決しようとする課題］ 上記書き込み可能な光情報記録媒体は、やはりＣＤと同
じレーザ光を用いる記録手段であるため、再生に際し、
既に広（普及したＣＤに準拠することが強く望まれる。

しかしながら、上記のエアサンドウィッチ構造のような
書き込み可能光情報記録媒体は、基板にではな（、記録
層にピットを形成して記録する手段がとられ、しかも、
この記録層にピットを形成するのを容易にするために、
空隙層等を有するため、厚み（表面から裏面までの厚み
を意味し、以下「全厚」という。）が厚（なってしまう
。そのため、ＣＤ規格に規定する全厚を満足することが
困難であった。また、基板上に記録層および反射層を設
けた光情報記録媒体も既に提案されているが、ＣＤ規格
が要求する変調度を満足できる再生信号が得られる光情
報記録媒体は未だ提供されていなかった。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、ＣＤ規格に規定する範囲の全厚を有し、データの
再生に際し、７０％以上の高い反射率を有し、かつ、Ｃ
Ｄ規格に準拠する変調度の出力信号が得られるピットが
形成可能な光情報記録媒体および該光情報記録媒体に好
適な光情報記録方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、透光性基板の上に直接または他の
層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収
層の上に直接または他の層を介して反射層と硬質層が設
けられ、上記光吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層
に接する部分のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５
がＭ９０以下であることを特徴とする光情報記録媒体お
よび該光情報記録媒体を用いた光情報記録方法である。

さらに、上記光情報記録媒体において、光吸収層の複素
屈折率の実数部ｎ　ａｂｓと膜厚ｄ　ａｂｓと再生光の
波長λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄａｂｓ　／
λが０．０５≦ρ≦０．６であり、かつ光吸収層の複素
屈折率の虚部ｋ　ａｂｓが０．３以下であることが望ま
しい。

［作　　　用］ 上記本発明の光情報記録媒体によれば、透光性基板側か
ら光吸収層にレーザ光を照射することにより、光吸収層
にエネルギーが与えられると、光吸収層と接する基板側
の部分が一部変形する。このとき、変形する部分の硬度
が低いとその変形度はより大きなものになるため、変形
しない領域と変形した領域との光路長の差が太き（なる
。その結果、再生する時の再生光の光学的位相差が太き
（なり、変調度を大きくとることができる。

本発明者らによる実験およびシミュレーションによれば
、本発明による光情報記録媒体の構造において、ＣＤ規
格に準拠した変調度の再生信号を得ることができるビッ
トが形成されるためには、透光性基板側の光吸収層に接
する部分の硬度がロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８
５においてＭ９０以下であることが必要であることを見
出だした。

第８図は、ポリカーボネート基板上に変形層を設け、さ
らにその上にシアニン色素からなる光吸収層を設け、そ
の上に金の反射層を設け、その上にＵＶ硬化樹脂の硬質
層（硬度はロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５にお
いてＭ２Ｏ）を設けた光情報記録媒体において、分子量
および組成を変化させることによって透光性基板側の光
吸収層と接する部分の硬度を変化させたときの、同部分
の硬度と再生信号の変調度の関係を示すグラフである。

第８図から分かるように、ＣＤ規格を満足する変調度が
得られるための透光性基板側の光吸収層と接する部分の
硬度はロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５において
Ｍ９０以下であることが必要であり、望ましくは、Ｍ８
５以下、さらに望ましくはＭ７５以下である。

また、本発明による光情報記録媒体には反射層側に硬質
層が設けられているため、ビットは反射層側の層よりも
透光性基板側に、より明確に形成することができる。従
って、反射層側に形成された変形部分に起因する二次的
な反射光が生じないため、再生波形の歪みを押さえるこ
とができ、ＣＤ規格に規定するブロックエラーレートを
低く抑えることができる。

さらに、本発明による光情報記録媒体では、基板に少な
くとも、光吸収層、反射層、硬質層等の薄膜が設けられ
て構成されるため、ＣＤ規格に規定する全厚の範囲に容
易に収めることができる。

本発明による光情報記録媒体によって形成されたビット
は、ＣＤのような予めプレス等の手段によって基板表面
に形成されたビットと同様の機能をする。そのため、Ｃ
Ｄと同様の再生波形を容易に得ることができる。

また、本発明者らは、本発明による光情報記録媒体によ
ってＣＤ規格に準拠した反射率７０％以上という出力信
号が得られるためには、光情報記録媒体の光吸収層の複
素屈折率の実数部ｎ　ａｂｓとその膜厚ｄ　ａｂｓと、
再生光の波長λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　
ａｂｓ　／λが非常に重要なパラメーターであることに
着目し、実験およびシミュレーションを行った結果、第
９図のような関係を得ることができた。第９図は、再生
光として、波長λ＝７８０ｎｍの半導体レーザを用■た
場合に、光情報記録媒体の光吸収層の複素屈折率の実数
部ｎ　ａｂｓとその膜厚ｄ　ａｂｓと、再生光の波長λ
とで与えられるρ＝　ｎａｂｓ・ｄａｂｓ／λと、基板
側から入射させた光の反射率との関係を示すグラフであ
る。

このグラフを見ると、ρが０．６よりも小さいときには
、はぼ確実に反射率が７０％以上を確保できることがわ
かる。ρが０．０５に満たない領域や、０．６を越える
領域であっても７０％以上の反射率が得られる場合があ
る。しかし、ρが０．０５に満たない領域の場合は、光
吸収層の膜厚ｄ　ａｂｓを０．０５μｍ以下と、相当薄
くしなければならないため、データの記録のためのビッ
トを形成するのが困難となり、上記のような再生信号が
得られない。また、０゜６を越える領域の場合は、均一
な膜厚に制御することが困難になり、記録特性にばらつ
きが生じ、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３に満たなかったり、
ジッターエラーが増大したりする等の実用上の問題が生
じる。すなわち、ρを０．０５〜０゜６とすることによ
り、反射率をＣＤ規格に規定する７０％以上とすること
ができることがわかる。

本発明者らはこれらの結果をさらに検討した結果、ρを
０．０５〜０．６の範囲内に設定しただけでは必ずしも
ＣＤ規格に規定されたような出力信号を安定して得られ
るわけではなく、光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ　ａｂ
ｓが重要なパラメーターであることを見出だした。第１
０図は、反射層にＡｕ膜を用いた光情報記録媒体におい
て、シアニン系色素からなる光吸収層の透光性を変え、
ρを一定にしながら、その虚部ｋａｂｓをＯに近い値か
ら２．０まで変化させたときの反射率の変゛化を示すグ
ラフである。

このグラフをみると、ｋａｂｓが０に近づけば近づくほ
ど反射率が高くなることがわかる。本発明者らは、実験
およびシミュレーションの結果より、ρが０６０５〜０
．６の範囲内で安定して高い反射率を維持するためには
、光吸収層の透光性が十分高（なければならず、同層の
複素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓが０．３以下である必要が
あることを見出だした。ρが０．０５〜０゜６の範囲内
であうでも、ｋａｂｓが０．　３よりも大きいと反射率
７０％以上を確保することは困難である。

これらの結果より、第１１図のような結果を得ることが
できる。第１１図は、ρとｋ　ａｂｓとの値においてＣ
Ｄ規格に準拠する組み合わせの臨界値を示すグラフであ
る。

このグラフかられかるように、ＣＤ規格に準拠する記録
信号を得ることができる光情報記録媒体を提供するため
には、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λが０．０５
〜０．６の範囲で、かつｋ　ａｂｓが０．３以下である
ことが必要であることがわがる。

さらにいえば、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λは
０゜０５〜０．６の範囲が望ましいが、十分な変調度を
とるためには、０．１以上の範囲が望ましく、変調度の
大きい安定した記録特性を得るためには、０．４５±０
．１の範囲が最も望ましい。

他方、ｋａｂｓは、０．３以下であれば、０に近づけば
近づくほど反射率は向上する。従って、この範囲が最も
望ましい。しかし、０に近づけば近づくほど記録感度が
悪くなるため、０より大きいことが必要である。具体的
には、０．１以下の範囲が望ましく、実際には、０．０
５前後が望ましい。

なお、本発明は、既に述べた層板外の層がある場合にお
いても適用が可能である。たとえば、基板と光吸収層と
の間に透明層（たとえば５ｉ０２等のエンハンス層、下
引き層等）を設けた場合には、この層を基板の一部とし
て上記の定数を扱っても良く、光吸収層と反射層との間
に層（たとえば、接着層、硬質層等）を設けた場合には
、これらの層を第二の吸収層として考え、１）＝　（ｒ
ｌ”　ｄ＋＋１２”　ｄ２）／λとして扱い、多数層に
なる場合には、ρ＝Σ（ｒｒ＋・ｄｌ）／λ（但し、ｉ
は整数）とすれば、上記と同様に扱うことができる。

また、ｋが、０でない場合には、膜厚の比率によって平
均値としてのｋを、ｋ＝Σｄ＋に＋／Σｄ１として求め
れば単層の場合と同様に扱うことができる。

また、基板にグループが形成されている場合には、ｄａ
ｂｓは、グループ内の光吸収層の膜厚とランド部の光吸
収層の膜厚の全面積の平均値であられされる。

［実　施　例コ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第７図に示す。同図において、ｌは、透光性基板
、２は、その上に形成された光吸収層で、照射されたレ
ーザ光を吸収し、それに接する層にビットを形成する作
用を有する層である。第４図〜第７図においてのみ示さ
れた６の符号は、透光性基板１と光吸収層２０間に存在
する中間層で、これが存在する場合は、光吸収層にエネ
ルギーが与えられることにより、第５図に示すように、
中間層６が変形し、ビット５が形成される。また、中間
層６の膜厚が比較的薄い場合には、第７図で示すように
、変形が基板１に及ぶことがある。さらに、このような
中間層６が存在しない場合には、第３図で示すように、
基板１の界面が変形され、そこにビット５が形成される
。また３は、その上に形成された反射層、４は、その外
側に設けられた保護層を示す。

第２図、第４図及び第６図は、レーザ光による記録前の
状態を、第３図、第５図及び第７図は、レーザ光による
記録後の状態、すなわち、ビット５が形成された状態を
模式的に示す。

透光性基板１の材料は、レーザー光に対する屈折率が１
．　４〜１．６の範囲の透明度の高い材料で、耐衝撃性
に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーボネー
ト、アクリル等が例示できるが、これらに限られるわけ
ではない。

上記のような材料を用いて、基板ｌは例えば射出成形等
の手段により成形される。

このような基板ｌに、スパイラル状にプリグループが形
成されていてもよい。プリグループは、通常考えられる
条件のものであればどのような条件のものでもよいが、
５０〜２５０ｎｍの深さが好適であり、さらに望ましく
は８０〜１８０ｎｍの深さであることが望ましい。

プリグループは、基板ｌの射出成形時のスタンパを押し
当てることにより形成されるのが通常であるが、レーザ
ーによってカッティングすることや２Ｐ法によって作ら
れるものでもよい。

光吸収層２と接する中間層６は、ポリカーボネート、ア
クリル、エポキシ等が例示でき、分子量、組成を変化さ
せることにより硬度を調節する。なお、既に説明したよ
うに、中間層６が無（て、光吸収層２に直接透光性基板
ｌが接していてもよく、また、中間層６が複数面存在し
ていてもよい。

基板１と光吸収層１との間に、上記中間層６以外に、５
ｉ０２等の耐溶剤層やエンハンス層をコーティングして
おいてもよい。

光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素が望ましく、
シアニン色素、ポリメチン色素、トリアリールメタン色
素、ビリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラデヒ
ドロコリン色素、トリアリールアミン色素、スクアリリ
ウム色素、クロコニックメチン色素等が例示できるが、
これらに限定されるものではな（、公知の低融点金属等
の記録材料でも本発明の効果を得ることが可能である。

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例えばニトロ
セルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー）
、液ゴム等を含んでいても良い。

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤を公知の
有機溶媒（たとえばケトンアルコール、アセチルアセト
ン、メチルセロソルブ、トルエン等）で溶解したものを
プリグループが形成された透光性基板、或はさらに基板
ｌ上に他の層をコーティングした上に形成される。

この場合の形成手段としては、蒸着法、ＬＢ法、スピン
コード法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スピンコード法が望ましい。

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、銀、アル
ミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパッ
タ法等の手段により形成される。

反射率が７０％以上を有することが必要であるため、金
または金を含む合金を主体とする金属で形成することが
望ましい。また、反射層の酸化を防止するための耐酸化
層等の他の層を介在させてもよい。

なお、光吸収層２より反射層３側にある層は、基板１側
の層に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いことが
望ましい。このように構成することによって記録信号の
ブロックエラーレートの低減に効果が認められる。

硬質層４は光吸収層２よりも反射層３側に設けられる層
であり、保護層としての機能を兼ねてもよい。硬度は透
光性基板１側の光吸収層２と接する部分と同じであって
も良いが、できればこれよりも高い硬度の材質であるこ
とが望ましく、そうすることにより、再生波形に歪みが
でき難くなる。具体的には、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ
　　Ｄ７５以上、えんぴつ硬度でＨＢ以上であっても、
他の条件との組み合わせ次第で本発明の効果を得ること
が可能である。ただ、ブロックエラーレートＢＬＥＲを
良（する点を考慮すると、ロックウェル硬度ＡＳＴＭ　
　Ｄ７８５においてＭ９０以上、えんぴつ硬度でＨ以上
であることが望ましい。さらに、硬質層４は耐衝撃性の
優れた樹脂によって形成されることが望ましい。たとえ
ば紫外線硬化樹脂をスピンコード法により塗布し、紫外
線を照射して硬化させることにより形成する。

レーザー光を照射してデータが記録された光情報記録媒
体は、第３図、第５図及び第７図に模式的に示すように
、基板１側の光吸収層２と接する表面部分に、光吸収層
２側に凸となるビット５が確認でき、このようにして形
成されたビット５の再生波形は、ＣＤのそれと同様のも
のであることがわかっている。

記録信号の再生は、基板側から読取りレーザーを照射し
、ビット部分の反射光とビット以外の部分の反射光の光
学的位相差を読み取ることにより行われる。

なお、本実施例においては、透光性基板ｌのほぼ全面に
光吸収層２を形成した場合のみ説明しているが、上記光
吸収層２は透光性基板上の一部の領域に形成し、同光吸
収層２の無い領域を予め信号再生用のビットが形成され
たＲＯＭ領域とすることもできる。たとえば、透光性基
板１の表面のＲＯＭ領域となる部分に信号再生用のビッ
トをスタンバ等で予め形成しておき、その外側の領域に
のみ上記材料をコーティングして光吸収層２を形成する
ことにより、透光性基板の外周寄りの一部にのみ光吸収
層２を形成し、ここを記録可能領域とし、それより内周
側の部分にＲＯＭ領域を形成する等である。このように
ＲＯＭ領域を設けることにより、一定のＲＯＭ情報と個
人の追記情報を１つの記憶媒体に収めることができる。

また、本発明による光情報記録媒体においては、ディス
ク状の記録媒体に限らず、カード形状の光情報記録媒体
においても同様に考えることができる。

この構成の具体的実施例について、以下に説明する。

（実施例１） 表面に幅０．　８μｒｒｈ　　深さ０．　０８　μｆｆ
ｈ　　ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプリグループ
８が形成された厚さ１．　２ｍｒｒｈ　外径１２０ｍｍ
φ１　内径１５ｍｍφのポリカーボネート基板１を射出
成形法により成形した。このポリカーボネート基板ｌの
ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は、Ｍ７５鉛筆硬度
ＨＢと同等であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ８４８は
、４．６ｋｇ／ｃｍ２．１２１℃であった。

光吸収層２を形成するための育機色素として、（１，６
５ｇの１，１′ジブチル３．　３．　３’３′テトラメ
チル４．　５．　４’、　　５’ジベンゾインドジカー
ボシアニンバークロレート（日本感光色素研究新製、品
番ＮＫ３２１９）を、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの感光色素膜からな
る光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
の実数部ｎａｂｓとその膜厚ｄ　ａｂｓと再生光の波長
λとで与えられるρ＝　ｎ　ａｂｓ　ｄ　ａｂｓ／λは
、０．４５であり、かつ上記複素屈折率の虚部ｋ　ａｂ
ｓは０．０５であった。

次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚８０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射層３
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射しで硬化させ、膜厚ｌＯμｍの保護層４を形成
した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度ＡＳＴＭ　
　Ｄ６４８は、４．Ｅ３ｋｇ／ｃｍ２．１３５℃であっ
た。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅａｓ記録パワー６．０ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−
Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。。

が０．　６８　、Ｉ　ａ／　Ｉ　ｔ６ｅが０．３５、ブ
ロックエラーレートＢＬＥＲが１．２Ｘ１０−２であっ
た。また、この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであっ
た。

ＣＤ規格では、全厚が１．　１〜１．　５ｍｒｒｈ反射
率が７０％以上、Ｉ目／ｌ１０ｏがｏ、　　ｅ以上、Ｉ
３／Ｉｔ。、が０．３〜０．７、ブロックエラーレート
ＢＬＥＲが３Ｘ１０−２以下と定められており、この実
施例による光ディスクは、この規格を満足している。

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反射
層３とを剥離し、光吸収層２の表面を観察したところピ
ットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。ま
た、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、基板１の表面を
観察したところ、そこに光学的に変性したピット５が形
成されているのが確認された。

この光ディスクの層構造を第２図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第３図に模式的に示す。

（実施例２） 上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との間
に、エポキシ樹脂をスピンコードし、膜厚１１００ｎの
硬質層を設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして
、光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化
後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏで
あり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８は、４．６ｋｇ
／　ｃ　ｒｎ　２．１３５℃であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、上記実施例１と
同様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性、かえ
られ、さらにブロックエラーレートＢＬＥＲは、３．０
ＸＩＯ−３であった。また、光ディスクの全厚は、１．
２ｍｍであった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板１の表面を観察したところ、そこにピット５が
形成されているのが確認された。

（実施例３） 上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との間
であって、光吸収層２の上面に形成するエポキシ樹脂に
代えて膜厚１１００ｎのシリコンアクリル樹脂の硬質層
を設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる２０
％ｍの結着層をそれぞれスピンコード法により形成した
こと以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、シリコンアクリル樹脂屑の硬化後のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭｌｏｏであり
、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、４．６　ｋ　ｇ／　
ｃ　〜２，１００℃であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長７８０ｎ
ｍで再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、
■＋＋／Ｉ’ｔ。、が０．８３、Ｉ３／Ｉｔ。。が０．
３５、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．５Ｘ１０−
３であった。また、この光ディスクの全厚は、１．２ｍ
ｍであった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにピット５が
形成されているのが確認された。

（実施例４） 上記実施例１において、光吸収層２の上に、光反射層３
として金とアンチモンとの９＝　１の割合の合金膜を真
空蒸着法で形成したこと、及びこの反射層３の上に、エ
ポキシ樹脂からなる２０％ｍの結着層を介して紫外線硬
化樹脂からなる保護層４を形成したこと以外は、上記実
施例１と同様にして、光ディスクを製作した。なお、上
記光反射層３は、鉛筆硬度としてｒＨＪ以上の硬度を存
する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー６．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、１
０／　Ｉｔｏ。

が０．　６２　、Ｉ　３／　Ｉ　ｔｏｏが０．３２、ブ
ロックエラーレートＢＬＥＲが３．５　Ｘ　１０−３で
あった。また、この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍで
あった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認された。

（実施例５） 上記実施例１において、ポリカーボネート基板１の光入
射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコード
し、厚さ１μｍの基板保護層を設け、プリグループを設
けた面上に光吸収層２を形成したこと、及びこの光吸収
層２の上に、光反射層３としてイリジウムと金との３＝
１の割合の合金膜をスッパタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度として「５
Ｈ」以上の硬度を有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が７０％、Ｉ目／Ｉｔ。、が０．６
２、Ｉ３／１、。、が０．３７、ブロックエラーレート
ＢＬＥＲが３．７Ｘ１０−３であった。また、この光デ
ィスクの全厚は、１．２ｍｍであった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認され（実施例６） 上記実施例１において、光反射層３を厚さ６０％ｍの銀
膜で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート
剤をスピンコードし、これを加熱、硬化させて厚み３μ
ｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層４
は、鉛筆硬度としてｒＨＢＪ以上の硬度を有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７１％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。、が０．　６
３、Ｉ３／Ｉｔ。。

が０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．８Ｘ
１０−３であった。また、この光ディスクの全厚は、１
．２ｍｍであった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認され（実施例７） 上記実施例１において、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を真空蒸
若した光反射層３の上に、ジクリシジルエーテルで希釈
したポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコード
して形成された３０％ｍの結着層を介してシリコーン系
ハードコート剤をスピンコードし、これを加熱、硬化さ
せて厚み３μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記
実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７２％、■目／　Ｉ　ｔ。、が０．６
５、Ｉ３／Ｉｔｏ。

が０．３５、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．５Ｘ
１０−”であった。また、この光ディスクの全厚は、１
．２ｍｍであった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板１の表面を観察したところ、そこにピット５が
形成されているのが確認された。

（実施例８） 上記実施例１において、Ｌｌ’　ジブチル３．３．３′
、３′テトラメチル５．５′　ジエトキシインドジカー
ボシアニンパークロレートを用いて光吸収層２を形成し
たこと、光反射層３の上にエポキシ樹脂からなる１１０
０ｎの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬化樹脂
を１０μｍ設けて、保護層４を形成した以外は、上記実
施例１と同様にして、光ディスクを製作した。なお、こ
の光吸収層２のρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ／λは０
．４４であり、ｋａｂｓは０．０３であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７４％、Ｉ　＋＋／　Ｉ　ｔｏｐが０
．　８８、Ｉｓ／Ｉｔ。。

が０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが８．３Ｘ
１０−３であった。また、この光ディスクの全厚は、１
．２ｍｍであった。

さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディス
クの基板ｌの表面を観察したところ、そこにピット５が
形成されているのが確認された。

（実施例９） 上記実施例１において使用したのと同じポリカーボネー
ト基板ｌの表面にジイソブチルケトンで溶解したアクリ
ル樹脂をスピンコードし、厚み４０ｎｍの中間層６を形
成した。この中間層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　
Ｄ７８５は、Ｍ８５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ
８４８は、４．６ｋｇ／ｃｍ２．１００℃であった。

光吸収層２を形成するための有機色素として、０．６ｇ
の１．１’　ジプロピル、　　３．　３．　３’３′テ
トラメチル５．５′　ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１２０ｎｍの感光色素膜からな
る光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
の実数部ｎ５ｂｓ　とその膜厚ｄ　ａｂｓ　と再生光の
波長λとで与えられるρ”　ｎ　ａｂｓ　ｄ　ｍｂｓ／
λは、０．４１であり、かつ上記複素屈折率の虚部ｋａ
ｂｓは０．０２であった。

次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンアク
リル樹脂をスピンコードし、厚さＩＯＯｎ　ｍｓ　　鉛
筆硬度２Ｈ，熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８　４．８ｋｇ
／ｃｍ２．１２０℃のシリコンアクリル樹脂層を形成し
、その上にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡ
ｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射
層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚ｌＯμｍの保護層４を
形成した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度Ａ
ＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ６４８は、４．１３ｋｇ／ｃｍ２．１３５°Ｃ
であった。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅｃｔ記録パワー７．５ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７４％、■目／Ｉｔ０＝が
０゜６２、Ｉ３／Ｉｔ。、が０．３１．　　ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが４．０ＸＩＯ−３であった。また
、この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであった。

さらに、この記録後の光ディスクの上記保護層４と光反
射層３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、
中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５が形
成されているのが確認された。

（実施例１０） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと以外は
、上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７３％、１
　口／　Ｉ　ｔｏｐが０．６２、Ｉａ／Ｉｔ。、が０．
３１、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．４Ｘ１０−
３であった。また、この光ディスクの全厚は、１６２ｍ
ｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１１） 上記実施例９において、基板ｌとしてガラス基板を用い
たこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチルケ
トンの１＝　１の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂を
スピンコード法にて形成された厚さ２０ｎｍの結着層を
形成したこと以外は、上記実施例９と同様にして、光デ
ィスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
ｚ／Ｉｔａｐが０．６５、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３３、
ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．６Ｘ１０−３であ
った。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍで
あった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１２） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、及び
反射層の上に、ポリブタジェンをスピンコード法にて形
成した厚さ２０ｎｍの結着層を形成したこと以外は、上
記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
ＩＩ／’Ｉｔ。。

が０．６Ｂ、Ｉａ／Ｉｔ。、が０．３５、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが３．５Ｘ１０−３であった。また、
この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６０表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１３） 上記実施例９において、中間層６の厚みを２０ｎｍとし
たこと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反
射層３としてイリジウムと金とのｌ：　９の割合の合金
膜をスパッタリング法により形成したこと以外は、上記
実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。なお、
前記合金膜の鉛筆硬度は２Ｈであった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ
ｚ／Ｉｔｏｐが０．６３、Ｉａ／Ｉｔ。、が０．３２、
ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３．３Ｘ１０−３であ
った。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍで
あった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにビット５
が形成されているのが確認された。このビット５は、中
間層６の膜厚が薄いため、基板の表面にまで達して形成
されている。

この光ディスクの層構造を第６図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第７図に模式的に示す。

（実施例１４） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
イリジウムと金とのｌ：９の割合の合金膜をスパッタリ
ング法により形成したこと以外は、上記実施例９と同様
にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ
目／Ｉｔ０ｐが０．　６４．１ｓ／　ｌ１０＝が０．３
２、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．８Ｘ１０−３
であった。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍ
ｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１５） 上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３としてイリジウムと金とのｌ：９
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと
、及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコード
して、厚さ２０％ｍの結着層を形成し、この上に紫外線
硬化性樹脂製の保護層４を形成したこと以外は、上記実
施例９と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
＋＋／Ｉｔ。。

が０．６４、Ｉ３／Ｉｒ。、が０６３２、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが４．ｌＸｌ０−３であった。また、
この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１６） 上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０％ｍの銅膜を形成
したこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコードして厚さ５０％ｍのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、上記実施例９と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、上記保護層はロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５がＭｌｌｏであることから硬質層として
の機能を有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、Ｉ
＋＋／Ｉｔ。。

が０．６４、Ｉｓ／Ｉｔ。、が０．３３、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが２．９ＸｌＯ−３であった。また、
この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１７） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
厚さ５０％ｍの銅膜を形成したこと、及び保護層４とし
てジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール
硬化型エポキシ樹脂をスピンコードして厚さ５０ｎｍの
エポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と
同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ
　ｚ／　Ｉ　ｔｏｐが０．　６４　、Ｉ　ａ／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３３、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３．
５Ｘ１０−３であった。また、この光ディスクの全厚は
、１．　２ｍｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１８） 上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０ｎｍの銅膜を真空
蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエンとメチ
ルエチルケトンの６：４の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニ
ル樹脂をスピンコードで形成した厚さ２０ｎｍの結着層
を介して保護層４を形成したこと、及び保護層４として
ジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬
化型エポキシ樹脂をスピンコードシて厚さ５０ｎｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と同
様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、１
　目／　Ｉ　ｔｏｐが０．６４、Ｉ３／Ｉｔ−が０．３
３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．６Ｘ１０−３
であった。また、この光ディスクの全厚は、１．　２ｍ
ｍであった。

さらに、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディス
クの中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。

（実施例１９） 幅０．５μｎｈ深さＯ−１５μｒｒｈ　　ピッチ１゜６
μｍのスパイラル状のプレグルーブが形成された厚さ１
．　２ｍｍ５　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポ
リカーボネートｘ板１を射出成形法により成形した。

光吸収層２を形成するための有機色素として、実施例１
と同じ色素０．０６５ｇとニトロセルロース０．００５
ｇを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃｃに溶解し、
これを上記の基板ｌの上にスピンコード法により塗布し
、平均膜厚０．０２５μｍの色素膜からなる光吸収層２
を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、ｎａｂｓ
　＝２．　０１ｋａｂｓ　＝０．　０４である。再生光
の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、ρ＝　ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．０６４である。

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。こ
の反射層３の複索屈折率はｎｒｅｆ　＝０．　１６、ｋ
ｒｅｆ　＝４．　６７である。

さらに、この反射層３の上に実施例１と同様の紫外線硬
化性樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬
化させ、厚み１０μｍの保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。

この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｒｒｈ　　反射率
は８２％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６３、Ｉ３／
Ｉ　ｔｏｐが０．３１であり、この実施例による光ディ
スクは、ＣＤ規格を満足している。

（実施例２０） 実施例１と同様に成型されたポリカーボネート基板ｌに
光吸収層２を形成するための有機色素として、１，１′
　ジプチル３．　３．　３’、　　３テトラメチル５．
　６．　５’、　　８−テトラメトキシインドジカーボ
シアニンパーク口レートＯ００５０ｇとニトロセルロー
ス０．００５ｇを、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃｃ
に溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコード法に
より塗布し、膜厚０．０２０μｍの色素膜からなる光吸
収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、１
ａｂｓ＝２．０、ｋａｂｓ＝０．２９である。再生光の
半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、ρ＝　ｎ　
ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０゜０５１である。

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に実施例１と同様の紫外線硬化性
樹脂をスピンコードし、これに紫外線を照射して硬化さ
せ、厚み１０μｍの保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。

この光ディスクの全厚は、１．　２ｍｍ５　　反射率は
７０％、Ｉ　ＩＩ／　Ｉ　ｔｏｐが０．６４．１３／Ｉ
　ｔｏｐが０．３０であり、この実施例による光ディス
クは、ＣＤ規格を満足している。

（実施例２１） 幅０．　７μｍｓ　深さ０．０７　ｕ　ｆｉｂ　　ピッ
チ１゜６μｍのスパイラル状のプリグループが形成され
た厚さ１．　２ｍｒｒｈ　外径１２０ｍｍφ、内径１５
ｍｍφのポリカーボネート基板ｌを射出成形法により成
形した。

光吸収層２を形成するための有機色素として、実施例１
と同じ色素０．８ｇを、アセチルアセトン溶剤１０ｃｃ
に溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコード法に
より塗布し、膜厚０゜１７μｍの色素膜からなる光吸収
層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、ｎａ
ｂｓ＝２．７、ｌ＜ａｂｓ　＝０．　０５である。再生
光の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであり、ρ＝ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．５９である。

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
ドし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μｍ
の保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。

この光ディスクの全厚は、１．２ｍｍ１　反射率は７２
％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６２、Ｉ３／Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３２であり、この実施例による光ディスクは
、ＣＤ規格を満足している。

（実施例２２） 幅０．５μｒｒｈ　深さ０．　１８μｍｓ　　ピッチ１
゜６μｍのスパイラル状のプリグループが形成された厚
さ１．　２ｍｒｙｈ　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍ
φのポリカーボネート基板１を射出成形法により成形し
た。

光吸収層２を形成するための有機色素として、■、１′
　ジエチル３．　３．　３’、　　３’テトラメチル５
．　７．　５’、　　？−メトキシインドシカーポジア
ニンパークロレート０．５５ｇを、ジアセトンアルコー
ル溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板１の上にス
ピンコード法により塗布し、平均膜厚１２０ｎｍの色素
膜からなる光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複
素屈折率は、ｎａｂｓ：２．９、ｋａｂｓ＝０．２０で
ある。再生光の半導体レーザの波長λ＝７８０ｎｍであ
り、ρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂｓ　／λ＝０．　４５
である。

このディスクの全面に蒸着法により、膜厚５００オング
ストロームのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成し、さら
に、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコー
ドし、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み１０μｍ
の保護層４を形成した。

こうして得られた光ディスクに、実施例１と同様に波長
７８０ｎｍの半導体レーザによって、ＥＦＭ信号を記録
し、市販のＣＤプレーヤで再生した。

この光ディスクの全厚は、１．２ｍｔｒｈ　　反射率は
７０％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．７０．１３／Ｉ
　ｔｏｐが０．４０であり、この実施例による光ディス
クは、ＣＤ規格を満足している。

［発明の効果°］ 以上説明した通り、本発明によれば、ＣＤ規格に規定す
る全厚１．１〜１．５ｍｍの範囲でで、変調度として示
されるＩ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０゜６以上、１３／Ｉ
ｔｏｐが０．３〜０．７という再生波形を得ることがで
きる光情報記録媒体をとその記録方法を提供することが
できる。

さらに、光吸収層におけるρ＝　ｎ　ａｂｓ−ｄ　ａｂ
ｓ／λを０．０５≦ρ≦０．６、かつｋ　ａｂｓを０゜
３以下とすることにより、ＣＤ規格に準拠した反射率７
０％以上の再生信号が得られる光情報記録媒体を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光情報記録媒体の構造の一例を示す
模式半断面斜視図、第２図は、第１図の記録前の光情報
記録媒体のトラックに沿うて断面した部分断面拡大図、
第３図は、第１図の記録後の光情報記録媒体のトラック
に沿って断面した部分断面拡大図、第４図は、本発明の
光情報記録媒体において中間層が設けられた場合の記録
前の部分断面拡大図、第５図は、本発明の光情報記録媒
体において中間層が設けられた場合の記録後の部分断面
拡大図、第６図は、本発明の光情報記録媒体において中
間層が設けられた場合の記録前の部分断面拡大図、第７
図は、本発明の光情報記録媒体において中間層が設けら
れた変形層が２層の場合の記録後の部分断面拡大図、第
８図は、変形層の硬度と変調度の関係を示すグラフ、第
９図は、光情報記録媒体の光吸収層のρ＝　ｎ　ａｂｓ
−ｄ　ａｂｓ　／λと反射率との関係の例を示すグラフ
、第１０図は、光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓ
と反射率との関係を示すグラフ、第１１図は、ρ＝　ｎ
　ａｂｓ−ｄ　ａｂＳ／λとｋ　ａｂｓにおいて反射率
がＣＤ規格を満たす領域を示すグラフである。 ｌ・・・基板　２・・・光吸収層　３・・・反射層　４
・・・硬質層　５・・・ピット　６・・・中間層　７・
・・レーザ光８・・・ピックアップ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性基板の上に直接または他の層を介して光吸
   収層と、前記光吸収層の上に直接または他の層を介して
   反射層と硬質層が設けられた光情報記録媒体において、
   上記光吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層と接する
   部分のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５がＭ９０以下
   であることを特徴とする光情報記録媒体。
2. （２）上記特許請求の範囲第１項において、光吸収層は
   、光吸収層の複素屈折率の実数部ｎ＿ａ＿ｂ＿ｓと膜厚
   ｄ＿ａ＿ｂ＿ｓと再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎ
   ＿ａ＿ｂ＿ｓ・ｄ＿ａ＿ｂ＿ｓ／λが、０．０５≦ρ≦
   ０． ６であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部ｋ＿ａ＿ｂ
   ＿ｓが０．３以下であることを特徴とする光情報記録媒
   体
3. （３）透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
   ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
   たは他の層を介して反射層と硬質層が設けられ、上記光
   吸収層よりも透光性基板側の、光吸収層と接する部分の
   ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５がＭ９０以下である
   光情報記録媒体を用い、透光性基板側からレーザ光を光
   吸収層に照射し、光吸収層にエネルギーを与えることに
   よって透光性基板側の光吸収層に接する部分を変形させ
   、同部分にピットを形成する光情報記録方法。