JPH0823940B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0823940B2 JPH0823940B2 JP63239165A JP23916588A JPH0823940B2 JP H0823940 B2 JPH0823940 B2 JP H0823940B2 JP 63239165 A JP63239165 A JP 63239165A JP 23916588 A JP23916588 A JP 23916588A JP H0823940 B2 JPH0823940 B2 JP H0823940B2
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- Japan
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- layer
- intermediate layer
- recording medium
- information recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録
データを再生する光情報記録媒体に関する。
データを再生する光情報記録媒体に関する。
［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができ
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。このような記録層を有する
光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変
形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の
背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具体
的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する、
いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がと
られる。
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。このような記録層を有する
光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変
形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の
背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具体
的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する、
いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がと
られる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録されたデータを再生するときは、上記基板１側から
記録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピット
とそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読み
とる。
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録されたデータを再生するときは、上記基板１側から
記録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピット
とそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読み
とる。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのピットを予めプレス等
の手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この
上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成
し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのピットを予めプレス等
の手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この
上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成
し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記光情報記録媒体は、CDと同じレーザ光を用いる記
録、再生手段であるため、既に再生装置が広く普及して
いるCDプレーヤで再生できること、すなわち、CDフォー
マットに準拠することが強く望まれる。
録、再生手段であるため、既に再生装置が広く普及して
いるCDプレーヤで再生できること、すなわち、CDフォー
マットに準拠することが強く望まれる。
しかしながら、上記の光情報記録媒体は、CDには無い
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にピットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にピットを形成するのを容易にするための空隙等を有す
ることから、再生信号が自ずとCDと異なってくる。この
ため、いわゆるCDについての規格を定めた上記CDフォー
マットを満足することが困難であった。特に、再生信号
の変調度が低いことにより、CDフォーマットに準拠した
再生信号が得られないのが現状である。
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にピットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にピットを形成するのを容易にするための空隙等を有す
ることから、再生信号が自ずとCDと異なってくる。この
ため、いわゆるCDについての規格を定めた上記CDフォー
マットを満足することが困難であった。特に、再生信号
の変調度が低いことにより、CDフォーマットに準拠した
再生信号が得られないのが現状である。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、その目的は、CDフォーマットに準拠した変調度
の高い再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
もので、その目的は、CDフォーマットに準拠した変調度
の高い再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明において
採用した第一の手段の要旨は、透光性基板１の上に他の
層を介してレーザ光を吸収する光吸収層２と、光吸収層
２の上に直接または他の層を介して設けられたレーザ光
を反射する光反射層３とを有する光情報記録媒体におい
て、光吸収層２がレーザ光の照射により、発熱と圧力増
大を伴う材料を含有し、この光吸収層２と、透光性基板
１との間に中間層６を介在させ、この中間層６のロック
ウェル硬度がASTM D785でM100〜50であることを特徴と
する光情報記録媒体である。
採用した第一の手段の要旨は、透光性基板１の上に他の
層を介してレーザ光を吸収する光吸収層２と、光吸収層
２の上に直接または他の層を介して設けられたレーザ光
を反射する光反射層３とを有する光情報記録媒体におい
て、光吸収層２がレーザ光の照射により、発熱と圧力増
大を伴う材料を含有し、この光吸収層２と、透光性基板
１との間に中間層６を介在させ、この中間層６のロック
ウェル硬度がASTM D785でM100〜50であることを特徴と
する光情報記録媒体である。
第二の手段の要旨は、前記光情報記録媒体において、
中間層６の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/cm2で50〜150
℃である光情報記録媒体である。
中間層６の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/cm2で50〜150
℃である光情報記録媒体である。
［作用］ 上記光情報記録媒体では、光吸収層２にレーザ光を照
射したとき、同光吸収層２がレーザ光を吸収して発熱
し、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等し
て、熱や圧力増大として局部的なエネルギーの変換がな
されるが、このとき、透光性基板１と光吸収層２との間
に介在された中間層６の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/
cm2で50〜150℃の範囲であり、あるいはロックウェル硬
度がASTM D785でM100〜50の範囲であることから、上記
光吸収層２で発生したエネルギーが中間層６の表面の局
部的な変形によって吸収される。このため、同層６に上
記変形によるピット５が形成される。
射したとき、同光吸収層２がレーザ光を吸収して発熱
し、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等し
て、熱や圧力増大として局部的なエネルギーの変換がな
されるが、このとき、透光性基板１と光吸収層２との間
に介在された中間層６の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/
cm2で50〜150℃の範囲であり、あるいはロックウェル硬
度がASTM D785でM100〜50の範囲であることから、上記
光吸収層２で発生したエネルギーが中間層６の表面の局
部的な変形によって吸収される。このため、同層６に上
記変形によるピット５が形成される。
こうして、中間層６に形成されるピット５は、予めプ
レス等の手段によって透光性基板の表層に形成されるピ
ットに近似するものである。また、光吸収層２の背後に
密着して他の層、例えば金属層による光反射層３を設け
ることができる。従って、形態的にもCDに近似した光情
報記録媒体が得られ、CDフォーマットに準拠した記録可
能な光情報記録媒体が容易に得られる。
レス等の手段によって透光性基板の表層に形成されるピ
ットに近似するものである。また、光吸収層２の背後に
密着して他の層、例えば金属層による光反射層３を設け
ることができる。従って、形態的にもCDに近似した光情
報記録媒体が得られ、CDフォーマットに準拠した記録可
能な光情報記録媒体が容易に得られる。
ここで、中間層６の熱変形温度、或は硬度を前記の範
囲に限定したのは、次の理由による。すなわち、中間層
の熱変形温度が上記範囲に満たないときは、一旦形成し
たピット５がその後受ける熱によって容易に変形してし
まうため、記録されたデータの安定性が悪い。また、中
間層６の熱変形温度が上記範囲を越えるときは、光吸収
層２で発生したエネルギーを、中間層６の変形という形
で吸収しにくいため、明瞭なピット５が形成できず、変
調度の大きな再生信号が得られない。硬度についても同
様で、中間層６の硬度が上記範囲に満たないときは、一
旦形成したピット５が小さな外力によって容易に変形さ
れてしまうため、記録されたデータの安定性が悪い。ま
た、中間層６の硬度が上記範囲を越えるときは、光吸収
層２で発生したエネルギーを、中間層６の変形という形
で吸収しにくいため、明瞭なピット５が形成できず、変
調度の大きな再生信号が得られない。
囲に限定したのは、次の理由による。すなわち、中間層
の熱変形温度が上記範囲に満たないときは、一旦形成し
たピット５がその後受ける熱によって容易に変形してし
まうため、記録されたデータの安定性が悪い。また、中
間層６の熱変形温度が上記範囲を越えるときは、光吸収
層２で発生したエネルギーを、中間層６の変形という形
で吸収しにくいため、明瞭なピット５が形成できず、変
調度の大きな再生信号が得られない。硬度についても同
様で、中間層６の硬度が上記範囲に満たないときは、一
旦形成したピット５が小さな外力によって容易に変形さ
れてしまうため、記録されたデータの安定性が悪い。ま
た、中間層６の硬度が上記範囲を越えるときは、光吸収
層２で発生したエネルギーを、中間層６の変形という形
で吸収しにくいため、明瞭なピット５が形成できず、変
調度の大きな再生信号が得られない。
［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、
第１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を
有する基板、６は、その上に形成された樹脂等からなる
中間層、２は、さらにその上に形成された光吸収層で、
照射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇
華、変形または変性し、上記中間層６を局部的に変形さ
せ、光学的に変性したピットを形成する作用を有する層
である。
第１図〜第３図に示す。同図において、１は、透光性を
有する基板、６は、その上に形成された樹脂等からなる
中間層、２は、さらにその上に形成された光吸収層で、
照射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇
華、変形または変性し、上記中間層６を局部的に変形さ
せ、光学的に変性したピットを形成する作用を有する層
である。
既に述べた通り、本発明においては、上記中間層６の
熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/cm2で50〜150℃、或はロ
ックウェル硬度がASTM D785でM100〜50の範囲であるこ
とが必要である。他方、光吸収層２の背後側、例えば、
保護層４は、この中間層６より熱変形温度が高く、かつ
硬度が高いものがよい。３は、光吸収層２の上に形成さ
れたレーザ光を反射する光反射層、４は、その外側に設
けられた保護層を示す。
熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/cm2で50〜150℃、或はロ
ックウェル硬度がASTM D785でM100〜50の範囲であるこ
とが必要である。他方、光吸収層２の背後側、例えば、
保護層４は、この中間層６より熱変形温度が高く、かつ
硬度が高いものがよい。３は、光吸収層２の上に形成さ
れたレーザ光を反射する光反射層、４は、その外側に設
けられた保護層を示す。
なお、第２図と第４図は、レーザ光による記録前の状
態を、第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、レ
ーザ光の照射時の光吸収層２の局部的な熱変形により、
中間層６が一部変形され、ピット５が形成された状態を
模式的に示す。第３図は、レーザ光の照射に伴う光吸収
層２の発熱、圧力増大による変形が、実質的に中間層６
にのみ及び、透光性基板１には、殆ど及んでいない状態
を示している。これに対し、第５図は、変形が中間層６
のみならず、透光性基板１へも及び、中間層６から透光
性基板１にわたってピット５が形成されている場合を示
している。一般には、中間層の膜厚が30nm以下というよ
うに、薄い場合で、かつ透光性基板１の熱変形温度がAS
TM D648 4.6Kg/cm2で85〜200℃で、ロックウェル硬度が
ASTM D785でM200〜75程度である場合、後者のようなピ
ット５が形成される。
態を、第３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、レ
ーザ光の照射時の光吸収層２の局部的な熱変形により、
中間層６が一部変形され、ピット５が形成された状態を
模式的に示す。第３図は、レーザ光の照射に伴う光吸収
層２の発熱、圧力増大による変形が、実質的に中間層６
にのみ及び、透光性基板１には、殆ど及んでいない状態
を示している。これに対し、第５図は、変形が中間層６
のみならず、透光性基板１へも及び、中間層６から透光
性基板１にわたってピット５が形成されている場合を示
している。一般には、中間層の膜厚が30nm以下というよ
うに、薄い場合で、かつ透光性基板１の熱変形温度がAS
TM D648 4.6Kg/cm2で85〜200℃で、ロックウェル硬度が
ASTM D785でM200〜75程度である場合、後者のようなピ
ット５が形成される。
本発明では、第３図と第５図の何れの形態のピット５
が形成されても、差し支えない。
が形成されても、差し支えない。
この光情報記録媒体の具体例について、以下に説明す
る。
る。
（実施例１） 透光性基板１として、射出成型法により形成された直
径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピ
ッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグルーブ８を有する
厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15mmφのポリカーボネー
ト製円板（帝人化成（株）製、商品名：パンライト）を
用いた。このポリカーボネート基板１のロックウェル硬
度ASTMは、D785でM75であり、熱変形温度ASTMは、D64
8、4.6kg/cm2で130℃である。
径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピ
ッチ1.6μｍのスパイラル状のプレグルーブ８を有する
厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15mmφのポリカーボネー
ト製円板（帝人化成（株）製、商品名：パンライト）を
用いた。このポリカーボネート基板１のロックウェル硬
度ASTMは、D785でM75であり、熱変形温度ASTMは、D64
8、4.6kg/cm2で130℃である。
この透光性基板１の上に中間層６としてアクリル樹脂
（サンノプコ製のSN-EX7042）を厚さ70nmにスピンコー
トで形成し、さらにこの上に、光吸収層２を形成するた
めの有機色素として、0.65gの1,1′ジプロピル3,3,3′,
3′テトラメチル5,5′ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、ジアセトンアルコール溶剤10ccに溶
解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコート法に
より塗布し、膜厚90nmの光吸収層２を形成した。上記中
間層６の熱変形温度ASTMは、D648、4.6kg/cm2で100℃、
ロックウェル硬度ASTMは、D785でM85である。
（サンノプコ製のSN-EX7042）を厚さ70nmにスピンコー
トで形成し、さらにこの上に、光吸収層２を形成するた
めの有機色素として、0.65gの1,1′ジプロピル3,3,3′,
3′テトラメチル5,5′ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、ジアセトンアルコール溶剤10ccに溶
解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコート法に
より塗布し、膜厚90nmの光吸収層２を形成した。上記中
間層６の熱変形温度ASTMは、D648、4.6kg/cm2で100℃、
ロックウェル硬度ASTMは、D785でM85である。
次に、上記光吸収層２の上に、シリコンアクリル樹脂
を厚さ50nmスピンコートで形成した後、ディスクの直径
45〜118nmφの領域の全面にスパッタリング法により、
膜厚50nmのAu膜を成膜し、光反射層３を形成した。さら
に、この光反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコ
ートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μｍ
の保護層４を形成した。
を厚さ50nmスピンコートで形成した後、ディスクの直径
45〜118nmφの領域の全面にスパッタリング法により、
膜厚50nmのAu膜を成膜し、光反射層３を形成した。さら
に、この光反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコ
ートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μｍ
の保護層４を形成した。
こうして得られた光ディスクに波長780nmの半導体レ
ーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM信
号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCDプ
レーヤ（Aurex XR-V73、再生光の波長λ＝780nm）で再
生したところ、再生信号のアイパターンから得られるI
11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32であった。
ーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM信
号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCDプ
レーヤ（Aurex XR-V73、再生光の波長λ＝780nm）で再
生したところ、再生信号のアイパターンから得られるI
11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32であった。
CD規格では、I11/Itopが0.6以上、I3/Itopが0.3〜0.7
と定められており、この実施例による光ディスクは、こ
の規格を満足している。
と定められており、この実施例による光ディスクは、こ
の規格を満足している。
さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４、光反
射層３及び光吸収層２を剥離し、中間層６の表面を観察
したところ、そこに光学的に変性した凸状のピット５が
形成されているのが確認された。
射層３及び光吸収層２を剥離し、中間層６の表面を観察
したところ、そこに光学的に変性した凸状のピット５が
形成されているのが確認された。
（実施例２） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で80℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM95の塩化ビニル共重合体（積水化学製のエスレ
ックＡ）により、60nmの厚さに形成したこと以外は、上
記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で80℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM95の塩化ビニル共重合体（積水化学製のエスレ
ックＡ）により、60nmの厚さに形成したこと以外は、上
記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.35で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.35で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例３） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で90℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM100のアクリル樹脂（サンノプコ製のSN-EX559
5）により形成したこと、光吸収層２の膜厚を130nmとし
たこと、光吸収層２と光反射層３との間にシリコンアク
リル樹脂層を形成しなかったこと、及び反射層３をAuと
Irとの9:1の合金膜により形成したこと以外は、上記実
施例１と同様にして光ディスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で90℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM100のアクリル樹脂（サンノプコ製のSN-EX559
5）により形成したこと、光吸収層２の膜厚を130nmとし
たこと、光吸収層２と光反射層３との間にシリコンアク
リル樹脂層を形成しなかったこと、及び反射層３をAuと
Irとの9:1の合金膜により形成したこと以外は、上記実
施例１と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例４） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で85℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM70のポリスチレン（三洋化成製のST-95）により
形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディ
スクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で85℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM70のポリスチレン（三洋化成製のST-95）により
形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディ
スクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.65、I3/Itopが0.34で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.65、I3/Itopが0.34で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例５） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で55℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM70のポリ酢酸ビニル（三井ポリケミカル製のエ
バフレックス）により厚さ60nmに形成したこと、及びシ
リコンアクリル樹脂の上に、さらにイソシアネートを10
nmスピンコートしたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で55℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM70のポリ酢酸ビニル（三井ポリケミカル製のエ
バフレックス）により厚さ60nmに形成したこと、及びシ
リコンアクリル樹脂の上に、さらにイソシアネートを10
nmスピンコートしたこと以外は、上記実施例１と同様に
して光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.32で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.32で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例６） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM60のポリウレタン樹脂（日本ポリウレタン工業
製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを1:1に配
合）により厚さ50nmに形成したこと、この中間層６の上
にシリコン樹脂を厚さ15nmスピンコートで形成して耐溶
剤処理した後、１、１′ジブチル３、３、３′、３′テ
トラメチル４、５、４′５′ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレートを用いて厚さ130nmの光吸収層２
を形成したこと、光吸収層２と光反射層３との間にシリ
コンアクリル樹脂をコーティングしなかったこと、及び
反射層３をAuとIrとの9:1の合金膜により形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM60のポリウレタン樹脂（日本ポリウレタン工業
製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを1:1に配
合）により厚さ50nmに形成したこと、この中間層６の上
にシリコン樹脂を厚さ15nmスピンコートで形成して耐溶
剤処理した後、１、１′ジブチル３、３、３′、３′テ
トラメチル４、５、４′５′ジベンゾインドジカーボシ
アニンパークロレートを用いて厚さ130nmの光吸収層２
を形成したこと、光吸収層２と光反射層３との間にシリ
コンアクリル樹脂をコーティングしなかったこと、及び
反射層３をAuとIrとの9:1の合金膜により形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.33で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.33で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例７） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM60のポリウレタン樹脂（日本ポリウレタン工業
製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを1:1に配
合）により厚50nmに形成したこと、この中間層６の上に
シリコン系コート剤を厚さ15nmスピンコートで形成して
耐溶剤処理した後、１、１′ジブチル３、３、３′、
３′テトラメチル４、５、４′５′ジベンゾインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて光吸収層２を形成
したこと、この光吸収層２の上にシリコンアクリル樹脂
に代えてシリコン樹脂を形成したこと、及び光反射層３
の上にポリサルファイド添加エポキシ樹脂を20nmコーデ
ィングで形成した上に保護層４を設けたこと以外は、上
記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM60のポリウレタン樹脂（日本ポリウレタン工業
製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを1:1に配
合）により厚50nmに形成したこと、この中間層６の上に
シリコン系コート剤を厚さ15nmスピンコートで形成して
耐溶剤処理した後、１、１′ジブチル３、３、３′、
３′テトラメチル４、５、４′５′ジベンゾインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて光吸収層２を形成
したこと、この光吸収層２の上にシリコンアクリル樹脂
に代えてシリコン樹脂を形成したこと、及び光反射層３
の上にポリサルファイド添加エポキシ樹脂を20nmコーデ
ィングで形成した上に保護層４を設けたこと以外は、上
記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.33で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.33で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例８） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で60℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM100のヒドロキシプロピルセルロースにより形成
したこと、光吸収層２を形成する有機色素として、１、
１′ジブチル３、３、３′、３′テトラメチル４、５、
４′５′ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレー
トを用いたこと、及び光吸収層２の上に、シリコンアク
リル樹脂に代えて、シリコン樹脂をコーディングした以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
ASTM D648が4.6kg/cm2で60℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM100のヒドロキシプロピルセルロースにより形成
したこと、光吸収層２を形成する有機色素として、１、
１′ジブチル３、３、３′、３′テトラメチル４、５、
４′５′ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレー
トを用いたこと、及び光吸収層２の上に、シリコンアク
リル樹脂に代えて、シリコン樹脂をコーディングした以
外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.65、I3/Itopが0.32で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.65、I3/Itopが0.32で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例９） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM30のウレタン系熱可塑性樹脂（日本ポリウレタ
ン工業製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを
5:1に配合）により厚50nmに形成したこと、及びこの中
間層６の上にシリコン系コート剤を厚さ15nmスピンコー
トで形成して耐溶剤処理した後、１、１′ジブチル３、
３、３′、３′テトラメチル４、５、４′５′ジベンゾ
インドジカーボシアニンパークロレートを用いて光吸収
層２を形成したこと、及びシリコンアクリル樹脂に代え
て、シリコン樹脂をコーティングで形成したこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM30のウレタン系熱可塑性樹脂（日本ポリウレタ
ン工業製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを
5:1に配合）により厚50nmに形成したこと、及びこの中
間層６の上にシリコン系コート剤を厚さ15nmスピンコー
トで形成して耐溶剤処理した後、１、１′ジブチル３、
３、３′、３′テトラメチル４、５、４′５′ジベンゾ
インドジカーボシアニンパークロレートを用いて光吸収
層２を形成したこと、及びシリコンアクリル樹脂に代え
て、シリコン樹脂をコーティングで形成したこと以外
は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.67、I3/Itopが0.34で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.67、I3/Itopが0.34で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例10） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で70℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM90のアクリル樹脂（サンノプコ製のSN-EX7052）
により形成したこと、有機色素として、１、１′ジプロ
ピル５、７、５′、７′ジメトキシインドジカーボシア
ニンフルオロボレートを用いて膜厚130nmの光吸収層２
を形成したこと、光反射層３をCu膜により形成したこ
と、及び保護層４をシリコン系ハードコート剤により、
厚さ５μｍに形成したこと以外は、上記実施例１と同様
にして光ディスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で70℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM90のアクリル樹脂（サンノプコ製のSN-EX7052）
により形成したこと、有機色素として、１、１′ジプロ
ピル５、７、５′、７′ジメトキシインドジカーボシア
ニンフルオロボレートを用いて膜厚130nmの光吸収層２
を形成したこと、光反射層３をCu膜により形成したこ
と、及び保護層４をシリコン系ハードコート剤により、
厚さ５μｍに形成したこと以外は、上記実施例１と同様
にして光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例11） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM60のポリウレタン系樹脂（日本ポリウレタン工
業製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを1:1に
配合）により形成したこと、光吸収層２を形成する有機
色素として、１、１′ジプロピル５、７、５′、７′ジ
メトキシインドジカーボシアニンフルオロボレートを用
いたこと、光吸収層２の上に厚さ30nmのSiO2膜をスパッ
タリング法により設けたこと、光反射層３をCu膜により
形成したこと、光反射層３の上に厚さ20nmのエポキシ樹
脂をスピンコートした上に保護層４を形成したこと、保
護層４をシリコン系ハードコート剤により、厚さ５μｍ
に形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光デ
ィスクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で50℃、ロックウェル硬度ASTMが
D785でM60のポリウレタン系樹脂（日本ポリウレタン工
業製のニッポラン133と同社製のコロネートＬとを1:1に
配合）により形成したこと、光吸収層２を形成する有機
色素として、１、１′ジプロピル５、７、５′、７′ジ
メトキシインドジカーボシアニンフルオロボレートを用
いたこと、光吸収層２の上に厚さ30nmのSiO2膜をスパッ
タリング法により設けたこと、光反射層３をCu膜により
形成したこと、光反射層３の上に厚さ20nmのエポキシ樹
脂をスピンコートした上に保護層４を形成したこと、保
護層４をシリコン系ハードコート剤により、厚さ５μｍ
に形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光デ
ィスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.33で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.33で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（実施例12） 上記実施例１において、透光性基板１としてガラス円
板を用いたこと、中間層６として、熱変形温度ASTM D64
8が4.6kg/cm2で70℃、ロックウェル硬度ASTMがD785でM9
0の表面に2p法（photo polymarization method）により
プレグルーブを形成したアクリル樹脂（サンノプコ製の
SN-EX7052）により形成したこと、光吸収層２を形成す
る有機色素として、１、１′ジプロピル５、７、５′、
７′ジメトキシインドジカーボシアニンフルオロボレー
トを用いて膜厚130nmを光吸収層２を形成したこと、光
反射層３をCu膜により形成したこと、保護層４をシリコ
ン系ハードコート剤により、厚さ５μｍに形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
板を用いたこと、中間層６として、熱変形温度ASTM D64
8が4.6kg/cm2で70℃、ロックウェル硬度ASTMがD785でM9
0の表面に2p法（photo polymarization method）により
プレグルーブを形成したアクリル樹脂（サンノプコ製の
SN-EX7052）により形成したこと、光吸収層２を形成す
る有機色素として、１、１′ジプロピル５、７、５′、
７′ジメトキシインドジカーボシアニンフルオロボレー
トを用いて膜厚130nmを光吸収層２を形成したこと、光
反射層３をCu膜により形成したこと、保護層４をシリコ
ン系ハードコート剤により、厚さ５μｍに形成したこと
以外は、上記実施例１と同様にして光ディスクを製作し
た。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32で
あった。
さらに、上記実施例１と同様にして、記録後の中間層
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
６の表面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸
状のピット５が形成されているのが確認された。
（比較例） 上記実施例１において、中間層６として、熱変形温度
ASTM D648が4.6kg/cm2で180℃、ロックウェル硬度ASTM
がD785でM100のアルコキシシラン系シリコン樹脂により
形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディ
スクを製作した。
ASTM D648が4.6kg/cm2で180℃、ロックウェル硬度ASTM
がD785でM100のアルコキシシラン系シリコン樹脂により
形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして光ディ
スクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.28、I3/Itopが0.05で
あった。
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.28、I3/Itopが0.05で
あった。
この光ディスクは、上記CDフォーマットを満足するこ
とができない。
とができない。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記
録方法によれば、レーザ光の照射により、透光性基板１
の上に形成された中間層６にピットを形成できると共
に、光吸収層２の背後に反射層３を密着して形成するこ
とができることから、CDと光学的に近似するピット形態
と層構造をとることができる。
録方法によれば、レーザ光の照射により、透光性基板１
の上に形成された中間層６にピットを形成できると共
に、光吸収層２の背後に反射層３を密着して形成するこ
とができることから、CDと光学的に近似するピット形態
と層構造をとることができる。
特に、透光性基板１の上に比較的熱変形温度が低い
か、或は硬度の低い中間層６を形成していることから、
レーザ光の照射により光吸収層２に発生するエネルギー
により、この中間層６に明瞭なピットを形成することが
でき、これによって変調度の高い再生信号が得られる。
か、或は硬度の低い中間層６を形成していることから、
レーザ光の照射により光吸収層２に発生するエネルギー
により、この中間層６に明瞭なピットを形成することが
でき、これによって変調度の高い再生信号が得られる。
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のＡ部拡大図、
第３図は、第１図の光記録後のＡ部拡大図、第４図は、
他の例を示す光記録前の光ディスクの要部拡大断面図、
第５図は、同光ディスクにおける光記録後の要部拡大断
面図である。 １……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……保
護層
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のＡ部拡大図、
第３図は、第１図の光記録後のＡ部拡大図、第４図は、
他の例を示す光記録前の光ディスクの要部拡大断面図、
第５図は、同光ディスクにおける光記録後の要部拡大断
面図である。 １……基板、２……光吸収層、３……反射層、４……保
護層
フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−189851（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透光性基板１の上に他の層を介してレーザ
光を吸収する光吸収層２と、光吸収層２の上に直接また
は他の層を介して設けられたレーザ光を反射する光反射
層３とを有する光情報記録媒体において、光吸収層２が
レーザ光の照射により、発熱と圧力増大を伴う材料を含
有し、この光吸収層２と、透光性基板１との間に中間層
６を介在させ、この中間層６のロックウェル硬度がASTM
D785でM100〜50であることを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項２】中間層６の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/
cm2で50〜150℃であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (29)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239165A JPH0823940B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
| US07/340,082 US4990388A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording medium |
| US07/340,544 US5155723A (en) | 1988-07-30 | 1989-04-14 | Optical information recording method and medium |
| DE68924016T DE68924016T3 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische Informationsaufzeichnungsmethode und Medium. |
| AT89106810T ATE112649T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium. |
| AT89106873T ATE127265T1 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optische informationsaufzeichnungsmethode und medium. |
| EP19890106810 EP0353392B1 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording medium |
| DE68918652T DE68918652T2 (de) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optisches Informationsaufzeichnungsmedium. |
| ES89106873T ES2078901T5 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Metodo y medio de registro optico de informacion. |
| EP89106873A EP0353394B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Optical information recording method and medium |
| ES89106810T ES2064377T3 (es) | 1988-07-30 | 1989-04-17 | Medio de registro optico de informacion. |
| CA 599417 CA1332466C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording medium |
| CA000599416A CA1331807C (en) | 1988-07-30 | 1989-05-11 | Optical information recording method and medium |
| MYPI89000677A MY106947A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording method and medium. |
| MYPI89000675A MY104122A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-18 | Optical information recording medium. |
| AU35105/89A AU626071B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording medium |
| AU35108/89A AU626072B2 (en) | 1988-07-30 | 1989-05-24 | Optical information recording method and medium |
| DK198902544A DK175044B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Fremgangsmåde og medium til optisk informationsoptegning |
| DK198902543A DK174110B1 (da) | 1988-07-30 | 1989-05-25 | Optisk informationsoptegningsmedium |
| PH38708D PH26092A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording medium |
| PH38708A PH26093A (en) | 1988-07-30 | 1989-05-26 | Optical information recording method and medium |
| KR1019890010424A KR950006839B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 매체 |
| KR1019890010425A KR950005034B1 (ko) | 1988-07-30 | 1989-07-22 | 광정보 기록 방법 및 매체 |
| FI893562A FI893562L (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Foerfarande och organ foer optisk dataregistrering. |
| FI893561A FI893561L (fi) | 1988-07-30 | 1989-07-25 | Optisk dataregistrering. |
| PT91310A PT91310B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Meio de gravacao optica de informacao |
| PT91311A PT91311B (pt) | 1988-07-30 | 1989-07-28 | Processo e meio de gravacao optica de informacao |
| HK114195A HK114195A (en) | 1988-07-30 | 1995-07-13 | Optical information recording medium |
| HK105796A HK105796A (en) | 1988-07-30 | 1996-06-19 | Optical information recording method and medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239165A JPH0823940B2 (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287341A JPH0287341A (ja) | 1990-03-28 |
| JPH0823940B2 true JPH0823940B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=17040697
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823940B2 (ja) |
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| US6103331A (en) * | 1997-09-26 | 2000-08-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising organic dye thin film |
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-09-24 JP JP63239165A patent/JPH0823940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| JPH0287341A (ja) | 1990-03-28 |
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